世界のシリコンカーバイドパワー半導体市場
Market Size in USD Billion
CAGR :
%

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2024 –2031 |
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USD 1,950,156.00 Thousand |
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USD 11,508,292.90 Thousand |
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世界のシリコンカーバイドパワー半導体市場、フォームファクタ別(SFFおよびSFP、SFP+およびSFP28、QSFP、QSFP+、QSFP14、QSFP28、CFP、CFP2、CFP4、XFP、CXP)、データレート別(10 GBPS未満、10 GBPS~40 GBPS、41 GBPS~100 GBPS、100 GBPS以上)、距離別(1 KM未満、1~10 KM、11~100 KM、100 KM以上)、波長別(850 NM帯、1310 NM帯、1550 NM帯、その他)、コネクタ別(LCコネクタ、SCコネクタ、MPOコネクタ、RJ-45)、アプリケーション別(通信、データセンター、エンタープライズ) - 業界動向と2025年までの予測2031年。
シリコンカーバイドパワー半導体市場の分析と規模
再生可能エネルギーシステムでは、シリコンカーバイド (SiC) パワー半導体が、太陽光インバーターや風力タービンコンバーターの効率と性能の向上に重要な役割を果たします。SiC デバイスは、より効率的な電力変換を可能にし、エネルギー損失を減らし、再生可能エネルギーシステムの全体的な効率を向上させます。SiC パワー半導体企業は、グリッド統合とエネルギー貯蔵ソリューションの改善に貢献し、太陽光や風力などの再生可能エネルギー源の成長と信頼性をサポートしています。
世界のシリコンカーバイドパワー半導体市場規模は、2023年に1,950,156.00千米ドルと評価され、2024年から2031年の予測期間中に25.1%のCAGRで成長し、2031年には11,508,292.90千米ドルに達すると予測されています。市場価値、成長率、セグメンテーション、地理的範囲、主要プレーヤーなどの市場シナリオに関する洞察に加えて、Data Bridge Market Researchがまとめた市場レポートには、詳細な専門家分析、地理的に表された企業別の生産と生産能力、販売代理店とパートナーのネットワークレイアウト、詳細で最新の価格動向分析、サプライチェーンと需要の不足分析も含まれています。
レポートの範囲と市場セグメンテーション
レポートメトリック |
詳細 |
予測期間 |
2024-2031 |
基準年 |
2023 |
歴史的な年 |
2022 (2016~2021年にカスタマイズ可能) |
定量単位 |
売上高(10億米ドル)、販売数量(個数)、価格(米ドル) |
対象セグメント |
タイプ (MOSFET、ショットキーバリアダイオード (SBD)、バイポーラ接合トランジスタ (BJT)、ハイブリッドモジュール、SiC ベアダイ、ピンダイオード、接合 FET など)、ウェハータイプ (SiC エピタキシャルウェハーおよびブランク SiC ウェハー)、電圧範囲 (301 V ~ 900 V、901 V ~ 1700 V、1701 V 以上、および 300 V 未満)、ウェハーサイズ (2 インチ、3 インチおよび 4 インチ、6 インチ、8 インチおよび 12 インチ)、アプリケーション (電気自動車 (EV)、インバーター、電源、太陽光発電、RF デバイス、産業用モータードライブなど)、垂直分野 (自動車および輸送、データセンター、産業、再生可能エネルギー/グリッド、民生用電子機器、航空宇宙および防衛、医療など) |
対象国 |
米国、カナダ、メキシコ、ドイツ、英国、フランス、イタリア、オランダ、スペイン、ロシア、スイス、トルコ、ベルギー、ポーランド、スウェーデン、デンマーク、ノルウェー、フィンランド、その他のヨーロッパ諸国、中国、日本、インド、韓国、オーストラリア、台湾、シンガポール、タイ、インドネシア、マレーシア、フィリピン、ニュージーランド、ベトナム、その他のアジア太平洋諸国、ブラジル、アルゼンチン、その他の南米諸国、サウジアラビア、UAE、イスラエル、南アフリカ、エジプト、カタール、クウェート、バーレーン、オマーン、その他の中東およびアフリカ諸国 |
対象となる市場プレーヤー |
Infineon Technologies AG(ドイツ)、STMicroelectronics(スイス)、WOLFSPEED, INC.(米国)、ルネサス エレクトロニクス株式会社(日本)、Semiconductor Components Industries, LLC(米国)、三菱電機株式会社(日本)、ローム株式会社。 (日本)、Qorvo, Inc. (米国)、Nexperia (オランダ)、東芝 (日本)、Allegro MicroSystems, Inc. (米国)、GeneSiC Semiconductor Inc. (米国)、富士電機 (日本)、Vishay Intertechnology, Inc. (米国)、日立パワーデバイス (日本)、Littelfuse, Inc. (米国)、Texas Instruments Incorporated (米国)、Microchip Technology Inc. (米国)、Semikron Danfoss (ドイツ)、WeEn Semiconductors (中国)、Solitron Devices, Inc. (米国)、SemiQ Inc. (米国)、Xiamen Powerway Advanced Material (中国)、MaxPower Semiconductor (中国) |
市場機会 |
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市場の定義
シリコンカーバイド (SiC) パワー半導体は、従来のシリコンの代わりにシリコンカーバイドを半導体材料として利用する高度な電子部品です。SiC パワー半導体は、効率が高く、電力損失が少なく、動作温度が高いため、小型軽量で高電圧と高電流に対応でき、電気自動車、再生可能エネルギーシステム、産業用パワーエレクトロニクスなどの用途に最適です。
シリコンカーバイドパワー半導体市場の動向
ドライバー
- 電気自動車(EV)の普及拡大
SiC デバイスは、従来のシリコンベースの半導体に比べてスイッチング速度が速く、電力損失が少なく、熱管理が優れているため、EV パワートレインの効率と性能が向上します。その結果、走行距離が長くなり、充電時間が短くなり、車両全体の性能が向上します。消費者の需要増加と政府の支援政策に牽引されて EV 市場が急速に拡大するにつれ、SiC 半導体などの高度なパワーエレクトロニクスの必要性がますます重要になり、SiC パワー半導体市場の成長を後押ししています。
- 技術の進歩が進むSiCパワー半導体
