북미 SiC 전력 반도체 시장 – 2031년까지의 산업 동향 및 예측

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북미 SiC 전력 반도체 시장 – 2031년까지의 산업 동향 및 예측

  • Semiconductors and Electronics
  • Upcoming Report
  • Jun 2024
  • North America
  • 350 Pages
  • 테이블 수: 220
  • 그림 수: 60

North America Sic Power Semiconductor Market

시장 규모 (USD 10억)

연평균 성장률 :  % Diagram

Diagram 예측 기간
2024 –2031
Diagram 시장 규모(기준 연도)
USD 258,525.40 Thousand
Diagram 시장 규모(예측 연도)
USD 1,663,328.61 Thousand
Diagram 연평균 성장률
%
Diagram 주요 시장 플레이어
  • WOLFSPEED
  • STMicroelectronics
  • ROHM CO.
  • Fuji Electric Co.
  • Mitsubishi Electric Corporation

>북미 SiC 전력 반도체 시장, 유형별(MOSFET, 하이브리드 모듈, 쇼트키 배리어 다이오드(SBDS), IGBT, 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT), 핀 다이오드, 접합 FET(JFET) 및 기타), 전압 범위(301-900V, 901-1700V 및 1701V 이상), 웨이퍼 크기(6인치, 4인치, 2인치 및 6인치 이상), 웨이퍼 유형(SiC 에피택셜 웨이퍼 및 블랭크 SiC 웨이퍼), 응용 분야(전기 자동차(EV), 태양광 발전, 전원 공급 장치, 산업용 모터 드라이브, EV 충전 인프라, RF 장치 및 기타), 수직(자동차, 유틸리티 및 에너지, 산업, 운송, IT 및 통신, 가전 제품, 항공 우주 및 방위, 상업 및 기타) - 산업 동향 및 2031년까지의 예측.

북미 SiC 전력 반도체 시장

북미 SiC 전력 반도체 시장 분석 및 규모

전기 자동차(EV) 에서 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체는 인버터, 온보드 충전기, DC-DC 컨버터와 같은 전력 전자 시스템의 효율성을 크게 향상시켜 중요한 역할을 합니다. SiC 구성 요소는 기존 실리콘 기반 반도체에 비해 더 빠른 스위칭, 에너지 손실 감소, 더 나은 열 관리를 가능하게 합니다. 이는 주행 범위 증가, 배터리 크기 감소, 전반적인 차량 성능 개선으로 이어집니다. EV에서 SiC 기술 채택은 보다 효율적이고 컴팩트하며 안정적인 전력 솔루션에 대한 필요성에 의해 주도되어 성장하는 EV 시장에서 핵심 응용 분야가 되었습니다.

북미 SiC 전력 반도체 시장 규모는 2023년에 2,58,525.40만 달러로 평가되었으며, 2031년까지 16,63,328.61만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 2024년에서 2031년까지의 예측 기간 동안 연평균 성장률은 26.2%입니다.

Data Bridge Market Research에서 큐레이팅한 시장 보고서에는 시장 가치, 성장률, 세분화, 지리적 범위, 주요 업체와 같은 시장 시나리오에 대한 통찰력 외에도 심층적인 전문가 분석, 지리적으로 대표되는 회사별 생산 및 용량, 유통업체 및 파트너의 네트워크 레이아웃, 자세하고 최신의 가격 추세 분석, 공급망 및 수요에 대한 적자 분석이 포함됩니다.

보고 범위 및 시장 세분화       

보고서 메트릭

세부

예측 기간

2024-2031

기준 연도

2023

역사적 연도

2022 (2016-2021년까지 사용자 정의 가능)

양적 단위

매출은 10억 달러, 볼륨은 단위, 가격은 10억 달러

다루는 세그먼트

유형(MOSFET, 하이브리드 모듈, 쇼트키 배리어 다이오드(SBDS), IGBT, 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT), 핀 다이오드, 접합 FET(JFET) 및 기타), 전압 범위(301-900V, 901-1700V 및 1701V 이상), 웨이퍼 크기(6인치, 4인치, 2인치 및 6인치 이상), 웨이퍼 유형(SiC 에피택셜 웨이퍼 및 블랭크 SiC 웨이퍼), 응용 분야(전기 자동차(EV), 태양광 발전, 전원 공급 장치, 산업용 모터 드라이브, EV 충전 인프라, RF 장치 및 기타), 수직(자동차, 유틸리티 및 에너지, 산업, 운송, IT 및 통신, 가전 제품 , 항공 우주 및 방위, 상업 및 기타).

