Global Silicon Carbide Power Semiconductors Market
Размер рынка в млрд долларов США
CAGR : %
Прогнозируемый период |
2024 –2031 |
Размер рынка (базовый год) |
USD 1,950,156.00 Thousand |
Размер рынка (прогнозируемый год) |
USD 11,508,292.90 Thousand |
CAGR |
|
Основные игроки рынка |
Глобальный рынок силовых полупроводников из карбида кремния по форм-фактору (SFF и SFP; SFP+ и SFP28; QSFP, QSFP+, QSFP14 и QSFP28; CFP, CFP2 и CFP4; XFP; CXP), скорости передачи данных (менее 10 Гбит/с, от 10 Гбит/с до 40 Гбит/с, от 41 Гбит/с до 100 Гбит/с и более 100 Гбит/с), расстоянию (менее 1 км, от 1 до 10 км, от 11 до 100 км и более 100 км), длине волны (диапазон 850 нм, диапазон 1310 нм, диапазон 1550 нм и другие), разъему (разъем LC, разъем SC, разъем MPO и RJ-45), применению (телекоммуникации, центры обработки данных и предприятия) — тенденции отрасли и Прогноз до 2031 года.
Анализ и размер рынка силовых полупроводников из карбида кремния
В системах возобновляемой энергии силовые полупроводники из карбида кремния (SiC) играют решающую роль в повышении эффективности и производительности солнечных инверторов и преобразователей ветряных турбин. Устройства SiC обеспечивают более эффективное преобразование энергии, снижая потери энергии и повышая общую эффективность систем возобновляемой энергии. Компании, производящие силовые полупроводники SiC, способствуют лучшей интеграции сетей и решениям по хранению энергии, поддерживая рост и надежность возобновляемых источников энергии, таких как солнечная и ветровая энергия.
Объем мирового рынка силовых полупроводников из карбида кремния в 2023 году оценивался в 1 950 156,00 тыс. долларов США, а к 2031 году, по прогнозам, достигнет 11 508 292,90 тыс. долларов США, при среднегодовом темпе роста 25,1% в прогнозируемый период с 2024 по 2031 год. Помимо аналитических данных о рыночных сценариях, таких как рыночная стоимость, темпы роста, сегментация, географический охват и основные игроки, рыночные отчеты, подготовленные Data Bridge Market Research, также включают в себя углубленный экспертный анализ, географически представленное производство и мощности по компаниям, сетевые схемы дистрибьюторов и партнеров, подробный и обновленный анализ ценовых тенденций и анализ дефицита цепочки поставок и спроса.
Область отчета и сегментация рынка
Отчет Метрика |
Подробности |
Прогнозируемый период |
2024-2031 |
Базовый год |
2023 |
Исторические годы |
2022 (Можно настроить на 2016-2021) |
Количественные единицы |
Выручка в млрд долл. США, объемы в единицах, цены в долл. США |
Охваченные сегменты |
Тип (MOSFET, диоды с барьером Шоттки (SBD), биполярный транзистор (BJT), гибридные модули, SiC Bare Die, Pin-диод, Junction FET и другие), тип пластины (эпитаксиальные пластины SiC и пустые пластины SiC), диапазон напряжений (от 301 В до 900 В, от 901 В до 1700 В, 1701 В и выше и менее 300 В), размер пластины (2 дюйма, 3 дюйма и 4 дюйма, 6 дюймов и 8 и 12 дюймов), применение ( электромобили (EV) , инверторы, источники питания, фотоэлектрические устройства, радиочастотные устройства, промышленные приводы двигателей и другие), вертикальный (автомобилестроение и транспорт, центры обработки данных , промышленность, возобновляемые источники энергии/сети, бытовая электроника , аэрокосмическая и оборонная промышленность, медицина и другие) |
Страны, охваченные |
U.S., Canada, Mexico, Germany, U.K., France, Italy, Netherlands, Spain, Russia, Switzerland, Turkey, Belgium, Poland, Sweden, Denmark, Norway, Finland, and Rest of Europe, China, Japan, India, South Korea, Australia, Taiwan, Singapore, Thailand, Indonesia, Malaysia, Philippines, New Zealand, Vietnam, and Rest of Asia-Pacific, Brazil, Argentina, and Rest of South America, Saudi Arabia, U.A.E, Israel, South Africa, Egypt, Qatar, Kuwait, Bahrain, Oman, and Rest of Middle East and Africa |
Market Players Covered |
Infineon Technologies AG (Germany), STMicroelectronics (Switzerland), WOLFSPEED, INC. (U.S.), Renesas Electronics Corporation (Japan), Semiconductor Components Industries, LLC (U.S.), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), ROHM CO., LTD. (Japan), Qorvo, Inc (U.S.), Nexperia (Netherlands), TOSHIBA CORPORATION (Japan), Allegro MicroSystems, Inc. (U.S.), GeneSiC Semiconductor Inc. (U.S.), Fuji Electric Co., Ltd (Japan), Vishay Intertechnology, Inc. (U.S.), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japan), Littelfuse, Inc. (U.S.), Texas Instruments Incorporated (U.S.), Microchip Technology Inc. (U.S.), Semikron Danfoss (Germany), WeEn Semiconductors (China), Solitron Devices, Inc. (U.S.), SemiQ Inc. (U.S.), Xiamen Powerway Advanced Material (China), and MaxPower Semiconductor (China) |
Market Opportunities |
|
Market Definition
Silicon Carbide (SiC) power semiconductors are advanced electronic components that utilize silicon carbide as the semiconductor material instead of traditional silicon. SiC power semiconductors offer higher efficiency, lower power losses, and higher operating temperatures, enabling them to handle high voltages and currents with reduced size and weight, making them ideal for applications in electric vehicles, renewable energy systems, and industrial power electronics.
