碳化硅功率半导体是指含有碳和硅并在极高电压和温度下工作的半导体类型。碳化硅功率半导体可用于生产坚固且非常坚硬的材料。碳化硅功率半导体可用于电信、能源和电力、汽车、可再生能源发电等各个领域。它们之所以受到重视，是因为其更高的最大导热性能扩大了应用范围。碳化硅功率半导体是一种被视为高频功率器件的设备，主要适用于无线通信。与硅半导体相比，SiC 半导体的介电击穿场强是其十倍，热导率是其三倍，带隙是其三倍。SiC 半导体因其高性能和高效率而占领了市场。碳化硅功率半导体在高电压和高电流下工作，除了在高温下高效外，还具有低导通电阻。因此，碳化硅的组合已被证明是更好和最佳的半导体选择。
数据桥市场研究分析了 全球碳化硅功率半导体市场 预计将从 2023 年的 1,950,156.00 千美元达到 2031 年的 11,508,292.90 千美元，在 2024 年至 2031 年的预测期内，复合年增长率为 25.1%。更严格的法规和消费者对降低能源消耗的需求将推动市场增长。
研究主要发现
电动汽车使用率不断上升
电动汽车使用量的不断增长是全球碳化硅功率半导体市场的重要驱动因素，它利用碳化硅的卓越效率、热性能和快速充电功能来满足蓬勃发展的电动汽车的需求。此外，碳化硅功率半导体有助于开发电动汽车的更快充电解决方案，解决了消费者对电动汽车实用性的主要担忧之一。因此，所有组织都一致认为汽车行业的电动汽车趋势将不断增长。预计它将在全球碳化硅功率半导体的增长中发挥关键作用，并推动市场增长。
报告范围和市场细分
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报告指标
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细节
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预测期
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2024 至 2031 年
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基准年
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2023
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历史岁月
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2022（可定制为 2016 – 2021）
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定量单位
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收入（千美元）
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涵盖的领域
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类型（MOSFET、肖特基势垒二极管 (SBD)、双极结型晶体管 (BJT)、混合模块、SiC 裸片、Pin 二极管、结型场效应晶体管 (FET) 等）、晶圆类型（SiC 外延晶圆和空白 SiC 晶圆）、电压范围（301 V 至 900 V、901 V 至 1700 V、1701 V 及以上以及 300 V 以下）、晶圆尺寸（2 英寸、3 英寸和 4 英寸、6 英寸以及 8 英寸和 12 英寸）、应用（电动汽车 （电动汽车）、逆变器、电源、光伏、射频设备、工业电机驱动器等）、垂直行业（汽车和运输、数据中心、工业、可再生能源/电网、 消费类电子产品、航空航天和国防、医疗等）
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覆盖国家
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美国、加拿大、墨西哥、德国、英国、法国、意大利、荷兰、西班牙、俄罗斯、瑞士、土耳其、比利时、波兰、瑞典、丹麦、挪威、芬兰、欧洲其他地区、中国、日本、印度、韩国、澳大利亚、台湾、新加坡、泰国、印度尼西亚、马来西亚、菲律宾、新西兰、越南、亚太其他地区、巴西、阿根廷、南美洲其他地区、沙特阿拉伯、阿联酋、以色列、南非、埃及、卡塔尔、科威特、巴林、阿曼以及中东和非洲其他地区
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涵盖的市场参与者
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英飞凌科技股份公司（德国）、意法半导体（瑞士）、WOLFSPEED, INC.（美国）、瑞萨电子株式会社（日本）、Semiconductor Components Industries, LLC（美国）、三菱电机株式会社（日本）、罗姆株式会社（日本）、Qorvo, Inc（美国）、Nexperia（荷兰）、东芝电子元件与存储株式会社（美国）、Allegro MicroSystems, Inc.（美国）、GeneSiC Semiconductor Inc.（美国）、富士电机株式会社（日本）、Vishay Intertechnology, Inc.（美国）、日立功率半导体器件有限公司、Littelfuse, Inc.（美国）、德州仪器公司。 （美国）、Microchip Technology Inc.（美国）、Semikron Danfoss（德国）、WeEn Semiconductors（中国）、Solitron Devices, Inc.（美国）、SemiQ Inc.（美国）、厦门博威新材料（中国）、MaxPower Semiconductor（台湾）等