적용 국가

미국, 캐나다, 멕시코

시장 참여자 포함

WOLFSPEED, INC.(미국), STMicroelectronics(스위스), ROHM CO., LTD.(일본), Fuji Electric Co., Ltd.(일본), Mitsubishi Electric Corporation(일본), Texas Instruments Incorporated(미국), Infineon Technologies AG(독일), Semikron Danfoss(독일), Renesas Electronics Corporation(일본), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION(일본), Microchip Technology Inc.(미국), Semiconductor Components Industries, LLC(onsemi)(미국), NXP Semiconductors(네덜란드), UnitedSiC(미국), SemiQ Inc.(미국), Littelfuse, Inc.(미국), Allegro MicroSystems, Inc.(미국), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd.(일본), GeneSiC Semiconductor Inc.(미국) 등

시장 기회

  • 산업 4.0의 높은 출현
  • 세계화의 확대

시장 정의

실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체는 실리콘 카바이드 소재로 만든 고급 전자 부품입니다. 이는 더 높은 효율, 더 빠른 스위칭 속도, 더 큰 열 전도도를 포함하여 기존 실리콘 기반 반도체보다 우수한 성능을 제공합니다. 이러한 특성으로 인해 SiC 전력 반도체는 전기 자동차, 재생 에너지 시스템, 산업 장비와 같은 고전력 및 고온 애플리케이션에 이상적입니다.

SiC 전력 반도체 시장 동향

운전자

  • 재생 에너지의 진보 증가

SiC 구성 요소는 태양광 인버터 및 풍력 터빈의 전력 변환 시스템의 효율성과 안정성을 개선하는 데 필수적입니다. 이는 기존 실리콘 기반 반도체보다 우수한 성능을 제공하여 보다 효율적인 에너지 변환, 더 높은 전력 밀도 및 더 나은 열 관리를 가능하게 합니다. 글로벌 지속 가능성 목표를 충족하기 위해 재생 에너지 시스템의 배치가 증가함에 따라 SiC 반도체에 대한 수요가 증가하여 시장 성장을 촉진하고 더 깨끗한 에너지원으로의 전환을 지원합니다.

  • 전력망 개선 확대

SiC technology is crucial for enhancing the efficiency and reliability of power grid systems, particularly in high-voltage direct current (HVDC) applications and smart grids. SiC semiconductors enable more efficient power conversion, reduce energy losses, and improve thermal management compared to traditional silicon-based components. This results in more stable and efficient power distribution, supports the integration of renewable energy sources, and meets the growing demand for electricity in an environmentally sustainable manner. Consequently, the adoption of SiC technology in power grids is expanding, driving market growth.

Opportunities

  • Growing Adoption of Silicon Carbide (SiC) Power Semiconductors

Industries rely on efficient power electronics for various applications such as motor drives, power supplies, and inverters. SiC devices offer superior performance characteristics, including higher efficiency, faster switching speeds, and better thermal conductivity compared to traditional silicon-based semiconductors. This enables industrial equipment to operate more efficiently, resulting in energy savings, reduced maintenance costs, and enhanced reliability. As industries seek to improve productivity and sustainability, the demand for SiC power semiconductors in industrial applications continues to rise, driving market growth.

  • Growing Government Initiatives

Many governments worldwide are implementing policies and incentives to promote the adoption of electric vehicles (EVs) and renewable energy technologies. These initiatives include subsidies, tax incentives, and regulatory mandates aimed at reducing carbon emissions and promoting energy efficiency. Additionally, governments are investing in research and development programs to support the advancement of SiC technology, making it more accessible and cost-effective for various applications. Such support fosters innovation and accelerates the deployment of SiC power semiconductors across industries, thereby stimulating market growth.

