글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 – 2031년까지의 산업 동향 및 예측

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글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 – 2031년까지의 산업 동향 및 예측

  • Semiconductors and Electronics
  • Upcoming Report
  • May 2024
  • Global
  • 350 Pages
  • 테이블 수: 220
  • 그림 수: 60

Global Gan And Sic Power Semiconductor Market

시장 규모 (USD 10억)

연평균 성장률 :  % Diagram

Chart Image USD 596.06 Million USD 4,877.23 Million 2023 2031
Diagram 예측 기간
2024 –2031
Diagram 시장 규모(기준 연도)
USD 596.06 Million
Diagram 시장 규모(예측 연도)
USD 4,877.23 Million
Diagram 연평균 성장률
%
Diagram주요 시장 플레이어
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>글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장, 제품별(Sic 전력 모듈, GaN 전력 모듈, 이산 SiC, 이산 GaN), 응용 분야(전원 공급 장치, 산업용 모터 드라이브, H/EV, PV 인버터, 견인, ​​기타) - 산업 동향 및 2031년까지의 예측.

GaN 및 SiC 전력 반도체 시장

GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 분석 및 규모

SiC 및 GaN 전력 반도체 소자는 전력 변환 시스템의 효율성과 신뢰성을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. 이들은 태양광 발전(PV) 및 풍력 발전 시스템의 인버터 및 컨버터에 사용되며, 기존 실리콘 기반 소자에 비해 더 높은 작동 온도, 더 빠른 스위칭 속도, 더 낮은 스위칭 손실과 같은 우수한 특성을 활용합니다. GaN 및 SiC 전력 반도체 시장은 더 효율적인 전력 변환을 가능하게 하여 에너지 손실을 줄이고 전반적인 시스템 성능을 향상시켜 재생 에너지를 그리드에 통합하는 것을 용이하게 합니다.

글로벌 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 규모는 2023년에 5억 9,606만 달러로 평가되었으며, 2031년까지 4,877.23만 달러에 도달할 것으로 예상되며, 2024년에서 2031년까지의 예측 기간 동안 CAGR은 30.05%입니다. Data Bridge Market Research에서 큐레이팅한 시장 보고서에는 시장 가치, 성장률, 세분화, 지리적 범위, 주요 업체와 같은 시장 시나리오에 대한 통찰력 외에도 심층적인 전문가 분석, 지리적으로 대표되는 회사별 생산 및 용량, 유통업체 및 파트너의 네트워크 레이아웃, 자세하고 업데이트된 가격 추세 분석, 공급망 및 수요의 적자 분석이 포함됩니다.

보고 범위 및 시장 세분화       

보고서 메트릭

세부

예측 기간

2024-2031

기준 연도

2023

역사적 연도

2022 (2016-2021년까지 사용자 정의 가능)

양적 단위

매출은 백만 달러, 볼륨은 단위, 가격은 달러로 표시

다루는 세그먼트

제품(Sic Power Module, GaN Power Module, Discrete SiC, Dicrete GaN), 응용 분야(전원 공급 장치, 산업용 모터 드라이브, H/EV, PV 인버터, 견인, ​​기타)

적용 국가

미국, 캐나다, 멕시코, 독일, 이탈리아, 영국, 프랑스, ​​스페인, 네덜란드, 벨기에, 스위스, 터키, 러시아, 유럽 기타 지역, 일본, 중국, 인도, 한국, 호주, 싱가포르, 말레이시아, 태국, 인도네시아, 필리핀, 아시아 태평양 기타 지역, 브라질, 아르헨티나, 남미 기타 지역, 남아프리카, 사우디 아라비아, UAE, 이집트, 이스라엘, 중동 및 아프리카 기타 지역

시장 참여자 포함

Alpha and Omega Semiconductor(미국), Fuji Electric Co., Ltd(일본), Infineon Technologies AG(독일), Littelfuse, Inc.(미국), Microsemi(미국), Mitsubishi Electric Corporation(일본), Renesas Electronics Corporation(일본), ROHM SEMICONDUCTOR(일본), SANKEN ELECTRIC CO., LTD.(일본), STMicroelectronics(스위스/프랑스), Epiluvac(스웨덴), IQE PLC(영국), Transphorm Inc.(미국), SweGaN(스웨덴), Saint-Gobain(프랑스), GeneSiC Semiconductor Inc.(미국), Sublime Technologies(미국), Global Power Technologies Group(미국), DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD.(대만), AGC Inc.(일본), Dow(미국), WeEn Semiconductors(중국)

시장 기회

  • 전력 밀도 확대로 GaN 및 SiC 전력 반도체 채택 촉진
  • 제조 공정의 진보로 전력 반도체 확장 촉진

시장 정의

GaN(질화갈륨)과 SiC(탄화규소)는 전력 반도체 소자에 사용되는 첨단 소재입니다. 기존의 실리콘 기반 반도체에 비해 더 높은 효율과 전력 밀도를 제공하므로 전원 공급 장치, 전기 자동차 , 재생 에너지 시스템과 같은 응용 분야에 이상적입니다.

GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 동향

운전자

  • 더 높은 효율성에 대한 수요 증가로 GaN 및 SiC 전력 반도체 채택 증가

자동차, 재생 에너지, 가전 제품 분야의 산업은 에너지 손실을 최소화하고 전반적인 시스템 성능을 향상시키는 전력 반도체 솔루션을 찾고 있습니다. GaN 및 SiC 장치는 기존 실리콘 기반 대응 제품에 비해 상당히 높은 효율성을 제공하여 에너지 절감과 향상된 효율성이 필요한 애플리케이션에 점점 더 매력적입니다. 효율성을 유지하면서 더 높은 주파수와 온도에서 작동할 수 있는 기능은 더욱 소형화되고 전력 밀도가 높은 전자 시스템에 대한 증가하는 추세와 일치합니다. 결과적으로 에너지 사용을 최적화하고 운영 비용을 절감하려는 다양한 산업에서 GaN 및 SiC 전력 반도체에 대한 수요가 계속 증가하고 있습니다.

  • 전기 자동차 채택 증가로 GaN 및 SiC 전력 반도체 회사 성장

자동차 산업이 전기 추진으로 전환함에 따라 더 높은 효율성과 성능을 제공하는 전력 전자 솔루션에 대한 수요가 증가하고 있습니다. 선도적인 전력 반도체 회사에서 개발한 GaN 및 SiC 전력 반도체를 사용하면 EV 제조업체가 더 긴 주행 ​​거리, 더 빠른 충전 시간 및 더 효율적인 파워트레인 시스템을 갖춘 차량을 개발할 수 있습니다. 에너지 손실을 최소화하면서 더 높은 온도와 전압을 처리할 수 있는 능력으로 인해 EV 애플리케이션에 이상적이며 온보드 충전기, 인버터 및 모터 드라이브에서 채택을 촉진합니다. EV 부문의 이러한 증가하는 수요는 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장의 성장을 촉진하고 있습니다.

기회

  • 전력 밀도 확대로 GaN 및 SiC 전력 반도체 채택 촉진

산업이 더 작고 컴팩트한 전자 장치를 위해 노력함에 따라 더 높은 전력 밀도 솔루션에 대한 수요가 증가했습니다. GaN 및 SiC 전력 반도체는 효율성을 유지하면서 더 높은 주파수, 전압 및 온도에서 작동할 수 있는 능력으로 인해 이러한 측면에서 탁월합니다. 뛰어난 특성 덕분에 성능을 저하시키지 않고 더 작고 가벼운 전력 전자 시스템을 개발할 수 있어 전기 자동차, 재생 에너지 시스템 및 가전 제품과 같은 애플리케이션에서 필수적인 구성 요소가 됩니다. 따라서 전력 밀도 증가에 대한 추구는 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 성장을 촉진하는 중요한 원동력입니다.

  • 제조 공정 의 진보로 전력 반도체 확장 촉진

제조 기술, 에피택시얼 성장 방법 및 패키징 기술의 지속적인 개선으로 이러한 반도체 소자의 성능이 향상되고 수율이 높아졌습니다. 제조가 더욱 효율적이고 비용 효율적이 됨에 따라 GaN 및 SiC 기술 채택에 대한 진입 장벽이 낮아져 산업 전반에 걸쳐 더 광범위한 채택이 촉진되었습니다. 또한, 이러한 발전으로 인해 신뢰성과 열 관리가 향상된 소자를 생산할 수 있게 되어 전기 자동차, 재생 에너지 시스템 및 산업용 모터 드라이브와 같은 고전력 애플리케이션의 주요 문제를 해결할 수 있습니다. 전반적으로 이러한 발전은 GaN 및 SiC 전력 반도체의 확산을 촉진하여 시장 확장과 혁신을 촉진하고 있습니다.