Silicon Carbide Power Semiconductors Market Dynamics
Drivers
- Growing Adoption of Electric Vehicles (EVs)
SiC devices enhance the efficiency and performance of EV powertrains by enabling faster switching speeds, lower power losses, and better thermal management compared to traditional silicon-based semiconductors. This results in longer driving ranges, shorter charging times, and overall improved vehicle performance. As the EV market expands rapidly, driven by increasing consumer demand and supportive government policies, the need for advanced power electronics such as SiC semiconductors are becoming more critical, fueling the growth of the SiC power semiconductor market.
- Growing Technological Advancements SiC Power Semiconductors
Innovations in SiC material quality and manufacturing processes have significantly improved the performance and cost-effectiveness of these semiconductors. Enhanced fabrication techniques have led to higher yields and reduced defects, making SiC devices more reliable and commercially viable. In addition, the development of new SiC power modules and packaging technologies has expanded their application range, enabling superior performance in high-temperature and high-voltage environments.
Opportunities
- Growing Government Policies
Many governments around the world are implementing regulations and providing incentives to reduce carbon emissions and transition to cleaner energy sources. Policies such as subsidies for renewable energy projects, tax incentives for electric vehicle manufacturers, and stringent energy efficiency standards encourage the use of advanced technologies such as SiC semiconductors. These initiatives stimulate demand for SiC devices and support research and development efforts, fostering innovation and growth within the market.
- Growing Industrial Automation
SiC devices offer advantages such as higher power density, faster switching speeds, and reduced losses, making them ideal for power converters, motor drives, and other industrial automation systems. These semiconductors enable improved energy efficiency, smaller form factors, and enhanced reliability in industrial equipment, contributing to cost savings and improved performance. As industries continue to automate processes for efficiency and productivity gains, the demand for SiC power semiconductors in industrial automation is expected to grow significantly.
Restraints/Challenges
- High Initial Costs
The initial investment required for SiC devices, including manufacturing equipment, materials, and development, is often higher compared to traditional silicon-based counterparts. This can deter potential adopters, particularly in cost-sensitive industries or applications. Additionally, the need for specialized expertise and infrastructure for SiC fabrication and implementation further adds to the upfront expenses. The long-term benefits of SiC, such as increased efficiency and reliability increases its costs which causes the initial financial barrier restraining the widespread adoption of SiC power semiconductors.
- Regulatory Uncertainty Limits SiC Power Semiconductors
Changes in regulations or standards related to power electronics and semiconductor materials can introduce unpredictability and complexity into the market environment. Compliance with evolving regulatory requirements may necessitate costly modifications to manufacturing processes or product designs, impacting production timelines and costs. Moreover, uncertainty surrounding future regulatory frameworks may deter investment in SiC technology development and adoption, hindering market growth.
This market report provides details of new recent developments, trade regulations, import-export analysis, production analysis, value chain optimization, market share, impact of domestic and localized market players, analyses opportunities in terms of emerging revenue pockets, changes in market regulations, strategic market growth analysis, market size, category market growths, application niches and dominance, product approvals, product launches, geographic expansions, technological innovations in the market. To gain more info on the market, contact data bridge market research for an analyst brief, our team will help you take an informed market decision to achieve market growth.
Impact and Current Market Scenario of Raw Material Shortage and Shipping Delays
Data Bridge Market Research offers a high-level analysis of the market and delivers information by keeping in account the impact and current market environment of raw material shortage and shipping delays. This translates into assessing strategic possibilities, creating effective action plans, and assisting businesses in making important decisions.
Apart from the standard report, we also offer in-depth analysis of the procurement level from forecasted shipping delays, distributor mapping by region, commodity analysis, production analysis, price mapping trends, sourcing, category performance analysis, supply chain risk management solutions, advanced benchmarking, and other services for procurement and strategic support.
