Mercado global de semicondutores de potência SiC, por tipo (MOSFETS, módulos híbridos, diodos de barreira Schottky (SBDS), IGBT, transistor de junção bipolar (BJT), diodo de pino, FET de junção (JFET) e outros), faixa de tensão (301-900 V , 901-1700 V, acima de 1701 V), tamanho do wafer (6 polegadas, 4 polegadas, 2 polegadas, acima de 6 polegadas), tipo de wafer (wafers epitaxiais de SiC, wafers de SiC em branco), aplicação (veículos elétricos (EV), energia fotovoltaica, Fontes de alimentação, acionamentos de motores industriais, infraestrutura de carregamento de veículos elétricos, dispositivos de RF e outros), verticais (automotivo, serviços públicos e energia, industrial, transporte, TI e telecomunicações, eletrônicos de consumo, aeroespacial e defesa, comercial e outros) Tendências e previsões do setor para 2030.
Análise e tamanho do mercado de semicondutores de energia SiC
Os semicondutores de potência SiC são os semicondutores mais prevalentes e são considerados a melhor escolha para a eletrônica. Esses semicondutores de potência SiC são aplicados nos setores doméstico, comercial e industrial e em diversas outras áreas. Os semicondutores de potência SiC estão disponíveis em dois tipos de dispositivos, como dispositivos discretos de SiC e matriz nua de SiC. Devido aos avanços tecnológicos, a prevalência de dispositivos discretos de SiC tem aumentado mais rapidamente. A propriedade significativa do semicondutor de potência SiC é a alta condutividade térmica, juntamente com várias outras que utilizam eletricidade com eficiência. Os semicondutores de potência SiC são usados em telecomunicações, energia e energia, geração de energia renovável e vários outros lugares. Os semicondutores de potência SiC são usados em eletrônica de potência ganhando prevalência entre os indivíduos. A demanda por semicondutores de potência SiC no mercado global de semicondutores de potência SiC está aumentando a uma taxa mais elevada. Para isso, diversos players do mercado estão introduzindo novos produtos e formando parcerias para expandir seus negócios no mercado global de semicondutores de potência SiC.
A Data Bridge Market Research analisa que o mercado global de semicondutores de energia SiC deverá atingir um valor de US$ 7.030.515,23 mil até 2030, com um CAGR de 26,0% durante o período de previsão. O relatório global do mercado de semicondutores de potência SiC também abrange de forma abrangente análise de preços, análise de patentes e avanços tecnológicos.
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Métrica de relatório |
Detalhes |
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Período de previsão |
2023 a 2030 |
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Ano base |
2022 |
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Anos históricos |
2021 (personalizável para 2020-2016) |
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Unidades Quantitativas |
Receita em milhares de dólares, volumes em unidades, preços em dólares |
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Segmentos cobertos |
Por tipo (MOSFETS, módulos híbridos, diodos de barreira Schottky (SBDS), IGBT, transistor de junção bipolar (BJT), diodo de pino, FET de junção (JFET) e outros), faixa de tensão (301-900 V, 901-1700 V, Acima de 1701 V), tamanho do wafer (6 polegadas, 4 polegadas, 2 polegadas, acima de 6 polegadas), tipo de wafer (wafers epitaxiais de SiC, wafers de SiC em branco), aplicação (veículos elétricos (EV), Fotovoltaica, fontes de alimentação, acionamentos de motores industriais, infraestrutura de carregamento de veículos elétricos, dispositivos de RF e outros), vertical (automotivo, serviços públicos e energia, industrial, transporte, TI e telecomunicações, Eletrônicos de consumo, Aeroespacial e Defesa, Comercial e Outros). |
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Regiões cobertas |
EUA, Canadá, México, Alemanha, Reino Unido, Itália, França, Espanha, Suíça, Holanda, Bélgica, Rússia, Turquia, Polónia, Suécia, Dinamarca, Resto da Europa, Japão, China, Coreia do Sul, Índia, Austrália e Nova Zelândia, Hong Kong, Taiwan, Singapura, Tailândia, Indonésia, Malásia, Filipinas, Vietname e Resto da Ásia-Pacífico, África do Sul, Emirados Árabes Unidos, Israel, Egipto, Qatar, Arábia Saudita, Kuwait, Resto do Médio Oriente e África, Brasil , Argentina e Resto da América do Sul. |
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Participantes do mercado cobertos |
WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics, ROHM CO., LTD., Fuji Electric Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated, Infineon Technologies AG, Semikron Danfoss, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., Renesas Electronics Corporation , TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION, Microchip Technology Inc., Semiconductor Components Industries, LLC, NXP Semiconductors, UnitedSiC, SemiQ Inc., Littlefuse, Inc., Allegro MicroSystems, Inc., Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. Grupo Hitachi) e GeneSiC Semiconductor Inc., entre outros. |
Definição de mercado
Semicondutor de potência SiC refere-se ao tipo de semicondutor que contém carbono e silício e opera em tensões e temperaturas muito altas. Os semicondutores de potência SiC podem ser usados na produção de materiais fortes e muito duros. Os semicondutores de potência SiC podem ser implementados em vários setores, como telecomunicações, energia e energia, automotivo, geração de energia renovável e em diversas outras áreas. Eles são considerados basicamente devido às propriedades condutoras térmicas máximas mais elevadas que ampliaram a área de aplicação. Semicondutores de potência SiC são dispositivos considerados dispositivos de energia de alta frequência, principalmente aplicáveis em comunicações sem fio. O semicondutor SiC oferece dez vezes a intensidade do campo de ruptura dielétrica, três vezes a condutividade térmica e três vezes o bandgap em comparação com um semicondutor de silício. O semicondutor SiC conquistou o mercado devido ao seu alto desempenho e eficiência. O semicondutor de potência SiC oferece trabalho em alta tensão e corrente e oferece baixa resistência, além de ser eficiente em altas temperaturas. A combinação de carboneto de silício provou ser uma escolha melhor e ideal de semicondutor.
