Mercado global de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN) – Tendências do setor e previsão para 2030

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Mercado global de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN) – Tendências do setor e previsão para 2030

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Global Gallium Nitride Gan Powered Chargers Market

Tamanho do mercado em biliões de dólares

CAGR :  % Diagram

Diagram Período de previsão
2023 –2030
Diagram Tamanho do mercado (ano base )
USD 690.40 Million
Diagram Tamanho do mercado ( Ano de previsão)
USD 841.00 Million
Diagram CAGR
%
Diagram Principais participantes do mercado
  • Fujitsu
  • Toshiba Corporation
  • Texas Instruments orporated
  • Cree LED
  • Aixtron

>Mercado global de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN), por saída de energia (carregadores GaN de 25 W, carregadores GaN de 30 W, carregadores GaN de 45 W, carregadores GaN de 60 W, carregadores GaN de 65 W, carregadores GaN de 90 W, carregadores GaN de 100 W), aplicação (smartphones e tablets, computadores portáteis) e Portáteis, Robôs Autónomos, Equipamento Industrial e Carregamento Sem Fios), Utilizador Final (Eletrónica de Consumo, Informática e Telecomunicações, Automóvel, Aeroespacial e Defesa e Outros) - Tendências e Previsões do Sector para 2030.

Mercado de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN)

Análise e dimensão do mercado de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN)

O mercado global de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN) tem registado um crescimento consistente nos últimos anos. A expansão das indústrias de eletrónica de consumo , automóvel, aeroespacial e militar e de defesa é a principal responsável pelo mercado global. O advento de novas aplicações de GaN, o aumento da utilização de eletrónica de potência de RF e características excecionais, incluindo a elevada tensão de rutura e o baixo consumo de energia, são fatores-chave que alimentam o crescimento do mercado global.

A Data Bridge Market Research analisa que o mercado global de carregadores movidos a nitreto de gálio (GaN) foi avaliado em 690,40 milhões de dólares em 2022 e deverá atingir os 841 milhões de dólares até 2030, registando um CAGR de 5,2% durante o período de previsão de 2023-2030. Além dos insights de mercado, tais como o valor de mercado, a taxa de crescimento, os segmentos de mercado, a cobertura geográfica, os participantes do mercado e o cenário de mercado, o relatório de mercado com curadoria da equipa de pesquisa de mercado da Data Bridge inclui uma análise especializada aprofundada, análise de importação/exportação, análise de preços, análise de consumo de produção e análise de pilão.

Âmbito e segmentação do mercado de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN)

Métrica de reporte

Detalhes

Período de previsão

2023 a 2030

Ano base

2022

Anos históricos

2021 (personalizável para 2015-2020)

Unidades Quantitativas

Receita em milhões de dólares, volumes em unidades, preços em dólares

Segmentos cobertos

Saída de potência (carregadores GaN de 25 W, carregadores GaN de 30 W, carregadores GaN de 45 W, carregadores GaN de 60 W, carregadores GaN de 65 W, carregadores GaN de 90 W, carregadores GaN de 100 W), aplicação ( smartphones  e tablets, computadores portáteis e notebooks, robôs autónomos , equipamentos industriais e sem fios Cobrança), Utilizador Final (Eletrónica de Consumo, Informática e Telecomunicações, Automóvel, Aeroespacial e Defesa e Outros)

Países abrangidos

EUA, Canadá, México, Brasil, Argentina, Resto da América do Sul, Alemanha, Itália, Reino Unido, França, Espanha, Holanda, Bélgica, Suíça, Turquia, Rússia, Resto da Europa, Japão, China, Índia, Coreia do Sul , Austrália, Singapura, Malásia, Tailândia, Indonésia, Filipinas, Resto da Ásia-Pacífico, Arábia Saudita, Emirados Árabes Unidos, África do Sul, Egito, Israel, Resto do Médio Oriente e África

Participantes do mercado abrangidos

Fujitsu (Japão), Toshiba Corporation (Japão), Texas Instruments Incorporated (EUA), Cree LED (EUA), Aixtron (Alemanha), Mitsubishi Chemical Corporation (Japão), Eaton (Irlanda), Siemens (Alemanha), Belkin International, Inc (EUA), Aukey (China), Gizmochina (China), VisIC Technologies (Israel), Koninklijke Philips NV (Holanda), VINA International Holdings LTD. (EUA), GaN Systems Inc. (Canadá), Epigan NV (Bélgica) e Navitas Semiconductor Ltd.

