Global Silicon Carbide Power Semiconductors Market – Industry Trends and Forecast to 2031

Analyse et taille du marché des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium

Dans les systèmes d'énergie renouvelable, les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) jouent un rôle crucial dans l'amélioration de l'efficacité et des performances des onduleurs solaires et des convertisseurs d'éoliennes. Les dispositifs SiC permettent une conversion d'énergie plus efficace, réduisant les pertes d'énergie et améliorant l'efficacité globale des systèmes d'énergie renouvelable. Les entreprises de semi-conducteurs de puissance SiC contribuent à une meilleure intégration au réseau et à des solutions de stockage d'énergie, soutenant la croissance et la fiabilité des sources d'énergie renouvelables telles que l'énergie solaire et éolienne.

Français La taille du marché mondial des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium a été évaluée à 1 950 156,00 milliers USD en 2023 et devrait atteindre 11 508 292,90 milliers USD d’ici 2031, avec un TCAC de 25,1 % au cours de la période de prévision de 2024 à 2031. En plus des informations sur les scénarios de marché tels que la valeur marchande, le taux de croissance, la segmentation, la couverture géographique et les principaux acteurs, les rapports de marché organisés par Data Bridge Market Research comprennent également une analyse approfondie des experts, une production et une capacité géographiquement représentées par l’entreprise, des configurations de réseau de distributeurs et de partenaires, une analyse détaillée et mise à jour des tendances des prix et une analyse du déficit de la chaîne d’approvisionnement et de la demande.

Portée du rapport et segmentation du marché       

Définition du marché

Les semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium (SiC) sont des composants électroniques avancés qui utilisent le carbure de silicium comme matériau semi-conducteur au lieu du silicium traditionnel. Les semi-conducteurs de puissance en SiC offrent une efficacité supérieure, des pertes de puissance inférieures et des températures de fonctionnement plus élevées, ce qui leur permet de gérer des tensions et des courants élevés avec une taille et un poids réduits, ce qui les rend idéaux pour les applications dans les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique de puissance industrielle.

Dynamique du marché des semi-conducteurs de puissance en carbure de silicium

Conducteurs

• Adoption croissante des véhicules électriques (VE)

Les dispositifs SiC améliorent l'efficacité et les performances des groupes motopropulseurs des véhicules électriques en permettant des vitesses de commutation plus rapides, des pertes de puissance plus faibles et une meilleure gestion thermique par rapport aux semi-conducteurs traditionnels à base de silicium. Cela se traduit par des autonomies plus longues, des temps de charge plus courts et des performances globales améliorées du véhicule. Alors que le marché des véhicules électriques se développe rapidement, stimulé par la demande croissante des consommateurs et les politiques gouvernementales de soutien, le besoin d'électronique de puissance avancée telle que les semi-conducteurs SiC devient de plus en plus critique, alimentant la croissance du marché des semi-conducteurs de puissance SiC.

• Progrès technologiques croissants dans les semi-conducteurs de puissance SiC

Les innovations en matière de qualité des matériaux SiC et de procédés de fabrication ont considérablement amélioré les performances et la rentabilité de ces semi-conducteurs. Les techniques de fabrication améliorées ont permis d'augmenter les rendements et de réduire les défauts, ce qui rend les dispositifs SiC plus fiables et plus viables commercialement. En outre, le développement de nouveaux modules de puissance SiC et de nouvelles technologies de conditionnement a élargi leur gamme d'applications, permettant des performances supérieures dans des environnements à haute température et haute tension.

Opportunités

• Des politiques gouvernementales en pleine croissance

De nombreux gouvernements du monde entier mettent en œuvre des réglementations et des mesures incitatives pour réduire les émissions de carbone et favoriser la transition vers des sources d’énergie plus propres. Des politiques telles que des subventions pour les projets d’énergie renouvelable, des incitations fiscales pour les fabricants de véhicules électriques et des normes strictes d’efficacité énergétique encouragent l’utilisation de technologies avancées telles que les semi-conducteurs SiC. Ces initiatives stimulent la demande de dispositifs SiC et soutiennent les efforts de recherche et développement, favorisant ainsi l’innovation et la croissance sur le marché.

