Рынок карбида кремния (SiC) в Индии – тенденции отрасли и прогноз до 2031 года

Запрос на TOC Запрос на TOC Обратиться к аналитику Обратиться к аналитику Купить сейчас Купить сейчас Узнать перед покупкой Узнать перед покупкой Бесплатный пример отчета Бесплатный пример отчета

Рынок карбида кремния (SiC) в Индии – тенденции отрасли и прогноз до 2031 года

  • Chemical and Materials
  • Upcoming Report
  • Mar 2024
  • Country Level
  • 350 Pages
  • Количество таблиц: 220
  • Количество рисунков: 60

India Silicon Carbide Market

Размер рынка в млрд долларов США

CAGR :  % Diagram

Diagram Прогнозируемый период
2024 –2031
Diagram Размер рынка (базовый год)
USD 41,356.70 Thousand
Diagram Размер рынка (прогнозируемый год)
USD 93,942.90 Thousand
Diagram CAGR
%
Diagram Основные игроки рынка
  • Dummy1
  • Dummy2
  • Dummy3
  • Dummy4
  • Dummy5

>Рынок карбида кремния (SiC) в Индии, по видам продукции (черный и зеленый), по типу устройства (дискретный SiC, кристалл без покрытия SiC и модуль SiC), по размеру пластины (2, 4 и 6 дюймов), по применению (металлургия, абразивы, огнеупоры, электротехника и электроника и др.), по конечному использованию (автомобильная, аэрокосмическая, военная и оборонная промышленность, тяжелое машиностроение, бытовая электроника , здравоохранение и др.) — тенденции и прогноз развития отрасли до 2031 г.

Анализ и размер рынка карбида кремния (SiC) в Индии

На рынке карбида кремния (SiC) инновационные приложения и методы преобразуют отрасли. От усовершенствованной силовой электроники до усовершенствованных полупроводников свойства SiC повышают эффективность и производительность. Возникающий рост и достижения в области 3D-печати расширяют области применения SiC, преобразуя автомобильную, аэрокосмическую и возобновляемую энергетику с помощью инновационных решений.

Data Bridge Market Research анализирует, что рынок карбида кремния (SiC) в Индии, который в 2023 году составил 41 356,70 тыс. долларов США, как ожидается, достигнет 93 942,90 тыс. долларов США к 2031 году, увеличившись в среднем на 10,8% в течение прогнозируемого периода с 2024 по 2031 год. Помимо информации о рыночных сценариях, таких как рыночная стоимость, темпы роста, сегментация, географический охват и основные игроки, рыночные отчеты, подготовленные Data Bridge Market Research, также включают в себя углубленный экспертный анализ, географически представленное производство и мощности компаний, сетевые схемы дистрибьюторов и партнеров, подробный и обновленный анализ ценовых тенденций и анализ дефицита цепочки поставок и спроса.

Область отчета и сегментация рынка

Отчет Метрика

Подробности

Прогнозируемый период

2024-2031

Базовый год

2023

Исторические годы

2022 (Можно настроить на 2016–2021 гг.)

Количественные единицы

Доход в тыс. долл. США, объемы в единицах, цены в долл. США

Охваченные сегменты

Продукт (черный и зеленый), устройство (дискретный SiC, кристалл SiC без покрытия и модуль SiC), размер пластины (2 дюйма, 4 дюйма и 6 дюймов), применение (металлургия, абразивы, огнеупоры, электротехника и электроника и др.), конечное использование (автомобилестроение, аэрокосмическая промышленность, военная и оборонная промышленность, тяжелое машиностроение, бытовая электроника, здравоохранение и др.)

Охваченные участники рынка

STMicroelectronics (Швейцария), Infineon Technologies AG (Германия), ROHM CO., LTD. (Япония), WOLFSPEED, INC. (США), Semiconductor Components Industries, LLC (США), Fuji Electric Co., Ltd. (Япония), Renesas Electronics Corporation (Япония), Microchip Technology Inc. (США), TOSHIBA CORPORATION (Япония), General Electric (США), GeneSiC Semiconductor Inc. (США), ESD-SIC bv (Нидерланды), Entegris, Inc. (США), POWEREX (США), Qorvo, Inc. (США), Saint-Gobain (Франция) и Sublime Technologies (США)

Возможности рынка

  • Увеличение миниатюризации и более высокой плотности мощности
  • Расширение инфраструктуры возобновляемой энергетики

Определение рынка

Карбид кремния (SiC) — это соединение, состоящее из атомов кремния и углерода, расположенных в кристаллической решетке. Он славится своей исключительной твердостью, теплопроводностью и устойчивостью к коррозии, что делает его ценным в различных отраслях промышленности, включая электронику, автомобилестроение и абразивы. SiC используется в полупроводниковых приборах, керамике и огнеупорах.

