Mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) – Tendências do setor e previsão para 2030

Mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN), por saída de energia (carregadores GaN de 25 W, carregadores GaN de 30 W, carregadores GaN de 45 W, carregadores GaN de 60 W, carregadores GaN de 65 W, carregadores GaN de 90 W, carregadores GaN de 100 W), aplicação (smartphones e tablets, laptops e Notebooks, Robôs Autônomos, Equipamentos Industriais e Carregamento Sem Fio), Usuário Final (Eletrônicos de Consumo, TI e Telecomunicações, Automotivo, Aeroespacial e Defesa e Outros) - Tendências e Previsões do Setor para 2030.

Análise e tamanho do mercado de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN)

O mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) tem experimentado um crescimento consistente nos últimos anos. A expansão do eletrônicos de consumoAs indústrias automotiva, aeroespacial e militar e de defesa são as principais responsáveis ​​pelo mercado global. O advento de novas aplicações de GaN, o aumento da utilização de eletrônicos de potência de RF e características excepcionais, incluindo alta tensão de ruptura e baixo consumo de energia, são fatores-chave que alimentam o crescimento do mercado global.

A Data Bridge Market Research analisa que o mercado global de carregadores movidos a nitreto de gálio (GaN) foi avaliado em US$ 690,40 milhões em 2022 e deve atingir US$ 841 milhões até 2030, registrando um CAGR de 5,2% durante o período de previsão de 2023-2030. . Além dos insights de mercado, como valor de mercado, taxa de crescimento, segmentos de mercado, cobertura geográfica, participantes do mercado e cenário de mercado, o relatório de mercado com curadoria da equipe de pesquisa de mercado da Data Bridge inclui análise especializada aprofundada, análise de importação/exportação, análise de preços, análise de consumo de produção e análise de pilão.

Escopo e segmentação do mercado de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN)

Definição de Mercado

Os carregadores de telefone GaN (nitreto de gálio), também conhecidos como carregadores baseados em GaN ou adaptadores de energia GaN, são dispositivos de carregamento compactos e de alto desempenho projetados especificamente para carregar smartphones e outros dispositivos eletrônicos. Eles utilizam a tecnologia de semicondutores de nitreto de gálio, que oferece diversas vantagens em relação aos carregadores tradicionais à base de silício. O nitreto de gálio, ou GaN, é um material que está começando a ser usado em carregadores semicondutores. Mas agora tem sido usado na fabricação de LEDs desde a década de 1990 e também é um material popular para conjuntos de células solares em satélites. A característica mais importante do GaN nos carregadores é que ele produz menos calor.

Dinâmica global do mercado de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN)

Motoristas

• Demanda crescente por carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN)

A demanda por soluções de carregamento rápido que gerem menos calor e reduzam a probabilidade de sobrecarga é o que impulsiona o mercado de carregadores movidos a GaN. Espera-se que o aumento do uso de carregadores modernos, que incluem sistemas de monitoramento em vários setores de uso final, abasteça o mercado de carregadores movidos a GaN. A procura de carregamento rápido, preservando ao mesmo tempo todas as capacidades energéticas e regulamentos de segurança para os setores das telecomunicações, tem impulsionado a expansão da indústria.

Além disso, a integração das tecnologias, incluindo a Internet das Coisas (IoT), a aprendizagem automática, inteligência artificial(AI) e outros estima-se ainda que acelerem a expansão geral do mercado durante o período de previsão. Além disso, também se prevê que a alta demanda por esses carregadores nas verticais impulsione a taxa de crescimento do mercado. O aumento na demanda por dispositivos de carregamento rápido e com eficiência energética impactará ainda mais positivamente a taxa de crescimento do mercado durante o período de previsão.

Oportunidades

• Desenvolvimento de carregadores alimentados por Micro GaN

Estima-se que o desenvolvimento de carregadores alimentados por micro GaN que possam ser incorporados a dispositivos eletrônicos compactos gere oportunidades lucrativas para o mercado, o que expandirá ainda mais a taxa de crescimento do mercado de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) durante o período de previsão de 2023-2030. Além disso, os participantes da indústria estão se concentrando em operações de pesquisa e desenvolvimento para avançar a tecnologia GaN e lançar produtos mais eficazes. Para manter ou aumentar a sua quota de mercado no mercado mundial, os fabricantes de produtos eletrónicos de consumo estão a assinar contratos de longo prazo com produtores de carregadores alimentados por GaN.

