Мировой рынок силовых полупроводников GaN и SiC – тенденции отрасли и прогноз до 2031 года

Анализ и размер рынка силовых полупроводников GaN и SiC

Силовые полупроводниковые приборы SiC и GaN играют ключевую роль в повышении эффективности и надежности систем преобразования энергии. Они используются в инверторах и преобразователях для солнечных фотоэлектрических (PV) и ветровых энергосистем, используя их превосходные характеристики, такие как более высокие рабочие температуры, более высокие скорости переключения и более низкие потери переключения по сравнению с традиционными устройствами на основе кремния. Рынок силовых полупроводниковых приборов GaN и SiC обеспечивает более эффективное преобразование энергии, снижение потерь энергии и повышение общей производительности системы, тем самым облегчая интеграцию возобновляемой энергии в сеть.

Объем мирового рынка силовых полупроводников GaN и SiC оценивался в 596,06 млн долларов США в 2023 году и, по прогнозам, достигнет 4 877,23 млн долларов США к 2031 году со среднегодовым темпом роста 30,05% в прогнозируемый период с 2024 по 2031 год. Помимо информации о рыночных сценариях, таких как рыночная стоимость, темпы роста, сегментация, географический охват и основные игроки, рыночные отчеты, подготовленные Data Bridge Market Research, также включают в себя углубленный экспертный анализ, географически представленное производство и мощности компаний, сетевые схемы дистрибьюторов и партнеров, подробный и обновленный анализ ценовых тенденций и анализ дефицита цепочки поставок и спроса.

Область отчета и сегментация рынка       

Market Definition

GaN (Gallium Nitride) and SiC (Silicon Carbide) are advanced materials used in power semiconductor devices. They enable higher efficiency and power density compared to traditional silicon-based semiconductors, making them ideal for applications such as power supplies, electric vehicles, and renewable energy systems.

GaN and SiC Power Semiconductor Market Dynamics

Drivers

• Rising Demand for Higher Efficiency Increases the Adoption of GaN and SiC Power Semiconductor

Industries across automotive, renewable energy, and consumer electronics sectors seek power semiconductor solutions that minimize energy losses and enhance overall system performance. GaN and SiC devices offer significantly higher efficiency compared to traditional silicon-based counterparts, making them increasingly attractive for applications requiring energy savings and improved efficiency. Their ability to operate at higher frequencies and temperatures while maintaining efficiency aligns with the growing trend towards more compact and power-dense electronic systems. As a result, the demand for GaN and SiC power semiconductors continues to rise across various industries seeking to optimize energy usage and reduce operational costs.

• GaN and SiC Power Semiconductor Companies grow due to Rising Adoption of Electric Vehicles

As the automotive industry transitions towards electric propulsion, there is a growing demand for power electronics solutions that offer higher efficiency and performance. GaN and SiC power semiconductors, developed by leading power semiconductor companies, enable EV manufacturers to develop vehicles with longer driving ranges, faster charging times, and more efficient powertrain systems. Their ability to handle higher temperatures and voltages while minimizing energy losses makes them ideal for EV applications, driving their adoption in onboard chargers, inverters, and motor drives. This increasing demand from the EV sector is fueling the growth of the GaN and SiC power semiconductor market.

Opportunities

• Expansion of Power Density Promotes Adoption of GaN and SiC Power Semiconductors

As industries strive for smaller and more compact electronic devices, the demand for higher power density solutions has intensified. GaN and SiC power semiconductors excel in this regard due to their ability to operate at higher frequencies, voltages, and temperatures while maintaining efficiency. Their superior characteristics enable the development of smaller and lighter power electronics systems without compromising performance, making them essential components in applications such as electric vehicles, renewable energy systems, and consumer electronics. Thus, the quest for increased power density is a significant driver fueling the growth of the GaN and SiC power semiconductor market.