Oportunidades de mercado

  • Crescente procura de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN)
  • Desenvolvimento de carregadores alimentados por Micro GaN
  • Mudança de ênfase de Si para GaN

Definição de mercado

Os carregadores de telefone GaN (nitreto de gálio), também conhecidos como carregadores baseados em GaN ou adaptadores de alimentação GaN, são dispositivos de carregamento compactos e de alto desempenho, concebidos especificamente para carregar smartphones e outros dispositivos eletrónicos. Utilizam a tecnologia de semicondutores de nitreto de gálio, que oferece diversas vantagens em relação aos carregadores tradicionais à base de silício. O nitreto de gálio, ou GaN, é um material que começa a ser utilizado em carregadores semicondutores. Mas agora tem sido utilizado no fabrico de LEDs desde a década de 1990 e é também um material popular para conjuntos de células solares em satélites. A característica mais importante do GaN nos carregadores é que produz menos calor.

Dinâmica global do mercado de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN)

Motoristas

  • Crescente procura de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN)

A procura por soluções de carregamento rápido que gerem menos calor e reduzam a probabilidade de sobrecarga é o que impulsiona o mercado dos carregadores movidos a GaN. Espera-se que o aumento da utilização de carregadores modernos, que incluem sistemas de monitorização em vários setores de utilização final, abasteça o mercado de carregadores movidos a GaN. A procura de carregamento rápido, preservando ao mesmo tempo todas as capacidades energéticas e regulamentos de segurança para os sectores das telecomunicações, tem impulsionado a expansão da indústria.

Além disso, estima-se que a integração das tecnologias, incluindo a Internet das Coisas (IoT), a aprendizagem automática, a inteligência artificial  (IA) e outras, acelere ainda mais a expansão geral do mercado durante o período de previsão. Além disso, prevê-se também que a elevada procura por estes carregadores nas verticais impulsione a taxa de crescimento do mercado. O aumento da procura por dispositivos de carregamento rápido e eficientes em termos energéticos irá impactar ainda mais positivamente a taxa de crescimento do mercado durante o período de previsão.

Oportunidades

  • Desenvolvimento de carregadores alimentados por Micro GaN

Estima-se que o desenvolvimento de carregadores alimentados por micro GaN que possam ser incorporados em dispositivos eletrónicos compactos gere oportunidades lucrativas para o mercado, o que irá expandir ainda mais a taxa de crescimento do mercado de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) durante o período de previsão de 2023-2030. Além disso, os participantes da indústria estão a concentrar-se em operações de investigação e desenvolvimento para fazer avançar a tecnologia GaN e lançar produtos mais eficazes. Para manter ou aumentar a sua quota de mercado no mercado mundial, os fabricantes de produtos eletrónicos de consumo estão a assinar contratos de longo prazo com produtores de carregadores alimentados por GaN.

  • Mudança de ênfase de Si para GaN

A mudança de ênfase do Si para o GaN devido à melhoria da frequência de operação dos dispositivos eletrónicos e à diminuição do tempo, peso e custo de carregamento dos componentes oferece ainda inúmeras oportunidades de crescimento no mercado. Os carregadores alimentados por GaN têm um gap de banda larga, frequências de comutação elevadas e são relativamente pequenos.

