Мировой рынок зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) – тенденции отрасли и прогноз до 2030 года

Get Exclusive Sample PDF of this Report Here

Анализ и размер рынка зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN)

Глобальный рынок зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) демонстрирует устойчивый рост в течение последних нескольких лет. Развитие потребительской электроники , автомобильной, аэрокосмической, военной и оборонной промышленности в основном отвечает за глобальный рынок. Появление новых приложений GaN, рост использования силовой радиочастотной электроники и выдающиеся характеристики, включая высокое напряжение пробоя и низкое потребление энергии, являются ключевыми факторами, способствующими росту глобального рынка.

Data Bridge Market Research анализирует, что мировой рынок зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) оценивался в 690,40 млн долларов США в 2022 году и, как ожидается, достигнет 841 млн долларов США к 2030 году, регистрируя среднегодовой темп роста в 5,2% в прогнозируемый период 2023-2030 годов. В дополнение к рыночным данным, таким как рыночная стоимость, темпы роста, сегменты рынка, географический охват, участники рынка и рыночный сценарий, рыночный отчет, подготовленный командой Data Bridge Market Research, включает в себя углубленный экспертный анализ, анализ импорта/экспорта, анализ цен, анализ производства и потребления, а также анализ пестиков.

Объем и сегментация рынка зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN)

Get Exclusive Sample PDF of this Report Here

Определение рынка

Зарядные устройства для телефонов на основе нитрида галлия (Gallium Nitride), также известные как зарядные устройства на основе нитрида галлия или адаптеры питания на основе нитрида галлия, представляют собой компактные и высокопроизводительные зарядные устройства, специально разработанные для зарядки смартфонов и других электронных устройств. Они используют полупроводниковую технологию на основе нитрида галлия, которая обеспечивает ряд преимуществ по сравнению с традиционными зарядными устройствами на основе кремния. Нитрид галлия, или GaN, — это материал, который начинает использоваться в полупроводниках зарядных устройств. Но теперь он используется в производстве светодиодов с 1990-х годов, а также является популярным материалом для солнечных батарей на спутниках. Самая важная особенность GaN в зарядных устройствах заключается в том, что он выделяет меньше тепла.

Динамика мирового рынка зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN)

Драйверы

• Растущий спрос на зарядные устройства на основе нитрида галлия (GaN)

Спрос на решения для быстрой зарядки, которые генерируют меньше тепла и снижают вероятность перезарядки, является движущей силой рынка зарядных устройств на основе GaN. Ожидается, что возросшее использование современных зарядных устройств, которые включают в себя системы мониторинга в различных отраслях конечного использования, будет стимулировать рынок зарядных устройств на основе GaN. Спрос на быструю зарядку при сохранении всех возможностей питания и правил безопасности для телекоммуникационных секторов является движущей силой расширения отрасли.

Кроме того, интеграция технологий, включая Интернет вещей (IoT), машинное обучение, искусственный интеллект  (AI) и другие, по оценкам, ускорит общее расширение рынка в течение прогнозируемого периода. Кроме того, высокий спрос на эти зарядные устройства по всем вертикалям также, как ожидается, будет стимулировать темпы роста рынка. Резкий рост спроса на энергоэффективные и быстрозарядные устройства окажет дополнительное положительное влияние на темпы роста рынка в течение прогнозируемого периода.

Возможности

• Разработка микрозарядных устройств на основе GaN

Разработка микрозарядных устройств на основе GaN, которые могут быть встроены в компактные электронные устройства, по оценкам, создаст прибыльные возможности для рынка, что еще больше увеличит темпы роста рынка зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) в прогнозируемый период 2023-2030 гг. Кроме того, участники отрасли концентрируются на научно-исследовательских и опытно-конструкторских работах для продвижения технологии GaN и выпуска более эффективных продуктов. Чтобы сохранить или увеличить свою долю на мировом рынке, производители потребительской электроники подписывают долгосрочные контракты с производителями зарядных устройств на основе GaN.

