Революция в энергоэффективности: появление силовых полупроводников SiC в устойчивых технологических достижениях

Рынок силовых полупроводников SiC (карбид кремния) находится на переднем крае технологического прогресса. Устройства SiC обеспечивают высокую эффективность и превосходные характеристики по сравнению с традиционными кремниевыми полупроводниками. Они находят применение в силовой электронике, электромобилях, системах возобновляемой энергетики и промышленных приводах. Ключевые особенности SiC включают низкие потери мощности, устойчивость к высоким температурам, а также уменьшенный размер и вес. Эти достижения позволяют создавать более компактные и энергоэффективные устройства, стимулируя инновации в различных отраслях, внося вклад в усилия по устойчивому развитию за счет снижения потребления энергии и выбросов углекислого газа.

Доступ к полному отчету @ https://www.databridgemarketresearch.com/ru/reports/global-sic-power-semiconductor-market

Исследование рынка Data Bridge показывает, что Глобальный рынок полупроводников Sic Power который составил 11 06 682 тысяч долларов США в 2022 году и, как ожидается, достигнет значения 7 030 515,23 тысяч долларов США к 2030 году при среднегодовом темпе роста 26,0% в течение прогнозируемого периода 2023-2030 годов. Полупроводники SiC (карбид кремния) играют ключевую роль в уменьшении размера и веса электронных систем. Их превосходная энергоэффективность и устойчивость к высоким температурам делают их незаменимыми в аэрокосмической, автомобильной и промышленной сферах, позволяя создавать более компактные и легкие, но высокофункциональные электронные компоненты, способствуя повышению общей производительности системы.

Ключевые результаты исследования

Ожидается, что Индустрия 4.0 будет стимулировать темпы роста рынка.

С появлением Индустрии 4.0 сфера промышленной автоматизации быстро развивается. Эта трансформация требует более эффективной и надежной силовой электроники. Полупроводники SiC (карбид кремния) пользуются все большей популярностью в этом контексте из-за их высоких характеристик. Они обеспечивают более высокую скорость переключения, снижение тепловыделения и повышение энергоэффективности, что соответствует требованиям современных систем промышленной автоматизации. Поскольку отрасли стремятся повысить производительность, сократить время простоев и оптимизировать энергопотребление, спрос на полупроводники SiC продолжает расти как фундаментальный компонент передовой силовой электроники в автоматизации.

Объем отчета и сегментация рынка

Анализ сегмента:

Мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован по типу, диапазону напряжения, размеру пластины, типу пластины, применению и вертикали.

• В зависимости от типа мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован на МОП-транзисторы, гибридные модули, диоды с барьером Шоттки (SBDS), IGBT, биполярный переходной транзистор (BJT), штыревой диод, переходный полевой транзистор (JFET) и другие.
• В зависимости от диапазона напряжений мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован на 301–900 В, 901–1700 В и выше 1701 В.
• В зависимости от размера пластин мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован на 6 дюймов, 4 дюйма, 2 дюйма и выше 6 дюймов.
• В зависимости от типа пластин мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован на эпитаксиальные пластины SiC и чистые пластины SiC.
• На основе приложения мировой рынок силовых полупроводников сегментирован на электромобили (EV), фотоэлектрические устройства, источники питания, промышленные приводы, инфраструктуру зарядки электромобилей, радиочастотные устройства и другие.
• По вертикали мировой рынок силовых полупроводников SiC сегментирован на автомобильную промышленность, коммунальное хозяйство и энергетику, промышленность, транспорт, информационные технологии и телекоммуникации, бытовую электронику, аэрокосмическую и оборонную промышленность, коммерческую деятельность и другие.

Основные игроки

Data Bridge Market Research признает следующие компании основными игроками мирового рынка силовых полупроводников SiC на мировом рынке силовых полупроводников SiC: WOLFSPEED, INC. (США), STMicroelectronics (Швейцария), ROHM CO., LTD. (Япония), Fuji Electric Co., Ltd. (Япония), Mitsubishi Electric Corporation (Япония), Texas Instruments Incorporated (США), Infineon Technologies AG (Германия), Semikron Danfoss (Германия), Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. . (Китай).

Развитие рынка

• В декабре 2022 года компании STMicroelectronics и Soitec, известные своими инновационными полупроводниковыми материалами, объявили о расширенном партнерстве, ориентированном на подложки из карбида кремния (SiC). ST планирует провести квалификацию технологии подложек Soitec SiC в течение следующих 18 месяцев. Цель этого сотрудничества заключается в том, чтобы ST внедрила технологию Soitec SmartSiC для предстоящего производства подложек толщиной 200 мм, которые будут способствовать производству устройств и модулей. Ожидается, что это партнерство улучшит финансовые показатели ST и будет способствовать росту мирового рынка силовых полупроводников SiC в среднесрочной перспективе.
• В июле 2022 года компания Semikron Danfoss и базирующаяся в Киото компания ROHM Semiconductor обменялись опытом десятилетнего сотрудничества, направленного на интеграцию карбида кремния (SiC) в силовые модули. Передовые SiC MOSFET четвертого поколения компании ROHM недавно прошли полную квалификацию в рамках модулей eMPack компании SEMIKRON, предназначенных для автомобильного применения. Это успешное партнерство позволило обеим компаниям эффективно удовлетворить глобальный спрос клиентов по всему миру. Это не только способствовало улучшению финансовых показателей, но и положительно повлияло на расширение мирового рынка силовых полупроводников SiC.

Региональный анализ

Географически в основной отчет о мировом рынке силовых полупроводников SiC входят США, Канада и Мексика в Северной Америке, Германия, Франция, Великобритания, Нидерланды, Швейцария, Бельгия, Россия, Италия, Испания, Турция, остальные страны Европы в Европе, Китай, Япония, Индия, Южная Корея, Сингапур, Малайзия, Австралия, Таиланд, Индонезия, Филиппины, остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона (APAC) в Азиатско-Тихоокеанском регионе (APAC), Саудовская Аравия, ОАЭ, Южная Африка, Египет, Израиль, Остальная часть Ближнего Востока и Африки (MEA) как часть Ближнего Востока и Африки (MEA), Бразилия, Аргентина и остальная часть Южной Америки как часть Южной Америки.

Согласно анализу исследования рынка Data Bridge:

Азиатско-Тихоокеанский регион ожидается, что он будет доминировать на мировом рынке силовых полупроводников SiC в течение прогнозируемого периода 2023–2030 гг.

В 2023 году Азиатско-Тихоокеанский регион готов утвердить свое доминирование на мировом рынке силовых полупроводников SiC, что обусловлено растущим спросом на эти передовые полупроводники. Ожидается, что спрос региона на силовые модули и сопутствующие устройства послужит значительным катализатором роста. Этот всплеск отражает устойчивый спрос на силовые полупроводники SiC в различных отраслях и приложениях, подчеркивая ключевую роль Азиатско-Тихоокеанского региона в управлении траекторией развития рынка.

Для получения более подробной информации о мировом рынке силовых полупроводников SiC нажмите здесь – https://www.databridgemarketresearch.com/ru/reports/global-sic-power-semiconductor-market