Marché mondial des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) – Tendances et prévisions de l’industrie jusqu’en 2029

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Marché mondial des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) – Tendances et prévisions de l’industrie jusqu’en 2029

  • Semiconductors and Electronics
  • Upcoming Reports
  • Oct 2022
  • Global
  • 350 Pages
  • Nombre de tableaux : 220
  • Nombre de figures : 60

>Marché mondial des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT), par type (IGBT discret, IGBT modulaire), puissance nominale (haute puissance, moyenne puissance, faible puissance), utilisateur final (automobile, électronique grand public, communication, industrie, autres secteurs d'utilisation finale) - Tendances et prévisions de l'industrie jusqu'en 2029.

Marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)

Analyse et taille du marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)

La demande de semi-conducteurs discrets a considérablement augmenté ces dernières années et devrait encore augmenter au cours de la période de prévision. La demande de dispositifs à haute énergie et à faible consommation propulse l'industrie des semi-conducteurs discrets vers l'avant. Les fabricants de produits électroniques privilégient les composants rapides, compacts et capables d'augmenter l'efficacité des produits. Ces déterminants de la croissance du marché contribueront à la croissance globale du marché.

Data Bridge Market Research analyse le marché des semi-conducteurs discrets à transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), qui a connu une croissance de 12,57 milliards USD en 2021 et devrait atteindre la valeur de 31,66 milliards USD d'ici 2029, à un TCAC de 11,30 % au cours de la période de prévision 2022-2029. En plus des informations sur le marché telles que la valeur du marché, le taux de croissance, les segments de marché, la couverture géographique, les acteurs du marché et le scénario du marché, le rapport de marché organisé par l'équipe Data Bridge Market Research comprend une analyse approfondie des experts, une analyse des importations/exportations, une analyse des prix, une analyse de la consommation de production et une analyse des pilons.

Portée et segmentation du marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)

Rapport métrique

Détails

Période de prévision

2022 à 2029

Année de base

2021

Années historiques

2020 (personnalisable de 2014 à 2019)

Unités quantitatives

Chiffre d'affaires en milliards USD, volumes en unités, prix en USD

Segments couverts

Type (IGBT discret, IGBT modulaire), puissance nominale (haute puissance, moyenne puissance, faible puissance), utilisateur final (automobile, électronique grand public , communication, industrie, autres secteurs d'utilisation finale),

Pays couverts

États-Unis, Canada et Mexique en Amérique du Nord, Allemagne, France, Royaume-Uni, Pays-Bas, Suisse, Belgique, Russie, Italie, Espagne, Turquie, Reste de l'Europe en Europe, Chine, Japon, Inde, Corée du Sud, Singapour, Malaisie, Australie, Thaïlande, Indonésie, Philippines, Reste de l'Asie-Pacifique (APAC) en Asie-Pacifique (APAC), Arabie saoudite, Émirats arabes unis, Afrique du Sud, Égypte, Israël, Reste du Moyen-Orient et de l'Afrique (MEA) en tant que partie du Moyen-Orient et de l'Afrique (MEA), Brésil, Argentine et Reste de l'Amérique du Sud en tant que partie de l'Amérique du Sud

Acteurs du marché couverts

ABB (Switzerland),  Semiconductor Components Industries, LLC (U.S.), Infineon Technologies AG (Germany), STMicroelectronics (Switzerland),  TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japan), NXP Semiconductors (Netherlands), Diodes Incorporated (U.S.), Nexperia (Netherlands), Qualcomm Technologies Inc., (U.S.), D3 Semiconductor (U.S.), Eaton (Ireland), Hitachi Ltd. (Japan), Mitsubishi Electric Corporation (Japan),  Fuji Electric Co., Ltd. (U.S.), Murata Manufacturing Co. Ltd (Japan) and Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taiwan)

Opportunities

  • The increased development of AI-based semiconductors
  • The increase in R&D activities, combined with technological advancements

Market Definition

A discrete semiconductor device is a single silicon device that performs a basic electronic function. Among the discrete semiconductors are the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT), MOSFETs, thyristors, diodes, and rectifiers. A power discrete semiconductor, most commonly an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) or a MOSFETS, is a component of electronic and electrical appliances that converts alternating current. Power discrete drives discrete semiconductors, which are used in a wide range of electronic applications, from consumer electronics to electric charging stations.