제약/도전

  • 높은 제조 비용으로 인해 GaN 및 SiC 전력 반도체 채택이 제한됨

GaN 및 SiC 장치의 제조 공정에는 특수 장비, 복잡한 에피택시얼 성장 기술 및 엄격한 품질 관리 조치가 포함되어 생산 비용이 증가합니다. 이러한 높은 비용은 제조의 확장성을 제한하고 비교적 비싼 최종 제품을 초래할 수 있으므로 일부 응용 분야에서 GaN 및 SiC 솔루션은 기존 실리콘 기반 대안에 비해 경쟁력이 떨어집니다.

  • 고품질 기판의 제한된 가용성은 GaN 및 SiC 전력 반도체 성장을 방해합니다.

GaN과 SiC는 에피택시얼 성장을 위해 특수 기판이 필요하며, 이러한 기판의 공급은 생산 능력 및 재료 품질과 같은 요인에 의해 제약을 받습니다. 제한된 기판 가용성은 공급망 중단, 생산 비용 증가, 제품 개발 지연으로 이어질 수 있습니다. 또한, 다양한 산업 간의 기판 경쟁은 과제를 더욱 악화시켜 GaN 및 SiC 장치 제조의 확장성을 방해하고 다양한 응용 분야에서 보다 광범위하게 채택되는 것을 방해합니다.

이 시장 보고서는 최근의 새로운 개발, 무역 규정, 수출입 분석, 생산 분석, 가치 사슬 최적화, 시장 점유율, 국내 및 지역 시장 참여자의 영향, 새로운 수익 주머니, 시장 규정의 변화, 전략적 시장 성장 분석, 시장 규모, 범주 시장 성장, 응용 분야 틈새 시장 및 지배력, 제품 승인, 제품 출시, 지리적 확장, 시장의 기술 혁신에 대한 분석 기회를 제공합니다. 시장에 대한 자세한 정보를 얻으려면 데이터 브리지 시장 조사에 연락하여 분석가 브리핑을 받으세요. 당사 팀은 시장 성장을 달성하기 위한 정보에 입각한 시장 결정을 내리는 데 도움을 드립니다.

원자재 부족 및 운송 지연의 영향 및 현재 시장 시나리오

Data Bridge Market Research는 시장에 대한 고수준 분석을 제공하고 원자재 부족과 운송 지연의 영향과 현재 시장 환경을 고려하여 정보를 제공합니다. 이는 전략적 가능성을 평가하고, 효과적인 행동 계획을 수립하고, 기업이 중요한 결정을 내리는 데 도움을 주는 것으로 해석됩니다.

표준 보고서 외에도 예상 배송 지연 등의 조달 수준에 대한 심층 분석, 지역별 유통업체 매핑, 상품 분석, 생산 분석, 가격 매핑 추세, 소싱, 카테고리 성과 분석, 공급망 위험 관리 솔루션, 고급 벤치마킹 및 조달 및 전략적 지원을 위한 기타 서비스를 제공합니다.

경제 침체가 제품 가격 및 가용성에 미치는 영향 예상

경제 활동이 둔화되면 산업이 어려움을 겪기 시작합니다. 경기 침체가 제품의 가격 책정 및 접근성에 미치는 예상 효과는 DBMR에서 제공하는 시장 통찰력 보고서 및 인텔리전스 서비스에서 고려됩니다. 이를 통해 고객은 일반적으로 경쟁사보다 한 발 앞서 나가고, 매출과 수익을 예측하고, 손익 지출을 추정할 수 있습니다.

최근 개발 사항

  • 2023년 6월, Qorvo, Inc.는 5G 대규모 MIMO 애플리케이션에 특화된 통합 바이어스 제어 기능을 갖춘 GaN 기반 전력 증폭기인 QPB3810을 출시했습니다. 이 증폭기는 향상된 효율성과 성능을 약속하며, 고속, 대용량 무선 통신 시스템에 대한 증가하는 수요를 충족합니다.
  • 2023년 3월, Infineon Technologies는 GaN 포트폴리오를 강화하고 전력 시스템 시장에서의 입지를 굳건히 하기 위해 8억 3,000만 달러에 GaN Systems를 인수하겠다는 의사를 밝혔습니다. 이 전략적 인수는 다양한 산업의 변화하는 요구를 충족하기 위해 반도체 제품을 확장하려는 Infineon의 의지를 강조합니다.
  • 2022년 4월, ROHM Semiconductor와 Delta Electronics는 GaN 기반 전력 장치의 양산에 있어 기술과 제조 전문성을 활용하기 위해 협력을 결성했습니다. 이 공동 이니셔티브는 전력 시스템 개발을 발전시키고 글로벌 시장에서 강력한 입지를 구축하려는 두 회사의 의지를 강조합니다. 특히 고성능 전력 솔루션을 요구하는 분야에서 그렇습니다.

GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 범위

시장은 제품 및 응용 프로그램을 기준으로 세분화됩니다. 이러한 세그먼트 간의 성장은 산업의 빈약한 성장 세그먼트를 분석하고 사용자에게 핵심 시장 응용 프로그램을 식별하기 위한 전략적 결정을 내리는 데 도움이 되는 귀중한 시장 개요와 시장 통찰력을 제공하는 데 도움이 됩니다.

제품

  • Sic 파워 모듈
  • GaN 전력 모듈
  • 이산 SiC
  • 이산 GaN

 애플리케이션

  • 전원 공급 장치
  • 산업용 모터 드라이브
  • 하이브리드/전기자동차
  • PV 인버터
  • 견인
  • 기타

GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 분석/통찰력

위에 언급된 대로 국가, 제품 및 응용 프로그램별로 시장을 분석하고 시장 규모와 양에 대한 정보를 제공합니다.

시장 보고서에서 다루는 국가는 미국, 캐나다, 멕시코, 독일, 영국, 프랑스, ​​이탈리아, 스페인, 러시아, 폴란드, 스위스, 네덜란드, 헝가리, 오스트리아, 노르웨이, 아일랜드, 터키, 리투아니아, 기타 유럽, 중국, 일본, 인도, 호주, 한국, 싱가포르, 태국, 말레이시아, 인도네시아, 필리핀, 베트남, 기타 아시아 태평양, 브라질, 아르헨티나, 페루, 기타 남미, 남아프리카, 사우디 아라비아, UAE, 이스라엘, 쿠웨이트, 이집트, 기타 중동 및 아프리카입니다.

북미가 시장을 주도할 것으로 예상되는 이유는 환경 문제와 정부 인센티브로 인해 전기 자동차 채택이 급증했기 때문입니다. 이 지역의 5G 기술 및 인프라 개발에 대한 강력한 투자는 GaN 및 SiC 장치에 대한 수요를 더욱 증가시킵니다. 이는 EV 및 5G 인프라에 필요한 고효율 전력 전자 시스템에 필수적이기 때문입니다.

북미는 전기 자동차, 재생 에너지 시스템 및 산업용 애플리케이션에 대한 수요 증가로 시장에서 가장 빠르게 성장하는 지역이 될 것으로 예상됩니다. 정부 인센티브, 유리한 규제 및 지속 가능성에 대한 강력한 강조와 같은 요인이 이러한 부문에서 GaN 및 SiC 장치 채택을 촉진하여 이 지역의 시장 성장을 촉진하고 있습니다.

보고서의 국가 섹션은 또한 개별 시장 영향 요인과 국내 시장의 현재 및 미래 트렌드에 영향을 미치는 규제 변화를 제공합니다. 다운스트림 및 업스트림 가치 사슬 분석, 기술 트렌드 및 포터의 5가지 힘 분석, 사례 연구와 같은 데이터 포인트는 개별 국가의 시장 시나리오를 예측하는 데 사용되는 몇 가지 포인터입니다. 또한 글로벌 브랜드의 존재 및 가용성과 지역 및 국내 브랜드와의 대규모 또는 희소한 경쟁으로 인해 직면한 과제, 국내 관세 및 무역 경로의 영향은 국가 데이터에 대한 예측 분석을 제공하는 동안 고려됩니다.

경쟁 환경 및 GaN 및 SiC 전력 반도체 시장 점유율 분석

시장 경쟁 구도는 경쟁자별 세부 정보를 제공합니다. 포함된 세부 정보는 회사 개요, 회사 재무, 창출된 수익, 시장 잠재력, 연구 개발 투자, 새로운 시장 이니셔티브, 지역적 입지, 회사의 강점과 약점, 제품 출시, 제품 폭과 범위, 애플리케이션 우세입니다. 위에 제공된 데이터 포인트는 시장과 관련된 회사의 초점에만 관련이 있습니다.

시장에서 활동하는 주요 기업은 다음과 같습니다.

