全球 GaN 功率器件市场,按器件类型(功率器件、射频功率器件、GaN 功率模块、GaN 功率分立器件、GaN 功率 IC)、电压范围(600 伏)、应用(电源驱动器、电源和逆变器、射频)、垂直(电信、工业、汽车、可再生能源、消费者和企业、军事、国防和航空航天、医疗)、技术(4H-SiC MOSFET、HEMT、其他)、晶圆材料(GaN SiC、GaN Si)、晶圆尺寸(小于 150 毫米、150 毫米 - 500 毫米、大于 500 毫米)、国家(美国、加拿大、墨西哥、巴西、阿根廷、南美洲其他地区、德国、意大利、英国、法国、西班牙、荷兰、比利时、瑞士、土耳其、俄罗斯、欧洲其他地区、日本、中国、印度、韩国、澳大利亚、新加坡、马来西亚、泰国、印度尼西亚、菲律宾、亚太其他地区、沙特阿拉伯、阿联酋、南非、埃及、以色列、中东和非洲其他地区)行业趋势和预测到 2028 年
市场分析与洞察:全球 GaN 功率器件市场
预计在 2021 年至 2028 年的预测期内,GaN 功率器件市场将以 49.95% 的速度增长。Data Bridge 市场研究关于 GaN 功率器件市场的报告提供了对预计在整个预测期内普遍存在的各种因素的分析和见解,同时提供了它们对市场增长的影响。
氮化镓(GaN)晶体管已经成为硅基晶体管性能改进的替代品,因为与硅器件相比,它们能够在假定的电阻值和击穿电压下构建更密集的器件。
预计在预测期内推动 GaN 功率器件市场增长的主要因素是来自客户电子和汽车垂直行业的巨大收入,以及 GaN 材料支持创新的宽带隙特性。此外,
GaN在射频功率电子领域取得的成就、GaN射频功率器件在军事、国防和航空航天垂直领域的接受度上升和日益广泛的应用,进一步推动了GaN功率器件市场的增长。
另一方面,预计高压功率应用中 sic 器件的竞争将进一步阻碍 GaN 功率器件市场的增长。此外,GaN 在 5克 基础设施
电动汽车和混合动力汽车中的应用将为未来几年 GaN 功率器件市场的增长提供更多有利可图的机会。然而,材料和结构价格的上涨以及设计任务和难度的增加可能会在不久的将来进一步挑战 GaN 功率器件市场的增长。
本 GaN 功率器件市场报告详细介绍了最新发展、贸易法规、进出口分析、生产分析、价值链优化、市场份额、国内和本地市场参与者的影响,分析了新兴收入领域的机会、市场法规的变化、战略市场增长分析、市场规模、类别市场增长、应用领域和主导地位、产品批准、产品发布、地域扩展、市场技术创新。如需了解有关 GaN 功率器件市场的更多信息,请联系 Data Bridge Market Research 获取 分析师简报, 我们的团队将帮助您做出明智的市场决策,实现市场增长。
GaN功率器件 市场范围和市场规模
GaN 功率器件市场根据器件类型、电压范围、应用、垂直、技术、晶圆材料和晶圆尺寸进行细分。细分市场之间的增长有助于您分析利基市场的增长和进入市场的策略,并确定您的核心应用领域和目标市场的差异。
- 根据器件类型,GaN 功率器件市场细分为功率器件、RF 功率器件、GaN 功率模块、GaN 功率分立器件、GaN 功率 IC。功率器件进一步细分为分立功率器件和集成功率器件。RF 功率器件进一步细分为分立 RF 功率器件和集成 RF 功率器件。GaN 功率分立器件进一步细分为 GaN 功率非 RF 器件和 GaN 功率 RF 器件。GaN 功率 IC 进一步细分为 MMIC 和混合型。
- 根据电压范围,GaN功率器件市场细分为<200伏、200-600伏、>600伏),
- 根据应用,GaN 功率器件市场细分为功率驱动器、电源和逆变器、射频。功率驱动器进一步细分为电动汽车驱动器、工业驱动器和光检测和测距。电源和逆变器进一步细分为开关电源、逆变器、无线充电和电动汽车充电。射频进一步细分为射频前端模块、中继器/增强器/DAS 和雷达和卫星。
- 在垂直基础上,GaN功率器件市场细分为电信、工业、汽车、可再生能源、消费者和企业、军事、国防和航空航天、医疗。
- 根据技术,GaN功率器件市场细分为4h-SIC MOSFET、HEMT等。
- 根据晶圆材料,GaN功率器件市场细分为GaN SiC、GaN Si。
- 根据晶圆尺寸,GaN功率器件市场细分为小于150毫米、150毫米-500毫米、大于500毫米。
GaN功率器件 市场国家层面分析
对 GaN 功率器件市场进行了分析,并按国家、器件类型、电压范围、应用、垂直、技术、晶圆材料和晶圆尺寸提供了市场规模和数量信息。
GaN功率器件市场报告涵盖的国家包括北美洲的美国、加拿大和墨西哥,南美洲的巴西、阿根廷和南美洲其他地区,欧洲的德国、意大利、英国、法国、西班牙、荷兰、比利时、瑞士、土耳其、俄罗斯、欧洲其他地区,亚太地区 (APAC) 的其他地区 (APAC),中东和非洲 (MEA) 的其他地区 (MEA)。
由于国防和航空航天部门在研发方面的投资增加,北美在 GaN 功率器件市场中占据主导地位。此外,节能设备的接受度增加以及向多家正在运营的公司提供合同,将在预测期内进一步推动该地区 GaN 功率器件市场的增长。由于技术的快速发展导致对高效和高性能射频元件的需求增加,预计亚太地区的 GaN 功率器件市场将大幅增长。此外,无线电子设备的接受度大幅提高以及电信基础设施的生产预计将在未来几年进一步推动该地区 GaN 功率器件市场的增长。
报告的国家部分还提供了影响单个市场因素和国内市场监管变化,这些因素和变化影响了市场的当前和未来趋势。下游和上游价值链分析、技术趋势和波特五力分析、案例研究等数据点是用于预测单个国家市场情景的一些指标。此外,在提供国家数据的预测分析时,还考虑了全球品牌的存在和可用性以及它们因来自本地和国内品牌的大量或稀缺竞争而面临的挑战、国内关税和贸易路线的影响。
竞争格局及GaN功率器件 市场份额分析
GaN 功率器件市场竞争格局按竞争对手提供详细信息。详细信息包括公司概况、公司财务状况、收入、市场潜力、研发投资、新市场计划、区域分布、公司优势和劣势、产品发布、产品宽度和广度、应用主导地位。以上提供的数据点仅与公司对 GaN 功率器件市场的关注有关。
GaN 功率器件市场报告涵盖的主要参与者包括 Cree, Inc.、Infineon Technologies AG、Qorvo, Inc.、MACOM、Microsemi、三菱电机株式会社、Efficient Power Conversion Corporation.、GaN Systems、Navitas Semiconductor.、东芝电子设备与存储公司、Exagan.、VisIC Technologies、Integra Technologies, Inc.、Transphorm Inc.、GaNpower、Analog Devices, Inc.、松下公司、德州仪器公司、Ampleon、Northrop Grumman、Dialog Semiconductor 以及其他国内和全球参与者。市场份额数据分别针对全球、北美、欧洲、亚太地区 (APAC)、中东和非洲 (MEA) 和南美提供。DBMR 分析师了解竞争优势并为每个竞争对手分别提供竞争分析。
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