Мировой рынок силовых полупроводников GaN и SiC – тенденции отрасли и прогноз до 2031 года

Get Exclusive Sample PDF of this Report Here

Анализ и размер рынка силовых полупроводников GaN и SiC

Силовые полупроводниковые приборы SiC и GaN играют ключевую роль в повышении эффективности и надежности систем преобразования энергии. Они используются в инверторах и преобразователях для солнечных фотоэлектрических (PV) и ветровых энергосистем, используя их превосходные характеристики, такие как более высокие рабочие температуры, более высокие скорости переключения и более низкие потери переключения по сравнению с традиционными устройствами на основе кремния. Рынок силовых полупроводниковых приборов GaN и SiC обеспечивает более эффективное преобразование энергии, снижение потерь энергии и повышение общей производительности системы, тем самым облегчая интеграцию возобновляемой энергии в сеть.

Объем мирового рынка силовых полупроводников GaN и SiC оценивался в 596,06 млн долларов США в 2023 году и, по прогнозам, достигнет 4 877,23 млн долларов США к 2031 году со среднегодовым темпом роста 30,05% в прогнозируемый период с 2024 по 2031 год. Помимо информации о рыночных сценариях, таких как рыночная стоимость, темпы роста, сегментация, географический охват и основные игроки, рыночные отчеты, подготовленные Data Bridge Market Research, также включают в себя углубленный экспертный анализ, географически представленное производство и мощности компаний, сетевые схемы дистрибьюторов и партнеров, подробный и обновленный анализ ценовых тенденций и анализ дефицита цепочки поставок и спроса.

Область отчета и сегментация рынка       

Get Exclusive Sample PDF of this Report Here

Определение рынка

GaN (нитрид галлия) и SiC (карбид кремния) — это передовые материалы, используемые в силовых полупроводниковых приборах. Они обеспечивают более высокую эффективность и плотность мощности по сравнению с традиционными полупроводниками на основе кремния, что делает их идеальными для таких приложений, как источники питания, электромобили и системы возобновляемой энергии.

Динамика рынка силовых полупроводников GaN и SiC

Драйверы

• Растущий спрос на более высокую эффективность стимулирует внедрение силовых полупроводников на основе GaN и SiC

Отрасли в автомобильной промышленности, возобновляемой энергетике и потребительской электронике ищут решения в области силовых полупроводников, которые минимизируют потери энергии и повышают общую производительность системы. Устройства GaN и SiC обеспечивают значительно более высокую эффективность по сравнению с традиционными аналогами на основе кремния, что делает их все более привлекательными для приложений, требующих экономии энергии и повышения эффективности. Их способность работать на более высоких частотах и ​​температурах при сохранении эффективности соответствует растущей тенденции к более компактным и плотным электронным системам. В результате спрос на силовые полупроводники GaN и SiC продолжает расти в различных отраслях, стремящихся оптимизировать потребление энергии и сократить эксплуатационные расходы.

• Компании по производству силовых полупроводников GaN и SiC растут из-за растущего внедрения электромобилей

По мере перехода автомобильной промышленности на электротягу растет спрос на решения в области силовой электроники, которые обеспечивают более высокую эффективность и производительность. Силовые полупроводники GaN и SiC, разработанные ведущими компаниями по производству силовых полупроводников, позволяют производителям электромобилей разрабатывать транспортные средства с более длительным запасом хода, более быстрым временем зарядки и более эффективными системами трансмиссии. Их способность выдерживать более высокие температуры и напряжения при минимизации потерь энергии делает их идеальными для применения в электромобилях, что способствует их внедрению в бортовые зарядные устройства, инверторы и приводы двигателей. Этот растущий спрос со стороны сектора электромобилей подпитывает рост рынка силовых полупроводников GaN и SiC.

Возможности

• Расширение плотности мощности способствует внедрению силовых полупроводников GaN и SiC

Поскольку отрасли стремятся к более компактным электронным устройствам меньшего размера, спрос на решения с более высокой плотностью мощности усилился. Силовые полупроводники GaN и SiC превосходны в этом отношении благодаря своей способности работать на более высоких частотах, напряжениях и температурах, сохраняя при этом эффективность. Их превосходные характеристики позволяют разрабатывать более мелкие и легкие системы силовой электроники без ущерба для производительности, что делает их важнейшими компонентами в таких приложениях, как электромобили, системы возобновляемой энергии и бытовая электроника. Таким образом, стремление к увеличению плотности мощности является существенным фактором, подпитывающим рост рынка силовых полупроводников GaN и SiC.