Restraints/Challenges

  • High Initial Costs

Compared to traditional silicon-based semiconductors, the manufacturing processes and materials required for SiC technology incur higher upfront investments. These elevated costs can deter potential adopters, especially in industries with stringent budget constraints or where cost-effectiveness is paramount. Additionally, the higher cost of SiC devices may lengthen the return on investment period for end-users, impacting their willingness to transition to SiC technology.

  • High Integration Challenges

The transition from traditional silicon-based technologies to SiC requires modifications or redesigns of existing systems and infrastructure, which can be complex and costly. Integrating SiC devices may necessitate changes in circuit designs, thermal management systems, and control algorithms, adding complexity to the integration process. Compatibility issues with existing components and subsystems may also arise, requiring thorough testing and validation. Retrofitting SiC technology into legacy systems can be challenging due to differences in electrical characteristics and form factors, limiting its adoption in certain applications and industries.

This market,  report provides details of new recent developments, trade regulations, import-export analysis, production analysis, value chain optimization, market share, impact of domestic and localized market players, analyses opportunities in terms of emerging revenue pockets, changes in market regulations, strategic market growth analysis, market size, category market growths, application niches and dominance, product approvals, product launches, geographic expansions, technological innovations in the market. To gain more info on the market, contact data bridge market research for an analyst brief, our team will help you take an informed market decision to achieve market growth.

Impact and Current Market Scenario of Raw Material Shortage and Shipping Delays

Data Bridge Market Research offers a high-level analysis of the market and delivers information by keeping in account the impact and current market environment of raw material shortage and shipping delays. This translates into assessing strategic possibilities, creating effective action plans, and assisting businesses in making important decisions.

Apart from the standard report, we also offer in-depth analysis of the procurement level from forecasted shipping delays, distributor mapping by region, commodity analysis, production analysis, price mapping trends, sourcing, category performance analysis, supply chain risk management solutions, advanced benchmarking, and other services for procurement and strategic support.

Expected Impact of Economic Slowdown on the Pricing and Availability of Products

When economic activity slows, industries begin to suffer. The forecasted effects of the economic downturn on the pricing and accessibility of the products are taken into account in the market insight reports and intelligence services provided by DBMR. With this, our clients can typically keep one step ahead of their competitors, project their sales and revenue, and estimate their profit and loss expenditures.

Recent Developments

  • In December 2022, STMicroelectronics and Soitec announced the next stage of their cooperation on Silicon Carbide (SiC) substrates, with ST planning to qualify Soitec's SiC substrate technology over the next 18 months. This collaboration aims for the adoption of Soitec's SmartSiC technology for ST's future 200mm substrate manufacturing, supporting its devices and modules manufacturing. The volume production is expected in the midterm, potentially boosting ST's financials and contributing to the growth of the North America SiC power semiconductor market
  • In July 2022, Semikron Danfoss and ROHM Semiconductor, after a decade-long collaboration, advanced their partnership with the qualification of ROHM's latest 4th generation SiC MOSFETs in SEMIKRON's eMPack modules for automotive applications. This collaboration serves global customer needs, enhances both companies' financials, and positively impacts the North America SiC power semiconductor market
  • In August 2022, Toshiba Corporation launched its 3rd generation 650V and 1200V silicon carbide MOSFETs, which achieve a 20% reduction in switching losses in industrial equipment. This innovation aims to improve the efficiency and performance of industry

SiC Power Semiconductor Market Scope

The market is segmented on the basis of type, voltage range, wafer size, wafer type, application, and vertical. The growth amongst these segments will help you analyze meager growth segments in the industries and provide the users with a valuable market overview and market insights to help them make strategic decisions for identifying core market applications.

