Marché mondial des semi-conducteurs discrets à transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), par type (IGBT discret, IGBT modulaire), puissance nominale (haute puissance, moyenne puissance, faible puissance), utilisateur final (automobile, électronique grand public, communication, industrie , autres secteurs verticaux d’utilisation finale) – Tendances et prévisions de l’industrie jusqu’en 2029.
Analyse et taille du marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)
La demande de semi-conducteurs discrets a considérablement augmenté ces dernières années et devrait encore augmenter au cours de la période de prévision. La demande de dispositifs à haute énergie et faible consommation propulse l’industrie des semi-conducteurs discrets vers l’avant. Les fabricants de produits électroniques préfèrent les composants rapides, compacts et capables d'augmenter l'efficacité des produits. Ces déterminants de la croissance du marché contribueront à la croissance globale du marché.
Data Bridge Market Research analyse que le marché des semi-conducteurs discrets à transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) qui augmentait à une valeur de 12,57 milliards en 2021 et devrait atteindre la valeur de 31,66 milliards USD d’ici 2029, avec un TCAC de 11,30 % au cours de la période. période de prévision 2022-2029. En plus des informations sur le marché telles que la valeur marchande, le taux de croissance, les segments de marché, la couverture géographique, les acteurs du marché et le scénario de marché, le rapport de marché organisé par l'équipe d'études de marché Data Bridge comprend une analyse approfondie d'experts, une analyse des importations/exportations, analyse des prix, analyse de la consommation de production et analyse du pilon.
Portée et segmentation du marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)
Mesure du rapport |
Détails |
Période de prévision |
2022 à 2029 |
Année de référence |
2021 |
Années historiques |
2020 (personnalisable de 2014 à 2019) |
Unités quantitatives |
Chiffre d'affaires en milliards USD, volumes en unités, prix en USD |
Segments couverts |
Type (IGBT discret, IGBT modulaire), puissance nominale (haute puissance, moyenne puissance, faible puissance), utilisateur final (automobile, Electronique grand public, Communication, Industriel, Autres secteurs verticaux d'utilisation finale), |
Pays couverts |
États-Unis, Canada et Mexique en Amérique du Nord, Allemagne, France, Royaume-Uni, Pays-Bas, Suisse, Belgique, Russie, Italie, Espagne, Turquie, Reste de l'Europe en Europe, Chine, Japon, Inde, Corée du Sud, Singapour, Malaisie, Australie, Thaïlande, Indonésie, Philippines, Reste de l'Asie-Pacifique (APAC) dans la région Asie-Pacifique (APAC), Arabie saoudite, Émirats arabes unis, Afrique du Sud, Égypte, Israël, Reste du Moyen-Orient et Afrique (MEA) dans le cadre du Moyen-Orient. et Afrique (MEA), Brésil, Argentine et reste de l'Amérique du Sud dans le cadre de l'Amérique du Sud |
Acteurs du marché couverts |
ABB (Suisse), Semiconductor Components Industries, LLC (États-Unis), Infineon Technologies AG (Allemagne), STMicroelectronics (Suisse), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon), NXP Semiconductors (Pays-Bas), Diodes Incorporated (États-Unis), Nexperia ( Pays-Bas), Qualcomm Technologies Inc. (États-Unis), D3 Semiconductor (États-Unis), Eaton (Irlande), Hitachi Ltd. (Japon), Mitsubishi Electric Corporation (Japon), Fuji Electric Co., Ltd. (États-Unis), Murata Manufacturing Co. Ltd (Japon) et Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taiwan) |
Opportunités |
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Définition du marché
Un dispositif semi-conducteur discret est un dispositif unique en silicium qui remplit une fonction électronique de base. Parmi les semi-conducteurs discrets figurent le transistor bipolaire à grille isolée (IGBT), les MOSFET, les thyristors, les diodes et les redresseurs. Un semi-conducteur discret de puissance, le plus souvent un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) ou un MOSFETS, est un composant d'appareils électroniques et électriques qui convertit le courant alternatif. Les circuits de puissance discrets pilotent des semi-conducteurs discrets, utilisés dans un large éventail d'applications électroniques, depuis l'électronique grand public jusqu'aux stations de recharge électrique.
Dynamique du marché mondial des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)
Conducteurs
- Besoin croissant d’appareils durables
La demande croissante d’appareils à haute consommation d’énergie et économes en énergie, ainsi qu’une augmentation de la demande de moteurs de production d’énergie verte, devraient être les principaux facteurs de croissance du marché. En outre, la demande accrue de MOSFET et de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) dans l’électronique et l’automobile, ainsi que la demande continue de semi-conducteurs de l’industrie automobile, contribuent à amortir la croissance du marché au cours de la période de prévision.
- Forte demande d’appareils portables et grand public
Les nouveaux semi-conducteurs de puissance sont des transistors hautement spécialisés qui utilisent diverses technologies concurrentes telles que le GaN, le SiC et le silicium. Le GaN et le SiC étant des technologies à large bande interdite, ils sont plus efficaces et plus rapides que les dispositifs basés sur le silicium. Plusieurs fabricants présentent la prochaine génération de semi-conducteurs de puissance à base de nitrure de gallium (GaN) et carbure de silicium (SiC).