Dinâmica global do mercado de semicondutores de energia SiC
Esta seção trata da compreensão dos impulsionadores do mercado, vantagens, oportunidades, restrições e desafios. Tudo isso é discutido em detalhes abaixo:
Motoristas
- Advento dos semicondutores de potência SiC
Existem propriedades muito úteis do SiC como material semicondutor. Em aplicações como inversores, acionamentos de motor e carregadores de bateria, os dispositivos de carboneto de silício (SiC) oferecem muitas vantagens, como maior densidade de potência, redução dos requisitos de resfriamento e redução do custo geral do sistema. Essas vantagens são suficientes para tornar os semicondutores de potência SiC no estágio de alta eficiência.
A energia perdida pelo SiC durante a fase de recuperação reversa é de apenas 1% da energia perdida pelo silício, o que cria uma enorme diferença na eficiência do material. A ausência virtual de uma corrente de cauda permite um desligamento mais rápido e gera menores perdas. Como há menos energia para dissipar, um dispositivo SiC é capaz de alternar em frequências mais altas e melhorar a eficiência. O tamanho mais eficiente, o tamanho pequeno e o peso menor do SiC em comparação com outros materiais podem criar uma solução de classificação mais alta ou um design menor com requisitos de resfriamento reduzidos. Assim, o advento dos semicondutores de potência SiC é um fator importante que deverá impulsionar o crescimento do mercado global de semicondutores de potência SiC.
- Crescente penetração de veículos eletrônicos
O mundo está mudando muito rapidamente e está se voltando para as energias renováveis. Todos os sectores, intervenientes no mercado e institutos governamentais estão a concentrar-se mais na construção de infra-estruturas para veículos eléctricos e na geração de mais procura por veículos eléctricos.
De acordo com informações da Agência Internacional de Energia (AIE), 16,5 milhões de carros elétricos circularam em 2021, o triplo em apenas três anos, e este é um número grande em comparação com 2020. As vendas de carros elétricos aumentaram e duplicaram na China, continuou a aumentar na Europa e aumentou nos EUA em 2021. Estes dados mostram que há um tremendo aumento na penetração de VEs no mercado, o que pode afetar positivamente o meio ambiente, bem como o mercado global de semicondutores de potência SiC. O SiC é altamente eficiente em altas tensões, permitindo tempos de carregamento de bateria rápidos, comparáveis ao enchimento do tanque de veículos convencionais. A eletrônica de potência de carboneto de silício está permitindo um aumento nos sistemas de acionamento de 800 volts, abrindo caminho para veículos elétricos mais leves e com maior alcance.
Oportunidade
- Parceria Estratégica e Aquisição por Fabricantes de SiC
Existem diversas organizações e players de mercado que estão criando parcerias e aquisições estratégicas. Esta parceria cria um enorme impacto positivo no crescimento do mercado global de semicondutores de potência SiC. Esta colaboração resulta em cooperação, tornando-se uma via de baixo custo para novos concorrentes obterem tecnologia e acesso ao mercado.
Uma joint venture envolve duas ou mais empresas que reúnem seus recursos e conhecimentos para atingir um objetivo específico. Existem muitas organizações que colaboram entre si e criam um impacto positivo no crescimento do mercado global de semicondutores de potência SiC.