• Rising Advancements in Manufacturing Processes Promotes Expansion of Power Semiconductors

Continuous improvements in fabrication techniques, epitaxial growth methods, and packaging technologies are leading to enhanced performance, higher yields for these semiconductor devices. As manufacturing becomes more efficient and cost-effective, the barriers to entry for adopting GaN and SiC technology are lowered, encouraging wider adoption across industries. Moreover, advancements enable the production of devices with improved reliability and thermal management, addressing key concerns in high-power applications such as electric vehicles, renewable energy systems, and industrial motor drives. Overall, these advancements are catalyzing the proliferation of GaN and SiC power semiconductors, fueling market expansion and innovation.

Restraints/Challenges

• High Manufacturing Cost Limits the Adoption of GaN and SiC Power Semiconductor

The fabrication processes for GaN and SiC devices involve specialized equipment, complex epitaxial growth techniques, and stringent quality control measures, leading to elevated production expenses. These high costs limit the scalability of manufacturing and can result in relatively expensive end products, making GaN and SiC solutions less competitive compared to traditional silicon-based alternatives in some applications.

• Limited Availability of High-Quality Substrates Hampers the Growth GaN and SiC Power Semiconductor

GaN and SiC require specialized substrates for epitaxial growth, and the supply of these substrates is constrained by factors such as production capacity and material quality. Limited substrate availability can lead to supply chain disruptions, increased production costs, and delays in product development. Additionally, competition for substrates among different industries further exacerbates the challenge, hindering the scalability of GaN and SiC device manufacturing and impeding their broader adoption in various applications.

This market, report provides details of new recent developments, trade regulations, import-export analysis, production analysis, value chain optimization, market share, impact of domestic and localized market players, analyses opportunities in terms of emerging revenue pockets, changes in market regulations, strategic market growth analysis, market size, category market growths, application niches and dominance, product approvals, product launches, geographic expansions, technological innovations in the market. To gain more info on the market, contact data bridge market research for an analyst brief, our team will help you take an informed market decision to achieve market growth.

Impact and Current Market Scenario of Raw Material Shortage and Shipping Delays

Data Bridge Market Research offers a high-level analysis of the market and delivers information by keeping in account the impact and current market environment of raw material shortage and shipping delays. This translates into assessing strategic possibilities, creating effective action plans, and assisting businesses in making important decisions.

Apart from the standard report, we also offer in-depth analysis of the procurement level from forecasted shipping delays, distributor mapping by region, commodity analysis, production analysis, price mapping trends, sourcing, category performance analysis, supply chain risk management solutions, advanced benchmarking, and other services for procurement and strategic support.

Expected Impact of Economic Slowdown on the Pricing and Availability of Products

When economic activity slows, industries begin to suffer. The forecasted effects of the economic downturn on the pricing and accessibility of the products are taken into account in the market insight reports and intelligence services provided by DBMR. With this, our clients can typically keep one step ahead of their competitors, project their sales and revenue, and estimate their profit and loss expenditures.

Recent Developments

• In June 2023, Qorvo, Inc. launched the QPB3810, a GaN-based power amplifier with integrated bias control, catering specifically to 5G massive MIMO applications. This amplifier promises enhanced efficiency and performance, addressing the growing demand for high-speed, high-capacity wireless communication systems
• In March 2023, Infineon Technologies revealed its intention to acquire GaN Systems for USD 830 million, aiming to bolster its GaN portfolio and solidify its position in the power system market. This strategic acquisition highlights Infineon's commitment to expanding its semiconductor offerings to meet the evolving needs of various industries
• В апреле 2022 года компании ROHM Semiconductor и Delta Electronics заключили партнерство, чтобы использовать свои технологические и производственные знания в массовом производстве силовых устройств на основе GaN. Эта совместная инициатива подчеркивает приверженность компаний продвижению разработки систем питания и созданию значительного присутствия на мировом рынке, особенно в секторах, требующих высокопроизводительных решений в области питания.

Масштаб рынка силовых полупроводников GaN и SiC

Рынок сегментирован на основе продукта и применения. Рост среди этих сегментов поможет вам проанализировать сегменты с незначительным ростом в отраслях и предоставить пользователям ценный обзор рынка и рыночные идеи, которые помогут им принимать стратегические решения для определения основных рыночных приложений.