• L'automatisation industrielle en plein essor

Les dispositifs SiC offrent des avantages tels qu'une densité de puissance plus élevée, des vitesses de commutation plus rapides et des pertes réduites, ce qui les rend idéaux pour les convertisseurs de puissance, les entraînements de moteurs et d'autres systèmes d'automatisation industrielle. Ces semi-conducteurs permettent une meilleure efficacité énergétique, des facteurs de forme plus petits et une fiabilité accrue des équipements industriels, contribuant ainsi à des économies de coûts et à des performances améliorées. Alors que les industries continuent d'automatiser les processus pour gagner en efficacité et en productivité, la demande de semi-conducteurs de puissance SiC dans l'automatisation industrielle devrait augmenter considérablement.

Contraintes/Défis

• Coûts initiaux élevés

L'investissement initial requis pour les dispositifs SiC, y compris l'équipement de fabrication, les matériaux et le développement, est souvent plus élevé que pour les homologues traditionnels à base de silicium. Cela peut dissuader les adoptants potentiels, en particulier dans les industries ou les applications sensibles aux coûts. En outre, le besoin d'expertise et d'infrastructure spécialisées pour la fabrication et la mise en œuvre du SiC augmente encore les dépenses initiales. Les avantages à long terme du SiC, tels qu'une efficacité et une fiabilité accrues, augmentent ses coûts, ce qui constitue la barrière financière initiale qui freine l'adoption généralisée des semi-conducteurs de puissance SiC.

• L'incertitude réglementaire limite les semi-conducteurs de puissance SiC

Les changements de réglementation ou de normes liés à l'électronique de puissance et aux matériaux semi-conducteurs peuvent introduire de l'imprévisibilité et de la complexité dans l'environnement du marché. La conformité aux exigences réglementaires en constante évolution peut nécessiter des modifications coûteuses des processus de fabrication ou de la conception des produits, ce qui a un impact sur les délais et les coûts de production. De plus, l'incertitude entourant les futurs cadres réglementaires peut décourager les investissements dans le développement et l'adoption de la technologie SiC, entravant ainsi la croissance du marché.

This market report provides details of new recent developments, trade regulations, import-export analysis, production analysis, value chain optimization, market share, impact of domestic and localized market players, analyses opportunities in terms of emerging revenue pockets, changes in market regulations, strategic market growth analysis, market size, category market growths, application niches and dominance, product approvals, product launches, geographic expansions, technological innovations in the market. To gain more info on the market, contact data bridge market research for an analyst brief, our team will help you take an informed market decision to achieve market growth.

Impact and Current Market Scenario of Raw Material Shortage and Shipping Delays

Data Bridge Market Research offers a high-level analysis of the market and delivers information by keeping in account the impact and current market environment of raw material shortage and shipping delays. This translates into assessing strategic possibilities, creating effective action plans, and assisting businesses in making important decisions.

Apart from the standard report, we also offer in-depth analysis of the procurement level from forecasted shipping delays, distributor mapping by region, commodity analysis, production analysis, price mapping trends, sourcing, category performance analysis, supply chain risk management solutions, advanced benchmarking, and other services for procurement and strategic support.

Expected Impact of Economic Slowdown on the Pricing and Availability of Products

When economic activity slows, industries begin to suffer. The forecasted effects of the economic downturn on the pricing and accessibility of the products are taken into account in the market insight reports and intelligence services provided by DBMR. With this, our clients can typically keep one step ahead of their competitors, project their sales and revenue, and estimate their profit and loss expenditures.

Recent Developments

• In December 2022, STMicroelectronics and Soitec announced a cooperation on Silicon Carbide (SiC) substrates, aiming to qualify Soitec's SmartSiC technology for ST's future 200mm substrate manufacturing. This collaboration targets volume production in the midterm, intending to bolster ST's financials and contribute to the growth of the global SiC power semiconductor market
• In November 2022, Infineon Technologies signed a non-binding Memorandum of Understanding for multi-year supply cooperation of silicon carbide (SiC) semiconductors with Stellantis's direct Tier 1 suppliers. This agreement, valued at over EUR 1 billion, aims to supply CoolSiC "bare die" chips in the latter half of the decade, positively impacting Infineon's financials and fostering growth in the global SiC power semiconductor market

Silicon Carbide Power Semiconductors Market Scope

The market is segmented into six notable segments which are based on type, wafer type, voltage range, wafer size, application, and vertical.  The growth amongst these segments will help you analyze meagre growth segments in the industries and provide the users with a valuable market overview and market insights to help them make strategic decisions for identifying core market applications.

