Marché mondial du carbure de silicium (SiC) – Tendances et prévisions de l'industrie jusqu'en 2030

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Marché mondial du carbure de silicium (SiC) – Tendances et prévisions de l'industrie jusqu'en 2030

  • Chemical and Materials
  • Upcoming Reports
  • Jul 2023
  • Global
  • 350 Pages
  • Nombre de tableaux : 220
  • Nombre de figures : 60

Global Silicon Carbide Market

Taille du marché en milliards USD

TCAC :  % Diagram

Diagram Période de prévision
2023 –2030
Diagram Taille du marché (année de référence)
USD 1,035.65 Million
Diagram Taille du marché (année de prévision)
USD 3,212.42 Million
Diagram TCAC
%
Diagram Principaux acteurs du marché
  • Infineon Technologies AG
  • Cree
  • ROHM Co.
  • Microsemi
  • STMelectronics

>Marché mondial du carbure de silicium (SiC), par produit (carbure de silicium noir et carbure de silicium vert), dispositif (dispositifs discrets SIC et matrice nue SIC), taille de la plaquette (2 pouces, 4 pouces, 6 pouces et plus), application (dispositif RF et station de base cellulaire, dispositif de réseau électrique, systèmes de transmission CA flexibles, haute tension, courant continu, alimentation et onduleur, contrôle d'éclairage, entraînement de moteur industriel, détecteur de flamme, entraînement de moteur EV, charge EV, système de combat électronique, énergie éolienne, énergie solaire et autres), vertical (télécommunications, énergie et électricité, automobile, production d'énergie renouvelable, défense, électronique de puissance et autres) - Tendances et prévisions de l'industrie jusqu'en 2030.

Marché du carbure de silicium (SiC)

Analyse et taille du marché du carbure de silicium (SiC)  

Le carbure de silicium (SiC) peut fonctionner à des températures élevées, à des tensions élevées ou les deux, et son petit facteur de forme, le carbure de silicium, est largement utilisé dans la fabrication de semi-conducteurs. En outre, la demande mondiale d'électronique grand public intelligente augmente de manière exponentielle, créant des opportunités d'expansion du marché du carbure de silicium. Ces facteurs ont encore accru la croissance globale du marché. Grâce à ses propriétés de large bande interdite, le carbure de silicium gagne en importance en tant que technologie courante pour l'électronique de puissance efficace.

Data Bridge Market Research analyse que le marché du carbure de silicium (SiC), qui était de 1 035,65 millions USD en 2022, devrait grimper à 3 212,42 millions USD d'ici 2030 et devrait connaître un TCAC de 15,20 % au cours de la période de prévision de 2023 à 2030.  

L'électronique de puissance domine le segment vertical du marché du carbure de silicium (SiC) en raison de ses avantages significatifs par rapport aux dispositifs traditionnels à base de silicium, notamment une efficacité plus élevée, des vitesses de commutation plus rapides et une meilleure conductivité thermique. Ces caractéristiques rendent le carbure de silicium idéal pour les applications d'électronique de puissance, telles que les dispositifs de réseau électrique, les systèmes de transmission CA flexibles, le courant continu haute tension, les alimentations électriques, les onduleurs, les entraînements de moteurs industriels, les entraînements de moteurs EV, etc. En plus des informations sur les scénarios de marché tels que la valeur marchande, le taux de croissance, la segmentation, la couverture géographique et les principaux acteurs, les rapports de marché organisés par Data Bridge Market Research comprennent également une analyse approfondie des experts, une production et une capacité géographiquement représentées par entreprise, des configurations de réseau de distributeurs et de partenaires, une analyse détaillée et mise à jour des tendances des prix et une analyse des déficits de la chaîne d'approvisionnement et de la demande

Portée et segmentation du marché du carbure de silicium (SiC)

Rapport métrique

Détails

Période de prévision

2023 à 2030

Année de base

2022

Années historiques

2021 (personnalisable de 2015 à 2020)

Unités quantitatives

Chiffre d'affaires en millions USD, volumes en unités, prix en USD

Segments couverts

Product (Black Silicon Carbide, and Green Silicon Carbide), Device (SIC Discrete Devices and SIC Bare Die), Wafer Size (2 Inch, 4 Inch, 6-Inch and Above), Application (RF Device and Cellular Base Station, Power Grid Device, Flexible AC Transmission Systems, High-Voltage, Direct Current, Power Supply and Inverter, Lighting Control, Industrial Motor Drive, Flame Detector, EV Motor Drive, EV Charging, Electronic Combat System, Wind Energy, Solar Energy, and Others), Vertical (Telecommunication, Energy and Power, Automotive, Renewable Power Generation, Defense, Power Electronics, and Others)

