Marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Amérique du Nord – Tendances et prévisions de l’industrie jusqu’en 2031

North America SiC Power Semiconductor Market Analysis and Size

In electric vehicles (EVs), silicon carbide (SiC) power semiconductors play a crucial role by significantly enhancing the efficiency of power electronics systems such as inverters, onboard chargers, and DC-DC converters. SiC components enable faster switching, reduced energy losses, and better thermal management compared to traditional silicon-based semiconductors. This leads to increased driving range, reduced battery size, and improved overall vehicle performance. The adoption of SiC technology in EVs is driven by the need for more efficient, compact, and reliable power solutions, making it a key application in the growing EV market.

North America SiC power semiconductor market size was valued at USD 2,58,525.40 thousand in 2023 and is projected to reach USD 16,63,328.61 thousand by 2031, with a CAGR of 26.2% during the forecast period of 2024 to 2031.

In addition to the insights on market scenarios such as market value, growth rate, segmentation, geographical coverage, and major players, the market reports curated by the Data Bridge Market Research also include in-depth expert analysis, geographically represented company-wise production and capacity, network layouts of distributors and partners, detailed and updated price trend analysis and deficit analysis of supply chain and demand.

Report Scope and Market Segmentation       

Définition du marché

Les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) sont des composants électroniques avancés fabriqués à partir de carbure de silicium. Ils offrent des performances supérieures à celles des semi-conducteurs traditionnels à base de silicium, notamment une efficacité supérieure, des vitesses de commutation plus rapides et une meilleure conductivité thermique. Ces caractéristiques font des semi-conducteurs de puissance SiC des composants idéaux pour les applications à haute puissance et à haute température telles que les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et les équipements industriels.

Dynamique du marché des semi-conducteurs de puissance SiC

Conducteurs

• Des progrès croissants dans le domaine des énergies renouvelables

Les composants SiC sont essentiels pour améliorer l'efficacité et la fiabilité des systèmes de conversion d'énergie dans les onduleurs solaires et les éoliennes. Ils offrent des performances supérieures à celles des semi-conducteurs traditionnels à base de silicium, permettant une conversion d'énergie plus efficace, une densité de puissance plus élevée et une meilleure gestion thermique. À mesure que le déploiement des systèmes d'énergie renouvelable augmente pour atteindre les objectifs mondiaux de durabilité, la demande de semi-conducteurs SiC augmente, alimentant la croissance du marché et soutenant la transition vers des sources d'énergie plus propres.

• Améliorations croissantes du réseau électrique

La technologie SiC est essentielle pour améliorer l'efficacité et la fiabilité des systèmes de réseau électrique, en particulier dans les applications à courant continu haute tension (HVDC) et les réseaux intelligents . Les semi-conducteurs SiC permettent une conversion d'énergie plus efficace, réduisent les pertes d'énergie et améliorent la gestion thermique par rapport aux composants traditionnels à base de silicium. Cela se traduit par une distribution d'énergie plus stable et plus efficace, favorise l'intégration de sources d'énergie renouvelables et répond à la demande croissante d'électricité de manière écologiquement durable. Par conséquent, l'adoption de la technologie SiC dans les réseaux électriques se développe, stimulant la croissance du marché.

Opportunités

• Adoption croissante des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC)

Les industries s'appuient sur une électronique de puissance efficace pour diverses applications telles que les entraînements de moteurs, les alimentations électriques et les onduleurs. Les dispositifs SiC offrent des caractéristiques de performance supérieures, notamment une efficacité plus élevée, des vitesses de commutation plus rapides et une meilleure conductivité thermique par rapport aux semi-conducteurs traditionnels à base de silicium. Cela permet aux équipements industriels de fonctionner plus efficacement, ce qui se traduit par des économies d'énergie, des coûts de maintenance réduits et une fiabilité accrue. Alors que les industries cherchent à améliorer la productivité et la durabilité, la demande de semi-conducteurs de puissance SiC dans les applications industrielles continue d'augmenter, stimulant la croissance du marché.