• Рост достижений в производственных процессах способствует расширению производства силовых полупроводников

Постоянное совершенствование технологий изготовления, методов эпитаксиального роста и технологий упаковки приводит к повышению производительности и повышению выхода этих полупроводниковых приборов. Поскольку производство становится более эффективным и рентабельным, барьеры для внедрения технологий GaN и SiC снижаются, что способствует более широкому внедрению в различных отраслях. Более того, достижения позволяют производить приборы с улучшенной надежностью и тепловым управлением, решая ключевые проблемы в мощных приложениях, таких как электромобили, системы возобновляемой энергии и промышленные приводы двигателей. В целом, эти достижения катализируют распространение силовых полупроводников GaN и SiC, подпитывая расширение рынка и инновации.

Ограничения/Проблемы

• Высокая стоимость производства ограничивает внедрение силовых полупроводников GaN и SiC

Процессы изготовления устройств GaN и SiC включают специализированное оборудование, сложные эпитаксиальные методы роста и строгие меры контроля качества, что приводит к повышенным производственным расходам. Эти высокие затраты ограничивают масштабируемость производства и могут привести к относительно дорогим конечным продуктам, делая решения GaN и SiC менее конкурентоспособными по сравнению с традиционными альтернативами на основе кремния в некоторых приложениях.

• Ограниченная доступность высококачественных подложек затрудняет рост GaN и SiC силовых полупроводников

GaN и SiC требуют специализированных подложек для эпитаксиального роста, а поставка этих подложек ограничивается такими факторами, как производственные мощности и качество материала. Ограниченная доступность подложек может привести к сбоям в цепочке поставок, увеличению производственных затрат и задержкам в разработке продукта. Кроме того, конкуренция за подложки между различными отраслями промышленности еще больше усугубляет проблему, затрудняя масштабируемость производства устройств GaN и SiC и препятствуя их более широкому внедрению в различных приложениях.

Этот отчет о рынке содержит подробную информацию о новых последних разработках, правилах торговли, анализе импорта-экспорта, анализе производства, оптимизации цепочки создания стоимости, доле рынка, влиянии внутренних и локальных игроков рынка, анализирует возможности с точки зрения новых источников дохода, изменений в правилах рынка, анализе стратегического роста рынка, размере рынка, росте рынка категорий, нишах приложений и доминировании, одобрении продуктов, запуске продуктов, географическом расширении, технологических инновациях на рынке. Чтобы получить больше информации о рынке, свяжитесь с data bridge market research для получения аналитического обзора, наша команда поможет вам принять обоснованное рыночное решение для достижения роста рынка.

Влияние и текущий рыночный сценарий нехватки сырья и задержек поставок

Data Bridge Market Research предлагает высокоуровневый анализ рынка и предоставляет информацию, учитывая влияние и текущую рыночную среду нехватки сырья и задержек поставок. Это приводит к оценке стратегических возможностей, созданию эффективных планов действий и оказанию помощи предприятиям в принятии важных решений.

Помимо стандартного отчета, мы также предлагаем углубленный анализ уровня закупок на основе прогнозируемых задержек поставок, картирования дистрибьюторов по регионам, анализа товаров, анализа производства, тенденций ценового картирования, поиска поставщиков, анализа эффективности категорий, решений по управлению рисками в цепочке поставок, расширенного сравнительного анализа и других услуг по закупкам и стратегической поддержке.

Ожидаемое влияние экономического спада на ценообразование и доступность продукции

Когда экономическая активность замедляется, отрасли начинают страдать. Прогнозируемое влияние экономического спада на ценообразование и доступность продуктов учитывается в отчетах по анализу рынка и услугах по разведке, предоставляемых DBMR. Благодаря этому наши клиенты обычно могут быть на шаг впереди своих конкурентов, прогнозировать свои продажи и доходы, а также оценивать свои расходы на прибыль и убытки.

Последние события

• В июне 2023 года компания Qorvo, Inc. выпустила QPB3810 — усилитель мощности на основе GaN с интегрированным управлением смещением, специально предназначенный для приложений 5G massive MIMO. Этот усилитель обещает повышенную эффективность и производительность, удовлетворяя растущий спрос на высокоскоростные беспроводные системы связи с высокой пропускной способностью.
• В марте 2023 года Infineon Technologies объявила о своем намерении приобрести GaN Systems за 830 миллионов долларов США, стремясь усилить свой портфель GaN и укрепить свои позиции на рынке систем питания. Это стратегическое приобретение подчеркивает приверженность Infineon расширению своих предложений полупроводников для удовлетворения меняющихся потребностей различных отраслей промышленности
• В апреле 2022 года компании ROHM Semiconductor и Delta Electronics заключили партнерство, чтобы использовать свои технологические и производственные знания в массовом производстве силовых устройств на основе GaN. Эта совместная инициатива подчеркивает приверженность компаний продвижению разработки систем питания и созданию значительного присутствия на мировом рынке, особенно в секторах, требующих высокопроизводительных решений в области питания.

