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全球绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场 – 行业趋势及 2029 年预测

半导体和电子

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全球绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场 – 行业趋势及 2029 年预测

  • 半导体和电子
  • 即将发布的报告
  • 2022 年 10 月
  • 全球的
  • 350 页
  • 桌数:220
  • 图例数量:60

全球绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场,按类型(分立 IGBT、模块化 IGBT)、额定功率(高功率、中功率、低功率)、最终用户(汽车、消费电子、通信、工业、其他最终用途垂直行业)划分 - 行业趋势和预测到 2029 年。

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场分析和规模

近年来,离散半导体需求大幅增长,预计在预测期内还将进一步增长。对高能量、低功耗设备的需求推动着离散半导体行业向前发展。电子制造商更喜欢快速、紧凑且能够提高产品效率的组件。这些市场增长决定因素将有助于市场的整体增长。

Data Bridge Market Research 分析称,绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场在 2021 年增长至 125.7 亿美元,预计到 2029 年将达到 316.6 亿美元,在 2022-2029 年预测期内的复合年增长率为 11.30%。除了市场价值、增长率、细分市场、地理覆盖范围、市场参与者和市场情景等市场洞察外,Data Bridge Market Research 团队策划的市场报告还包括深入的专家分析、进出口分析、定价分析、生产消费分析和 pestle 分析。

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场范围和细分

报告指标

细节

预测期

2022 至 2029 年

基准年

2021

历史岁月

2020(可定制为 2014 - 2019)

定量单位

收入(单位:十亿美元)、销量(单位:台)、定价(美元)

涵盖的领域

类型(分立 IGBT、模块化 IGBT)、额定功率(高功率、中功率、低功率)、最终用户(汽车、 消费类电子产品、通信、工业、其他终端用途垂直行业)、

覆盖国家

北美洲的美国、加拿大和墨西哥、德国、法国、英国、荷兰、瑞士、比利时、俄罗斯、意大利、西班牙、土耳其、欧洲其他地区、中国、日本、印度、韩国、新加坡、马来西亚、澳大利亚、泰国、印度尼西亚、菲律宾、亚太地区 (APAC) 的其他地区、沙特阿拉伯、阿联酋、南非、埃及、以色列、中东和非洲 (MEA) 的其他地区、巴西、阿根廷和南美洲其他地区

涵盖的市场参与者

ABB(瑞士)、Semiconductor Components Industries, LLC(美国)、英飞凌科技股份公司(德国)、意法半导体(瑞士)、东芝电子元件及存储株式会社(日本)、恩智浦半导体(荷兰)、Diodes Incorporated(美国)、Nexperia(荷兰)、Qualcomm Technologies Inc.(美国)、D3 Semiconductor(美国)、伊顿(爱尔兰)、日立有限公司(日本)、三菱电机株式会社(日本)、富士电机株式会社(美国)、村田制作所(日本)和台湾半导体制造股份有限公司(台湾)

机会

  • 基于人工智能的半导体的不断发展
  • 研发活动的增加,加上技术进步

市场定义

分立半导体器件是一种执行基本电子功能的单个硅器件。分立半导体包括绝缘栅双极晶体管 (IGBT)、MOSFET、晶闸管、二极管和整流器。功率分立半导体,最常见的是绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 或 MOSFET,是电子和电器中转换交流电的组件。功率分立驱动分立半导体,用于从消费电子产品到电动充电站等各种电子应用。

全球绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场动态

驱动程序

  • 对可持续设备的需求日益增长

预计,对高能效和节能设备的需求不断增长,以及对绿色能源发电驱动的需求增加将成为推动市场增长的主要因素。此外,电子产品和汽车对 MOSFET 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的需求增加,以及汽车行业对半导体的持续需求,有助于在预测期内缓冲市场增长。

  • 便携式和消费类设备需求旺盛

新型功率半导体是高度专业化的晶体管,采用各种竞争技术,如 GaN、SiC 和硅。由于 GaN 和 SiC 是宽带隙技术,因此它们比基于硅的器件更高效、更快。多家制造商正在推出基于氮化镓 (GaN) 和 碳化硅 (碳化硅)。

无线和便携式电子设备的日益普及推动了市场的增长。此外,无线和便携式电子产品的日益普及、新兴经济体的强劲需求以及汽车行业的快速增长都促进了市场的增长。通信、消费电子和其他设备制造商对更好、更高效的组件的需求也是市场驱动因素。