• Initiatives gouvernementales croissantes

De nombreux gouvernements du monde entier mettent en œuvre des politiques et des mesures incitatives pour promouvoir l’adoption de véhicules électriques (VE) et de technologies d’énergie renouvelable. Ces initiatives comprennent des subventions, des incitations fiscales et des mandats réglementaires visant à réduire les émissions de carbone et à promouvoir l’efficacité énergétique. En outre, les gouvernements investissent dans des programmes de recherche et développement pour soutenir l’avancement de la technologie SiC, la rendant plus accessible et plus rentable pour diverses applications. Un tel soutien favorise l’innovation et accélère le déploiement des semi-conducteurs de puissance SiC dans tous les secteurs, stimulant ainsi la croissance du marché.

Contraintes/Défis

• Coûts initiaux élevés

Par rapport aux semi-conducteurs traditionnels à base de silicium, les processus de fabrication et les matériaux nécessaires à la technologie SiC nécessitent des investissements initiaux plus élevés. Ces coûts élevés peuvent dissuader les adoptants potentiels, en particulier dans les secteurs où les contraintes budgétaires sont strictes ou où la rentabilité est primordiale. En outre, le coût plus élevé des dispositifs SiC peut allonger la période de retour sur investissement pour les utilisateurs finaux, ce qui a un impact sur leur volonté de passer à la technologie SiC.

• Défis d'intégration élevés

The transition from traditional silicon-based technologies to SiC requires modifications or redesigns of existing systems and infrastructure, which can be complex and costly. Integrating SiC devices may necessitate changes in circuit designs, thermal management systems, and control algorithms, adding complexity to the integration process. Compatibility issues with existing components and subsystems may also arise, requiring thorough testing and validation. Retrofitting SiC technology into legacy systems can be challenging due to differences in electrical characteristics and form factors, limiting its adoption in certain applications and industries.

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Impact and Current Market Scenario of Raw Material Shortage and Shipping Delays

Data Bridge Market Research offers a high-level analysis of the market and delivers information by keeping in account the impact and current market environment of raw material shortage and shipping delays. This translates into assessing strategic possibilities, creating effective action plans, and assisting businesses in making important decisions.

Apart from the standard report, we also offer in-depth analysis of the procurement level from forecasted shipping delays, distributor mapping by region, commodity analysis, production analysis, price mapping trends, sourcing, category performance analysis, supply chain risk management solutions, advanced benchmarking, and other services for procurement and strategic support.

Expected Impact of Economic Slowdown on the Pricing and Availability of Products

When economic activity slows, industries begin to suffer. The forecasted effects of the economic downturn on the pricing and accessibility of the products are taken into account in the market insight reports and intelligence services provided by DBMR. With this, our clients can typically keep one step ahead of their competitors, project their sales and revenue, and estimate their profit and loss expenditures.

Recent Developments

• En décembre 2022, STMicroelectronics et Soitec ont annoncé la prochaine étape de leur coopération sur les substrats en carbure de silicium (SiC), ST prévoyant de qualifier la technologie de substrat SiC de Soitec au cours des 18 prochains mois. Cette collaboration vise à l'adoption de la technologie SmartSiC de Soitec pour la future fabrication de substrats de 200 mm de ST, en soutien à la fabrication de ses dispositifs et modules. La production en volume est attendue à moyen terme, ce qui pourrait dynamiser les finances de ST et contribuer à la croissance du marché nord-américain des semi-conducteurs de puissance SiC
• En juillet 2022, Semikron Danfoss et ROHM Semiconductor, après une collaboration de dix ans, ont fait progresser leur partenariat avec la qualification des derniers MOSFET SiC de 4e génération de ROHM dans les modules eMPack de SEMIKRON pour les applications automobiles. Cette collaboration répond aux besoins des clients mondiaux, améliore les finances des deux entreprises et a un impact positif sur le marché nord-américain des semi-conducteurs de puissance SiC
• En août 2022, Toshiba Corporation a lancé ses MOSFET en carbure de silicium 650 V et 1 200 V de 3e génération, qui permettent de réduire de 20 % les pertes de commutation dans les équipements industriels. Cette innovation vise à améliorer l'efficacité et les performances de l'industrie

Portée du marché des semi-conducteurs de puissance SiC

Le marché est segmenté en fonction du type, de la plage de tension, de la taille et du type de plaquette, de l'application et de la verticale. La croissance parmi ces segments vous aidera à analyser les segments de croissance faibles dans les industries et fournira aux utilisateurs un aperçu précieux du marché et des informations sur le marché pour les aider à prendre des décisions stratégiques pour identifier les principales applications du marché.