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报告中涵盖的数据点
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除了对市场价值、增长率、细分、地理覆盖范围和主要参与者等市场情景的洞察之外，Data Bridge Market Research 策划的市场报告还包括深入的专家分析、按地理位置代表的公司生产和产能、分销商和合作伙伴的网络布局、详细和更新的价格趋势分析以及供应链和需求的赤字分析
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细分分析
全球碳化硅功率半导体市场根据类型、晶圆类型、电压范围、晶圆尺寸、应用和垂直细分为六个显著细分市场。
- 根据类型，全球碳化硅功率半导体市场细分为 MOSFET、肖特基势垒二极管 (SBD)、双极结型晶体管 (BJT)、混合模块、SiC 裸片、PIN 二极管、结型场效应晶体管 (FET) 和其他
2024 年，MOSFET 领域预计将主导全球碳化硅功率半导体市场
2024 年，MOSFET 领域预计将凭借其高效率、快速开关速度和低导通电阻占据市场主导地位，市场份额为 28.28%。
- 根据晶片类型，全球碳化硅功率半导体市场细分为 SiC 外延晶片和空白 SiC 晶片
2024 年，SiC 外延片预计将主导全球碳化硅功率半导体市场
到 2024 年，SiC 外延片预计将凭借其优异的电气性能和效率占据市场主导地位，市场份额达到 55.19%。
- 根据电压范围，全球碳化硅功率半导体市场细分为 301 V 至 900 V、901 V 至 1700 V、1701 V 及以上和 300 V 以下。预计 2024 年，301 V 至 900 V 部分将占据市场主导地位，市场份额为 44.68%
- 根据晶圆尺寸，全球碳化硅功率半导体市场细分为 2 英寸、3 英寸和 4 英寸、6 英寸以及 8 英寸和 12 英寸。预计 2024 年，2 英寸、3 英寸和 4 英寸细分市场将占据主导地位，市场份额为 43.65%
- 根据应用，全球碳化硅功率半导体市场细分为电动汽车 (EV)、逆变器、电源、光伏、射频设备、工业电机驱动器等。到 2024 年，电动汽车 (EV) 领域预计将占据市场主导地位，市场份额为 33.53%
- 从垂直角度来看，全球碳化硅功率半导体市场细分为汽车和运输、数据中心、工业、可再生能源/电网、消费电子、航空航天和国防、医疗等。预计到 2024 年，汽车和运输领域将占据市场主导地位，市场份额为 28.38%
主要参与者
Data Bridge Market Research 分析了英飞凌科技股份公司（德国）、意法半导体（瑞士）、WOLFSPEED INC.（美国）、瑞萨电子株式会社（日本）和 Semiconductor Components Industries LLC.（美国）作为全球碳化硅功率半导体市场的主要公司。
市场发展
- 2024 年 1 月，意法半导体宣布与理想汽车达成长期协议，供应 SiC 器件。通过这笔交易，理想汽车将从意法半导体 (ST) 获得 SiC MOSFET，以支持其在多个细分市场的高压电池电动汽车 (BEV) 目标。这一发展可以增强该公司在中国的影响力
- 2023 年 8 月，意法半导体宣布已签署合同，为博格华纳公司供应碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET。意法半导体将为博格华纳基于 Viper 平台构建的独家电源模块提供最新的第三代 750V 碳化硅 (SiC) 功率 MOSFET 芯片。目前和即将推出的几款沃尔沃电动汽车都配备了博格华纳制造的牵引逆变器平台，这些平台采用了该电源模块。这笔交易可以扩大该公司在汽车市场的影响力
- 2023 年 7 月，WOLFSPEED, INC. 宣布已与瑞萨电子株式会社签署供应协议，承诺提供碳化硅裸片和外延片 10 年供应。Wolfspeed 提供的优质碳化硅晶圆将使瑞萨电子从 2025 年开始大规模生产碳化硅功率半导体。
- 2022年12月，瑞萨电子株式会社宣布荣获全球半导体联盟（GSA）今年颁发的“亚太杰出半导体公司奖”。该奖项和认可提升了公司在市场上的形象，对全球SiC功率半导体市场的增长产生了积极影响。
- 2022 年 11 月，英飞凌科技股份公司签署了一份非约束性谅解备忘录，以进行碳化硅 (SiC) 半导体的多年供应合作。英飞凌将保留制造能力，并在本世纪下半叶向 Stellantis 的直接一级供应商供应 CoolSiC“裸片”芯片。潜在的采购量和产能预留价值远远超过 10 亿欧元。这一发展帮助该公司实现了财务增长，并对全球 SiC 功率半导体市场的增长产生了积极影响
区域分析
根据地域划分，市场分为美国、加拿大、墨西哥、德国、英国、法国、意大利、荷兰、西班牙、俄罗斯、瑞士、土耳其、比利时、波兰、瑞典、丹麦、挪威、芬兰、欧洲其他地区、中国、日本、印度、韩国、澳大利亚、台湾、新加坡、泰国、印度尼西亚、马来西亚、菲律宾、新西兰、越南、亚太其他地区、巴西、阿根廷、南美洲其他地区、沙特阿拉伯、阿联酋、以色列、南非、埃及、卡塔尔、科威特、巴林、阿曼以及中东和非洲其他地区。
根据数据桥市场研究分析：
北美 是全球碳化硅功率半导体市场的主导地区
北美地区预计将占据市场主导地位，因为其拥有先进的技术基础设施、强劲的研发投入以及该地区主要市场参与者的显著影响力。
亚太 是全球碳化硅功率半导体市场增长最快的地区
由于电子汽车使用量的不断增加，亚太地区预计将成为市场增长最快的地区。
有关全球碳化硅功率半导体市场报告的更多详细信息，请点击此处 –https://www.databridgemarketresearch.com/zh/reports/global-silicon-carbide-power-semiconductors-market
