Global Silicon Carbide Market
Размер рынка в млрд долларов США
CAGR :
%
![Chart Image](/assets/images/barChartImage.webp)
![]() |
2023 –2030 |
![]() |
USD 1,035.65 Million |
![]() |
USD 3,212.42 Million |
![]() |
|
![]() |
|
>Глобальный рынок карбида кремния (SiC), по видам продукции (черный карбид кремния и зеленый карбид кремния), по видам устройств (дискретные устройства SIC и бескорпусные кристаллы SIC), по размерам пластин (2 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов и более), по сферам применения (устройства радиочастот и базовые станции сотовой связи, устройства электросетей, гибкие системы передачи переменного тока, высокое напряжение, постоянный ток, источники питания и инверторы, управление освещением, промышленные приводы двигателей, детекторы пламени, приводы электромобилей, зарядка электромобилей, электронные боевые системы, ветроэнергетика, солнечная энергетика и другие), по вертикали (телекоммуникации, энергетика и электропитание, автомобилестроение, возобновляемая энергетика, оборона, силовая электроника и другие) — тенденции отрасли и прогноз до 2030 года.
Анализ и размер рынка карбида кремния (SiC)
Карбид кремния (SiC) может работать при высоких температурах, высоких напряжениях или и том, и другом, а его малый форм-фактор, карбид кремния, широко используется в производстве полупроводников. Кроме того, глобальный спрос на интеллектуальную потребительскую электронику растет экспоненциально, создавая возможности для расширения рынка карбида кремния. Эти факторы еще больше увеличили общий рост рынка. Благодаря своим свойствам широкой запрещенной зоны карбид кремния приобретает известность как основная технология для эффективной силовой электроники.
По данным анализа Data Bridge Market Research, рынок карбида кремния (SiC), объем которого в 2022 году составил 1 035,65 млн долларов США, к 2030 году резко вырастет до 3 212,42 млн долларов США, а среднегодовой темп роста составит 15,20% в прогнозируемый период с 2023 по 2030 год.
«Силовая электроника» доминирует в вертикальном сегменте рынка карбида кремния (SiC) благодаря своим значительным преимуществам по сравнению с традиционными устройствами на основе кремния, включая более высокую эффективность, более высокие скорости переключения и лучшую теплопроводность. Эти характеристики делают карбид кремния идеальным для приложений силовой электроники, таких как устройства электросетей, гибкие системы передачи переменного тока, высоковольтный постоянный ток, источники питания, инверторы, промышленные приводы двигателей, приводы двигателей электромобилей и многое другое. В дополнение к инсайтам о рыночных сценариях, таких как рыночная стоимость, темпы роста, сегментация, географический охват и основные игроки, рыночные отчеты, курируемые Data Bridge Market Research, также включают в себя углубленный экспертный анализ, географически представленное производство и мощности компаний, сетевые макеты дистрибьюторов и партнеров, подробный и обновленный анализ ценовых тенденций и анализ дефицита цепочки поставок и спроса.
Масштаб и сегментация рынка карбида кремния (SiC)
Отчет Метрика |
Подробности |
Прогнозируемый период |
2023-2030 |
Базовый год |
2022 |
Исторические годы |
2021 (можно настроить на 2015-2020) |
Количественные единицы |
Доход в млн. долл. США, объемы в единицах, цены в долл. США |
Охваченные сегменты |
Продукт (черный карбид кремния и зеленый карбид кремния), устройство (дискретные устройства SIC и бескорпусные кристаллы SIC), размер пластины (2 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов и более), применение (устройство RF и базовая станция сотовой связи, устройство электросети, гибкие системы передачи переменного тока, высокое напряжение, постоянный ток, источник питания и инвертор, управление освещением, промышленный привод двигателя, детектор пламени, привод двигателя электромобиля, зарядка электромобиля, система электронного боя, ветроэнергетика, солнечная энергетика и другие), вертикаль (телекоммуникации, энергетика и электропитание, автомобилестроение, возобновляемая энергетика, оборона, силовая электроника и другие) |
Страны, охваченные |