Innovations in SiC material quality and manufacturing processes have significantly improved the performance and cost-effectiveness of these semiconductors. Enhanced fabrication techniques have led to higher yields and reduced defects, making SiC devices more reliable and commercially viable. In addition, the development of new SiC power modules and packaging technologies has expanded their application range, enabling superior performance in high-temperature and high-voltage environments.
Opportunities
- Growing Government Policies
Many governments around the world are implementing regulations and providing incentives to reduce carbon emissions and transition to cleaner energy sources. Policies such as subsidies for renewable energy projects, tax incentives for electric vehicle manufacturers, and stringent energy efficiency standards encourage the use of advanced technologies such as SiC semiconductors. These initiatives stimulate demand for SiC devices and support research and development efforts, fostering innovation and growth within the market.
- Growing Industrial Automation
SiC devices offer advantages such as higher power density, faster switching speeds, and reduced losses, making them ideal for power converters, motor drives, and other industrial automation systems. These semiconductors enable improved energy efficiency, smaller form factors, and enhanced reliability in industrial equipment, contributing to cost savings and improved performance. As industries continue to automate processes for efficiency and productivity gains, the demand for SiC power semiconductors in industrial automation is expected to grow significantly.
Restraints/Challenges
- High Initial Costs
The initial investment required for SiC devices, including manufacturing equipment, materials, and development, is often higher compared to traditional silicon-based counterparts. This can deter potential adopters, particularly in cost-sensitive industries or applications. Additionally, the need for specialized expertise and infrastructure for SiC fabrication and implementation further adds to the upfront expenses. The long-term benefits of SiC, such as increased efficiency and reliability increases its costs which causes the initial financial barrier restraining the widespread adoption of SiC power semiconductors.
- Regulatory Uncertainty Limits SiC Power Semiconductors
Changes in regulations or standards related to power electronics and semiconductor materials can introduce unpredictability and complexity into the market environment. Compliance with evolving regulatory requirements may necessitate costly modifications to manufacturing processes or product designs, impacting production timelines and costs. Moreover, uncertainty surrounding future regulatory frameworks may deter investment in SiC technology development and adoption, hindering market growth.
This market report provides details of new recent developments, trade regulations, import-export analysis, production analysis, value chain optimization, market share, impact of domestic and localized market players, analyses opportunities in terms of emerging revenue pockets, changes in market regulations, strategic market growth analysis, market size, category market growths, application niches and dominance, product approvals, product launches, geographic expansions, technological innovations in the market. To gain more info on the market, contact data bridge market research for an analyst brief, our team will help you take an informed market decision to achieve market growth.