• Смещение акцента с Si на GaN

Смещение акцента с Si на GaN из-за улучшения рабочей частоты электронных устройств и уменьшения времени зарядки компонентов, веса и стоимости дополнительно предлагает многочисленные возможности для роста на рынке. Зарядные устройства на основе GaN имеют широкополосный зазор, высокие частоты переключения и относительно небольшие размеры.

Ограничения/Проблемы

• Распространенность местных брендов

Низкокачественные зарядные устройства на основе GaN производятся в больших количествах из-за преобладания местных брендов и отсутствия производственных норм или правил. Следовательно, прогнозируется, что мировой рынок зарядных устройств на основе GaN будет испытывать медленный рост в результате этой причины в прогнозируемый период с 2023 по 2030 год.

• Отсутствие единообразия и стандартов

Существенным препятствием является отсутствие единообразия в технологии и деталях, используемых для производства зарядных устройств на основе GaN. Ожидается, что расширение рынка зарядных устройств на основе GaN будет затруднено из-за отсутствия четких стандартов на рынке, что приведет к значительной дифференциации продуктов и цен, что, по оценкам, станет серьезной проблемой для мирового рынка зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) в прогнозируемый период с 2023 по 2030 год.

Этот отчет о мировом рынке зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) содержит подробную информацию о новых последних разработках, правилах торговли, анализе импорта-экспорта, анализе производства, оптимизации цепочки создания стоимости, доле рынка, влиянии внутренних и локальных игроков рынка, анализирует возможности с точки зрения новых источников дохода, изменений в правилах рынка, анализе стратегического роста рынка, размере рынка, росте рынка категорий, нишах приложений и доминировании, одобрении продуктов, запуске продуктов, географическом расширении, технологических инновациях на рынке. Чтобы получить больше информации о мировом рынке зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN), свяжитесь с Data Bridge Market Research для получения аналитического обзора, наша команда поможет вам принять обоснованное рыночное решение для достижения роста рынка .

Последние события

• В январе 2021 года Dell и Navitas Semiconductor объединились для разработки инновационных технологий зарядки на основе GaN. Оба предприятия объединились для создания новых приложений для нитрида галлия (GaN)
• В сентябре 2020 года Samsung Electronics заключила контракт с Verizon, став первым клиентом в США, с целью расширения покрытия внутри помещений. Текущим стандартом быстрой зарядки являются настенные зарядные устройства на основе GaN, которые предлагает Verizon. Настенные зарядные устройства на основе GaN значительно компактнее других типов обычных зарядных устройств
• В ноябре 2020 года новые головки для зарядки на основе нитрида галлия (GaN) мощностью 120 Вт от Baseus были доступны в вариантах с выходной мощностью 45 Вт, 65 Вт и 120 Вт. Лидируя в сфере зарядных устройств, компания недавно представила первую вилку для быстрой зарядки с тремя портами мощностью 65 Вт. Зарядка ноутбуков мощностью до 100 Вт, 20 В/5 А — это основная цель новой серии на основе нитрида галлия (GaN) мощностью 120 Вт. Кроме того, она поддерживает MacBook, Dell, HP, Lenovo и другие. Она может быстро заряжать два ноутбука одновременно.
• В ноябре 2020 года с оценочными комплектами силовых модулей GaN, такими как 100-вольтовый драйвер GaN DC/DC Power Stage Module, 650-вольтовый 150-амперный полумостовой IPM, 650-вольтовый 150-амперный полномостовой модуль и драйвер, а также 650-вольтовый 300-амперный 3-фазный модуль и драйвер, GaN Systems увеличила размер рынка электропитания. Модули GaN имеют более высокую производительность системы и соответствуют отраслевым стандартам по размерам

Масштаб мирового рынка зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN)

Глобальный рынок зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) сегментирован на основе выходной мощности, применения и конечного пользователя. Рост среди этих сегментов поможет вам проанализировать сегменты с незначительным ростом в отраслях и предоставить пользователям ценный обзор рынка и рыночные идеи, которые помогут им принимать стратегические решения для определения основных рыночных приложений.