  • 알파 앤 오메가 세미컨덕터(미국)
  • 후지전기 주식회사(일본)
  • Infineon Technologies AG(독일)
  • 리틀퓨즈 주식회사(미국)
  • 마이크로세미(미국)
  • 미쓰비시 전기 주식회사(일본)
  • 레네사스 일렉트로닉스 주식회사(일본)
  • ROHM SEMICONDUCTOR(일본)
  • 산켄전기 주식회사(일본)
  • STMicroelectronics(스위스/프랑스)
  • 에필루박(스웨덴)
  • IQE PLC(영국)
  • 트랜스포름 주식회사(미국)
  • SweGaN(스웨덴)
  • 생고뱅(프랑스)
  • GeneSiC Semiconductor Inc. (미국)
  • Sublime Technologies (미국)
  • 글로벌 파워 테크놀로지 그룹(미국)
  • 다코반도체(주) (대만)
  • AGC 주식회사(일본)
  • 다우(미국)
  • WeEn Semiconductors(중국)

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연구 방법론

데이터 수집 및 기준 연도 분석은 대규모 샘플 크기의 데이터 수집 모듈을 사용하여 수행됩니다. 이 단계에는 다양한 소스와 전략을 통해 시장 정보 또는 관련 데이터를 얻는 것이 포함됩니다. 여기에는 과거에 수집한 모든 데이터를 미리 검토하고 계획하는 것이 포함됩니다. 또한 다양한 정보 소스에서 발견되는 정보 불일치를 검토하는 것도 포함됩니다. 시장 데이터는 시장 통계 및 일관된 모델을 사용하여 분석하고 추정합니다. 또한 시장 점유율 분석 및 주요 추세 분석은 시장 보고서의 주요 성공 요인입니다. 자세한 내용은 분석가에게 전화를 요청하거나 문의 사항을 드롭하세요.

DBMR 연구팀에서 사용하는 주요 연구 방법론은 데이터 마이닝, 시장에 대한 데이터 변수의 영향 분석 및 주요(산업 전문가) 검증을 포함하는 데이터 삼각 측량입니다. 데이터 모델에는 공급업체 포지셔닝 그리드, 시장 타임라인 분석, 시장 개요 및 가이드, 회사 포지셔닝 그리드, 특허 분석, 가격 분석, 회사 시장 점유율 분석, 측정 기준, 글로벌 대 지역 및 공급업체 점유율 분석이 포함됩니다. 연구 방법론에 대해 자세히 알아보려면 문의를 통해 업계 전문가에게 문의하세요.

사용자 정의 가능

Data Bridge Market Research는 고급 형성 연구 분야의 선두 주자입니다. 저희는 기존 및 신규 고객에게 목표에 맞는 데이터와 분석을 제공하는 데 자부심을 느낍니다. 보고서는 추가 국가에 대한 시장 이해(국가 목록 요청), 임상 시험 결과 데이터, 문헌 검토, 재생 시장 및 제품 기반 분석을 포함하도록 사용자 정의할 수 있습니다. 기술 기반 분석에서 시장 포트폴리오 전략에 이르기까지 타겟 경쟁업체의 시장 분석을 분석할 수 있습니다. 귀하가 원하는 형식과 데이터 스타일로 필요한 만큼 많은 경쟁자를 추가할 수 있습니다. 저희 분석가 팀은 또한 원시 엑셀 파일 피벗 테이블(팩트북)로 데이터를 제공하거나 보고서에서 사용 가능한 데이터 세트에서 프레젠테이션을 만드는 데 도움을 줄 수 있습니다.

자주 묻는 질문

GaN and SiC Power Semiconductor Companies grow due to Rising Adoption of Electric Vehicles, Rising Demand for Higher Efficiency Increases the Adoption of GaN and SiC Power Semiconductor are the growth drivers of the GaN and SiC power semiconductor market.
The product and application are the factors on which the GaN and SiC power semiconductor market research is based.
The major companies in the GaN and SiC power semiconductor market are Alpha and Omega Semiconductor (U.S.), Fuji Electric Co., Ltd (Japan), Infineon Technologies AG (Germany), Littelfuse, Inc. (U.S.), Microsemi (U.S.), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), Renesas Electronics Corporation (Japan), ROHM SEMICONDUCTOR (Japan), SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Japan), STMicroelectronics (Switzerland/France), Epiluvac (Sweden), IQE PLC (U.K), Transphorm Inc. (U.S.), SweGaN (Sweden), Saint-Gobain (France), GeneSiC Semiconductor Inc. (U.S.), Sublime Technologies (U.S.), Global Power Technologies Group (U.S.), DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (Taiwan), AGC Inc. (Japan), Dow (U.S.), WeEn Semiconductors (China).
The GaN and SiC Power Semiconductor Market size will be worth USD 4,877.23 million by 2031.
The GaN and SiC Power Semiconductor Market growth rate will be 30.05% by 2031.
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