Expected Impact of Economic Slowdown on the Pricing and Availability of Products
When economic activity slows, industries begin to suffer. The forecasted effects of the economic downturn on the pricing and accessibility of the products are taken into account in the market insight reports and intelligence services provided by DBMR. With this, our clients can typically keep one step ahead of their competitors, project their sales and revenue, and estimate their profit and loss expenditures.
Recent Developments
- In December 2022, STMicroelectronics and Soitec announced a cooperation on Silicon Carbide (SiC) substrates, aiming to qualify Soitec's SmartSiC technology for ST's future 200mm substrate manufacturing. This collaboration targets volume production in the midterm, intending to bolster ST's financials and contribute to the growth of the global SiC power semiconductor market
- In November 2022, Infineon Technologies signed a non-binding Memorandum of Understanding for multi-year supply cooperation of silicon carbide (SiC) semiconductors with Stellantis's direct Tier 1 suppliers. This agreement, valued at over EUR 1 billion, aims to supply CoolSiC "bare die" chips in the latter half of the decade, positively impacting Infineon's financials and fostering growth in the global SiC power semiconductor market
Silicon Carbide Power Semiconductors Market Scope
Рынок сегментирован на шесть заметных сегментов, которые основаны на типе, типе пластины, диапазоне напряжений, размере пластины, применении и вертикали. Рост среди этих сегментов поможет вам проанализировать сегменты с незначительным ростом в отраслях и предоставить пользователям ценный обзор рынка и рыночные идеи, которые помогут им принимать стратегические решения для определения основных рыночных приложений.
Тип
- МОП-транзисторы
- Диоды с барьером Шоттки (SBD)
- Биполярный транзистор (БПТ)
- Гибридные модули
- SiC Голая матрица
- Штыревой диод
- Переходной полевой транзистор
- Другие
Тип пластины
- Эпитаксиальные пластины SiC
- Пустые пластины SiC
Диапазон напряжения
- 301 В – 900 В
- 901 В - 1700 В
- 1701 В и выше
- Менее 300 В
Размер пластины
- 2 дюйма, 3 дюйма и 4 дюйма
- 6 дюймов
- 8 и 12 дюймов
Приложение
- Электромобиль (ЭМ)
- Инверторы
- Источники питания
- Фотоэлектричество
- Радиочастотные устройства
- Промышленные приводы двигателей
- Другие
Вертикальный
- Автомобили и транспорт
- Центры обработки данных
- Промышленный
- Возобновляемые источники энергии/Сети
- Бытовая электроника
- Аэрокосмическая промышленность и оборона
- Медицинский
- Другие
Анализ рынка/информация о силовых полупроводниках из карбида кремния
Рынок разделен на шесть основных сегментов, которые различаются по типу, типу пластины, диапазону напряжения, размеру пластины, области применения и вертикали.
В данном отчете о рынке рассматриваются следующие страны: США, Канада, Мексика, Германия, Великобритания, Франция, Италия, Нидерланды, Испания, Россия, Швейцария, Турция, Бельгия, Польша, Швеция, Дания, Норвегия, Финляндия и остальные страны Европы, Китай, Япония, Индия, Южная Корея, Австралия, Тайвань, Сингапур, Таиланд, Индонезия, Малайзия, Филиппины, Новая Зеландия, Вьетнам и остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона, Бразилия, Аргентина и остальные страны Южной Америки, Саудовская Аравия, ОАЭ, Израиль, Южная Африка, Египет, Катар, Кувейт, Бахрейн, Оман и остальные страны Ближнего Востока и Африки.
Ожидается, что Северная Америка будет доминировать на рынке из-за растущего принятия электромобилей в регионе. Ее надежная технологическая экосистема, обширные усилия по исследованиям и разработкам и заметный рост использования электромобилей. С благоприятной средой для инноваций и растущим акцентом на устойчивые транспортные решения, США, скорее всего, возглавят прогресс в области технологии силовых полупроводников из карбида кремния, еще больше укрепив свое доминирование на рынке.
Ожидается, что Европа будет расти на рынке благодаря своей передовой технологической инфраструктуре и мощным возможностям в области исследований и разработок. С сильным акцентом на устойчивые и эффективные энергетические решения Германия находится на переднем крае инноваций в таких областях, как возобновляемая энергия, электромобильность и промышленная автоматизация. Стратегические инвестиции страны в передовые технологии в сочетании с квалифицированной рабочей силой и благоприятной нормативной средой позиционируют ее как ключевого игрока в продвижении технологических достижений и решении глобальных проблем, связанных с энергоэффективностью и устойчивостью.
