世界の電界効果トランジスタ市場 – 業界動向と2028年までの予測

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世界の電界効果トランジスタ市場 – 業界動向と2028年までの予測

  • Semiconductors and Electronics
  • Upcoming Report
  • Dec 2020
  • Global
  • 350 ページ
  • テーブル数: 220
  • 図の数: 60

世界の電界効果トランジスタ市場、タイプ別(JFET(接合型電界効果トランジスタ)、MESFET(金属半導体電界効果トランジスタ)、HEMT(高電子移動度トランジスタ)、MOSFET(金属酸化物半導体電界効果トランジスタ)、アプリケーション(アナログスイッチ、アンプ、位相シフト発振器、電流リミッター、デジタル回路、その他)、流通チャネル(電子商取引、小売店、その他)、エンドユーザー(民生用電子機器、インバーターおよびUPS、電気自動車、産業システム、その他)、国別(米国、カナダ、メキシコ、ブラジル、アルゼンチン、その他の南米、ドイツ、イタリア、英国、フランス、スペイン、オランダ、ベルギー、スイス、トルコ、ロシア、その他のヨーロッパ、日本、中国、インド、韓国、オーストラリア、シンガポール、マレーシア、タイ、インドネシア、フィリピン、その他のアジア太平洋、サウジアラビア、UAE、南アフリカ、エジプト、イスラエル、その他の中東およびアフリカ)業界動向と予測2028

電界効果トランジスタ市場市場分析と洞察:世界の電界効果トランジスタ市場

2021年から2028年の予測期間において、電界効果トランジスタ市場は7.30%の市場成長が見込まれています。電界効果トランジスタ市場のデータブリッジ市場調査レポートは、予測期間中に普及すると予想されるさまざまな要因に関する分析と洞察を提供し、市場の成長への影響を示しています。

電界効果トランジスタ (FET) は、ドレイン、ゲート、ソースの 3 つの半導体端子を備えたトランジスタ タイプです。ゲートとソースの端子から電気を転送することで、ソースからドレインへの電子の流れが実現します。他のトランジスタと比較して、FET 市場の主要なドライバは温度に対してより安定しており、占有スペースが少なくなっています。主に、アンプのインピーダンスが高いために使用されています。

温度が安定していて占有スペースが少ないことによるFETの需要の高まり、最大限のアプリケーションでのトランジスタの使用に関する政府によるイニシアチブの増加、さまざまな市場プレーヤーの合併と買収、低コストによる製品の需要の増加は、2021〜2028年の予測期間に電界効果トランジスタ市場の成長を増強する可能性のある主要かつ重要な要因の一部です。一方、電界効果トランジスタは他のトランジスタと比較して放射線の影響を受けにくいため、民生用電子機器での製品の用途が増加しており、これがさらに大きな機会を生み出し、上記の予測期間に電界効果トランジスタ市場の成長につながるでしょう。

Complex design of the product along with easy availability of the product substitute in the market which will likely to act as market restraints factor for the growth of the field effect transistor in the above mentioned forecasted period. Lack of skilled individual for installation of transistor which will become the biggest and foremost challenge for the growth of the market.

This field effect transistor market report provides details of new recent developments, trade regulations, import export analysis, production analysis, value chain optimization, market share, impact of domestic and localised market players, analyses opportunities in terms of emerging revenue pockets, changes in market regulations, strategic market growth analysis, market size, category market growths, application niches and dominance, product approvals, product launches, geographic expansions, technological innovations in the market. To gain more info on field effect transistor market contact Data Bridge Market Research for an Analyst Brief, our team will help you take an informed market decision to achieve market growth.

Global Field Effect Transistor Market Scope and Market Size

Field effect transistor market is segmented on the basis of type, distribution channel, application, and end user. The growth among segments helps you analyse niche pockets of growth and strategies to approach the market and determine your core application areas and the difference in your target markets.

  • Field effect transistor market on the basis of type has been segmented as JFET (junction field effect transistor, MESFET (metal semiconductor field effect transistor), HEMT (high electron mobility transistor), and MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor).
  • Based on distribution channel, the field effect transistor market has been segmented into e-commerce, retail stores, and others.
  • On the basis of application, the field effect transistor market has been segmented into analog switches, amplifiers, phase shift oscillator, current limiter, digital circuits, and other.
  • Field effect transistor has also been segmented on the basis of end user into consumer electronics, inverter and UPS, electric vehicle, industrial system, and other.  

Field Effect Transistor Market Country Level Analysis

Field effect transistor market is analysed and market size, volume information is provided by country, type, distribution channel, application, and end user as referenced above.

The countries covered in the field effect transistor market report are U.S., Canada and Mexico in North America, Brazil, Argentina and Rest of South America as part of South America, Germany, Italy, U.K., France, Spain, Netherlands, Belgium, Switzerland, Turkey, Russia, Rest of Europe in Europe, Japan, China, India, South Korea, Australia, Singapore, Malaysia, Thailand, Indonesia, Philippines, Rest of Asia-Pacific (APAC)  in the Asia-Pacific (APAC), Saudi Arabia, U.A.E, South Africa, Egypt, Israel, Rest of Middle East and Africa (MEA) as a part of Middle East and Africa (MEA).

