Силовые полупроводники из карбида кремния относятся к типу полупроводников, которые содержат углерод и кремний и работают при очень высоком напряжении и температуре. Силовые полупроводники из карбида кремния можно использовать для производства прочных и очень твердых материалов. Силовые полупроводники из карбида кремния могут применяться в различных секторах, таких как телекоммуникации, энергетика, автомобилестроение, производство возобновляемой энергии и в других других областях. Их рассматривают из-за более высоких максимальных теплопроводных свойств, которые расширили область применения. Силовые полупроводники из карбида кремния — это устройства, которые считаются высокочастотными силовыми устройствами и в основном применяются в беспроводной связи. Полупроводник SiC обеспечивает в десять раз большую напряженность поля пробоя диэлектрика, в три раза большую теплопроводность и в три раза большую запрещенную зону по сравнению с кремниевыми полупроводниками. Полупроводники SiC завоевали рынок благодаря своим высоким характеристикам и эффективности. Силовые полупроводники из карбида кремния работают при высоком напряжении и токе и имеют низкое сопротивление в открытом состоянии, а также эффективны при высоких температурах. Таким образом, комбинация карбида кремния оказалась лучшим и оптимальным выбором полупроводника.
Доступ к полному отчету @https://www.databridgemarketresearch.com/ru/reports/global-silicon-carbide-power-semiconductors-market
Исследование рынка мостов данных анализирует Мировой рынок силовых полупроводников из карбида кремния ожидается, что к 2031 году она достигнет 11 508 292,90 тысяч долларов США по сравнению с 1 950 156,00 тысяч долларов США в 2023 году, а среднегодовой темп роста составит 25,1% в прогнозируемый период с 2024 по 2031 год. Более строгое регулирование и потребительский спрос на снижение энергопотребления будут стимулировать рост рынка.
Ключевые результаты исследования
Рост использования электронных транспортных средств
Растущее использование электромобилей выступает важным движущим фактором для мирового рынка силовых полупроводников из карбида кремния, используя превосходную эффективность карбида кремния, тепловые характеристики и возможности быстрой зарядки для удовлетворения потребностей растущего электромобиля. Кроме того, силовые полупроводники из карбида кремния способствуют разработке решений для более быстрой зарядки электромобилей, решая одну из ключевых проблем потребителей, касающихся практичности электромобилей. Таким образом, все организации коллективно предполагают тенденцию к увеличению количества электронных транспортных средств в автомобильном секторе. Ожидается, что он сыграет ключевую роль в развитии мирового производства силовых полупроводников из карбида кремния и будет способствовать росту рынка.
Объем отчета и сегментация рынка
|
Отчет по метрике
|
Подробности
|
|
Прогнозный период
|
2024–2031 гг.
|
|
Базисный год
|
2023 год
|
|
Исторические годы
|
2022 г. (настраивается на 2016–2021 гг.)
|
|
Количественные единицы
|
Выручка в тысячах долларов США
|
|
Охваченные сегменты
|
Тип (МОП-транзисторы, диоды с барьером Шоттки (SBD), биполярный переходной транзистор (BJT), гибридные модули, SiC Bare Die, Pin-диод, соединительный полевой транзистор и другие), тип пластины (эпитаксиальные пластины SiC и пустые пластины SiC), диапазон напряжения ( от 301 В до 900 В, от 901 В до 1700 В, 1701 В и выше и менее 300 В), размер пластины (2 дюйма, 3 дюйма и 4 дюйма, 6 дюймов, 8 и 12 дюймов), применение (Электромобиль (электромобили), инверторы, источники питания, фотоэлектрические устройства, радиочастотные устройства, промышленные приводы и т. д.), вертикальные (автомобилестроение и транспорт, центры обработки данных, промышленность, возобновляемые источники энергии/сети, Бытовая электроника, аэрокосмическая и оборонная промышленность, медицина и другие)
|
|
Охваченные страны
|
США, Канада и Мексика, Германия, Великобритания, Франция, Италия, Нидерланды, Испания, Россия, Швейцария, Турция, Бельгия, Польша, Швеция, Дания, Норвегия, Финляндия, Остальная Европа, Китай, Япония, Индия, Южная Корея, Австралия, Тайвань, Сингапур, Таиланд, Индонезия, Малайзия, Филиппины, Новая Зеландия, Вьетнам, Остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона, Бразилия, Аргентина, Остальная часть Южной Америки, Саудовская Аравия, ОАЭ, Израиль, Южная Африка, Египет, Катар, Кувейт, Бахрейн, Оман и остальные страны Ближнего Востока и Африки
|
|
Охваченные игроки рынка
|
Infineon Technologies AG (Германия), STMicroelectronics (Швейцария), WOLFSPEED, INC. (США), Renesas Electronics Corporation (Япония), Semiconductor Components Industries, LLC (США), Mitsubishi Electric Corporation (Япония), ROHM CO., LTD. (Япония), Qorvo, Inc. (США), Nexperia (Нидерланды), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES AND STORAGE CORPORATION (США), Allegro MicroSystems, Inc. (США), GeneSiC Semiconductor Inc. (США), Fuji Electric Co., Ltd ( Япония), Vishay Intertechnology, Inc. (США), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd., Littelfuse, Inc. (США), Texas Instruments Incorporated. (США), Microchip Technology Inc. (США), Semikron Danfoss (Германия), WeEn Semiconductors (Китай), Solitron Devices, Inc. (США), SemiQ Inc. (США), Xiamen Powerway Advanced Material (Китай), MaxPower Semiconductor (Тайвань) и др.
