에너지 효율성 혁신: 지속 가능한 기술 발전에서 SiC 전력 반도체의 출현

SiC(실리콘카바이드) 전력반도체 시장은 기술 발전의 선두에 서 있다. SiC 장치는 기존 실리콘 반도체에 비해 높은 효율성과 우수한 성능을 제공합니다. 그들은 전력 전자, 전기 자동차, 재생 가능 에너지 시스템 및 산업용 드라이브 분야에서 응용 분야를 찾습니다. SiC의 주요 특징으로는 낮은 전력 손실, 높은 온도 내성, 감소된 크기 및 무게 등이 있습니다. 이러한 발전을 통해 더욱 컴팩트하고 에너지 효율적인 장치가 가능해지며 다양한 산업 분야에서 혁신을 주도하는 동시에 에너지 소비와 탄소 배출을 줄여 지속 가능성 노력에 기여합니다.

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Data Bridge Market Research는 다음과 같이 분석합니다. 글로벌 Sic 전력 반도체 시장 이는 2022년에 USD 11,06,682천이었으며 2023~2030년 예측 기간 동안 연평균 성장률(CAGR) 26.0%로 2030년까지 USD 7,030,515.23천의 가치에 도달할 것으로 예상됩니다. SiC(실리콘 카바이드) 반도체는 전자 시스템의 크기와 무게를 줄이는 데 중추적인 역할을 합니다. 탁월한 전력 효율성과 고온 내성으로 인해 항공우주, 자동차 및 산업 응용 분야에 필수적이며, 더 작고 가벼우면서도 기능성이 뛰어난 전자 부품을 가능하게 하여 전반적인 시스템 성능 향상에 기여합니다.

연구의 주요 결과

인더스트리 4.0이 시장 성장률을 견인할 것으로 예상

산업 자동화 환경은 Industry 4.0을 통해 빠르게 발전하고 있습니다. 이러한 변화에는 보다 효율적이고 안정적인 전력 전자 장치가 필요합니다. SiC(실리콘 카바이드) 반도체는 고성능 기능으로 인해 이러한 맥락에서 점점 더 선호되고 있습니다. 이 제품은 현대 산업 자동화 시스템의 요구 사항에 맞춰 더 빠른 스위칭 속도, 감소된 열 발생, 향상된 전력 효율성을 제공합니다. 업계가 생산성 향상, 가동 중지 시간 감소, 에너지 사용량 최적화를 추구함에 따라 SiC 반도체에 대한 수요는 자동화 분야의 고급 전력 전자 장치의 기본 구성 요소로서 계속해서 증가하고 있습니다.

보고서 범위 및 시장 세분화

세그먼트 분석:

글로벌 SiC 전력 반도체 시장은 유형, 전압 범위, 웨이퍼 크기, 웨이퍼 유형, 애플리케이션 및 업종을 기준으로 분류됩니다.

• 유형에 따라 글로벌 SiC 전력 반도체 시장은 MOSFET, 하이브리드 모듈, 쇼트키 배리어 다이오드(SBDS), IGBT, 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT), 핀 다이오드, 접합 FET(JFET) 등으로 분류됩니다.
• 전압 범위를 기준으로 글로벌 SiC 전력 반도체 시장은 301-900V, 901-1700V 및 1701V 이상으로 분류됩니다.
• 웨이퍼 크기를 기준으로 글로벌 SiC 전력 반도체 시장은 6인치, 4인치, 2인치, 6인치 이상으로 분류됩니다.
• 웨이퍼 유형을 기준으로 글로벌 SiC 전력 반도체 시장은 SiC 에피택셜 웨이퍼와 블랭크 SiC 웨이퍼로 구분됩니다.
• 애플리케이션을 기반으로 글로벌 sic 전력 반도체 시장은 전기 자동차(EV), 광전지, 전원 공급 장치, 산업용 모터 드라이브, EV 충전 인프라, RF 장치 등으로 분류됩니다.
• 수직을 기준으로 글로벌 SiC 전력 반도체 시장은 자동차, 유틸리티 및 에너지, 산업, 운송, IT 및 통신, 가전 제품, 항공 우주 및 방위, 상업 등으로 분류됩니다.