Asia-Pacific will expect to grow in the field effect transistor market during the forecast period of 2021-2028 due to the increasing demand of consumer electronics, growing number of technological advancement along with major companies will add more proven technologies systematically as well as strategically in the region.

The country section of the report also provides individual market impacting factors and changes in regulation in the market domestically that impacts the current and future trends of the market. Data points like down-stream and upstream value chain analysis, technical trends and porter's five forces analysis, case studies are some of the pointers used to forecast the market scenario for individual countries. Also, the presence and availability of global brands and their challenges faced due to large or scarce competition from local and domestic brands, impact of domestic tariffs and trade routes are considered while providing forecast analysis of the country data.

Competitive Landscape and Field Effect Transistor Market Share Analysis

Field effect transistor market competitive landscape provides details by competitor. Details included are company overview, company financials, revenue generated, market potential, investment in research and development, new market initiatives, regional presence, company strengths and weaknesses, product launch, product width and breadth, application dominance. The above data points provided are only related to the companies’ focus related to field effect transistor market.

電界効果トランジスタ市場レポートで取り上げられている主要企業には、Mouser Electronics, Inc.、Sensitron Semiconductor、新電元工業株式会社、Semiconductor Components Industries, LLC、Solitron Devices Inc.、Vishay Intertechnology, Inc.、NTE Electronics, Inc.、Infineon Technologies AG、Avago Technologies, Limited.、NEC Corporation、STMicroelectronics、東芝デバイス&ストレージ株式会社、三菱電機株式会社、富士電機株式会社、ローム株式会社、NXP Semiconductors、Diodes Incorporated、IXYS Corporation、Micro Commercial Components Corp.、M/A-COM Technology Solutions Inc.、その他国内外の企業が含まれます。市場シェアデータは、世界、北米、ヨーロッパ、アジア太平洋 (APAC)、中東およびアフリカ (MEA)、南米で個別に入手できます。 DBMR アナリストは競争上の強みを理解し、競合他社ごとに個別に競争分析を提供します。


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調査方法

データ収集と基準年分析は、大規模なサンプル サイズのデータ​​収集モジュールを使用して行われます。この段階では、さまざまなソースと戦略を通じて市場情報または関連データを取得します。過去に取得したすべてのデータを事前に調査および計画することも含まれます。また、さまざまな情報ソース間で見られる情報の不一致の調査も含まれます。市場データは、市場統計モデルと一貫性モデルを使用して分析および推定されます。また、市場シェア分析と主要トレンド分析は、市場レポートの主要な成功要因です。詳細については、アナリストへの電話をリクエストするか、お問い合わせをドロップダウンしてください。

DBMR 調査チームが使用する主要な調査方法は、データ マイニング、データ変数が市場に与える影響の分析、および一次 (業界の専門家) 検証を含むデータ三角測量です。データ モデルには、ベンダー ポジショニング グリッド、市場タイムライン分析、市場概要とガイド、企業ポジショニング グリッド、特許分析、価格分析、企業市場シェア分析、測定基準、グローバルと地域、ベンダー シェア分析が含まれます。調査方法について詳しくは、お問い合わせフォームから当社の業界専門家にご相談ください。

カスタマイズ可能

Data Bridge Market Research は、高度な形成的調査のリーダーです。当社は、既存および新規のお客様に、お客様の目標に合致し、それに適したデータと分析を提供することに誇りを持っています。レポートは、対象ブランドの価格動向分析、追加国の市場理解 (国のリストをお問い合わせください)、臨床試験結果データ、文献レビュー、リファービッシュ市場および製品ベース分析を含めるようにカスタマイズできます。対象競合他社の市場分析は、技術ベースの分析から市場ポートフォリオ戦略まで分析できます。必要な競合他社のデータを、必要な形式とデータ スタイルでいくつでも追加できます。当社のアナリスト チームは、粗い生の Excel ファイル ピボット テーブル (ファクト ブック) でデータを提供したり、レポートで利用可能なデータ セットからプレゼンテーションを作成するお手伝いをしたりすることもできます。

Frequently Asked Questions

The Field Effect Transistor Market is anticipated to surge a 7.30% CAGR by 2028.
The field effect transistor market is segmented on the basis of type, distribution channel, application, and end user.
Asia-Pacific will expect to grow in the field effect transistor market during the forecast period of 2021-2028 due to the increasing demand of consumer electronics, growing number of technological advancements along with major companies will add more proven technologies systematically as well as strategically in the region.
The market sharks are Mouser Electronics, Inc.; Sensitron Semiconductor; SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.; Semiconductor Components Industries, LLC; Solitron Devices Inc.; Vishay Intertechnology, Inc.; NTE Electronics, Inc.; Infineon Technologies AG; Avago Technologies, Limited.; NEC Corporation; STMicroelectronics; TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION; Mitsubishi Electric Corporation; Fuji Electric Co., Ltd.; ROHM CO., LTD.; NXP Semiconductors.; Diodes Incorporated; IXYS Corporation etc,