Impact and Current Market Scenario of Raw Material Shortage and Shipping Delays
Data Bridge Market Research offers a high-level analysis of the market and delivers information by keeping in account the impact and current market environment of raw material shortage and shipping delays. This translates into assessing strategic possibilities, creating effective action plans, and assisting businesses in making important decisions.
Apart from the standard report, we also offer in-depth analysis of the procurement level from forecasted shipping delays, distributor mapping by region, commodity analysis, production analysis, price mapping trends, sourcing, category performance analysis, supply chain risk management solutions, advanced benchmarking, and other services for procurement and strategic support.
Expected Impact of Economic Slowdown on the Pricing and Availability of Products
When economic activity slows, industries begin to suffer. The forecasted effects of the economic downturn on the pricing and accessibility of the products are taken into account in the market insight reports and intelligence services provided by DBMR. With this, our clients can typically keep one step ahead of their competitors, project their sales and revenue, and estimate their profit and loss expenditures.
Recent Developments
- In December 2022, STMicroelectronics and Soitec announced a cooperation on Silicon Carbide (SiC) substrates, aiming to qualify Soitec's SmartSiC technology for ST's future 200mm substrate manufacturing. This collaboration targets volume production in the midterm, intending to bolster ST's financials and contribute to the growth of the global SiC power semiconductor market
- In November 2022, Infineon Technologies signed a non-binding Memorandum of Understanding for multi-year supply cooperation of silicon carbide (SiC) semiconductors with Stellantis's direct Tier 1 suppliers. This agreement, valued at over EUR 1 billion, aims to supply CoolSiC "bare die" chips in the latter half of the decade, positively impacting Infineon's financials and fostering growth in the global SiC power semiconductor market
Silicon Carbide Power Semiconductors Market Scope
市場は、タイプ、ウェーハ タイプ、電圧範囲、ウェーハ サイズ、アプリケーション、および垂直に基づいて、6 つの主要なセグメントに分割されています。これらのセグメント間の成長は、業界のわずかな成長セグメントを分析するのに役立ち、ユーザーに貴重な市場の概要と市場の洞察を提供し、コア市場アプリケーションを特定するための戦略的決定を下すのに役立ちます。
タイプ
- MOSFET
- ショットキーバリアダイオード (SBD)
- バイポーラ接合トランジスタ (BJT)
- ハイブリッドモジュール
- SiCベアダイ
- ピンダイオード
- ジャンクションFET
- その他
ウェーハタイプ
- SiCエピタキシャルウエハ
- ブランクSiCウェーハ
電圧範囲
- 301V~900V
- 901V~1700V
- 1701 V 以上
- 300V未満
ウェーハサイズ
- 2インチ、3インチ、4インチ
- 6インチ
- 8インチと12インチ
応用
- 電気自動車(EV)
- インバーター
- 電源装置
- 太陽光発電
- RFデバイス
- 産業用モータードライブ
- その他
垂直