机会

  • 人工智能半导体普及率高

预计人工智能半导体的不断发展将为市场带来丰厚的利润,进一步扩大离散半导体市场的未来增长率。此外,研发活动的增加,加上制造技术的技术进步,将为市场增长提供大量机会。

限制

  • 成本高且缺乏进步

然而,分立半导体价格上涨、对集成电路的重视程度提高以及技术进步和发展的缺乏是预测期内进一步挑战绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场的主要制约因素。

本绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场报告详细介绍了最新发展、贸易法规、进出口分析、生产分析、价值链优化、市场份额、国内和本地市场参与者的影响,分析了新兴收入领域的机会、市场法规的变化、战略市场增长分析、市场规模、类别市场增长、应用领域和主导地位、产品批准、产品发布、地理扩展、市场技术创新。如需了解有关绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场的更多信息,请联系 Data Bridge Market Research 获取分析师简报,我们的团队将帮助您做出明智的市场决策,实现市场增长。

原材料短缺和运输延误的影响和当前市场状况

Data Bridge Market Research 提供高水平的市场分析,并通过考虑原材料短缺和运输延误的影响和当前市场环境来提供信息。这意味着评估战略可能性、制定有效的行动计划并协助企业做出重要决策。

除了标准报告外,我们还提供从预测的运输延迟、按区域划分的分销商映射、商品分析、生产分析、价格映射趋势、采购、类别绩效分析、供应链风险管理解决方案、高级基准测试等角度对采购层面的深入分析,以及其他采购和战略支持服务。

COVID-19 对全球绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场的影响

另一方面,COVID-19 疫情对全球和国家经济产生了巨大影响。许多终端用户行业,包括分立半导体,都受到了影响。工厂车间的工作是电子元件制造的重要组成部分,人们在车间密切接触,共同协作以提高生产率。市场上的公司目前正在评估三个方面的影响:市场需求、供应链和劳动力。随着消费者行为的快速变化和未来的波动,产品需求正在 ASIC、内存、传感器等方面发生变化。此外,许多企业推迟了硬件升级和其他长期迁移项目。

经济放缓对产品定价和供应的预期影响

当经济活动放缓时,行业开始受到影响。DBMR 提供的市场洞察报告和情报服务考虑了经济衰退对产品定价和可获得性的预测影响。通过这种方式,我们的客户通常可以领先竞争对手一步,预测他们的销售额和收入,并估算他们的盈亏支出

近期发展

  • 2020 年 9 月,英飞凌科技股份公司将推出其业界领先的“TRENCHSTOP 绝缘栅双极晶体管 (IGBT)7 技术”,该技术非常适合工业电机驱动器、光伏、功率因数校正和不间断电源。
  • 2020 年 7 月,意法半导体将推出 26 款新型肖特基二极管,额定电流为 1-5 A,额定电压为 25-200 V,采用薄型 SBM 和 SMA 扁平封装。由于电压低,这些器件可为消费和工业应用提供更高的能源效率。

全球绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场范围

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场根据类型、额定功率和最终用户进行细分。这些细分市场之间的增长情况将帮助您分析行业中增长缓慢的细分市场,并为用户提供有价值的市场概览和市场洞察,帮助他们做出战略决策,确定核心市场应用。

类型

  • 分立绝缘栅双极晶体管 (IGBT)
  • 模块化绝缘栅双极晶体管 (IGBT)

额定功率

  • 大功率
  • 中等功率
  • 低电量

最终用户垂直领域

  • 汽车
  • 消费类电子产品
  • 沟通
  • 工业的
  • 其他终端用途垂直行业

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场区域分析/见解

对绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场进行了分析,并按国家、类型、功率等级和最终用户提供了市场规模洞察和趋势(如上所述)。

绝缘栅双极晶体管(IGBT)分立半导体市场报告涵盖的国家包括北美的美国、加拿大和墨西哥、欧洲的德国、法国、英国、荷兰、瑞士、比利时、俄罗斯、意大利、西班牙、土耳其、欧洲其他地区、中国、日本、印度、韩国、新加坡、马来西亚、澳大利亚、泰国、印度尼西亚、菲律宾、亚太地区(APAC)的其他地区、沙特阿拉伯、阿联酋、南非、埃及、以色列、中东和非洲(MEA)的其他地区、南美洲的巴西、阿根廷和南美洲其他地区。