Масштаб рынка силовых полупроводников GaN и SiC

Рынок сегментирован на основе продукта и применения. Рост среди этих сегментов поможет вам проанализировать сегменты с незначительным ростом в отраслях и предоставить пользователям ценный обзор рынка и рыночные идеи, которые помогут им принимать стратегические решения для определения основных рыночных приложений.

Продукт

• Модуль питания Sic
• Модуль питания GaN
• Дискретный SiC
• Дискретный GaN

 Приложение

• Источники питания
• Промышленные приводы двигателей
• H/EV
• Фотоэлектрические инверторы
• Тяга
• Другие

Анализ рынка силовых полупроводников GaN и SiC/Инсайты

Проводится анализ рынка, предоставляется информация о его размере и объеме по странам, продуктам и областям применения, как указано выше.

В отчете о рынке рассматриваются следующие страны: США, Канада, Мексика, Германия, Великобритания, Франция, Италия, Испания, Россия, Польша, Швейцария, Нидерланды, Венгрия, Австрия, Норвегия, Ирландия, Турция, Литва, остальные страны Европы, Китай, Япония, Индия, Австралия, Южная Корея, Сингапур, Таиланд, Малайзия, Индонезия, Филиппины, Вьетнам, остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона, Бразилия, Аргентина, Перу, остальные страны Южной Америки, Южная Африка, Саудовская Аравия, ОАЭ, Израиль, Кувейт, Египет и остальные страны Ближнего Востока и Африки.

Ожидается, что Северная Америка будет доминировать на рынке, что объясняется всплеском внедрения электромобилей, вызванным экологическими проблемами и государственными стимулами. Значительные инвестиции региона в технологию и развитие инфраструктуры 5G еще больше усиливают спрос на устройства GaN и SiC, поскольку они являются неотъемлемой частью высокоэффективных систем силовой электроники, необходимых для электромобилей и инфраструктуры 5G.

Ожидается, что Северная Америка станет самым быстрорастущим регионом на рынке, что обусловлено растущим спросом на электромобили, системы возобновляемой энергии и промышленные приложения. Такие факторы, как правительственные стимулы, благоприятные правила и сильный акцент на устойчивость, подпитывают внедрение устройств GaN и SiC в этих секторах, стимулируя рост рынка в регионе.

Раздел отчета по странам также содержит отдельные факторы, влияющие на рынок, и изменения в регулировании на внутреннем рынке, которые влияют на текущие и будущие тенденции рынка. Такие данные, как анализ цепочки создания стоимости сверху и снизу, технические тенденции и анализ пяти сил Портера, тематические исследования, являются некоторыми из указателей, используемых для прогнозирования рыночного сценария для отдельных стран. Кроме того, при предоставлении прогнозного анализа данных по странам учитываются наличие и доступность глобальных брендов и их проблемы, связанные с большой или малой конкуренцией со стороны местных и отечественных брендов, влияние внутренних тарифов и торговых путей.

Конкурентная среда и анализ доли рынка силовых полупроводников GaN и SiC

Конкурентная среда рынка содержит сведения о конкурентах. Включены сведения о компании, ее финансах, полученном доходе, рыночном потенциале, инвестициях в исследования и разработки, новых рыночных инициативах, региональном присутствии, сильных и слабых сторонах компании, запуске продукта, широте и широте продукта, доминировании приложений. Приведенные выше данные касаются только фокуса компаний на рынке.

Некоторые из основных игроков, работающих на рынке:

• Alpha and Omega Semiconductor (США)
• Fuji Electric Co., Ltd (Япония)
• Infineon Technologies AG (Германия)
• Littelfuse, Inc. (США)
• Микросеми (США)
• Mitsubishi Electric Corporation (Япония)
• Корпорация Renesas Electronics (Япония)
• ROHM SEMICONDUCTOR (Япония)
• SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Япония)
• STMicroelectronics (Швейцария/Франция)
• Эпилювак (Швеция)
• IQE PLC (Великобритания)
• Transphorm Inc. (США)
• SweGaN (Швеция)
• Сен-Гобен (Франция)
• GeneSiC Semiconductor Inc. (США)
• Sublime Technologies (США)
• Группа Global Power Technologies (США)
• DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (Тайвань)
• AGC Inc. (Япония)
• Доу (США)
• WeEn Semiconductors (Китай)

SKU-46167