|
|
Точки данных, включенные в отчет
|
В дополнение к информации о рыночных сценариях, таких как рыночная стоимость, темпы роста, сегментация, географический охват и основные игроки, рыночные отчеты, подготовленные Data Bridge Market Research, также включают углубленный экспертный анализ, географически представленное производство по компаниям и мощность, схема сети дистрибьюторов и партнеров, подробный и обновленный анализ ценовых тенденций и анализ дефицита цепочки поставок и спроса.
|
Сегментный анализ
Мировой рынок силовых полупроводников из карбида кремния разделен на шесть заметных сегментов, которые основаны на типе, типе пластины, диапазоне напряжения, размере пластины, применении и вертикали.
- В зависимости от типа мировой рынок силовых полупроводников из карбида кремния сегментирован на МОП-транзисторы, диоды с барьером Шоттки (SBD), биполярные переходные транзисторы (BJT), гибридные модули, голый кристалл SiC, штыревые диоды, переходные полевые транзисторы и другие.
Ожидается, что в 2024 году сегмент МОП-транзисторов будет доминировать на мировом рынке силовых полупроводников из карбида кремния.
Ожидается, что в 2024 году сегмент МОП-транзисторов будет доминировать на рынке с долей рынка 28,28% благодаря их высокой эффективности, высокой скорости переключения и низкому сопротивлению в открытом состоянии.
- В зависимости от типа пластин мировой рынок силовых полупроводников из карбида кремния сегментирован на эпитаксиальные пластины SiC и чистые пластины SiC.
Ожидается, что в 2024 году сегмент эпитаксиальных пластин SiC будет доминировать на мировом рынке силовых полупроводников из карбида кремния.
Ожидается, что в 2024 году сегмент эпитаксиальных пластин SiC будет доминировать на рынке с долей рынка 55,19% благодаря своим превосходным электрическим свойствам и эффективности.
- В зависимости от диапазона напряжений мировой рынок силовых полупроводников из карбида кремния сегментирован на напряжения от 301 В до 900 В, от 901 В до 1700 В, от 1701 В и выше и менее 300 В. В 2024 году сегмент от 301 В до 900 В будет ожидается, что он будет доминировать на рынке с долей рынка 44,68%
- В зависимости от размера пластин мировой рынок силовых полупроводников из карбида кремния сегментирован на 2 дюйма, 3 дюйма, 4 дюйма, 6 дюймов, 8 и 12 дюймов. Ожидается, что в 2024 году на рынке будет доминировать сегмент 2-, 3- и 4-дюймовых экранов с долей рынка 43,65%.
- В зависимости от области применения мировой рынок силовых полупроводников из карбида кремния сегментирован на электромобили (EV), инверторы, источники питания, фотоэлектрические устройства, радиочастотные устройства, приводы промышленных двигателей и другие. Ожидается, что в 2024 году сегмент электромобилей (EV) будет доминировать на рынке с долей рынка 33,53%.
- По вертикали мировой рынок силовых полупроводников из карбида кремния сегментирован на автомобилестроение и транспорт, центры обработки данных, промышленность, возобновляемые источники энергии/сети, бытовую электронику, аэрокосмическую и оборонную промышленность, медицину и другие. Ожидается, что в 2024 году автомобильный и транспортный сегмент будет доминировать на рынке с долей рынка 28,38%.