Taper

• MOSFET
• Modules hybrides
• Diodes à barrière Schottky (SBDS)
• IGBT
• Transistor à jonction bipolaire (BJT)
• Diode Pin
• FET à jonction (JFET)
• Autres

Plage de tension

• 301-900 V
• 901-1700 V
• Au dessus de 1701 V

Taille de la plaquette

• 6 pouces
• 4 pouces
• 2 pouces
• Au-dessus de 6 pouces

Type de plaquette

• Plaquettes épitaxiales SiC
• Plaquettes de SiC vierges

Application

• Véhicules électriques (VE)
• Photovoltaïque
• Alimentations
• Entraînements de moteurs industriels
• Infrastructure de recharge pour véhicules électriques
• Appareils RF
• Autres

Verticale

• Automobile
• Services publics et énergie
• Industriel
• Transport
• Informatique et télécommunication
• Électronique grand public
• Aérospatiale et défense
• Commercial
• Autres

Analyse/perspectives du marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Amérique du Nord

Le marché est analysé et la taille du marché, les informations sur le volume sont fournies par région, type, plage de tension, taille de plaquette, type de plaquette, application et verticale comme référencé ci-dessus.

Les pays couverts dans le rapport de marché sont les États-Unis, le Canada, le Mexique, le Brésil, l'Argentine et le reste de l'Amérique du Sud, l'Allemagne, l'Italie, le Royaume-Uni, la France, l'Espagne, les Pays-Bas, la Belgique, la Suisse, la Turquie, la Russie, le reste de l'Europe en Europe, le Japon, la Chine, l'Inde, la Corée du Sud, l'Australie, Singapour, la Malaisie, la Thaïlande, l'Indonésie, les Philippines, le reste de l'Asie-Pacifique (APAC), l'Arabie saoudite, les Émirats arabes unis, l'Afrique du Sud, l'Égypte, Israël, le reste du Moyen-Orient et de l'Afrique (MEA).

Les États-Unis devraient dominer le marché en raison de la forte demande de produits semi-conducteurs de puissance SiC. Cette forte demande de modules de puissance et de dispositifs associés devrait stimuler la croissance du marché, positionnant les États-Unis comme un acteur clé de l'expansion du secteur.

La section pays du rapport fournit également des facteurs d'impact sur les marchés individuels et des changements de réglementation sur le marché national qui ont un impact sur les tendances actuelles et futures du marché. Des points de données tels que l'analyse de la chaîne de valeur en aval et en amont, les tendances techniques et l'analyse des cinq forces de Porter, les études de cas sont quelques-uns des indicateurs utilisés pour prévoir le scénario de marché pour les différents pays. En outre, la présence et la disponibilité des marques mondiales et les défis auxquels elles sont confrontées en raison de la concurrence importante ou rare des marques locales et nationales, l'impact des tarifs nationaux et les routes commerciales sont pris en compte tout en fournissant une analyse prévisionnelle des données nationales.

Analyse du paysage concurrentiel et des parts de marché des semi-conducteurs de puissance SiC

Le paysage concurrentiel du marché fournit des détails par concurrent. Les détails inclus sont la présentation de l'entreprise, les finances de l'entreprise, les revenus générés, le potentiel du marché, les investissements dans la recherche et le développement, les nouvelles initiatives du marché, la présence mondiale, les sites et installations de production, les capacités de production, les forces et les faiblesses de l'entreprise, le lancement du produit, la largeur et l'étendue du produit, la domination des applications. Les points de données ci-dessus fournis ne concernent que l'orientation des entreprises par rapport au marché.

Certains des principaux acteurs opérant sur le marché sont

• WOLFSPEED, INC. (États-Unis)
• STMicroelectronics (Suisse)
• ROHM CO., LTD. (Japon)
• Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
• Mitsubishi Electric Corporation (Japon)
• Texas Instruments Incorporated (États-Unis)
• Infineon Technologies AG (Allemagne)
• Semikron Danfoss (Allemagne)
• Renesas Electronics Corporation (Japon)
• TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
• Microchip Technology Inc. (États-Unis)
• Semiconductor Components Industries, LLC (États-Unis)
• NXP Semiconductors (Pays-Bas)
• UnitedSiC (États-Unis)
• SemiQ Inc. (États-Unis)
• Littelfuse, Inc. (États-Unis)
• Allegro MicroSystems, Inc. (États-Unis)
• Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japon)
• GeneSiC Semiconductor Inc. (États-Unis)

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