• Mudança na ênfase de Si para GaN

A mudança de ênfase de Si para GaN devido à melhoria na frequência de operação de dispositivos eletrônicos e à diminuição no tempo, peso e custo de carregamento de componentes oferece ainda inúmeras oportunidades de crescimento no mercado. Os carregadores alimentados por GaN têm uma lacuna de banda larga, altas frequências de comutação e são relativamente pequenos.

Restrições/Desafios

• Prevalência de marcas locais

Os carregadores alimentados por GaN de baixa qualidade são produzidos em grandes quantidades devido à prevalência de marcas locais e à falta de normas ou regulamentos de fabricação. Consequentemente, projeta-se que o mercado global de carregadores movidos a GaN experimente um crescimento lento como resultado deste motivo durante o período de previsão de 2023 a 2030.

• Falta de uniformidade e padrões

Um obstáculo significativo é a falta de uniformidade na tecnologia e nas peças utilizadas para produzir carregadores alimentados por GaN. Prevê-se que a expansão do mercado de carregadores movidos a GaN seja dificultada pela falta de padrões claros no mercado, o que resulta em considerável diferenciação de produtos e preços, o que é estimado como um desafio significativo para o mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) ao longo da previsão período de 2023 a 2030.

Este relatório global de mercado de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) fornece detalhes de novos desenvolvimentos recentes, regulamentações comerciais, análise de importação-exportação, análise de produção, otimização da cadeia de valor, participação de mercado, impacto de participantes do mercado doméstico e localizado, analisa oportunidades em termos de emergentes bolsões de receita, mudanças nas regulamentações de mercado, análise estratégica de crescimento de mercado, tamanho de mercado, crescimento de mercado de categoria, nichos de aplicação e domínio, aprovações de produtos, lançamentos de produtos, expansões geográficas, inovações tecnológicas no mercado. Para obter mais informações sobre o mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN), entre em contato com a Data Bridge Market Research para obter um resumo do analista, nossa equipe o ajudará a tomar uma decisão de mercado informada para alcançar o crescimento do mercado.

Desenvolvimentos recentes

• Em janeiro de 2021, a Dell e a Navitas Semiconductor formaram uma parceria para desenvolver tecnologias de carregamento inovadoras baseadas em GaN. Ambas as empresas se uniram para criar novas aplicações para nitreto de gálio (GaN)
• Em setembro de 2020, a Samsung Electronics fechou contrato com a Verizon como seu primeiro cliente nos Estados Unidos, a fim de expandir a cobertura interna. O padrão atual para carregamento rápido são os carregadores de parede baseados em GaN, oferecidos pela Verizon. Os carregadores de parede baseados em GaN são consideravelmente mais compactos do que outros tipos de carregadores convencionais
• Em novembro de 2020, os novos cabeçotes de carregamento da série 120W de nitreto de gálio (GaN) da Baseus estavam disponíveis em saídas de 45W, 65W e 120W. Liderando o negócio de carregamento, a empresa lançou recentemente o primeiro plugue de carregamento rápido de porta tripla de 65W. O carregamento de laptop de até 100 W 20 V/5 A é o objetivo principal da nova série de nitreto de gálio (GaN) de 120 W. Além disso, suporta MacBook, Dell, HP, Lenovo e muito mais. Ele pode carregar rapidamente dois laptops ao mesmo tempo
• Em novembro de 2020, com kits de avaliação de módulo de energia GaN, como o módulo de estágio de energia GaN DC/DC de driver de 100V, IPM de meia ponte de 650V 150A, módulo e driver de ponte completa de 650V 150A e módulo e driver trifásico de 650V 300A, GaN Os sistemas aumentaram o tamanho do mercado de energia. Os módulos GaN têm maior desempenho do sistema e estão em conformidade com os padrões da indústria para áreas ocupadas

Escopo global do mercado de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN)

O mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) é segmentado com base na produção de energia, aplicação e usuário final. O crescimento entre esses segmentos irá ajudá-lo a analisar segmentos de crescimento escasso nas indústrias e fornecer aos usuários uma valiosa visão geral do mercado e insights de mercado para ajudá-los a tomar decisões estratégicas para identificar as principais aplicações do mercado.