Global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market Dynamics

Drivers

  • Growing need for sustainable devices

Rising demand for high-energy and power-efficient devices, as well as an increase in demand for green energy power generation drives, are expected to be the primary factors driving market growth. Furthermore, increased demand for MOSFETs and Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) in electronics and automobiles, as well as ongoing demand for semiconductors from the automotive industry, help to cushion market growth over the forecasted period.

  • High demand for portable and consumer devices

New power semiconductors are highly specialised transistors that employ a variety of competing technologies such as GaN, SiC, and silicon. Because GaN and SiC are wide-bandgap technologies, they are more efficient and faster than silicon-based devices. Several manufacturers are introducing the next generation of power semiconductors based on gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC).

The growing popularity of wireless and portable electronic devices is driving market growth. Furthermore, the increasing popularity of wireless and portable electronic products, strong demand from emerging economies, and rapid growth in the automotive industry all contribute to market growth. Demand for better and more efficient components from manufacturers of communications, consumer electronics, and other equipment is also a market driver.

Opportunities

  • High prevalence of AI based semiconductors

The increased development of AI-based semiconductors is expected to generate lucrative opportunities for the market, further expanding the discrete semiconductor market's future growth rate. Furthermore, increased R&D activities, combined with technological advancements in manufacturing techniques, will provide numerous opportunities for market growth.

Restraints

  • High cost and dearth of advancements

However, rising discrete semiconductor prices, a greater emphasis on integrated circuits, and a lack of technological advancement and development are the major restraints that will further challenge the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) discrete semiconductor market during the forecast period.

This insulated gate bipolar transistor (IGBT) discrete semiconductor market report provides details of new recent developments, trade regulations, import-export analysis, production analysis, value chain optimization, market share, impact of domestic and localized market players, analyses opportunities in terms of emerging revenue pockets, changes in market regulations, strategic market growth analysis, market size, category market growths, application niches and dominance, product approvals, product launches, geographic expansions, technological innovations in the market. To gain more info on the insulated gate bipolar transistor (IGBT) discrete semiconductor market contact Data Bridge Market Research for an Analyst Brief, our team will help you take an informed market decision to achieve market growth.

Impact and Current Market Scenario of Raw Material Shortage and Shipping Delays

Data Bridge Market Research offers a high-level analysis of the market and delivers information by keeping in account the impact and current market environment of raw material shortage and shipping delays. This translates into assessing strategic possibilities, creating effective action plans, and assisting businesses in making important decisions.

Apart from the standard report, we also offer in-depth analysis of the procurement level from forecasted shipping delays, distributor mapping by region, commodity analysis, production analysis, price mapping trends, sourcing, category performance analysis, supply chain risk management solutions, advanced benchmarking, and other services for procurement and strategic support.

COVID-19 Impact on Global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market

The COVID-19 outbreak, on the other hand, has had a massive impact on the global and national economies. Many end-user industries, including discrete semiconductors, have been impacted. Work on the factory floor is a large part of the manufacturing of electronic components, where people are in close contact as they collaborate to increase productivity. Companies in the market are currently assessing the effects on three fronts: market demand, supply chain, and workforce. The product's demand is shifting across ASICS, memory, sensors, and so on, as consumer behaviour changes quickly and with future volatility. In addition, many businesses have postponed hardware upgrades and other long-term migration projects.

Expected Impact of Economic Slowdown on the Pricing and Availability of Products

When economic activity slows, industries begin to suffer. The forecasted effects of the economic downturn on the pricing and accessibility of the products are taken into account in the market insight reports and intelligence services provided by DBMR. With this, our clients can typically keep one step ahead of their competitors, project their sales and revenue, and estimate their profit and loss expenditures

Recent Development

  • In September 2020 Infineon Technologies AG will unveil its industry-leading 'TRENCHSTOP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)7 technology', which is ideal for industrial motor drives, photovoltaics, power factor correction, and uninterruptible power supplies.
  • In July 2020 STMicroelectronics will release 26 new Schottky diodes with current ratings of 1-5 A and voltage ratings of 25-200 V in low-profile SBM and SMA flat packages. Due to their low voltage, these devices provide greater energy efficiency for consumer and industrial applications.

