全球氮化镓半导体器件市场,按器件类型(光电半导体器件、功率半导体器件、射频半导体器件)、晶圆尺寸(2 英寸晶圆、4 英寸晶圆、6 英寸及以上晶圆)、组件(晶体管、二极管、整流器、电源 IC、其他)、应用(电源驱动器、光检测和测距、射频、照明和激光)、垂直(电信、工业、汽车、可再生能源、消费者和企业、军事、国防和航空航天、医疗)、国家(美国、加拿大、墨西哥、巴西、阿根廷、南美洲其他地区、德国、法国、意大利、英国、比利时、西班牙、俄罗斯、土耳其、荷兰、瑞士、欧洲其他地区、日本、中国、印度、韩国、澳大利亚、新加坡、马来西亚、泰国、印度尼西亚、菲律宾、亚太其他地区、阿联酋、沙特阿拉伯、埃及、南非、以色列、中东和非洲其他地区)划分,行业趋势和预测到 2029 年。
市场分析与洞察 氮化镓半导体器件 市场
预计氮化镓半导体器件市场将在 2022 年至 2029 年的预测期内增长。Data Bridge Market Research 分析氮化镓半导体器件市场在 2022 年至 2029 年的预测期内的复合年增长率为 6.10%。
氮化镓 (GaN) 基本上是一种半导体化合物,通常用于制造体积小、输出功率高、超高和微波射频效率高的器件。氮化镓半导体器件广泛应用于各种终端行业,如电信、工业、汽车、可再生能源、消费者和企业、军事、国防、航空航天和医疗。
汽车市场的不断增长,加上宽带隙特性应用的不断增加,将成为推动市场增长的主要因素。氮化镓在射频功率电子器件中的应用,以及来自 防御、军事和航空航天领域预计将在 2022 年至 2029 年的预测期内推动市场的整体增长。除此之外,消费者和企业以及汽车垂直行业对电源的需求增加等因素 电子设备 GAN生态系统中不断涌现的技术将进一步增加2022年至2029年预测期内的市场价值。另一方面,高压半导体应用领域的竞争日益激烈,以及碳化硅等替代材料在高压半导体中的功效越来越高,这对市场产生了制约作用。预计高昂的材料和制造成本将阻碍市场的增长。
此外,预计 5G 基础设施的引入以及混合动力和电动应用中的激增将在预测期内为市场增长创造新的机会。另一方面,与设计 GAN 设备电气布局相关的复杂性给 2022 年至 2029 年的预测期带来了挑战。
本氮化镓半导体器件市场报告详细介绍了最新发展、贸易法规、进出口分析、生产分析、价值链优化、市场份额、国内和本地市场参与者的影响,分析了新兴收入领域的机会、市场法规的变化、战略市场增长分析、市场规模、类别市场增长、应用领域和主导地位、产品批准、产品发布、地域扩展、市场技术创新。如需了解有关氮化镓半导体器件市场的更多信息,请联系 Data Bridge Market Research 获取 分析师简报,我们的团队将帮助您做出明智的市场决策,实现市场增长。
全球氮化镓半导体器件 市场范围和市场规模
氮化镓半导体器件市场根据器件类型、晶圆尺寸、组件、应用和垂直细分。不同细分市场之间的增长有助于您获得与预计在整个市场中普遍存在的不同增长因素相关的知识,并制定不同的策略来帮助确定核心应用领域和目标市场的差异。
- 氮化镓半导体器件市场根据器件类型细分为光电半导体器件、功率半导体器件和射频半导体器件。功率半导体器件进一步细分为分立功率半导体器件和集成功率半导体器件。射频半导体器件进一步细分为分立射频半导体器件和集成射频半导体器件。
- 根据晶圆尺寸,氮化镓半导体器件市场细分为2英寸晶圆、4英寸晶圆和6英寸及以上晶圆。
- 根据组件,氮化镓半导体器件市场细分为晶体管、二极管、整流器、电源 IC 和其他。
- 根据应用,氮化镓半导体器件市场细分为电力驱动、光检测和测距、 无线电频率、照明和激光。电力驱动进一步细分为电动汽车驱动和工业驱动。光检测和测距进一步细分为电源和逆变器、开关电源、逆变器、无线充电和电动汽车充电。射频进一步细分为射频前端模块、中继器/增强器/DAS、雷达和卫星。
- 氮化镓半导体器件也按垂直方向细分为电信、工业、 汽车、可再生能源、消费者和企业、军事、国防、航空航天和医疗。
氮化镓半导体器件 市场国家层面分析
氮化镓半导体器件市场根据器件类型、晶圆尺寸、组件、应用和垂直进行细分。
氮化镓半导体器件市场报告涵盖的国家包括北美的美国、加拿大和墨西哥,欧洲的德国、法国、英国、荷兰、瑞士、比利时、俄罗斯、意大利、西班牙、土耳其,欧洲其他地区,亚太地区的中国、日本、印度、韩国、新加坡、马来西亚、澳大利亚、泰国、印度尼西亚、菲律宾,亚太地区的亚太其他地区,沙特阿拉伯、阿联酋、以色列、埃及、南非,中东和非洲其他地区,以及南美洲的巴西、阿根廷和南美洲其他地区。
在 2022 年至 2029 年的预测期内,北美地区由于其成熟的电子产业而占据氮化镓半导体器件市场的主导地位。由于亚太地区对电子产品的需求不断增加,预计在预测期内亚太地区将经历巨大的发展。
氮化镓半导体器件市场报告的国家部分还提供了影响单个市场因素和国内市场监管变化,这些因素和变化会影响市场的当前和未来趋势。消费量、生产地点和产量、进出口分析、价格趋势分析、原材料成本、下游和上游价值链分析等数据点是用于预测单个国家市场情景的一些主要指标。此外,在提供国家数据的预测分析时,还考虑了全球品牌的存在和可用性以及由于来自本地和国内品牌的激烈或稀缺竞争而面临的挑战、国内关税和贸易路线的影响。
竞争格局和 氮化镓半导体器件 市场份额分析
氮化镓半导体器件市场竞争格局按竞争对手提供详细信息。详细信息包括公司概况、公司财务状况、收入、市场潜力、研发投资、新市场计划、全球影响力、生产基地和设施、生产能力、公司优势和劣势、产品发布、产品宽度和广度、应用主导地位。以上提供的数据点仅与公司对氮化镓半导体器件市场的关注有关。
氮化镓半导体器件市场报告中的一些主要参与者包括 WOLFSPEED, INC.、Infineon Technologies AG、MACOM、Microsemi、三菱电机株式会社、Efficient Power Conversion Corporation.、GaN Systems、Exagan.、VisIC Technologies、Integra Technologies, Inc.、Navitas Semi、SAMSUNG、Analog Devices, Inc.、Panasonic Corporation、德州仪器公司、Ampleon、SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS USA, INC.、Northrop Grumman. 和 Dialog Semiconductor 等。
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