在整个预测期内,北美地区一直占据全球绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场的主导地位,占据最高的市场份额。这是由于数字技术日益融入主流、数字笔的广泛采用(特别是在教育领域)以及该地区主要参与者的存在。

亚太地区在分立半导体市场占据主导地位,因为中国、台湾、韩国和印度都拥有半导体产业,而且绿色能源发电驱动器和电子及汽车领域对 MOSFET 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的需求不断增加,

报告的国家部分还提供了影响市场当前和未来趋势的各个市场影响因素和市场监管变化。下游和上游价值链分析、技术趋势和波特五力分析、案例研究等数据点是用于预测各个国家市场情景的一些指标。此外,在提供国家数据的预测分析时,还考虑了全球品牌的存在和可用性以及它们因来自本地和国内品牌的大量或稀缺竞争而面临的挑战、国内关税和贸易路线的影响。

竞争格局和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场份额分析

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场竞争格局提供了按竞争对手划分的详细信息。详细信息包括公司概况、公司财务状况、产生的收入、市场潜力、研发投资、新市场计划、全球业务、生产基地和设施、生产能力、公司优势和劣势、产品发布、产品宽度和广度、应用主导地位。以上提供的数据点仅与公司对绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场的关注有关。

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场的一些主要参与者包括:

  • ABB(瑞士)
  • 半导体元件工业有限责任公司(美国)
  • 英飞凌科技股份公司(德国)
  • 意法半导体(瑞士)
  • 东芝电子元件及存储株式会社(日本)
  • 恩智浦半导体(荷兰)
  • Diodes 公司(美国)
  • Nexperia (荷兰)
  • 高通技术公司(美国)
  • D3半导体(美国)
  • 伊顿(爱尔兰)
  • 日立有限公司(日本)
  • 三菱电机株式会社(日本)
  • 富士电机有限公司(美国)
  • 村田制作所 (日本)
  • 台湾半导体制造股份有限公司 (中国台湾)


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研究方法论:

数据收集和基准年分析是使用具有大样本量的数据收集模块完成的。该阶段包括通过各种来源和策略获取市场信息或相关数据。它包括提前检查和规划从过去获得的所有数据。它同样包括检查不同信息源中出现的信息不一致。使用市场统计和连贯模型分析和估计市场数据。此外,市场份额分析和关键趋势分析是市场报告中的主要成功因素。要了解更多信息,请请求分析师电话或下拉您的询问。

DBMR 研究团队使用的关键研究方法是数据三角测量,涉及数据挖掘、数据变量对市场影响的分析和主要(行业专家)验证。数据模型包括供应商定位网格、市场时间线分析、市场概览和指南、公司定位网格、专利分析、定价分析、公司市场份额分析、测量标准、全球与区域和供应商份额分析。要了解有关研究方法的更多信息,请向我们的行业专家咨询。

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可定制:

Data Bridge Market Research 是高级形成性研究领域的领导者。我们很自豪能够为现有和新客户提供符合其目标的数据和分析。报告可以定制,包括目标品牌的价格趋势分析、了解其他国家的市场(索取国家名单)、临床试验结果数据、文献综述、翻新市场和产品基础分析。目标竞争对手的市场分析可以从基于技术的分析到市场组合策略进行分析。我们可以按照您所需的格式和数据样式添加您需要的任意数量的竞争对手数据。我们的分析师团队还可以为您提供原始 Excel 文件数据透视表(事实手册)中的数据,或者可以帮助您根据报告中的数据集创建演示文稿。

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常见问题

到 2029 年,绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场规模将达到 316.6 亿美元。
到 2029 年,绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场增长率将达到 11.30%。
对可持续设备的需求不断增长以及对便携式和消费设备的高需求是绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场的增长动力。
类型、额定功率和最终用户是绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场研究所依据的因素。
绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 分立半导体市场的主要公司有 ABB(瑞士)、Semiconductor Components Industries, LLC(美国)、英飞凌科技股份公司(德国)、意法半导体(瑞士)、东芝电子元件与存储株式会社(日本)、恩智浦半导体(荷兰)、Diodes Incorporated(美国)、Nexperia(荷兰)、Qualcomm Technologies Inc.,(美国)、D3 Semiconductor(美国)、伊顿(爱尔兰)、日立有限公司(日本)、三菱电机株式会社(日本)、富士电机株式会社(美国)、村田制作所有限公司(日本)和台湾半导体制造股份有限公司(台湾)。
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