Global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market Scope

The insulated gate bipolar transistor (IGBT) discrete semiconductor market is segmented on the basis of type, power rating and end-user. The growth amongst these segments will help you analyse meagre growth segments in the industries and provide the users with a valuable market overview and market insights to help them make strategic decisions for identifying core market applications.

Type

  • Discrete Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)
  • Modular Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

Power rating

  • High- Power
  • Medium- Power
  • Low- Power

End users verticals

  • Automotive
  • Consumer Electronics
  • Communication
  • Industrial
  • Other End-Use Verticals

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market Regional Analysis/Insights

The insulated gate bipolar transistor (IGBT) discrete semiconductor market is analysed and market size insights and trends are provided by country, type, power rating and end-user as referenced above.

Français Les pays couverts dans le rapport sur le marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) sont les États-Unis, le Canada et le Mexique en Amérique du Nord, l'Allemagne, la France, le Royaume-Uni, les Pays-Bas, la Suisse, la Belgique, la Russie, l'Italie, l'Espagne, la Turquie, le reste de l'Europe en Europe, la Chine, le Japon, l'Inde, la Corée du Sud, Singapour, la Malaisie, l'Australie, la Thaïlande, l'Indonésie, les Philippines, le reste de l'Asie-Pacifique (APAC) en Asie-Pacifique (APAC), l'Arabie saoudite, les Émirats arabes unis, l'Afrique du Sud, l'Égypte, Israël, le reste du Moyen-Orient et de l'Afrique (MEA) en tant que partie du Moyen-Orient et de l'Afrique (MEA), le Brésil, l'Argentine et le reste de l'Amérique du Sud en tant que partie de l'Amérique du Sud.

L'Amérique du Nord a dominé le marché mondial des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) tout au long de la période de prévision, représentant les parts de marché les plus élevées. Cela est dû à l'intégration croissante des technologies numériques dans le courant dominant, à l'adoption généralisée des stylos numériques, en particulier dans le secteur de l'éducation, et à la présence d'acteurs clés dans cette région.

L'Asie-Pacifique domine le marché des semi-conducteurs discrets en raison de la présence d'industries de semi-conducteurs en Chine, à Taiwan, en Corée du Sud et en Inde, ainsi que de l'augmentation de la demande de moteurs de production d'énergie verte et de MOSFET et de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) dans l'électronique et l'automobile,

La section pays du rapport fournit également des facteurs d'impact sur les marchés individuels et des changements dans la réglementation du marché qui ont un impact sur les tendances actuelles et futures du marché. Des points de données tels que l'analyse de la chaîne de valeur en aval et en amont, les tendances techniques et l'analyse des cinq forces du porteur, les études de cas sont quelques-uns des indicateurs utilisés pour prévoir le scénario de marché pour les différents pays. En outre, la présence et la disponibilité des marques mondiales et les défis auxquels elles sont confrontées en raison de la concurrence importante ou rare des marques locales et nationales, l'impact des tarifs nationaux et les routes commerciales sont pris en compte tout en fournissant une analyse prévisionnelle des données nationales.   

Analyse du paysage concurrentiel et des parts de marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)

Le paysage concurrentiel du marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) fournit des détails par concurrent. Les détails inclus sont la présentation de l'entreprise, les finances de l'entreprise, les revenus générés, le potentiel du marché, les investissements dans la recherche et le développement, les nouvelles initiatives du marché, la présence mondiale, les sites et installations de production, les capacités de production, les forces et les faiblesses de l'entreprise, le lancement du produit, la largeur et l'étendue du produit, la domination des applications. Les points de données ci-dessus fournis ne concernent que l'orientation des entreprises liée au marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT).