Динамика рынка карбида кремния (SiC) в Индии

Драйверы

  • Растущий спрос на силовую электронику

Рост спроса на силовую электронику стимулирует внедрение карбида кремния (SiC) из-за его превосходных свойств по сравнению с обычными устройствами на основе кремния. Этот спрос в первую очередь обусловлен потребностью в эффективном преобразовании энергии в электромобилях, установках возобновляемой энергии и промышленных двигателях, где улучшенная производительность SiC имеет решающее значение для оптимизации энергопотребления и эффективности системы.

  • Рост популярности электромобилей (ЭМ)

Всплеск внедрения электромобилей (EV) стимулирует спрос на силовую электронику на основе SiC. Устройства SiC обеспечивают повышенную эффективность, увеличенный запас хода и ускоренную зарядку, усиливая их значимость в технологии EV. Эта тенденция подчеркивает ключевую роль SiC в продвижении автомобильной электрификации, подпитывая расширение рынка SiC.

Возможности

  • Увеличение миниатюризации и более высокой плотности мощности

Устройства SiC обеспечивают меньшие размеры и большую плотность мощности по сравнению с кремниевыми аналогами, что жизненно важно для аэрокосмической и портативной электроники, где пространство и вес имеют решающее значение. Это достижение преобразует конструкцию устройства, способствуя более компактным и легким решениям без ущерба для производительности, что необходимо для удовлетворения требований современных приложений в этих отраслях.

  • Расширение инфраструктуры возобновляемой энергетики

Растущее внимание к возобновляемым источникам энергии, в частности, солнечной и ветровой, требует эффективных систем преобразования энергии. Силовая электроника на основе карбида кремния (SiC) обеспечивает повышенную эффективность и надежность, что способствует ее внедрению в инфраструктуру возобновляемой энергии. Эта тенденция обусловлена ​​способностью SiC улучшать производительность и устойчивость систем преобразования энергии в приложениях устойчивой энергетики.

 Ограничения/Проблемы

  • Переход от традиционных материалов

Сопротивление переходу от традиционных материалов к карбиду кремния (SiC) из-за проблем совместимости, адаптивности и перепроектирования замедляет внедрение SiC. Это нежелание сдерживает рост рынка, поскольку отрасли не решаются инвестировать в технологию SiC, опасаясь сбоев в существующих системах. Преодоление этих барьеров имеет решающее значение для широкого внедрения и расширения рынка в различных приложениях.

  • Ограниченная инфраструктура цепочки поставок

Ограниченная инфраструктура для производства, распределения и цепочки поставок карбида кремния (SiC) создает препятствия, препятствуя росту рынка. Недостаточные мощности и логистика замедляют доступность материалов, увеличивая сроки и стоимость поставок. Это ограничивает масштабируемость рынка, задерживает запуск продуктов и подрывает конкурентоспособность, сдерживая более широкое внедрение технологии SiC в отраслях.

В этом отчете о рынке карбида кремния (SiC) в Индии содержатся сведения о новых последних разработках, правилах торговли, анализе импорта-экспорта, анализе производства, оптимизации цепочки создания стоимости, доле рынка, влиянии внутренних и локальных игроков рынка, анализируются возможности с точки зрения новых источников дохода, изменений в правилах рынка, анализ стратегического роста рынка, размер рынка, рост рынка категорий, ниши приложений и доминирование, одобрения продуктов, запуски продуктов, географические расширения, технологические инновации на рынке. Чтобы получить больше информации о рынке карбида кремния (SiC) в Индии, свяжитесь с Data Bridge Market Research для получения аналитического обзора, наша команда поможет вам принять обоснованное рыночное решение для достижения роста рынка.