Restrições/Desafios

  • Prevalência de marcas locais

Os carregadores alimentados a GaN de baixa qualidade são produzidos em grandes quantidades devido à prevalência de marcas locais e à falta de normas ou regulamentos de fabrico. Consequentemente, projeta-se que o mercado global de carregadores movidos a GaN experimente um crescimento lento como resultado deste motivo durante o período de previsão de 2023 a 2030.

  • Falta de uniformidade e de normas

Um obstáculo significativo é a falta de uniformidade na tecnologia e nas peças utilizadas para produzir carregadores alimentados por GaN. Prevê-se que a expansão do mercado de carregadores movidos a GaN seja dificultada pela falta de normas claras no mercado, o que resulta numa considerável diferenciação de produtos e preços, o que se estima como um desafio significativo para o mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) ao longo do período de previsão de 2023 a 2030.

Este relatório global do mercado de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN) fornece detalhes de novos desenvolvimentos recentes, regulamentos comerciais, análise de importação-exportação, análise de produção, otimização da cadeia de valor, quota de mercado, impacto dos participantes do mercado doméstico e localizado, analisa as oportunidades em termos de bolsas de receitas emergentes, alterações nas regulamentações do mercado, análise estratégica do crescimento do mercado, tamanho do mercado, crescimento do mercado da categoria, nichos de aplicação e domínio, aprovações de produtos, lançamentos de produtos , expansões geográficas, inovações tecnológicas no mercado. Para mais informações sobre o mercado global de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN), contacte a Data Bridge Market Research para obter um resumo do analista, a nossa equipa irá ajudá-lo a tomar uma decisão de mercado informada para alcançar o crescimento do mercado .

Desenvolvimentos recentes

  • Em janeiro de 2021, a Dell e a Navitas Semiconductor estabeleceram uma parceria para desenvolver tecnologias de carregamento inovadoras baseadas em GaN. Ambas as empresas se uniram para criar novas aplicações para o nitreto de gálio (GaN)
  • Em setembro de 2020, a Samsung Electronics assinou um contrato com a Verizon como o seu primeiro cliente nos Estados Unidos, de forma a expandir a cobertura interna. O padrão atual para carregamento rápido são os carregadores de parede baseados em GaN, oferecidos pela Verizon. Os carregadores de parede baseados em GaN são consideravelmente mais compactos do que outros tipos de carregadores convencionais
  • Em novembro de 2020, os novos cabeçotes de carregamento da série 120W de nitreto de gálio (GaN) da Baseus estavam disponíveis em saídas de 45W, 65W e 120W. Liderando o negócio de carregamento, a empresa lançou recentemente a primeira ficha de carregamento rápido de porta tripla de 65 W. O carregamento de computadores portáteis até 100 W 20 V/5 A é o principal objetivo da nova série de nitreto de gálio (GaN) de 120 W. Além disso, suporta MacBook, Dell, HP, Lenovo e muito mais. Pode carregar rapidamente dois portáteis ao mesmo tempo
  • Em novembro de 2020, com kits de avaliação de módulos de potência GaN, como o módulo de estágio de potência GaN DC/DC de driver de 100V, IPM de meia ponte de 650V 150A, módulo e driver de ponte completa de 650V 150A e módulo e driver trifásico de 650V 300A, GaN Os sistemas aumentaram o tamanho do mercado de energia. Os módulos GaN têm um maior desempenho do sistema e estão em conformidade com as normas da indústria para áreas ocupadas

Âmbito global do mercado de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN)

O mercado global de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN) está segmentado com base na produção de energia, aplicação e utilizador final. O crescimento entre estes segmentos irá ajudá-lo a analisar os escassos segmentos de crescimento nas indústrias e fornecer aos utilizadores uma valiosa visão geral do mercado e insights de mercado para os ajudar a tomar decisões estratégicas para identificar as principais aplicações do mercado.