Type

  • MOSFETS
  • Hybrid Modules
  • Schottky Barrier Diodes (SBDS)
  • IGBT
  • Bipolar Junction Transistor (BJT)
  • Pin Diode
  • Junction FET (JFET)
  • Others

Voltage Range

  • 301-900 V
  • 901-1700 V
  • Above 1701 V

Wafer Size

  • 6 Inch
  • 4 Inch
  • 2 Inch
  • Above 6 Inch

Wafer Type

  • SiC epitaxial wafers
  • Blank SiC wafers

Application

  • Electric Vehicles (EV)
  • Photovoltaics
  • Power supplies
  • Industrial motor drives
  • EV charging infrastructure
  • RF Devices
  • Others

Vertical

  • Automotive
  • Utilities and energy
  • Industrial
  • Transportation
  • IT and telecommunication
  • Consumer electronics
  • Aerospace and defense
  • Commercial
  • Others

North America SiC Power Semiconductor Market Analysis/Insights

The market is analysed and market size, volume information is provided by region, type, voltage range, wafer size, wafer type, application, and vertical as referenced above.

The countries covered in the market report are U.S., Canada, Mexico, Brazil, Argentina and Rest of South America, Germany, Italy, U.K., France, Spain, Netherlands, Belgium, Switzerland, Turkey, Russia, Rest of Europe in Europe, Japan, China, India, South Korea, Australia, Singapore, Malaysia, Thailand, Indonesia, Philippines, Rest of Asia-Pacific (APAC), Saudi Arabia, U.A.E, South Africa, Egypt, Israel, Rest of Middle East and Africa (MEA).

미국은 SiC 전력 반도체 제품에 대한 수요가 상당하기 때문에 시장을 지배할 것으로 예상됩니다. 전력 모듈 및 관련 장치에 대한 이러한 높은 수요는 시장 성장을 촉진하여 미국을 산업 확장의 핵심 플레이어로 자리매김할 것으로 예상됩니다.

보고서의 국가 섹션은 또한 개별 시장 영향 요인과 국내 시장의 현재 및 미래 트렌드에 영향을 미치는 규제 변화를 제공합니다. 다운스트림 및 업스트림 가치 사슬 분석, 기술 트렌드 및 포터의 5가지 힘 분석, 사례 연구와 같은 데이터 포인트는 개별 국가의 시장 시나리오를 예측하는 데 사용되는 몇 가지 포인터입니다. 또한 글로벌 브랜드의 존재 및 가용성과 지역 및 국내 브랜드와의 대규모 또는 희소한 경쟁으로 인해 직면한 과제, 국내 관세 및 무역 경로의 영향이 국가 데이터에 대한 예측 분석을 제공하는 동안 고려됩니다.

경쟁 환경 및 SiC 전력 반도체 시장 점유율 분석

시장 경쟁 구도는 경쟁자별 세부 정보를 제공합니다. 포함된 세부 정보는 회사 개요, 회사 재무, 창출된 수익, 시장 잠재력, 연구 개발 투자, 새로운 시장 이니셔티브, 글로벌 입지, 생산 현장 및 시설, 생산 용량, 회사의 강점과 약점, 제품 출시, 제품 폭과 범위, 애플리케이션 우세입니다. 위에 제공된 데이터 포인트는 시장과 관련된 회사의 초점에만 관련이 있습니다.

시장에서 운영되는 주요 업체 중 일부는 다음과 같습니다.

  • 울프스피드 주식회사(미국)
  • STMicroelectronics(스위스)
  • ROHM CO., LTD. (일본)
  • 후지전기 주식회사(일본)
  • 미쓰비시 전기 주식회사(일본)
  • Texas Instruments Incorporated (미국)
  • Infineon Technologies AG(독일)
  • 세미크론 댄포스(독일)
  • 레네사스 일렉트로닉스 주식회사(일본)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION(일본)
  • 마이크로칩 테크놀로지 주식회사(미국)
  • 반도체 부품 산업, LLC(미국)
  • NXP 반도체(네덜란드)
  • 유나이티드SiC(미국)
  • 세미큐 주식회사 (미국)
  • 리틀퓨즈 주식회사(미국)
  • 알레그로 마이크로시스템스 주식회사(미국)
  • 히타치 파워 세미컨덕터 디바이스 주식회사(일본)
  • GeneSiC Semiconductor Inc. (미국)


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  • 최신 뉴스, 업데이트 및 추세 분석
  • 포괄적인 경쟁자 추적을 위한 벤치마크 분석의 힘 활용
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연구 방법론