Северная Америка (США, Канада и Мексика), Южная Америка (Бразилия, Аргентина и остальная часть Южной Америки), Европа (Германия, Франция, Италия, Великобритания, Бельгия, Испания, Россия, Турция, Нидерланды, Швейцария и остальная часть Европы), Азиатско-Тихоокеанский регион (Япония, Китай, Индия, Южная Корея, Австралия, Сингапур, Малайзия, Таиланд, Индонезия, Филиппины и остальная часть Азиатско-Тихоокеанского региона), Ближний Восток и Африка (ОАЭ, Саудовская Аравия, Египет, ЮАР, Израиль и остальная часть Ближнего Востока и Африки) |
Охваченные участники рынка |
Infineon Technologies AG (Германия), Cree, Inc. (США), ROHM Co., Ltd. (Япония), Microsemi (США), STMelectronics (Швейцария), Fuji Electric Co., Ltd. (Япония), Semiconductor Components Industries, LLC (США) General Electric (США), Toshiba Corporation (Япония), Renesas Electronics Corporation (Япония), Microchip Technology Inc. (США), Grindwell Norton Limited (Индия), Dow (США), CUMI (Индия) и Entegris (США) |
Возможности рынка |
|
Определение рынка
Карбид кремния — это соединение, которое действует как раскислитель при производстве стали. Карбид кремния в первую очередь растворяется в кислородной печи для получения огромного количества горячей стали и лома. Низкое содержание серы, азота, силикомарганца или ферросилиция и алюминия в этом элементе делает его экономически эффективным материалом. Соединение обладает в три раза большей шириной запрещенной зоны, в десять раз большей критической напряженностью электрического поля и в три раза большей теплопроводностью по сравнению с кремнием.
Динамика рынка карбида кремния (SiC)
Водители:
- Растущий спрос со стороны нефтегазовой отрасли
Нефтегазовая промышленность является важным драйвером рынка карбида кремния (SiC). Карбиды кремния (SiC) широко используются в нефтегазовом секторе для разделения и очистки газов, удаления примесей и процессов дегидратации. С ростом мирового спроса на энергию и разведкой нетрадиционных запасов нефти и газа ожидается рост спроса на карбид кремния (SiC).
- Растущее внимание к энергоэффективности
Устройства на основе карбида кремния обеспечивают меньшие потери мощности и более высокую энергоэффективность, чем традиционные устройства на основе кремния. Поскольку потребление энергии и экологические проблемы продолжают расти, отрасли и правительства по всему миру сосредотачиваются на энергоэффективных решениях. Использование карбида кремния повышает энергоэффективность в различных приложениях, таких как генерация электроэнергии, передача и электромобили.
- Растущее внедрение электромобилей
Электромобили (ЭМ) набирают популярность как устойчивое транспортное решение. Карбид кремния является ключевым материалом, используемым в силовой электронике ЭМ для повышения энергоэффективности и увеличения дальности пробега. Растущее внедрение электромобилей во всем мире стимулирует спрос на карбид кремния.
Возможности
- Разработка широкозонных силовых полупроводников
Широкозонные полупроводники, включая карбид кремния, привлекают внимание как альтернативы традиционным кремниевым устройствам. Широкозонные полупроводники обеспечивают более высокое напряжение пробоя, более низкие потери и более высокие рабочие температуры, что делает их идеальными для применения в силовой электронике.
- Достижения в технологии 5G
Для развертывания сетей 5G требуются усовершенствованные радиочастотные устройства, способные работать на высоких частотах. Карбид кремния обеспечивает превосходные радиочастотные характеристики, включая высокую мощность, низкие потери и высокую теплопроводность. По мере расширения глобального внедрения технологии 5G будет расти спрос на радиочастотные устройства на основе карбида кремния, что открывает возможности для роста рынка.
Проблемы/Ограничения
- Сложность интеграции материалов и проектирования устройств
Карбид кремния имеет иные свойства и характеристики материала, чем традиционные полупроводниковые материалы, такие как кремний. Интеграция карбида кремния в существующие производственные процессы и проектирование эффективных устройств может быть технически сложной задачей. Это может препятствовать внедрению карбида кремния в различных приложениях и отраслях и замедлять рост рынка.
- Ограниченная доступность сырья
Для производства карбида кремния требуются особые виды сырья, такие как высокочистый кремний и углеродные прекурсоры. Доступность этого сырья может быть ограничена и зависеть от проблем в цепочке поставок. Любые перебои или колебания в поставках сырья могут повлиять на производство и доступность карбида кремния, что может привести к потенциальным ограничениям поставок и нестабильности рынка.