Potência da saída

• Carregadores 25W GaN
• Carregadores 30W GaN
• Carregadores 45W GaN
• Carregadores 60W GaN
• Carregadores GaN de 65 W
• Carregadores GaN 90W
• Carregadores GaN de 100 W

Aplicativo

• Smartphones e Comprimidos
• Portáteis e Notebooks
• Robôs Autônomos
• Equipamento industrial
• Carregamento sem fio

Usuário final

• Eletrônicos de consumo
• TI e Telecomunicações
• Automotivo
• Aeroespacial e Defesa
• Outros

Análise/insights globais da região do mercado de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN)

O mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) é analisado e os insights e tendências do tamanho do mercado são fornecidos por região, produção de energia, aplicação e usuário final, conforme mencionado acima.

Os países cobertos no relatório global de mercado de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) são EUA, Canadá, México, Brasil, Argentina, resto da América do Sul, Alemanha, Itália, Reino Unido, França, Espanha, Holanda, Bélgica, Suíça, Turquia, Rússia, Resto da Europa, Japão, China, Índia, Coreia do Sul, Austrália, Singapura, Malásia, Tailândia, Indonésia, Filipinas, Resto da Ásia-Pacífico, Arábia Saudita, Emirados Árabes Unidos, África do Sul, Egito, Israel, Resto do Médio Oriente e África

A Ásia-Pacífico domina o mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) devido à alta demanda por LEDs nas indústrias automotiva e eletrônica de consumo da região durante o período previsto de 2023 a 2030. Além disso, a alta adoção de veículos elétricos juntamente com Estima-se que a indústria de semicondutores em rápida expansão acelere ainda mais a expansão durante o período de previsão.

A Ásia-Pacífico registrará o maior CAGR e será a região que mais cresce no mercado global de carregadores movidos a nitreto de gálio (GaN) para este período de 2023 a 2030, devido ao aumento do crescimento econômico testemunhado por países-chave como China e Japão neste região.

A seção regional do relatório também fornece fatores individuais de impacto no mercado e mudanças na regulamentação do mercado interno que impactam as tendências atuais e futuras do mercado. Pontos de dados como análise da cadeia de valor downstream e upstream, tendências técnicas e análise das cinco forças de Porter, estudos de caso são alguns dos indicadores usados ​​para prever o cenário de mercado para países individuais. Além disso, são considerados a presença e disponibilidade de marcas globais e os desafios enfrentados devido à concorrência grande ou escassa de marcas locais e nacionais, o impacto das tarifas nacionais e as rotas comerciais, ao mesmo tempo que se fornece uma análise de previsão dos dados da região.

Cenário competitivo e análise global de participação de mercado de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN)

O cenário competitivo do mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) fornece detalhes dos concorrentes. Os detalhes incluídos são visão geral da empresa, finanças da empresa, receita gerada, potencial de mercado, investimento em pesquisa e desenvolvimento, novas iniciativas de mercado, presença global, locais e instalações de produção, capacidades de produção, pontos fortes e fracos da empresa, lançamento de produto, largura e amplitude do produto, e domínio da aplicação. Os dados fornecidos acima estão relacionados apenas ao foco das empresas relacionado ao mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN).

Alguns dos principais players que operam no mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) são:

• Fujitsu (Japão)
• Toshiba Corporation (Japão)
• Texas Instruments Incorporated (EUA)
• LED Cree (EUA)
• Aixtron (Alemanha)
• Mitsubishi Chemical Corporation (Japão)
• Eaton (Irlanda)
• Siemens (Alemanha)
• Belkin International, Inc (EUA)
• Aukey (China)
• Gizmochina (China)
• Tecnologias VisIC (Israel)
• Koninklijke Philips NV (Holanda)
• VINA International Holdings LTD. (NÓS)
• GaN Systems Inc. (Canadá)
• Epigan NV (Bélgica)
• Navitas Semiconductor Ltd.(EUA)