Продукт

• Модуль питания Sic
• Модуль питания GaN
• Дискретный SiC
• Дискретный GaN

 Приложение

• Источники питания
• Промышленные приводы двигателей
• H/EV
• Фотоэлектрические инверторы
• Тяга
• Другие

Анализ рынка силовых полупроводников GaN и SiC/Инсайты

Проводится анализ рынка, предоставляется информация о его размере и объеме по странам, продуктам и областям применения, как указано выше.

В отчете о рынке рассматриваются следующие страны: США, Канада, Мексика, Германия, Великобритания, Франция, Италия, Испания, Россия, Польша, Швейцария, Нидерланды, Венгрия, Австрия, Норвегия, Ирландия, Турция, Литва, остальные страны Европы, Китай, Япония, Индия, Австралия, Южная Корея, Сингапур, Таиланд, Малайзия, Индонезия, Филиппины, Вьетнам, остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона, Бразилия, Аргентина, Перу, остальные страны Южной Америки, Южная Африка, Саудовская Аравия, ОАЭ, Израиль, Кувейт, Египет и остальные страны Ближнего Востока и Африки.

Ожидается, что Северная Америка будет доминировать на рынке, что объясняется всплеском внедрения электромобилей, вызванным экологическими проблемами и государственными стимулами. Значительные инвестиции региона в технологию и развитие инфраструктуры 5G еще больше усиливают спрос на устройства GaN и SiC, поскольку они являются неотъемлемой частью высокоэффективных систем силовой электроники, необходимых для электромобилей и инфраструктуры 5G.

Ожидается, что Северная Америка станет самым быстрорастущим регионом на рынке, что обусловлено растущим спросом на электромобили, системы возобновляемой энергии и промышленные приложения. Такие факторы, как правительственные стимулы, благоприятные правила и сильный акцент на устойчивость, подпитывают внедрение устройств GaN и SiC в этих секторах, стимулируя рост рынка в регионе.

Раздел отчета по странам также содержит отдельные факторы, влияющие на рынок, и изменения в регулировании на внутреннем рынке, которые влияют на текущие и будущие тенденции рынка. Такие данные, как анализ цепочки создания стоимости сверху и снизу, технические тенденции и анализ пяти сил Портера, тематические исследования, являются некоторыми из указателей, используемых для прогнозирования рыночного сценария для отдельных стран. Кроме того, при предоставлении прогнозного анализа данных по странам учитываются наличие и доступность глобальных брендов и их проблемы, связанные с большой или малой конкуренцией со стороны местных и отечественных брендов, влияние внутренних тарифов и торговых путей.

Конкурентная среда и анализ доли рынка силовых полупроводников GaN и SiC

Конкурентная среда рынка содержит сведения о конкурентах. Включены сведения о компании, ее финансах, полученном доходе, рыночном потенциале, инвестициях в исследования и разработки, новых рыночных инициативах, региональном присутствии, сильных и слабых сторонах компании, запуске продукта, широте и широте продукта, доминировании приложений. Приведенные выше данные касаются только фокуса компаний на рынке.

Некоторые из основных игроков, работающих на рынке:

• Alpha and Omega Semiconductor (США)
• Fuji Electric Co., Ltd (Япония)
• Infineon Technologies AG (Германия)
• Littelfuse, Inc. (США)
• Микросеми (США)
• Mitsubishi Electric Corporation (Япония)
• Корпорация Renesas Electronics (Япония)
• ROHM SEMICONDUCTOR (Япония)
• SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Япония)
• STMicroelectronics (Швейцария/Франция)
• Эпилювак (Швеция)
• IQE PLC (Великобритания)
• Transphorm Inc. (США)
• SweGaN (Швеция)
• Сен-Гобен (Франция)
• GeneSiC Semiconductor Inc. (США)
• Sublime Technologies (США)
• Группа Global Power Technologies (США)
• DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (Тайвань)
• AGC Inc. (Япония)
• Доу (США)
• WeEn Semiconductors (Китай)

SKU-46167