- Высокие производственные затраты
Процесс производства карбида кремния включает сложные и энергоемкие технологии, включая высокотемпературные процессы и специализированное оборудование. Эти факторы способствуют более высоким производственным затратам, чем традиционные материалы, такие как кремний. Высокая себестоимость производства может ограничить широкое распространение карбида кремния, особенно на чувствительных к цене рынках, и выступать в качестве сдерживающего фактора для роста рынка.
- Проблемы нормативного регулирования и соответствия
Использование карбида кремния в определенных областях применения, таких как автомобилестроение и аэрокосмическая промышленность, может регулироваться нормативными требованиями и стандартами соответствия. Соответствие этим стандартам и получение необходимых сертификатов может усложнить и удорожить процессы производства и внедрения. Нормативные проблемы и требования соответствия могут стать барьерами для входа компаний и повлиять на рост рынка карбида кремния.
В этом отчете о рынке карбида кремния (SiC) содержатся сведения о новых последних разработках, правилах торговли, анализе импорта-экспорта, анализе производства, оптимизации цепочки создания стоимости, доле рынка, влиянии внутренних и локальных игроков рынка, анализируются возможности с точки зрения новых источников дохода, изменений в правилах рынка, анализ стратегического роста рынка, размер рынка, рост рынка категорий, ниши приложений и доминирование, одобрения продуктов, запуски продуктов, географические расширения, технологические инновации на рынке. Чтобы получить больше информации о рынке карбида кремния (SiC), свяжитесь с Data Bridge Market Research для получения аналитического обзора, наша команда поможет вам принять обоснованное рыночное решение для достижения роста рынка.
Недавнее развитие
- В сентябре 2022 года компания AIXTRON SE, ведущий поставщик полупроводникового оборудования, недавно запустила свою систему следующего поколения G10-SiC 200 мм для эпитаксии карбида кремния. Эта передовая система предназначена для крупносерийного производства силовых устройств SiC последнего поколения на пластинах SiC размером 150/200 мм. Запуск состоялся на Международной конференции по карбиду кремния и связанным с ним материалам (ICSCRM) в Давосе, Швейцария. Новая система G10-SiC основана на уже зарекомендовавшей себя платформе G5 WW C 150 мм компании AIXTRON и предлагает гибкую конфигурацию с двумя размерами пластин: 9×150 и 6×200 мм. Эта конфигурация облегчает переход отрасли SiC с диаметра пластин 150 мм на 200 мм, поддерживая будущую масштабируемость
Масштаб мирового рынка карбида кремния (SiC)
Рынок карбида кремния (SiC) сегментирован по продукту, устройству, размеру пластины, применению и вертикали. Рост среди этих сегментов поможет вам проанализировать сегменты с незначительным ростом в отраслях и предоставить пользователям ценный обзор рынка и рыночные идеи, которые помогут им принимать стратегические решения для определения основных рыночных приложений.
Продукт
- Черный карбид кремния
- Зеленый карбид кремния
Устройство
- Дискретные устройства SIC
- SIC Голая матрица
Размер пластины
- 2 дюйма
- 4 дюйма
- 6 дюймов и больше
Приложение
- Радиочастотное устройство и базовая станция сотовой связи
- Устройство электросети
- Гибкие системы передачи переменного тока
- Высокое напряжение
- Постоянный ток
- Блок питания и инвертор
- Управление освещением
- Промышленный моторный привод
- Детектор пламени
- Электропривод
- Зарядка электромобиля
- Электронная боевая система
- Энергия Ветра
- Солнечная энергия
- Другие
Вертикальный
- Телекоммуникации
- Энергия и мощность
- Автомобильный
- Возобновляемая энергетика
- Оборона
- Силовая электроника
- Другие
Региональный анализ/информация о рынке карбида кремния (SiC)
The silicon carbide (SiC) market is analysed and market size insights and trends are provided by product, device, wafer size, application, and vertical, are referenced above.
The countries covered in the silicon carbide (SiC) market report are U.S., Canada, and Mexico in North America, Brazil, Argentina, and the rest of South America in South America, Germany, France, Italy, U.K., Belgium, Spain, Russia, Turkey, Netherlands, Switzerland, and the rest of Europe, Japan, China, India, South Korea, Australia, Singapore, Malaysia, Thailand, Indonesia, Philippines, and the rest of Asia-Pacific in Asia-Pacific, and U.A.E, Saudi Arabia, Egypt, South Africa, Israel, and the rest of the Middle East and Africa.