Saída de potência

  • Carregadores 25W GaN
  • Carregadores 30W GaN
  • Carregadores 45W GaN
  • Carregadores 60W GaN
  • Carregadores GaN de 65 W
  • Carregadores GaN 90W
  • Carregadores GaN de 100 W

 Aplicação

 Utilizador final

  • Eletrónicos de consumo
  • Informática e Telecomunicações
  • Automotivo
  • Aeroespacial e Defesa
  • Outros

Análise/perspetivas globais da região do mercado de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN)

O mercado global de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN) é analisado e os insights e tendências do tamanho do mercado são fornecidos por região, produção de energia, aplicação e utilizador final, como mencionado acima.

Os países abrangidos no relatório global do mercado de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN) são os EUA, Canadá, México, Brasil, Argentina, resto da América do Sul, Alemanha, Itália, Reino Unido, França, Espanha, Holanda, Bélgica, Suíça, Turquia, Rússia, Resto da Europa, Japão, China, Índia, Coreia do Sul, Austrália, Singapura, Malásia, Tailândia, Indonésia, Filipinas, Resto da Ásia-Pacífico, Arábia Saudita, Emirados Árabes Unidos, África do Sul, Egito , Israel, Resto do Médio Oriente e África

A Ásia-Pacífico domina o mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN) devido à elevada procura de LEDs nas indústrias automóvel e de eletrónica de consumo da região durante o período previsto de 2023 a 2030. Além disso, a elevada adoção de veículos elétricos juntamente com Estima-se que a indústria de semicondutores em rápida expansão acelere ainda mais a expansão durante o período de previsão.

Asia-Pacific will register the highest CAGR and will be the fastest growing region in the global gallium nitride (GaN) powered chargers market for this period of 2023 to 2030, due to increase economic growth witnessed by key countries such as China and Japan in this região.

A secção regional do relatório também fornece fatores individuais de impacto no mercado e alterações na regulamentação do mercado interno que impactam as tendências atuais e futuras do mercado. Pontos de dados como a análise da cadeia de valor a jusante e a montante, tendências técnicas e análise das cinco forças de Porter, estudos de caso são alguns dos indicadores utilizados para prever o cenário de mercado para países individuais. Além disso, são considerados a presença e disponibilidade de marcas globais e os desafios enfrentados devido à concorrência grande ou escassa de marcas locais e nacionais, o impacto das tarifas nacionais e as rotas comerciais, ao mesmo tempo que se fornece uma análise de previsão dos dados da região.   

Cenário competitivo e análise global da quota de mercado de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN)

O panorama competitivo do mercado global de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN) fornece detalhes dos concorrentes. Os detalhes incluídos são a visão geral da empresa, finanças da empresa, receitas geradas, potencial de mercado, investimento em investigação e desenvolvimento, novas iniciativas de mercado, presença global, localizações e instalações de produção, capacidades de produção, pontos fortes e fracos da empresa , lançamento de produto, largura e amplitude do produto, e domínio da aplicação. Os dados fornecidos acima estão apenas relacionados com o foco das empresas relacionado com o mercado global de carregadores alimentados por nitreto de gálio (GaN).

Alguns dos principais players que operam no mercado global de carregadores alimentados a nitreto de gálio (GaN) são:

  • Fujitsu (Japão)
  • Toshiba Corporation (Japão)
  • Texas Instruments Incorporated (EUA)
  • LED Cree (EUA)
  • Aixtron (Alemanha)
  • Mitsubishi Chemical Corporation (Japão)
  • Eaton (Irlanda)
  • Siemens (Alemanha)
  • Belkin International, Inc (EUA)
  • Aukey (China)
  • Gizmochina (China)
  • Tecnologias VisIC (Israel)
  • Koninklijke Philips NV (Holanda)
  • VINA International Holdings LTD. (NÓS)
  • GaN Systems Inc. (Canadá)
  • Epigan NV (Bélgica)
  • Navitas Semiconductor Ltd.(EUA)