Countries Covered

North America (U.S., Canada, and Mexico), South America (Brazil, Argentina, and rest of South America), Europe (Germany, France, Italy, U.K., Belgium, Spain, Russia, Turkey, Netherlands, Switzerland, and the rest of Europe), Asia-Pacific (Japan, China, India, South Korea, Australia, Singapore, Malaysia, Thailand, Indonesia, Philippines, and the rest of Asia-Pacific), Middle East and Africa (U.A.E, Saudi Arabia, Egypt, South Africa, Israel, and the rest of Middle East and Africa)

Market Players Covered

Infineon Technologies AG (Germany), Cree, Inc. (U.S.), ROHM Co., Ltd. (Japan), Microsemi (U.S.),  STMelectronics (Switzerland), Fuji Electric Co., Ltd.  (Japan), Semiconductor Components Industries, LLC (U.S.) General Electric (U.S.), Toshiba Corporation (Japan), Renesas Electronics Corporation (Japan), Microchip Technology Inc. (U.S.), Grindwell Norton Limited (India), Dow (U.S.), CUMI (India), and Entegris (U.S.)

Market Opportunities

  • The increasing demand for power electronics
  • The growing emphasis on energy efficiency
  • The rising adoption of electric vehicles

Market Definition

Silicon carbide is a compound that acts as a steel production deoxidizing agent. Silicon carbide is primarily dissolved in an oxygen furnace to generate huge amounts of hot steel and scrap. The item’s low sulfur, nitrogen, silicomanganese or ferrosilicon, and aluminum content make it a cost-effective material. The compound possesses three times the band gap, ten times the critical strength of the electric field, and three times the thermal conductivity compared to silicon.

Silicon Carbide (SiC) Market Dynamics

Drivers:

  • Growing demand from oil and gas industry

The oil and gas industry is a significant Silicon Carbide (SiC) market driver. Silicon carbides (SiC) are extensively used in the oil and gas sector for separating and purifying gases, removing impurities, and dehydration processes. With the increasing global energy demand and exploration of unconventional oil and gas reserves, the demand for Silicon Carbide (SiC) is expected to rise.

  • Growing emphasis on energy efficiency

Les dispositifs à base de carbure de silicium offrent des pertes de puissance plus faibles et une efficacité énergétique supérieure à celles des dispositifs traditionnels à base de silicium. Alors que la consommation d'énergie et les préoccupations environnementales continuent d'augmenter, les industries et les gouvernements du monde entier se concentrent sur des solutions économes en énergie. L'utilisation du carbure de silicium améliore l'efficacité énergétique dans diverses applications telles que la production d'électricité, la transmission et les véhicules électriques.

  • Adoption croissante des véhicules électriques

Les véhicules électriques (VE) gagnent en popularité en tant que solution de transport durable. Le carbure de silicium est un matériau clé utilisé dans l'électronique de puissance des VE pour améliorer l'efficacité énergétique et prolonger l'autonomie de conduite. L'adoption croissante des véhicules électriques à l'échelle mondiale stimule la demande de carbure de silicium.

Opportunités

  • Développement de semi-conducteurs de puissance à large bande interdite

Les semi-conducteurs à large bande interdite, notamment le carbure de silicium, suscitent de plus en plus d'intérêt en tant qu'alternatives aux dispositifs traditionnels à base de silicium. Les semi-conducteurs à large bande interdite offrent des tensions de claquage plus élevées, des pertes plus faibles et des températures de fonctionnement plus élevées, ce qui les rend idéaux pour les applications d'électronique de puissance.

  • Progrès de la technologie 5G

Le déploiement des réseaux 5G nécessite des dispositifs RF avancés capables de fonctionner à des fréquences élevées. Le carbure de silicium offre d'excellentes performances RF, notamment une capacité de gestion de puissance élevée, de faibles pertes et une conductivité thermique élevée. À mesure que l'adoption mondiale de la technologie 5G se développe, la demande de dispositifs RF à base de carbure de silicium augmentera, offrant des opportunités de croissance du marché.