Type

• Mosfets
• Schottky Barrier Diodes (SBDs)
• Bipolar Junction Transistor (BJT)
• Hybrid Modules
• SiC Bare Die
• Pin Diode
• Junction FET
• Others

Wafer Type

• SiC Epitaxial Wafers
• Blank SiC Wafers

Voltage Range

• 301 V to 900 V
• 901 V to 1700 V
• 1701 V & Above
• Less than 300 V

Wafer Size

• 2 Inch, 3 Inch and 4 Inch
• 6 Inch
• 8 & 12 Inch

Application

• Electric Vehicle (EV)
• Inverters
• Power Supplies
• Photovoltaics
• RF Devices
• Industrial Motor Drives
• Others

Vertical

• Automotive and Transportation
• Data Centers
• Industrial
• Renewables/Grids
• Consumer Electronics
• Aerospace and Defense
• Medical
• Others

Silicon Carbide Power Semiconductors Market Analysis/Insights

The market is segmented into six notable segments which are based on type, wafer type, voltage range, wafer size, application, and vertical.

The countries covered in this market report are U.S., Canada, Mexico, Germany, U.K., France, Italy, Netherlands, Spain, Russia, Switzerland, Turkey, Belgium, Poland, Sweden, Denmark, Norway, Finland, and Rest of Europe, China, Japan, India, South Korea, Australia, Taiwan, Singapore, Thailand, Indonesia, Malaysia, Philippines, New Zealand, Vietnam, and Rest of Asia-Pacific, Brazil, Argentina, and Rest of South America, Saudi Arabia, U.A.E, Israel, South Africa, Egypt, Qatar, Kuwait, Bahrain, Oman, and Rest of Middle East and Africa.

North America is expected to dominate the market due to the increasing adoption of electric vehicles in the region. Its robust technological ecosystem, extensive research and development efforts, and a notable uptick in electric vehicle usage. With a conducive environment for innovation and a growing emphasis on sustainable transportation solutions, the U.S. is as likely to spearhead advancements in silicon carbide power semiconductor technology, further consolidating its dominance in the market.

Europe is expected to grow in the market due to its advanced technology infrastructure and robust research and development capabilities. With a strong emphasis on sustainable and efficient energy solutions, Germany is at the forefront of innovation in fields such as renewable energy, electric mobility, and industrial automation. The country's strategic investments in cutting-edge technologies, coupled with a skilled workforce and supportive regulatory environment, position it as a key player in driving technological advancements and addressing global challenges related to energy efficiency and sustainability.

The country section of the report also provides individual market impacting factors and changes in regulation in the market domestically that impacts the current and future trends of the market. Data points such as down-stream and upstream value chain analysis, technical trends and porter's five forces analysis, case studies are some of the pointers used to forecast the market scenario for individual countries. Also, the presence and availability of global brands and their challenges faced due to large or scarce competition from local and domestic brands, impact of domestic tariffs and trade routes are considered while providing forecast analysis of the country data.

Competitive Landscape and Silicon Carbide Power Semiconductors Market Share Analysis

The market competitive landscape provides details by competitor. Details included are company overview, company financials, revenue generated, market potential, investment in research and development, new market initiatives, Global presence, production sites and facilities, production capacities, company strengths and weaknesses, product launch, product width and breadth, application dominance. The above data points provided are only related to the companies' focus related the market.

Some of the major players operating in the market are:

• Infineon Technologies AG (Germany)
• STMicroelectronics (Switzerland)
• WOLFSPEED, INC. (U.S.)
• Renesas Electronics Corporation (Japan)
• Semiconductor Components Industries, LLC (U.S.)
• Mitsubishi Electric Corporation (Japan)
• ROHM CO., LTD. (Japan)
• Qorvo, Inc (U.S.)
• Nexperia (Netherlands)
• TOSHIBA CORPORATION (Japan)
• Allegro MicroSystems, Inc. (U.S.)
• GeneSiC Semiconductor Inc. (U.S.)
• Fuji Electric Co., Ltd (Japan)
• Vishay Intertechnology, Inc. (U.S.)
• Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Japan)
• Littelfuse, Inc. (U.S.)
• Texas Instruments Incorporated (U.S.)
• Microchip Technology Inc. (U.S.)
• Semikron Danfoss (Germany)
• WeEn Semiconductors (China)
• Solitron Devices, Inc. (U.S.)
• SemiQ Inc. (U.S.)
• Xiamen Powerway Advanced Material (China)
• MaxPower Semiconductor (China)

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