La popularité croissante des appareils électroniques sans fil et portables stimule la croissance du marché. En outre, la popularité croissante des produits électroniques sans fil et portables, la forte demande des économies émergentes et la croissance rapide de l’industrie automobile contribuent toutes à la croissance du marché. La demande de composants meilleurs et plus efficaces de la part des fabricants de communications, d’électronique grand public et d’autres équipements est également un moteur du marché.
Opportunités
- Forte prévalence des semi-conducteurs basés sur l’IA
Le développement accru des semi-conducteurs basés sur l’IA devrait générer des opportunités lucratives pour le marché, augmentant ainsi le taux de croissance futur du marché des semi-conducteurs discrets. De plus, l’augmentation des activités de R&D, combinée aux progrès technologiques dans les techniques de fabrication, offrira de nombreuses opportunités de croissance du marché.
Contraintes
- Coût élevé et manque de progrès
Cependant, la hausse des prix des semi-conducteurs discrets, l’accent accru mis sur les circuits intégrés et le manque de progrès et de développement technologiques sont les principales contraintes qui mettront davantage à l’épreuve le marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) au cours de la période de prévision.
Ce rapport sur le marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) fournit des détails sur les nouveaux développements récents, les réglementations commerciales, l’analyse des importations-exportations, l’analyse de la production, l’optimisation de la chaîne de valeur, la part de marché, l’impact des acteurs du marché nationaux et localisés, analyse les opportunités en termes de poches de revenus émergentes, changements dans la réglementation du marché, analyse stratégique de la croissance du marché, taille du marché, croissances des catégories de marché, niches d’application et domination, approbations de produits, lancements de produits, expansions géographiques, innovations technologiques sur le marché. Pour obtenir plus d’informations sur le marché des semi-conducteurs discrets à transistors bipolaires à grille isolée (IGBT), contactez Data Bridge Market Research pour une note d’analyste, notre équipe vous aidera à prendre une décision de marché éclairée pour réaliser une croissance du marché.
Impact et scénario de marché actuel de la pénurie de matières premières et des retards d’expédition
Data Bridge Market Research propose une analyse de haut niveau du marché et fournit des informations en tenant compte de l’impact et de l’environnement actuel du marché de la pénurie de matières premières et des retards d’expédition. Cela se traduit par l'évaluation des possibilités stratégiques, la création de plans d'action efficaces et l'assistance aux entreprises dans la prise de décisions importantes.
Outre le rapport standard, nous proposons également une analyse approfondie du niveau d'approvisionnement à partir des retards d'expédition prévus, de la cartographie des distributeurs par région, de l'analyse des matières premières, de l'analyse de la production, des tendances de cartographie des prix, de l'approvisionnement, de l'analyse des performances des catégories, des solutions de gestion des risques de la chaîne d'approvisionnement, des solutions avancées. l’analyse comparative et d’autres services d’approvisionnement et de soutien stratégique.
Impact de COVID-19 sur le marché mondial des semi-conducteurs discrets à transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
En revanche, l’épidémie de COVID-19 a eu un impact considérable sur les économies mondiale et nationale. De nombreuses industries d’utilisateurs finaux, y compris les semi-conducteurs discrets, ont été touchées. Le travail en usine représente une grande partie de la fabrication de composants électroniques, où les gens sont en contact étroit et collaborent pour augmenter la productivité. Les entreprises présentes sur le marché évaluent actuellement les effets sur trois fronts : la demande du marché, la chaîne d’approvisionnement et la main-d’œuvre. La demande de produits évolue entre les ASICS, la mémoire, les capteurs, etc., à mesure que le comportement des consommateurs évolue rapidement et avec la volatilité future. En outre, de nombreuses entreprises ont reporté les mises à niveau matérielles et autres projets de migration à long terme.
Impact attendu du ralentissement économique sur les prix et la disponibilité des produits
Lorsque l’activité économique ralentit, les industries commencent à souffrir. Les effets prévus du ralentissement économique sur les prix et l'accessibilité des produits sont pris en compte dans les rapports d'analyse du marché et les services de renseignement fournis par DBMR. Grâce à cela, nos clients peuvent généralement garder une longueur d'avance sur leurs concurrents, projeter leurs ventes et leurs revenus et estimer leurs dépenses et profits.
Développement récent
- En septembre 2020, Infineon Technologies AG dévoilera sa technologie de pointe « TRENCHSTOP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)7 », idéale pour les entraînements de moteurs industriels, le photovoltaïque, la correction du facteur de puissance et les alimentations sans coupure.
- En juillet 2020, STMicroelectronics lancera 26 nouvelles diodes Schottky avec des intensités nominales de 1 à 5 A et des tensions nominales de 25 à 200 V dans des boîtiers plats SBM et SMA extra-plats. En raison de leur basse tension, ces appareils offrent une plus grande efficacité énergétique pour les applications grand public et industrielles.