Défis/Restrictions

  • Complexe dans l'intégration des matériaux et la conception des appareils

Le carbure de silicium présente des propriétés et des caractéristiques matérielles différentes de celles des matériaux semi-conducteurs traditionnels comme le silicium. L'intégration du carbure de silicium dans les processus de fabrication existants et la conception de dispositifs efficaces peuvent s'avérer techniquement difficiles. Cela peut entraver l'adoption du carbure de silicium dans diverses applications et industries et ralentir la croissance du marché.

  • Disponibilité limitée des matières premières

Le carbure de silicium nécessite des matières premières spécifiques telles que des précurseurs de silicium et de carbone de haute pureté. La disponibilité de ces matières premières peut être limitée et soumise à des défis liés à la chaîne d'approvisionnement. Toute perturbation ou fluctuation de l'approvisionnement en matières premières peut avoir un impact sur la production et la disponibilité du carbure de silicium, entraînant des contraintes d'approvisionnement potentielles et une instabilité du marché.

  • Coûts de fabrication élevés

Le processus de fabrication du carbure de silicium implique des techniques complexes et énergivores, notamment des procédés à haute température et des équipements spécialisés. Ces facteurs contribuent à des coûts de fabrication plus élevés que ceux des matériaux traditionnels tels que le silicium. Le coût de production élevé peut limiter l'adoption généralisée du carbure de silicium, en particulier sur les marchés sensibles aux prix, et constituer un frein à la croissance du marché.

  • Défis réglementaires et de conformité

L'utilisation du carbure de silicium dans certaines applications, telles que l'automobile et l'aérospatiale, peut être soumise à des exigences réglementaires et à des normes de conformité. Le respect de ces normes et l'obtention des certifications nécessaires peuvent ajouter de la complexité et des coûts aux processus de fabrication et de déploiement. Les défis réglementaires et les exigences de conformité peuvent constituer des barrières à l'entrée pour les entreprises et avoir un impact sur la croissance du marché du carbure de silicium.

Ce rapport sur le marché du carbure de silicium (SiC) fournit des détails sur les nouveaux développements récents, les réglementations commerciales, l'analyse des importations et des exportations, l'analyse de la production, l'optimisation de la chaîne de valeur, la part de marché, l'impact des acteurs du marché national et localisé, les opportunités d'analyse en termes de poches de revenus émergentes, les changements dans la réglementation du marché, l'analyse stratégique de la croissance du marché, la taille du marché, la croissance du marché des catégories, les niches d'application et la domination, les approbations de produits, les lancements de produits, les expansions géographiques, les innovations technologiques sur le marché. Pour obtenir plus d'informations sur le marché du carbure de silicium (SiC), contactez Data Bridge Market Research pour un briefing d'analyste, notre équipe vous aidera à prendre une décision de marché éclairée pour atteindre la croissance du marché.

Développement récent

  • En septembre 2022, AIXTRON SE, l'un des principaux fournisseurs d'équipements pour semi-conducteurs, a récemment lancé son système G10-SiC 200 mm de nouvelle génération pour l'épitaxie au carbure de silicium. Ce système avancé est conçu pour la fabrication en grande série de dispositifs de puissance SiC de dernière génération sur des plaquettes SiC de 150/200 mm. Le lancement a eu lieu lors de la Conférence internationale sur le carbure de silicium et les matériaux connexes (ICSCRM) à Davos, en Suisse. Le nouveau système G10-SiC s'appuie sur la plate-forme G5 WW C 150 mm établie d'AIXTRON et offre une configuration flexible de taille de plaquette double de 9 × 150 et 6 × 200 mm. Cette configuration facilite la transition de l'industrie du SiC d'un diamètre de plaquette de 150 mm à 200 mm, prenant en charge l'évolutivité future

Portée du marché mondial du carbure de silicium (SiC)

Le marché du carbure de silicium (SiC) est segmenté en fonction du produit, de l'appareil, de la taille de la plaquette, de l'application et du secteur vertical. La croissance parmi ces segments vous aidera à analyser les segments de croissance faibles dans les industries et fournira aux utilisateurs un aperçu précieux du marché et des informations sur le marché pour les aider à prendre des décisions stratégiques pour identifier les principales applications du marché.