Asia-Pacific dominates the silicon carbide (SiC) market owing to the high level of investment in infrastructure investments and the growing manufacturing sector in countries such as India and China within the region.
North America is expected to be the fastest-growing market from 2023 to 2030, owing to the growing adoption of electric vehicles (EVs) in the region and supportive government initiatives and funding.
The country section of the report also provides individual market impacting factors and changes in regulation in the market domestically that impact the current and future trends of the market. Data points like down-stream and upstream value chain analysis, technical trends, and porter’s five forces analysis, case studies are some of the pointers used to forecast the market scenario for individual countries. Also, the presence and availability of global brands and their challenges faced due to large or scarce competition from local and domestic brands, the impact of domestic tariffs, and trade routes are considered while providing forecast analysis of the country data.
Competitive Landscape and Silicon Carbide (SiC) Market Share Analysis
The silicon carbide (SiC) market competitive landscape provides details by competitors. details included are company overview, company financials, revenue generated, market potential, investment in research and development, new market initiatives, global presence, production sites and facilities, production capacities, company strengths and weaknesses, product launch, product width, and breadth, application dominance. The above data points provided are only related to the companies’ focus related to the market.
Some of the major players operating in the silicon carbide (SiC) market are:
- Infineon Technologies AG (Germany)
- Cree, Inc. (U.S.)
- ROHM Co., Ltd. (Japan)
- Microsemi (U.S.)
- STMelectronics (Switzerland)
- Fuji Electric Co., Ltd. (Japan)
- Semiconductor Components Industries, LLC (U.S.)
- General Electric (U.S.)
- Toshiba Corporation (Japan)
- Renesas Electronics Corporation (Japan)
- Microchip Technology Inc.,(U.S.)
- Grindwell Norton Limited (India)
- Dow (U.S.)
- CUMI (India)
- Entegris (U.S.)
SKU-
Get online access to the report on the World's First Market Intelligence Cloud
- Интерактивная панель анализа данных
- Панель анализа компании для возможностей с высоким потенциалом роста
- Доступ аналитика-исследователя для настройки и запросов
- Анализ конкурентов с помощью интерактивной панели
- Последние новости, обновления и анализ тенденций
- Используйте возможности сравнительного анализа для комплексного отслеживания конкурентов
Методология исследования
Сбор данных и анализ базового года выполняются с использованием модулей сбора данных с большими размерами выборки. Этап включает получение рыночной информации или связанных данных из различных источников и стратегий. Он включает изучение и планирование всех данных, полученных из прошлого заранее. Он также охватывает изучение несоответствий информации, наблюдаемых в различных источниках информации. Рыночные данные анализируются и оцениваются с использованием статистических и последовательных моделей рынка. Кроме того, анализ доли рынка и анализ ключевых тенденций являются основными факторами успеха в отчете о рынке. Чтобы узнать больше, пожалуйста, запросите звонок аналитика или оставьте свой запрос.
Ключевой методологией исследования, используемой исследовательской группой DBMR, является триангуляция данных, которая включает в себя интеллектуальный анализ данных, анализ влияния переменных данных на рынок и первичную (отраслевую экспертную) проверку. Модели данных включают сетку позиционирования поставщиков, анализ временной линии рынка, обзор рынка и руководство, сетку позиционирования компании, патентный анализ, анализ цен, анализ доли рынка компании, стандарты измерения, глобальный и региональный анализ и анализ доли поставщика. Чтобы узнать больше о методологии исследования, отправьте запрос, чтобы поговорить с нашими отраслевыми экспертами.
Доступна настройка
Data Bridge Market Research является лидером в области передовых формативных исследований. Мы гордимся тем, что предоставляем нашим существующим и новым клиентам данные и анализ, которые соответствуют и подходят их целям. Отчет можно настроить, включив в него анализ ценовых тенденций целевых брендов, понимание рынка для дополнительных стран (запросите список стран), данные о результатах клинических испытаний, обзор литературы, обновленный анализ рынка и продуктовой базы. Анализ рынка целевых конкурентов можно проанализировать от анализа на основе технологий до стратегий портфеля рынка. Мы можем добавить столько конкурентов, о которых вам нужны данные в нужном вам формате и стиле данных. Наша команда аналитиков также может предоставить вам данные в сырых файлах Excel, сводных таблицах (книга фактов) или помочь вам в создании презентаций из наборов данных, доступных в отчете.