Restrição/Desafio
- Problemas relacionados à fabricação de wafer SiC
Um wafer de SiC é um material semicondutor que possui excelentes propriedades elétricas e térmicas. É um semicondutor de alto desempenho ideal para uma ampla variedade de aplicações. Além de sua alta resistência térmica, também apresenta um nível de dureza muito elevado. Há muitos desafios de fabricação enfrentados pelos fabricantes de wafers de SiC. Os principais defeitos que podem ocorrer durante a fabricação de substratos de SiC são falhas de empilhamento cristalino, microtubos, buracos, arranhões, manchas e partículas superficiais. Esses fatores estão afetando negativamente o desempenho dos dispositivos SiC, que foram detectados com mais frequência em wafers de 150 mm do que em wafers de 100 mm. Isso ocorre porque o SiC é o terceiro material compósito mais duro do mundo e também é muito frágil, e sua produção apresenta desafios complexos relacionados ao tempo de ciclo, custo e desempenho de corte em cubos. É eficaz prever que mesmo a mudança para wafers de 200 mm acarretará problemas significativos. Na verdade, será necessário garantir a mesma qualidade do suporte, enfrentando uma densidade de defeitos inevitavelmente superior.
Impacto pós-COVID-19 no mercado global de semicondutores de energia SiC
A indústria de semicondutores de potência SiC notou uma diminuição gradual na procura devido ao bloqueio e às leis governamentais da COVID-19, à medida que as instalações de produção e serviços foram encerrados. Até mesmo o desenvolvimento privado e público foi cancelado. Além disso, a indústria também foi afetada pela paralisação da cadeia de abastecimento, especialmente de matérias-primas utilizadas no processo de fabricação de semicondutores de potência SiC. Regulamentações governamentais rigorosas para diferentes indústrias e restrições ao comércio e transporte foram alguns dos principais fatores que causaram uma redução no crescimento do mercado de semicondutores de potência SiC em todo o mundo em 2020 e nos primeiros dois trimestres de 2021. Como o poder SiC a produção de semicondutores desacelerou devido às restrições impostas por governos em todo o mundo, a produção não atendia à demanda nos primeiros três trimestres de 2020. Além disso, a alta demanda/exigência de produtos semicondutores de potência SiC na indústria automotiva e de defesa, na indústria médica setor e em aplicações hidráulicas foi testemunhado. A retomada da produção da indústria de petróleo e gás e automotiva; alimentou ainda mais a crescente demanda por semicondutores de potência SiC em todo o mundo. Assim, isso não só levou a um aumento na demanda, mas também aumentou o custo do produto.
Desenvolvimentos recentes
- Em dezembro de 2022, STMicroelectronics e Soitec (Euronext Paris), ao projetar e fabricar materiais semicondutores inovadores, anunciaram a próxima etapa de sua cooperação em substratos de carboneto de silício (SiC), com a qualificação da tecnologia de substrato SiC da Soitec pela ST planejada para os próximos 18 meses. O objetivo desta cooperação é a adoção pela ST da tecnologia SmartSiC da Soitec para sua futura fabricação de substrato de 200 mm, alimentando seus negócios de fabricação de dispositivos e módulos, com volume de produção esperado no médio prazo. Esta colaboração ajudará a empresa a impulsionar suas finanças, bem como o crescimento do mercado global de semicondutores de energia SiC.
- Em julho de 2022, a Semikron Danfoss e a empresa ROHM Semiconductor, com sede em Kyoto, colaboram há mais de dez anos no que diz respeito à implementação de carboneto de silício (SiC) dentro de módulos de potência. Recentemente, a mais recente 4ª geração de MOSFETs SiC da ROHM foi totalmente qualificada nos módulos eMPack da SEMIKRON para uso automotivo. Conseqüentemente, ambas as empresas atendem às necessidades dos clientes em todo o mundo. Esta colaboração melhorou as finanças da empresa e teve um impacto positivo no crescimento do mercado global de semicondutores de potência SiC.
Escopo global do mercado de semicondutores de energia SiC
O mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado com base no tipo, faixa de tensão, tamanho do wafer, tipo de wafer, aplicação e vertical. O crescimento entre esses segmentos irá ajudá-lo a analisar os escassos segmentos de crescimento nas indústrias e fornecer aos usuários uma valiosa visão geral do mercado e insights de mercado para ajudá-los a tomar decisões estratégicas para identificar as principais aplicações do mercado.
Por tipo
- MOSFET
- Módulos Híbridos
- Diodos de barreira Schottky (SBDS)
- IGBT
- Transistor de junção bipolar (BJT)
- Diodo Pino
- Junção FET (JFET)
- Outros
Com base no tipo, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado em MOSFETS, Módulos Híbridos, Diodos de Barreira Schottky (SBDS), IGBT, Transistor de Junção Bipolar (BJT), Diodo Pin, FET de Junção (JFET) e outros.
Por faixa de tensão
- 301-900V
- 901-1700V
- Acima de 1701V
Com base na faixa de tensão, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado em 301-900 V, 901-1700 V e acima de 1701 V.