Влияние и текущий рыночный сценарий нехватки сырья и задержек поставок

Data Bridge Market Research предлагает высокоуровневый анализ рынка и предоставляет информацию, учитывая влияние и текущую рыночную среду нехватки сырья и задержек поставок. Это приводит к оценке стратегических возможностей, созданию эффективных планов действий и оказанию помощи предприятиям в принятии важных решений. Помимо стандартного отчета, мы также предлагаем углубленный анализ уровня закупок на основе прогнозируемых задержек поставок, картографирование дистрибьюторов по регионам, анализ товаров, анализ производства, тенденции ценового картирования, снабжение, анализ производительности категории, решения по управлению рисками цепочки поставок, расширенный бенчмаркинг и другие услуги по закупкам и стратегической поддержке.

Ожидаемое влияние экономического спада на ценообразование и доступность продукции

Когда экономическая активность замедляется, отрасли начинают страдать. Прогнозируемое влияние экономического спада на ценообразование и доступность продуктов учитывается в отчетах по анализу рынка и услугах по разведке, предоставляемых DBMR. Благодаря этому наши клиенты обычно могут быть на шаг впереди своих конкурентов, прогнозировать свои продажи и доходы, а также оценивать свои расходы на прибыль и убытки.

Недавнее развитие

  • В сентябре 2022 года компания SK Siltron, крупный игрок в производстве полупроводниковых пластин, объявила о планах инвестировать 1,65 млрд долларов США к 2026 году, из которых 0,7 млрд долларов США будут направлены на строительство нового завода по производству пластин в Национальном промышленном комплексе Гуми, что позволит укрепить растущий рынок карбида кремния (SiC).
  • В мае 2022 года новый завод SK Siltron в США, Бэй-Сити, намерен увеличить производственные мощности, прогнозируя годовой объем производства более 100 000 листов карбида кремния, что внесет значительный вклад в расширение рынка SiC.
  • В марте 2022 года компания Microchip Technology выпустила силовые устройства на основе карбида кремния (SiC) напряжением 3,3 кВ, известные своей превосходной эффективностью, надежностью и минимальным сопротивлением, что обеспечивает плавный переход к высоковольтному SiC в различных секторах, включая электрифицированный транспорт, возобновляемые источники энергии и аэрокосмическую промышленность, что стимулирует рост рынка SiC.
  • В декабре 2021 года компания STMicroelectronics NV выпустила третье поколение SiC MOSFET STPOWER, специально разработанных для электромобилей и силовых агрегатов, продемонстрировав выдающиеся достижения в области плотности мощности, энергоэффективности и надежности, что дало толчок развитию рынка SiC и произвело революцию в применении транзисторов в электромобилях, промышленном оборудовании и системах возобновляемой энергии.

Масштаб рынка карбида кремния (SiC) в Индии

Рынок карбида кремния (SiC) в Индии сегментирован на основе продукта, устройства, размера пластины, применения и конечного использования. Рост среди этих сегментов поможет вам проанализировать сегменты с незначительным ростом в отраслях и предоставить пользователям ценный обзор рынка и рыночные идеи, которые помогут им принимать стратегические решения для определения основных рыночных приложений.

Продукт

  • Черный
  • Зеленый

 Устройство

  • Дискретный SiC
    • Кремниевый диод
    • Кремниевый МОП-транзистор
  • SiC Голая матрица
  • Модуль SiC

 Размер пластины

  • 2-дюймовый
  • 4-дюймовый
  • 6-дюймовый

 Приложение

  • Металлургия
  • Абразивы
  • Огнеупорный
  • Электрика и электроника
  • Другой

 Конечное использование

  • Автомобильный
  • Аэрокосмическая промышленность
  • Военные и оборонные
  • Тяжелое машиностроение
  • Бытовая электроника
  • Здравоохранение
  • Другие

Анализ конкурентной среды и доли рынка карбида кремния (SiC) в Индии

Конкурентная среда рынка карбида кремния (SiC) в Индии содержит сведения по конкурентам. Включены сведения о компании, финансы компании, полученный доход, рыночный потенциал, инвестиции в исследования и разработки, новые рыночные инициативы, глобальное присутствие, производственные площадки и объекты, производственные мощности, сильные и слабые стороны компании, запуск продукта, широта и широта продукта, доминирование в применении. Приведенные выше данные относятся только к фокусу компаний на рынке.