데이터 수집 및 기준 연도 분석은 대규모 샘플 크기의 데이터 수집 모듈을 사용하여 수행됩니다. 이 단계에는 다양한 소스와 전략을 통해 시장 정보 또는 관련 데이터를 얻는 것이 포함됩니다. 여기에는 과거에 수집한 모든 데이터를 미리 검토하고 계획하는 것이 포함됩니다. 또한 다양한 정보 소스에서 발견되는 정보 불일치를 검토하는 것도 포함됩니다. 시장 데이터는 시장 통계 및 일관된 모델을 사용하여 분석하고 추정합니다. 또한 시장 점유율 분석 및 주요 추세 분석은 시장 보고서의 주요 성공 요인입니다. 자세한 내용은 분석가에게 전화를 요청하거나 문의 사항을 드롭하세요.

DBMR 연구팀에서 사용하는 주요 연구 방법론은 데이터 마이닝, 시장에 대한 데이터 변수의 영향 분석 및 주요(산업 전문가) 검증을 포함하는 데이터 삼각 측량입니다. 데이터 모델에는 공급업체 포지셔닝 그리드, 시장 타임라인 분석, 시장 개요 및 가이드, 회사 포지셔닝 그리드, 특허 분석, 가격 분석, 회사 시장 점유율 분석, 측정 기준, 글로벌 대 지역 및 공급업체 점유율 분석이 포함됩니다. 연구 방법론에 대해 자세히 알아보려면 문의를 통해 업계 전문가에게 문의하세요.

사용자 정의 가능

Data Bridge Market Research는 고급 형성 연구 분야의 선두 주자입니다. 저희는 기존 및 신규 고객에게 목표에 맞는 데이터와 분석을 제공하는 데 자부심을 느낍니다. 보고서는 추가 국가에 대한 시장 이해(국가 목록 요청), 임상 시험 결과 데이터, 문헌 검토, 재생 시장 및 제품 기반 분석을 포함하도록 사용자 정의할 수 있습니다. 기술 기반 분석에서 시장 포트폴리오 전략에 이르기까지 타겟 경쟁업체의 시장 분석을 분석할 수 있습니다. 귀하가 원하는 형식과 데이터 스타일로 필요한 만큼 많은 경쟁자를 추가할 수 있습니다. 저희 분석가 팀은 또한 원시 엑셀 파일 피벗 테이블(팩트북)로 데이터를 제공하거나 보고서에서 사용 가능한 데이터 세트에서 프레젠테이션을 만드는 데 도움을 줄 수 있습니다.

자주 묻는 질문

The market is segmented based on North America SiC Power Semiconductor Market, By Type (MOSFETS, Hybrid Modules, Schottky Barrier Diodes (SBDS), IGBT, Bipolar Junction Transistor (BJT), Pin Diode, Junction FET (JFET), and Others), Voltage Range (301-900 V, 901-1700 V, and Above 1701 V), Wafer size (6 Inch, 4 Inch, 2 Inch, and Above 6 Inch), Wafer type (SiC Epitaxial Wafers, and Blank SiC Wafers), Application (Electric Vehicles (EV), Photovoltaics, Power Supplies, Industrial Motor Drives, EV Charging Infrastructure, RF Devices, and Others), Vertical (Automotive, Utilities and Energy, Industrial, Transportation, IT and Telecommunication, Consumer Electronics, Aerospace and Defense, Commercial, and Others) – Industry Trends and Forecast to 2031. .
The North America Sic Power Semiconductor Market size was valued at USD 258525.40 USD Thousand in 2023.
The North America Sic Power Semiconductor Market is projected to grow at a CAGR of 26.2% during the forecast period of 2024 to 2031.
The major players operating in the market include WOLFSPEED, STMicroelectronics , ROHM CO. , Fuji Electric Co. , Mitsubishi Electric Corporation , Texas Instruments ,orporated , Infineon Technologies AG , Semikron Danfoss , Renesas Electronics Corporation , TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION , Microchip Technology , Semiconductor Components Industries, , NXP Semiconductors , UnitedSiC , SemiQ , Littelfuse, Allegro MicroSystems, Hitachi Power Semiconductor Device, GeneSiC Semiconductor among others.
The market report covers data from the U.S., Canada, and Mexico.