Produit

  • Carbure de silicium noir
  • Carbure de silicium vert

Appareil

  • Dispositifs discrets SIC
  • Matrice nue SIC

Taille de la plaquette

  • 2 pouces
  • 4 pouces
  • 6 pouces et plus

Application

  • Appareil RF et station de base cellulaire
  • Dispositif de réseau électrique
  • Systèmes de transmission flexibles en courant alternatif
  • Haute tension
  • Courant continu
  • Alimentation et onduleur
  • Contrôle de l'éclairage
  • Entraînement de moteur industriel
  • Détecteur de flamme
  • Entraînement par moteur électrique
  • Recharge de véhicules électriques
  • Système de combat électronique
  • Énergie éolienne
  • Énergie solaire
  • Autres

Verticale

  • Télécommunication
  • Énergie et puissance
  • Automobile
  • Production d'énergie renouvelable
  • Défense
  • Électronique de puissance
  • Autres

Analyse/perspectives régionales du marché du carbure de silicium (SiC)

Le marché du carbure de silicium (SiC) est analysé et des informations sur la taille et les tendances du marché sont fournies par produit, appareil, taille de plaquette, application et vertical, référencés ci-dessus.

Les pays couverts dans le rapport sur le marché du carbure de silicium (SiC) sont les États-Unis, le Canada et le Mexique en Amérique du Nord, le Brésil, l'Argentine et le reste de l'Amérique du Sud en Amérique du Sud, l'Allemagne, la France, l'Italie, le Royaume-Uni, la Belgique, l'Espagne, la Russie, la Turquie, les Pays-Bas, la Suisse et le reste de l'Europe, le Japon, la Chine, l'Inde, la Corée du Sud, l'Australie, Singapour, la Malaisie, la Thaïlande, l'Indonésie, les Philippines et le reste de l'Asie-Pacifique en Asie-Pacifique, et les Émirats arabes unis, l'Arabie saoudite, l'Égypte, l'Afrique du Sud, Israël et le reste du Moyen-Orient et de l'Afrique.

L'Asie-Pacifique domine le marché du carbure de silicium (SiC) en raison du niveau élevé d'investissement dans les infrastructures et du secteur manufacturier en pleine croissance dans des pays comme l'Inde et la Chine dans la région.

L’Amérique du Nord devrait être le marché qui connaîtra la croissance la plus rapide entre 2023 et 2030, en raison de l’adoption croissante des véhicules électriques (VE) dans la région et des initiatives et financements gouvernementaux de soutien.

La section pays du rapport fournit également des facteurs d'impact sur les marchés individuels et des changements de réglementation sur le marché national qui ont un impact sur les tendances actuelles et futures du marché. Des points de données tels que l'analyse de la chaîne de valeur en aval et en amont, les tendances techniques et l'analyse des cinq forces de Porter, ainsi que des études de cas sont quelques-uns des indicateurs utilisés pour prévoir le scénario de marché pour chaque pays. En outre, la présence et la disponibilité des marques mondiales et les défis auxquels elles sont confrontées en raison de la concurrence importante ou rare des marques locales et nationales, l'impact des tarifs nationaux et les routes commerciales sont pris en compte lors de l'analyse prévisionnelle des données nationales.   

Analyse du paysage concurrentiel et des parts de marché du carbure de silicium (SiC)

Le paysage concurrentiel du marché du carbure de silicium (SiC) fournit des détails par concurrents. Les détails inclus sont la présentation de l'entreprise, les finances de l'entreprise, les revenus générés, le potentiel du marché, les investissements dans la recherche et le développement, les nouvelles initiatives du marché, la présence mondiale, les sites et installations de production, les capacités de production, les forces et les faiblesses de l'entreprise, le lancement du produit, la largeur et l'étendue du produit, la domination des applications. Les points de données ci-dessus fournis ne concernent que l'orientation des entreprises par rapport au marché.

Certains des principaux acteurs opérant sur le marché du carbure de silicium (SiC) sont :

  • Infineon Technologies AG (Allemagne)
  • Cree, Inc. (États-Unis)
  • ROHM Co., Ltd. (Japon)
  • Microsemi (États-Unis)
  • STMelectronics (Suisse)
  • Fuji Electric Co., Ltd. (Japon)
  • Semiconductor Components Industries, LLC (États-Unis)
  • General Electric (États-Unis)
  • Toshiba Corporation (Japon)
  • Renesas Electronics Corporation (Japon)
  • Microchip Technology Inc., (États-Unis)
  • Grindwell Norton Limited (Inde)
  • Dow (États-Unis)
  • CUMI (Inde)
  • Entegris (États-Unis)