주요 플레이어

Data Bridge Market Research에서는 WOLFSPEED, INC.(미국), STMicroelectronics(스위스), ROHM CO., LTD를 글로벌 SiC 전력 반도체 시장의 주요 글로벌 SiC 전력 반도체 시장 플레이어로 인식합니다. (일본), Fuji Electric Co., Ltd.(일본), Mitsubishi Electric Corporation(일본), Texas Instruments Incorporated(미국), Infineon Technologies AG(독일), Semikron Danfoss(독일), Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. . (중국).

시장 개발

• 2022년 12월, 혁신적인 반도체 소재로 유명한 STMicroelectronics와 Soitec은 실리콘 카바이드(SiC) 기판에 초점을 맞춘 확장된 파트너십을 발표했습니다. ST는 향후 18개월 이내에 Soitec의 SiC 기판 기술을 검증할 계획입니다. 이번 협력의 목적은 ST가 향후 200mm 기판 생산에 Soitec의 SmartSiC 기술을 채택하여 장치 및 모듈 제조를 지원하는 것입니다. 이번 파트너십을 통해 ST의 재무 성과가 향상되고 중기적으로 글로벌 SiC 전력 반도체 시장 성장에 기여할 것으로 기대된다.
• 2022년 7월, Semikron Danfoss와 교토에 본사를 둔 ROHM Semiconductor는 실리콘 카바이드(SiC)를 전력 모듈에 통합하는 데 초점을 맞춘 10년 간의 협력을 공유했습니다. ROHM의 최첨단 4세대 SiC MOSFET은 최근 자동차 애플리케이션용으로 설계된 SEMIKRON의 eMPack 모듈 내에서 완전한 인증을 받았습니다. 이 성공적인 파트너십을 통해 두 회사는 전 세계 고객의 글로벌 수요를 효과적으로 충족할 수 있었습니다. 재무적 성과 개선에 기여했을 뿐만 아니라 글로벌 SiC 전력반도체 시장 확대에도 긍정적인 영향을 미쳤다.

지역분석

지리적으로 주요 글로벌 SiC 전력 반도체 시장 보고서에서 다루는 국가는 북미, 독일, 프랑스, ​​​​영국, 네덜란드, 스위스, 벨기에, 러시아, 이탈리아, 스페인, 터키, 유럽의 나머지 유럽 지역의 미국, 캐나다 및 멕시코입니다. 중국, 일본, 인도, 한국, 싱가포르, 말레이시아, 호주, 태국, 인도네시아, 필리핀, 아시아 태평양 지역(APAC), 사우디아라비아, UAE, 남아프리카공화국, 이집트, 이스라엘, 중동 및 아프리카(MEA)의 일부인 중동 및 아프리카(MEA), 브라질, 아르헨티나 및 남아메리카의 나머지 지역.

Data Bridge 시장 조사 분석에 따르면:

아시아 태평양 2023~2030년 예측 기간 동안 글로벌 SiC 전력 반도체 시장을 지배할 것으로 예상됩니다.

2023년 아시아태평양 지역은 첨단 반도체에 대한 수요 급증에 힘입어 글로벌 SiC 전력반도체 시장에서 지배력을 확고히 할 태세다. 전력 모듈 및 관련 장치에 대한 이 지역의 수요는 상당한 성장 촉매 역할을 할 것으로 예상됩니다. 이러한 급증은 다양한 산업 및 응용 분야에 걸쳐 SiC 전력 반도체에 대한 수요가 강력하다는 것을 반영하며, 시장 궤도를 조종하는 데 있어 아시아 태평양 지역의 중추적인 역할을 강조합니다.

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