Некоторые из основных игроков, работающих на рынке карбида кремния (SiC) в Индии:

  • STMicroelectronics (Швейцария)
  • Infineon Technologies AG (Германия)
  • ROHM CO., LTD. (Япония)
  • WOLFSPEED, INC. (США)
  • Semiconductor Components Industries, LLC (США)
  • Fuji Electric Co., Ltd. (Япония)
  • Корпорация Renesas Electronics (Япония)
  • Microchip Technology Inc. (США)
  • КОРПОРАЦИЯ TOSHIBA (Япония)
  • General Electric (США)
  • GeneSiC Semiconductor (США)
  • ESD-SIC bv (Нидерланды)
  • Entegris, Inc. (США)
  • POWEREX (США)
  • Qorvo, Inc. (США)
  • Сен-Гобен (Франция)
  • Sublime Technologies (США)


SKU-

Get online access to the report on the World's First Market Intelligence Cloud

  • Интерактивная панель анализа данных
  • Панель анализа компании для возможностей с высоким потенциалом роста
  • Доступ аналитика-исследователя для настройки и запросов
  • Анализ конкурентов с помощью интерактивной панели
  • Последние новости, обновления и анализ тенденций
  • Используйте возможности сравнительного анализа для комплексного отслеживания конкурентов
Запросить демонстрацию

Методология исследования

Сбор данных и анализ базового года выполняются с использованием модулей сбора данных с большими размерами выборки. Этап включает получение рыночной информации или связанных данных из различных источников и стратегий. Он включает изучение и планирование всех данных, полученных из прошлого заранее. Он также охватывает изучение несоответствий информации, наблюдаемых в различных источниках информации. Рыночные данные анализируются и оцениваются с использованием статистических и последовательных моделей рынка. Кроме того, анализ доли рынка и анализ ключевых тенденций являются основными факторами успеха в отчете о рынке. Чтобы узнать больше, пожалуйста, запросите звонок аналитика или оставьте свой запрос.

Ключевой методологией исследования, используемой исследовательской группой DBMR, является триангуляция данных, которая включает в себя интеллектуальный анализ данных, анализ влияния переменных данных на рынок и первичную (отраслевую экспертную) проверку. Модели данных включают сетку позиционирования поставщиков, анализ временной линии рынка, обзор рынка и руководство, сетку позиционирования компании, патентный анализ, анализ цен, анализ доли рынка компании, стандарты измерения, глобальный и региональный анализ и анализ доли поставщика. Чтобы узнать больше о методологии исследования, отправьте запрос, чтобы поговорить с нашими отраслевыми экспертами.

Доступна настройка

Data Bridge Market Research является лидером в области передовых формативных исследований. Мы гордимся тем, что предоставляем нашим существующим и новым клиентам данные и анализ, которые соответствуют и подходят их целям. Отчет можно настроить, включив в него анализ ценовых тенденций целевых брендов, понимание рынка для дополнительных стран (запросите список стран), данные о результатах клинических испытаний, обзор литературы, обновленный анализ рынка и продуктовой базы. Анализ рынка целевых конкурентов можно проанализировать от анализа на основе технологий до стратегий портфеля рынка. Мы можем добавить столько конкурентов, о которых вам нужны данные в нужном вам формате и стиле данных. Наша команда аналитиков также может предоставить вам данные в сырых файлах Excel, сводных таблицах (книга фактов) или помочь вам в создании презентаций из наборов данных, доступных в отчете.

Часто задаваемые вопросы

The India Silicon Carbide (SiC) Market size will be worth USD 93,942.90 thousand by 2031 during the forecast period.
The India Silicon Carbide (SiC) Market growth rate is 10.8% during the forecast period.
The Growing Demand for Power Electronics and Rise in Electric Vehicles (EVs) Adoption are the growth drivers of the India Silicon Carbide (SiC) Market.
The product, device, wafer size, application, and end-use are the factors on which the India Silicon Carbide (SiC) Market research is based.
The major companies in the India Silicon Carbide (SiC) Market are STMicroelectronics (Switzerland), Infineon Technologies AG (Germany), ROHM CO., LTD. (Japan), WOLFSPEED, INC. (U.S.), Semiconductor Components Industries, LLC (U.S.), Fuji Electric Co., Ltd. (Japan), Renesas Electronics Corporation (Japan), Microchip Technology Inc. (U.S.), TOSHIBA CORPORATION (Japan), General Electric (U.S.), GeneSiC Semiconductor Inc. (U.S.), ESD-SIC bv (Netherlands), Entegris, Inc. (U.S.), POWEREX (U.S.), Qorvo, Inc. (U.S.), Saint-Gobain (France), and Sublime Technologies (U.S.).