Por tamanho de wafer
- 6 polegadas
- 4 polegadas
- 2 polegadas
- Acima de 6 polegadas
Com base no tamanho do wafer, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado em 6 polegadas, 4 polegadas, 2 polegadas e acima de 6 polegadas.
Por tipo de wafer
- Bolachas epitaxiais de SiC
- Bolachas de SiC em branco
Com base no tipo de wafer, o mercado global de semicondutores de potência de SiC é segmentado em wafers epitaxiais de SiC e wafers de SiC em branco.
Por aplicativo
- Veículos Elétricos (VE)
- Fotovoltaica
- Suprimentos de energia
- Acionamentos de motores industriais
- Infraestrutura de carregamento de veículos elétricos
- Dispositivos RF
- Outros
Com base na aplicação, o mercado global de semicondutores de energia sic é segmentado em veículos elétricos (EV), fotovoltaicos, fontes de alimentação, acionamentos de motores industriais, infraestrutura de carregamento de EV, dispositivos de RF, entre outros.
Por vertical
- Automotivo
- Utilidades e energia
- Industrial
- Transporte
- TI e telecomunicações
- Eletrônicos de consumo
- Aeroespacial e defesa
- Comercial
- Outros
Com base na vertical, o mercado global de semicondutores de potência SiC é segmentado em automotivo, serviços públicos e energia, industrial, transporte, TI e telecomunicações, eletrônicos de consumo, aeroespacial e defesa, comercial, entre outros.
Análise/insights regionais do mercado global de semicondutores de energia SiC
O mercado global de semicondutores de energia SiC é analisado, e os insights e tendências do tamanho do mercado são fornecidos por região, tipo, faixa de tensão, tamanho do wafer, tipo de wafer, aplicação e vertical conforme mencionado acima.
Os países cobertos no relatório global de mercado de semicondutores de potência SiC são EUA, Canadá, México, Alemanha, Reino Unido, Itália, França, Espanha, Suíça, Holanda, Bélgica, Rússia, Turquia, Polônia, Suécia, Dinamarca, Resto da Europa, Japão, China, Coreia do Sul, Índia, Austrália e Nova Zelândia, Hong Kong, Taiwan, Singapura, Tailândia, Indonésia, Malásia, Filipinas, Vietname e Resto da Ásia-Pacífico, África do Sul, Emirados Árabes Unidos, Israel, Egipto, Qatar, Arábia Saudita , Kuwait, Resto do Oriente Médio e África, Brasil, Argentina e Resto da América do Sul.
Em 2023, espera-se que a região Ásia-Pacífico domine o mercado global de semicondutores de potência SiC devido à alta demanda por semicondutores de potência SiC. Além disso, espera-se que a alta demanda por módulos de energia e dispositivos relacionados atue como um fator propulsor para o crescimento do mercado.
A seção regional do relatório também fornece fatores individuais de impacto no mercado e mudanças na regulamentação do mercado que impactam as tendências atuais e futuras do mercado. Pontos de dados como análise da cadeia de valor downstream e upstream, tendências técnicas e análise das cinco forças de Porter, estudos de caso são alguns dos indicadores usados para prever o cenário de mercado para países individuais. Além disso, são considerados a presença e disponibilidade de marcas globais e os desafios enfrentados devido à concorrência grande ou escassa de marcas locais e nacionais, o impacto das tarifas nacionais e as rotas comerciais, ao mesmo tempo que se fornece uma análise de previsão dos dados da região.
Cenário competitivo e análise global de participação de mercado de semicondutores de energia SiC
O cenário competitivo do mercado global de semicondutores de potência SiC fornece detalhes do concorrente. Os detalhes incluídos são visão geral da empresa, finanças da empresa, receita gerada, potencial de mercado, investimento em pesquisa e desenvolvimento, novas iniciativas de mercado, presença global, locais e instalações de produção, capacidades de produção, pontos fortes e fracos da empresa, lançamento de produto, largura e amplitude do produto, e domínio da aplicação. Os dados acima fornecidos estão relacionados apenas ao foco das empresas relacionado ao mercado global de semicondutores de potência SiC.
Alguns dos principais players que operam no mercado global de semicondutores de potência SiC são WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics, ROHM CO., LTD., Fuji Electric Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated, Infineon Technologies AG, Semikron Danfoss , Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., Renesas Electronics Corporation, TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION, Microchip Technology Inc., Semiconductor Components Industries, LLC, NXP Semiconductors, UnitedSiC, SemiQ Inc., Littlefuse, Inc., Allegro MicroSystems, Inc., Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (uma subsidiária do Grupo Hitachi) e GeneSiC Semiconductor Inc., entre outros.
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