Выходная мощность

• Зарядные устройства GaN мощностью 25 Вт
• Зарядные устройства GaN мощностью 30 Вт
• Зарядные устройства GaN мощностью 45 Вт
• Зарядные устройства GaN мощностью 60 Вт
• Зарядные устройства GaN мощностью 65 Вт
• Зарядные устройства GaN мощностью 90 Вт
• Зарядные устройства GaN мощностью 100 Вт

 Приложение

• Смартфоны и планшеты
• Ноутбуки и нетбуки
• Автономные роботы
• Промышленное оборудование
• Беспроводная зарядка

 Конечный пользователь

• Бытовая электроника
• ИТ и телекоммуникации
• Автомобильный
• Аэрокосмическая промышленность и оборона
• Другие

Анализ/информация о мировом рынке зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN)

Проанализирован мировой рынок зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN), а также предоставлены сведения о размерах рынка и тенденциях по регионам, выходной мощности, областям применения и конечным пользователям, как указано выше.

Страны, охваченные отчетом о мировом рынке зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN): США, Канада, Мексика, Бразилия, Аргентина, остальные страны Южной Америки, Германия, Италия, Великобритания, Франция, Испания, Нидерланды, Бельгия, Швейцария, Турция, Россия, остальные страны Европы, Япония, Китай, Индия, Южная Корея, Австралия, Сингапур, Малайзия, Таиланд, Индонезия, Филиппины, остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона, Саудовская Аравия, ОАЭ, Южная Африка, Египет, Израиль, остальные страны Ближнего Востока и Африки.

Азиатско-Тихоокеанский регион доминирует на мировом рынке зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) из-за высокого спроса на светодиоды в потребительской электронике и автомобильной промышленности в регионе в прогнозируемый период с 2023 по 2030 год. Более того, ожидается, что широкое внедрение электромобилей в сочетании с быстрорастущей полупроводниковой промышленностью ускорит рост в прогнозируемый период.

В Азиатско-Тихоокеанском регионе будет зарегистрирован самый высокий среднегодовой темп роста, и он станет самым быстрорастущим регионом на мировом рынке зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) в период с 2023 по 2030 год благодаря ускорению экономического роста в таких ключевых странах этого региона, как Китай и Япония.

В разделе отчета, посвященном региону, также приводятся отдельные факторы, влияющие на рынок, и изменения в регулировании на внутреннем рынке, которые влияют на текущие и будущие тенденции рынка. Такие данные, как анализ цепочки создания стоимости вверх и вниз по течению, технические тенденции и анализ пяти сил Портера, тематические исследования — вот некоторые из указателей, используемых для прогнозирования рыночного сценария для отдельных стран. Кроме того, при предоставлении прогнозного анализа данных региона учитываются наличие и доступность глобальных брендов и проблемы, возникающие из-за большой или малой конкуренции со стороны местных и внутренних брендов, влияние внутренних тарифов и торговые пути.   

Анализ конкурентной среды и доли мирового рынка зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN)

Конкурентная среда мирового рынка зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN) содержит сведения о конкурентах. Включены сведения о компании, ее финансах, полученном доходе, рыночном потенциале, инвестициях в исследования и разработки, новых рыночных инициативах, глобальном присутствии, производственных площадках и объектах, производственных мощностях, сильных и слабых сторонах компании, запуске продукта, широте и широте продукта и доминировании в применении. Приведенные выше данные касаются только фокуса компаний на мировом рынке зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN).

Некоторые из основных игроков, работающих на мировом рынке зарядных устройств на основе нитрида галлия (GaN):

• Fujitsu (Япония)
• Корпорация Toshiba (Япония)
• Texas Instruments Incorporated (США)
• Светодиод Cree (США)
• Aixtron (Германия)
• Mitsubishi Chemical Corporation (Япония)
• Итон (Ирландия)
• Сименс (Германия)
• Belkin International, Inc (США)
• Ауки (Китай)
• Gizmochina (Китай)
• VisIC Technologies (Израиль)
• Конинклийке Philips NV (Нидерланды)
• VINA International Holdings LTD. (США)
• GaN Systems Inc. (Канада)
• Эпиган НВ (Бельгия)
• Навитас Полупроводник Лтд.(США)

SKU-68795