Certains des principaux acteurs opérant sur le marché des semi-conducteurs discrets à transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont :

  • ABB (Suisse)
  • Semiconductor Components Industries, LLC (États-Unis)
  • Infineon Technologies AG (Allemagne)
  • STMicroelectronics (Suisse)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
  • NXP Semiconductors (Pays-Bas)
  • Diodes Incorporated (États-Unis)
  • Nexperia (Pays-Bas)
  • Qualcomm Technologies Inc., (États-Unis)
  • D3 Semiconductor (États-Unis)
  • Eaton (Irlande)
  • Hitachi Ltd. (Japon)
  • Mitsubishi Electric Corporation (Japon)
  • Fuji Electric Co., Ltd. (États-Unis)
  • Murata Manufacturing Co. Ltd (Japon)
  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taïwan)


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Méthodologie de recherche

La collecte de données et l'analyse de l'année de base sont effectuées à l'aide de modules de collecte de données avec des échantillons de grande taille. L'étape consiste à obtenir des informations sur le marché ou des données connexes via diverses sources et stratégies. Elle comprend l'examen et la planification à l'avance de toutes les données acquises dans le passé. Elle englobe également l'examen des incohérences d'informations observées dans différentes sources d'informations. Les données de marché sont analysées et estimées à l'aide de modèles statistiques et cohérents de marché. De plus, l'analyse des parts de marché et l'analyse des tendances clés sont les principaux facteurs de succès du rapport de marché. Pour en savoir plus, veuillez demander un appel d'analyste ou déposer votre demande.

La méthodologie de recherche clé utilisée par l'équipe de recherche DBMR est la triangulation des données qui implique l'exploration de données, l'analyse de l'impact des variables de données sur le marché et la validation primaire (expert du secteur). Les modèles de données incluent la grille de positionnement des fournisseurs, l'analyse de la chronologie du marché, l'aperçu et le guide du marché, la grille de positionnement des entreprises, l'analyse des brevets, l'analyse des prix, l'analyse des parts de marché des entreprises, les normes de mesure, l'analyse globale par rapport à l'analyse régionale et des parts des fournisseurs. Pour en savoir plus sur la méthodologie de recherche, envoyez une demande pour parler à nos experts du secteur.

Personnalisation disponible

Data Bridge Market Research est un leader de la recherche formative avancée. Nous sommes fiers de fournir à nos clients existants et nouveaux des données et des analyses qui correspondent à leurs objectifs. Le rapport peut être personnalisé pour inclure une analyse des tendances des prix des marques cibles, une compréhension du marché pour d'autres pays (demandez la liste des pays), des données sur les résultats des essais cliniques, une revue de la littérature, une analyse du marché des produits remis à neuf et de la base de produits. L'analyse du marché des concurrents cibles peut être analysée à partir d'une analyse basée sur la technologie jusqu'à des stratégies de portefeuille de marché. Nous pouvons ajouter autant de concurrents que vous le souhaitez, dans le format et le style de données que vous recherchez. Notre équipe d'analystes peut également vous fournir des données sous forme de fichiers Excel bruts, de tableaux croisés dynamiques (Fact book) ou peut vous aider à créer des présentations à partir des ensembles de données disponibles dans le rapport.

Questions fréquemment posées

The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market size will be worth USD 31.66 billion by 2029.
The Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market growth rate will be 11.30% by 2029.
Growing need for sustainable devices and High demand for portable and consumer devices are the growth drivers of the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market.
The type, power rating, and end-user are the factors on which the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market research is based.
The major companies in the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market are ABB (Switzerland), Semiconductor Components Industries, LLC (U.S.), Infineon Technologies AG (Germany), STMicroelectronics (Switzerland), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japan), NXP Semiconductors (Netherlands), Diodes Incorporated (U.S.), Nexperia (Netherlands), Qualcomm Technologies Inc., (U.S.), D3 Semiconductor (U.S.), Eaton (Ireland), Hitachi Ltd. (Japan), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), Fuji Electric Co., Ltd. (U.S.), Murata Manufacturing Co. Ltd (Japan) and Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taiwan).