- 自動車・輸送
- データセンター
- 産業
- 再生可能エネルギー/グリッド
- 家電
- 航空宇宙および防衛
- 医学
- その他
シリコンカーバイドパワー半導体市場分析/洞察
市場は、タイプ、ウェーハタイプ、電圧範囲、ウェーハサイズ、アプリケーション、垂直に基づいて、6 つの主要なセグメントに分割されています。
この市場レポートで取り上げられている国は、米国、カナダ、メキシコ、ドイツ、英国、フランス、イタリア、オランダ、スペイン、ロシア、スイス、トルコ、ベルギー、ポーランド、スウェーデン、デンマーク、ノルウェー、フィンランド、その他のヨーロッパ諸国、中国、日本、インド、韓国、オーストラリア、台湾、シンガポール、タイ、インドネシア、マレーシア、フィリピン、ニュージーランド、ベトナム、その他のアジア太平洋諸国、ブラジル、アルゼンチン、その他の南米諸国、サウジアラビア、UAE、イスラエル、南アフリカ、エジプト、カタール、クウェート、バーレーン、オマーン、その他の中東およびアフリカ諸国です。
北米は、同地域で電気自動車の導入が進んでいることから、市場を独占すると予想されています。その強力な技術エコシステム、広範な研究開発努力、そして電気自動車の使用の顕著な増加。イノベーションを促進する環境と持続可能な輸送ソリューションへの重点の高まりにより、米国はシリコンカーバイドパワー半導体技術の進歩を先導し、市場での優位性をさらに強化する可能性があります。
ヨーロッパは、その高度な技術インフラと強力な研究開発能力により、市場での成長が見込まれています。持続可能で効率的なエネルギーソリューションに重点を置くドイツは、再生可能エネルギー、電気自動車、産業オートメーションなどの分野でイノベーションの最前線に立っています。最先端技術への戦略的な投資、熟練した労働力、支援的な規制環境により、ドイツは技術の進歩を推進し、エネルギー効率と持続可能性に関連する世界的な課題に取り組む重要なプレーヤーとしての地位を確立しています。
レポートの国別セクションでは、市場の現在および将来の動向に影響を与える国内市場における個別の市場影響要因と規制の変更も提供しています。下流および上流のバリュー チェーン分析、技術動向、ポーターの 5 つの力の分析、ケース スタディなどのデータ ポイントは、各国の市場シナリオを予測するために使用される指標の一部です。また、国別データの予測分析を提供する際には、グローバル ブランドの存在と可用性、および地元および国内ブランドとの競争が激しいか少ないために直面する課題、国内関税と貿易ルートの影響も考慮されます。
競争環境とシリコンカーバイドパワー半導体の市場シェア分析
市場競争環境では、競合他社ごとの詳細が提供されます。含まれる詳細には、会社概要、会社の財務状況、収益、市場の可能性、研究開発への投資、新しい市場への取り組み、グローバルなプレゼンス、生産拠点と施設、生産能力、会社の強みと弱み、製品の発売、製品の幅と広さ、アプリケーションの優位性などがあります。提供される上記のデータ ポイントは、市場に関連する会社の焦点にのみ関連しています。
市場で活動している主要企業は次のとおりです。
- インフィニオンテクノロジーズAG(ドイツ)
- STマイクロエレクトロニクス(スイス)
- ウルフスピード社(米国)
- ルネサスエレクトロニクス株式会社(日本)
- セミコンダクター・コンポーネント・インダストリーズ LLC (米国)
- 三菱電機株式会社(日本)
- ローム株式会社(日本)
- Qorvo, Inc (米国)
- Nexperia(オランダ)
- 東芝(日本)
- アレグロ・マイクロシステムズ社(米国)
- GeneSiC Semiconductor Inc. (米国)
- 富士電機株式会社(日本)
- ビシェイ・インターテクノロジー社(米国)
- 日立パワーデバイス株式会社(日本)
- リテルヒューズ社(米国)
- テキサス・インスツルメンツ社(米国)
- マイクロチップテクノロジー社(米国)
- セミクロン・ダンフォス(ドイツ)
- ウィーエン・セミコンダクターズ(中国)
- ソリトロンデバイス社(米国)
- SemiQ Inc.(米国)
- 厦門パワーウェイアドバンストマテリアル(中国)
- マックスパワーセミコンダクター(中国)
SKU-
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- インタラクティブなデータ分析ダッシュボード
- 成長の可能性が高い機会のための企業分析ダッシュボード
- カスタマイズとクエリのためのリサーチアナリストアクセス
- インタラクティブなダッシュボードによる競合分析
- 最新ニュース、更新情報、トレンド分析
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調査方法
データ収集と基準年分析は、大規模なサンプル サイズのデータ収集モジュールを使用して行われます。この段階では、さまざまなソースと戦略を通じて市場情報または関連データを取得します。過去に取得したすべてのデータを事前に調査および計画することも含まれます。また、さまざまな情報ソース間で見られる情報の不一致の調査も含まれます。市場データは、市場統計モデルと一貫性モデルを使用して分析および推定されます。また、市場シェア分析と主要トレンド分析は、市場レポートの主要な成功要因です。詳細については、アナリストへの電話をリクエストするか、お問い合わせをドロップダウンしてください。
DBMR 調査チームが使用する主要な調査方法は、データ マイニング、データ変数が市場に与える影響の分析、および一次 (業界の専門家) 検証を含むデータ三角測量です。データ モデルには、ベンダー ポジショニング グリッド、市場タイムライン分析、市場概要とガイド、企業ポジショニング グリッド、特許分析、価格分析、企業市場シェア分析、測定基準、グローバルと地域、ベンダー シェア分析が含まれます。調査方法について詳しくは、お問い合わせフォームから当社の業界専門家にご相談ください。
カスタマイズ可能
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