Раздел отчета по странам также содержит отдельные факторы, влияющие на рынок, и изменения в регулировании на внутреннем рынке, которые влияют на текущие и будущие тенденции рынка. Такие данные, как анализ цепочки создания стоимости сверху и снизу, технические тенденции и анализ пяти сил Портера, тематические исследования, являются некоторыми из указателей, используемых для прогнозирования рыночного сценария для отдельных стран. Кроме того, при предоставлении прогнозного анализа данных по странам учитываются наличие и доступность глобальных брендов и их проблемы, связанные с большой или малой конкуренцией со стороны местных и отечественных брендов, влияние внутренних тарифов и торговых путей.
Анализ конкурентной среды и доли рынка силовых полупроводников из карбида кремния
Конкурентная среда рынка содержит сведения о конкурентах. Включены сведения о компании, финансах компании, полученном доходе, рыночном потенциале, инвестициях в исследования и разработки, новых рыночных инициативах, глобальном присутствии, производственных площадках и объектах, производственных мощностях, сильных и слабых сторонах компании, запуске продукта, широте и широте продукта, доминировании приложений. Приведенные выше данные относятся только к фокусу компаний на рынке.
Некоторые из основных игроков, работающих на рынке:
- Infineon Technologies AG (Германия)
- STMicroelectronics (Швейцария)
- WOLFSPEED, INC. (США)
- Корпорация Renesas Electronics (Япония)
- Semiconductor Components Industries, LLC (США)
- Mitsubishi Electric Corporation (Япония)
- ROHM CO., LTD. (Япония)
- Qorvo, Inc (США)
- Nexperia (Нидерланды)
- КОРПОРАЦИЯ TOSHIBA (Япония)
- Allegro MicroSystems, Inc. (США)
- GeneSiC Semiconductor Inc. (США)
- Fuji Electric Co., Ltd (Япония)
- Vishay Intertechnology, Inc. (США)
- Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Япония)
- Littelfuse, Inc. (США)
- Texas Instruments Incorporated (США)
- Microchip Technology Inc. (США)
- Semikron Danfoss (Германия)
- WeEn Semiconductors (Китай)
- Solitron Devices, Inc. (США)
- SemiQ Inc. (США)
- Xiamen Powerway Advanced Material (Китай)
- MaxPower Semiconductor (Китай)
SKU-
Get online access to the report on the World's First Market Intelligence Cloud
- Интерактивная панель анализа данных
- Панель анализа компании для возможностей с высоким потенциалом роста
- Доступ аналитика-исследователя для настройки и запросов
- Анализ конкурентов с помощью интерактивной панели
- Последние новости, обновления и анализ тенденций
- Используйте возможности сравнительного анализа для комплексного отслеживания конкурентов
Методология исследования
Сбор данных и анализ базового года выполняются с использованием модулей сбора данных с большими размерами выборки. Этап включает получение рыночной информации или связанных данных из различных источников и стратегий. Он включает изучение и планирование всех данных, полученных из прошлого заранее. Он также охватывает изучение несоответствий информации, наблюдаемых в различных источниках информации. Рыночные данные анализируются и оцениваются с использованием статистических и последовательных моделей рынка. Кроме того, анализ доли рынка и анализ ключевых тенденций являются основными факторами успеха в отчете о рынке. Чтобы узнать больше, пожалуйста, запросите звонок аналитика или оставьте свой запрос.
Ключевой методологией исследования, используемой исследовательской группой DBMR, является триангуляция данных, которая включает в себя интеллектуальный анализ данных, анализ влияния переменных данных на рынок и первичную (отраслевую экспертную) проверку. Модели данных включают сетку позиционирования поставщиков, анализ временной линии рынка, обзор рынка и руководство, сетку позиционирования компании, патентный анализ, анализ цен, анализ доли рынка компании, стандарты измерения, глобальный и региональный анализ и анализ доли поставщика. Чтобы узнать больше о методологии исследования, отправьте запрос, чтобы поговорить с нашими отраслевыми экспертами.
Доступна настройка
Data Bridge Market Research является лидером в области передовых формативных исследований. Мы гордимся тем, что предоставляем нашим существующим и новым клиентам данные и анализ, которые соответствуют и подходят их целям. Отчет можно настроить, включив в него анализ ценовых тенденций целевых брендов, понимание рынка для дополнительных стран (запросите список стран), данные о результатах клинических испытаний, обзор литературы, обновленный анализ рынка и продуктовой базы. Анализ рынка целевых конкурентов можно проанализировать от анализа на основе технологий до стратегий портфеля рынка. Мы можем добавить столько конкурентов, о которых вам нужны данные в нужном вам формате и стиле данных. Наша команда аналитиков также может предоставить вам данные в сырых файлах Excel, сводных таблицах (книга фактов) или помочь вам в создании презентаций из наборов данных, доступных в отчете.