Portée du marché mondial des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT)
Le marché des semi-conducteurs discrets des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) est segmenté en fonction du type, de la puissance nominale et de l’utilisateur final. La croissance de ces segments vous aidera à analyser les segments de croissance maigres dans les secteurs et à fournir aux utilisateurs un aperçu précieux du marché et des informations sur le marché pour les aider à prendre des décisions stratégiques pour identifier les applications principales du marché.
Taper
- Transistor bipolaire à grille isolée discrète (IGBT)
- Transistor bipolaire à grille isolée modulaire (IGBT)
Puissance nominale
- Haute puissance
- Moyenne puissance
- Batterie faible
Secteurs verticaux des utilisateurs finaux
- Automobile
- Electronique grand public
- Communication
- Industriel
- Autres secteurs verticaux d’utilisation finale
Analyse/perspectives régionales du marché des semi-conducteurs discrets des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT)
Le marché des semi-conducteurs discrets à transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) est analysé et des informations et des tendances sur la taille du marché sont fournies par pays, type, puissance nominale et utilisateur final, comme indiqué ci-dessus.
Les pays couverts dans le rapport sur le marché des semi-conducteurs discrets à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) sont les États-Unis, le Canada et le Mexique en Amérique du Nord, l’Allemagne, la France, le Royaume-Uni, les Pays-Bas, la Suisse, la Belgique, la Russie, l’Italie, l’Espagne, la Turquie et le reste de l’Europe en Europe, Chine, Japon, Inde, Corée du Sud, Singapour, Malaisie, Australie, Thaïlande, Indonésie, Philippines, Reste de l'Asie-Pacifique (APAC) en Asie-Pacifique (APAC), Arabie saoudite, Émirats arabes unis, Afrique du Sud, Égypte, Israël, le reste du Moyen-Orient et l'Afrique (MEA) dans le cadre du Moyen-Orient et de l'Afrique (MEA), le Brésil, l'Argentine et le reste de l'Amérique du Sud dans le cadre de l'Amérique du Sud.
La région de l’Amérique du Nord a dominé le marché mondial des semi-conducteurs discrets à transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) tout au long de la période de prévision, représentant les parts de marché les plus élevées. Cela est dû à l’infusion croissante des technologies numériques dans le grand public, à l’adoption généralisée des stylos numériques, en particulier dans le secteur éducatif, et à la présence d’acteurs clés dans cette région.
L'Asie-Pacifique domine le marché des semi-conducteurs discrets en raison de la présence d'industries de semi-conducteurs en Chine, à Taiwan, en Corée du Sud et en Inde, ainsi que de l'augmentation de la demande de lecteurs de production d'énergie verte, de MOSFET et de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) en l'électronique et l'automobile,
La section nationale du rapport fournit également des facteurs individuels ayant un impact sur le marché et des changements dans la réglementation du marché qui ont un impact sur les tendances actuelles et futures du marché. Les points de données tels que l'analyse de la chaîne de valeur en aval et en amont, les tendances techniques et l'analyse des cinq forces du porteur, les études de cas sont quelques-uns des indicateurs utilisés pour prévoir le scénario de marché pour chaque pays. En outre, la présence et la disponibilité des marques mondiales et les défis auxquels elles sont confrontées en raison de la concurrence importante ou rare des marques locales et nationales, de l'impact des tarifs nationaux et des routes commerciales sont pris en compte tout en fournissant une analyse prévisionnelle des données nationales.
Paysage concurrentiel et part de marché de Semi-conducteur discret à transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) Analyse
Le paysage concurrentiel du marché des semi-conducteurs discrets des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) fournit des détails par concurrent. Les détails inclus sont un aperçu de l'entreprise, les données financières de l'entreprise, les revenus générés, le potentiel du marché, les investissements dans la recherche et le développement, les nouvelles initiatives de marché, la présence mondiale, les sites et installations de production, les capacités de production, les forces et les faiblesses de l'entreprise, le lancement du produit, la largeur et l'étendue du produit, l'application. dominance. Les points de données fournis ci-dessus sont uniquement liés à l’orientation des entreprises concernant le marché des semi-conducteurs discrets des transistors bipolaires à grille isolée (IGBT).
Certains des principaux acteurs opérant sur le marché des semi-conducteurs discrets à transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) sont :
- ABB (Suisse)
- Semiconductor Components Industries, LLC (États-Unis)
- Infineon Technologies AG (Allemagne)
- STMicroelectronics (Suisse)
- TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japon)
- NXP Semiconductors (Pays-Bas)
- Diodes Incorporated (États-Unis)
- Nexperia (Pays-Bas)
- Qualcomm Technologies Inc., (États-Unis)
- Semi-conducteur D3 (États-Unis)
- Eaton (Irlande)
- Hitachi Ltd. (Japon)
- Mitsubishi Electric Corporation (Japon)
- Fuji Electric Co., Ltd. (États-Unis)
- Murata Manufacturing Co. Ltd (Japon)
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taïwan)
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