Основные игроки
Data Bridge Market Research анализирует компании Infineon Technologies AG (Германия), STMicroelectronics (Швейцария), WOLFSPEED INC. (США), Renesas Electronics Corporation (Япония) и Semiconductor Components Industries LLC. (США) как крупнейшая компания, работающая на мировом рынке силовых полупроводников из карбида кремния.
Развитие рынка
- В январе 2024 года STMicroelectronics объявила о долгосрочном соглашении с Li Auto на поставку SiC-устройств. В рамках этой сделки Li Auto получит SiC MOSFET от STMicroelectronics (ST) для поддержки своих амбиций по производству электромобилей с высоковольтными аккумуляторами (BEV) в нескольких сегментах рынка. Это развитие может расширить присутствие компании в Китае.
- В августе 2023 года компания STMicroelectronics объявила о подписании контракта на поставку силовых МОП-транзисторов из карбида кремния (SiC) для компании BorgWarner Inc. STMicroelectronics предоставит новейшие силовые МОП-транзисторы из карбида кремния (SiC) третьего поколения на 750 В для эксклюзивного силового модуля BorgWarner, построенного на основе Платформа Вайпер. Некоторые существующие и будущие электрические автомобили Volvo оснащены платформами с тяговыми инверторами производства BorgWarner, в которых используется этот силовой модуль. Эта сделка может расширить присутствие компании на автомобильном рынке.
- В июле 2023 года компания WOLFSPEED, INC. объявила о подписании соглашения о поставках с Renesas Electronics Corporation на 10-летние обязательства по поставкам голых и эпитаксиальных пластин из карбида кремния. Поставки Wolfspeed пластин из карбида кремния премиум-класса позволят Renesas начать производство силовых полупроводников из карбида кремния в более крупных масштабах, начиная с 2025 года.
- В декабре 2022 года Renesas Electronics Corporation объявила, что получила в этом году награду «Выдающаяся азиатско-тихоокеанская полупроводниковая компания» от Глобального полупроводникового альянса (GSA). Эта награда и признание улучшили имидж компании на рынке и оказали положительное влияние на рост мирового рынка силовых полупроводников SiC.
- В ноябре 2022 года Infineon Technologies AG подписала необязывающий Меморандум о взаимопонимании о многолетнем сотрудничестве в области поставок полупроводников из карбида кремния (SiC). Infineon зарезервирует производственные мощности и будет поставлять чипы CoolSiC «голого кристалла» во второй половине десятилетия прямым поставщикам первого уровня компании Stellantis. Потенциальный объем поставок и резервирование мощностей оцениваются значительно больше, чем 1 миллиард евро. Это событие помогло компании увеличить свои финансовые показатели и положительно повлияло на рост мирового рынка силовых полупроводников SiC.
Региональный анализ
По географическому признаку рынок сегментирован на США, Канаду и Мексику, Германию, Великобританию, Францию, Италию, Нидерланды, Испанию, Россию, Швейцарию, Турцию, Бельгию, Польшу, Швецию, Данию, Норвегию, Финляндию, остальную Европу. Китай, Япония, Индия, Южная Корея, Австралия, Тайвань, Сингапур, Таиланд, Индонезия, Малайзия, Филиппины, Новая Зеландия, Вьетнам, остальные страны Азиатско-Тихоокеанского региона, Бразилия, Аргентина, остальные страны Южной Америки, Саудовская Аравия, ОАЭ, Израиль, Южная Африка, Египет, Катар, Кувейт, Бахрейн, Оман и остальные страны Ближнего Востока и Африки.
Согласно анализу исследования рынка Data Bridge:
Северная Америка является доминирующим регионом на мировом рынке силовых полупроводников из карбида кремния.
Ожидается, что регион Северной Америки будет доминировать на рынке благодаря своей развитой технологической инфраструктуре, значительным инвестициям в исследования и разработки, а также значительному присутствию ключевых игроков рынка в регионе.
Азиатско-Тихоокеанский регион является самым быстрорастущим регионом на мировом рынке силовых полупроводников из карбида кремния.
Ожидается, что Азиатско-Тихоокеанский регион станет самым быстрорастущим регионом на рынке из-за растущего использования электронных транспортных средств.
Для получения более подробной информации о мировом рынке силовых полупроводников из карбида кремния нажмите здесь –https://www.databridgemarketresearch.com/ru/reports/global-silicon-carbide-power-semiconductors-market