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Méthodologie de recherche

La collecte de données et l'analyse de l'année de base sont effectuées à l'aide de modules de collecte de données avec des échantillons de grande taille. L'étape consiste à obtenir des informations sur le marché ou des données connexes via diverses sources et stratégies. Elle comprend l'examen et la planification à l'avance de toutes les données acquises dans le passé. Elle englobe également l'examen des incohérences d'informations observées dans différentes sources d'informations. Les données de marché sont analysées et estimées à l'aide de modèles statistiques et cohérents de marché. De plus, l'analyse des parts de marché et l'analyse des tendances clés sont les principaux facteurs de succès du rapport de marché. Pour en savoir plus, veuillez demander un appel d'analyste ou déposer votre demande.

La méthodologie de recherche clé utilisée par l'équipe de recherche DBMR est la triangulation des données qui implique l'exploration de données, l'analyse de l'impact des variables de données sur le marché et la validation primaire (expert du secteur). Les modèles de données incluent la grille de positionnement des fournisseurs, l'analyse de la chronologie du marché, l'aperçu et le guide du marché, la grille de positionnement des entreprises, l'analyse des brevets, l'analyse des prix, l'analyse des parts de marché des entreprises, les normes de mesure, l'analyse globale par rapport à l'analyse régionale et des parts des fournisseurs. Pour en savoir plus sur la méthodologie de recherche, envoyez une demande pour parler à nos experts du secteur.

Personnalisation disponible

Data Bridge Market Research est un leader de la recherche formative avancée. Nous sommes fiers de fournir à nos clients existants et nouveaux des données et des analyses qui correspondent à leurs objectifs. Le rapport peut être personnalisé pour inclure une analyse des tendances des prix des marques cibles, une compréhension du marché pour d'autres pays (demandez la liste des pays), des données sur les résultats des essais cliniques, une revue de la littérature, une analyse du marché des produits remis à neuf et de la base de produits. L'analyse du marché des concurrents cibles peut être analysée à partir d'une analyse basée sur la technologie jusqu'à des stratégies de portefeuille de marché. Nous pouvons ajouter autant de concurrents que vous le souhaitez, dans le format et le style de données que vous recherchez. Notre équipe d'analystes peut également vous fournir des données sous forme de fichiers Excel bruts, de tableaux croisés dynamiques (Fact book) ou peut vous aider à créer des présentations à partir des ensembles de données disponibles dans le rapport.

Questions fréquemment posées

The market is segmented based on Global Silicon Carbide (SiC) Market, By Product (Black Silicon Carbide, and Green Silicon Carbide), Device (SIC Discrete Devices, and SIC Bare Die), Wafer Size (2 Inch, 4 Inch, 6-Inch and Above), Application (RF Device and Cellular Base Station, Power Grid Device, Flexible AC Transmission Systems, High-Voltage, Direct Current, Power Supply and Inverter, Lighting Control, Industrial Motor Drive, Flame Detector, EV Motor Drive, EV Charging, Electronic Combat System, Wind Energy, Solar Energy, and Others), Vertical (Telecommunication, Energy and Power, Automotive, Renewable Power Generation, Defense, Power electronics, and Others) - Industry Trends and Forecast to 2030. .
The Global Silicon Carbide Market size was valued at USD 1035.65 USD Million in 2022.
The Global Silicon Carbide Market is projected to grow at a CAGR of 15.2% during the forecast period of 2023 to 2030.
The major players operating in the market include Infineon Technologies AG, Cree , ROHM Co. , Microsemi, STMelectronics, Fuji Electric Co. , Semiconductor Components Industries LLC, General Electric, Toshiba Corporation, Renesas Electronics Corporation, Microchip Technology , Grindwell Norton Limited, Dow, CUMI, Entegris -.
The market report covers data from the North America (U.S., Canada, and Mexico), South America (Brazil, Argentina, and rest of South America), Europe (Germany, France, Italy, U.K., Belgium, Spain, Russia, Turkey, Netherlands, Switzerland, and the rest of Europe), Asia-Pacific (Japan, China, India, South Korea, Australia, Singapore, Malaysia, Thailand, Indonesia, Philippines, and the rest of Asia-Pacific), Middle East and Africa (U.A.E, Saudi Arabia, Egypt, South Africa, Israel, and the rest of Middle East and Africa).