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Metodologia de Investigação

A recolha de dados e a análise do ano base são feitas através de módulos de recolha de dados com amostras grandes. A etapa inclui a obtenção de informações de mercado ou dados relacionados através de diversas fontes e estratégias. Inclui examinar e planear antecipadamente todos os dados adquiridos no passado. Da mesma forma, envolve o exame de inconsistências de informação observadas em diferentes fontes de informação. Os dados de mercado são analisados ​​e estimados utilizando modelos estatísticos e coerentes de mercado. Além disso, a análise da quota de mercado e a análise das principais tendências são os principais fatores de sucesso no relatório de mercado. Para saber mais, solicite uma chamada de analista ou abra a sua consulta.

A principal metodologia de investigação utilizada pela equipa de investigação do DBMR é a triangulação de dados que envolve a mineração de dados, a análise do impacto das variáveis ​​de dados no mercado e a validação primária (especialista do setor). Os modelos de dados incluem grelha de posicionamento de fornecedores, análise da linha de tempo do mercado, visão geral e guia de mercado, grelha de posicionamento da empresa, análise de patentes, análise de preços, análise da quota de mercado da empresa, normas de medição, análise global versus regional e de participação dos fornecedores. Para saber mais sobre a metodologia de investigação, faça uma consulta para falar com os nossos especialistas do setor.

Personalização disponível

A Data Bridge Market Research é líder em investigação formativa avançada. Orgulhamo-nos de servir os nossos clientes novos e existentes com dados e análises que correspondem e atendem aos seus objetivos. O relatório pode ser personalizado para incluir análise de tendências de preços de marcas-alvo, compreensão do mercado para países adicionais (solicite a lista de países), dados de resultados de ensaios clínicos, revisão de literatura, mercado remodelado e análise de base de produtos . A análise de mercado dos concorrentes-alvo pode ser analisada desde análises baseadas em tecnologia até estratégias de carteira de mercado. Podemos adicionar quantos concorrentes necessitar de dados no formato e estilo de dados que procura. A nossa equipa de analistas também pode fornecer dados em tabelas dinâmicas de ficheiros Excel em bruto (livro de factos) ou pode ajudá-lo a criar apresentações a partir dos conjuntos de dados disponíveis no relatório.

Perguntas frequentes

The market is segmented based on Global Gallium Nitride (GaN) Powered Chargers Market, By Power Output (25W GaN Chargers, 30W GaN Chargers, 45W GaN Chargers, 60W GaN Chargers, 65W GaN Chargers, 90W GaN Chargers, 100W GaN Chargers), Application (Smartphones and Tablets, Laptops and Notebooks, Autonomous Robots, Industrial Equipment, and Wireless Charging), End User (Consumer Electronics, IT and Telecommunication, Automotive, Aerospace and Defense, and Others) - Industry Trends and Forecast to 2030. .
The Global Gallium Nitride Gan Powered Chargers Market size was valued at USD 690.40 USD Million in 2022.
The Global Gallium Nitride Gan Powered Chargers Market is projected to grow at a CAGR of 5.2% during the forecast period of 2023 to 2030.
The major players operating in the market include Fujitsu, Toshiba Corporation, Texas Instruments orporated, Cree LED, Aixtron, Mitsubishi Chemical Corporation, Eaton, Siemens, Belkin International , Aukey, Gizmochina, VisIC Technologies, Koninklijke Philips NV, VINA International Holdings LTD, GaN Systems , Epigan NV, Navitas Semiconductor .
The market report covers data from the U.S., Canada, Mexico, Brazil, Argentina, Rest of South America, Germany, Italy, U.K., France, Spain, Netherlands, Belgium, Switzerland, Turkey, Russia, Rest of Europe, Japan, China, India, South Korea, Australia, Singapore, Malaysia, Thailand, Indonesia, Philippines, Rest of Asia-Pacific, Saudi Arabia, U.A.E., South Africa, Egypt, Israel, Rest of the Middle East and Africa.