Marché mondial des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC – Tendances et prévisions de l’industrie jusqu’en 2031

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Marché mondial des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC – Tendances et prévisions de l’industrie jusqu’en 2031

  • Semiconductors and Electronics
  • Upcoming Reports
  • May 2024
  • Global
  • 350 Pages
  • Nombre de tableaux : 220
  • Nombre de figures : 60

Global Gan And Sic Power Semiconductor Market

Taille du marché en milliards USD

TCAC :  % Diagram

Chart Image USD 596.06 Million USD 4,877.23 Million 2023 2031
Diagram Période de prévision
2024 –2031
Diagram Taille du marché (année de référence)
USD 596.06 Million
Diagram Taille du marché (année de prévision)
USD 4,877.23 Million
Diagram TCAC
%
DiagramPrincipaux acteurs du marché
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>Marché mondial des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC, par produit (module de puissance Sic, module de puissance GaN, SiC discret, GaN discret), application (alimentations, variateurs de vitesse industriels, H/EV, onduleurs PV, traction, autres) – Tendances et prévisions de l'industrie jusqu'en 2031.

Marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Analyse et taille du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Les semi-conducteurs de puissance SiC et GaN jouent un rôle essentiel dans l'amélioration de l'efficacité et de la fiabilité des systèmes de conversion d'énergie. Ils sont utilisés dans les onduleurs et les convertisseurs des systèmes solaires photovoltaïques (PV) et éoliens, tirant parti de leurs caractéristiques supérieures telles que des températures de fonctionnement plus élevées, des vitesses de commutation plus rapides et des pertes de commutation plus faibles par rapport aux dispositifs traditionnels à base de silicium. Le marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC permet une conversion d'énergie plus efficace, réduisant les pertes d'énergie et améliorant les performances globales du système, facilitant ainsi l'intégration des énergies renouvelables dans le réseau.

Français La taille du marché mondial des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC était évaluée à 596,06 millions USD en 2023 et devrait atteindre 4 877,23 millions USD d'ici 2031, avec un TCAC de 30,05 % au cours de la période de prévision de 2024 à 2031. En plus des informations sur les scénarios de marché tels que la valeur marchande, le taux de croissance, la segmentation, la couverture géographique et les principaux acteurs, les rapports de marché organisés par Data Bridge Market Research comprennent également une analyse approfondie des experts, une production et une capacité géographiquement représentées par l'entreprise, des configurations de réseau de distributeurs et de partenaires, une analyse détaillée et mise à jour des tendances des prix et une analyse du déficit de la chaîne d'approvisionnement et de la demande.

Portée du rapport et segmentation du marché       

Rapport métrique

Détails

Période de prévision

2024-2031

Année de base

2023

Années historiques

2022 (personnalisable pour 2016-2021)

Unités quantitatives

Chiffre d'affaires en millions USD, volumes en unités, prix en USD

Segments couverts

Produit (module de puissance SiC, module de puissance GaN, SiC discret, GaN discret), application (alimentations électriques, variateurs de vitesse industriels, H/EV, onduleurs PV, traction, autres)

Pays couverts

États-Unis, Canada, Mexique, Allemagne, Italie, Royaume-Uni, France, Espagne, Pays-Bas, Belgique, Suisse, Turquie, Russie, Reste de l'Europe, Japon, Chine, Inde, Corée du Sud, Australie, Singapour, Malaisie, Thaïlande, Indonésie, Philippines, Reste de l'Asie-Pacifique, Brésil, Argentine, Reste de l'Amérique du Sud, Afrique du Sud, Arabie saoudite, Émirats arabes unis, Égypte, Israël, Reste du Moyen-Orient et de l'Afrique

Acteurs du marché couverts

Alpha and Omega Semiconductor (États-Unis), Fuji Electric Co., Ltd (Japon), Infineon Technologies AG (Allemagne), Littelfuse, Inc. (États-Unis), Microsemi (États-Unis), Mitsubishi Electric Corporation (Japon), Renesas Electronics Corporation (Japon), ROHM SEMICONDUCTOR (Japon), SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Japon), STMicroelectronics (Suisse/France), Epiluvac (Suède), IQE PLC (Royaume-Uni), Transphorm Inc. (États-Unis), SweGaN (Suède), Saint-Gobain (France), GeneSiC Semiconductor Inc. (États-Unis), Sublime Technologies (États-Unis), Global Power Technologies Group (États-Unis), DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (Taïwan), AGC Inc. (Japon), Dow (États-Unis), WeEn Semiconductors (Chine)

Opportunités de marché

  • L'expansion de la densité de puissance favorise l'adoption des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC
  • Les progrès croissants dans les processus de fabrication favorisent l'expansion des semi-conducteurs de puissance

Définition du marché

Le GaN (nitrure de gallium) et le SiC (carbure de silicium) sont des matériaux avancés utilisés dans les dispositifs semi-conducteurs de puissance. Ils permettent une efficacité et une densité de puissance supérieures à celles des semi-conducteurs traditionnels à base de silicium, ce qui les rend idéaux pour des applications telles que les alimentations électriques, les véhicules électriques et les systèmes d'énergie renouvelable.

Dynamique du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Conducteurs

  • La demande croissante d'efficacité accrue accroît l'adoption des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Les industries des secteurs de l'automobile, des énergies renouvelables et de l'électronique grand public recherchent des solutions de semi-conducteurs de puissance qui minimisent les pertes d'énergie et améliorent les performances globales du système. Les dispositifs GaN et SiC offrent une efficacité nettement supérieure à celle de leurs homologues traditionnels à base de silicium, ce qui les rend de plus en plus attractifs pour les applications nécessitant des économies d'énergie et une efficacité améliorée. Leur capacité à fonctionner à des fréquences et des températures plus élevées tout en maintenant l'efficacité s'aligne sur la tendance croissante vers des systèmes électroniques plus compacts et plus denses en énergie. En conséquence, la demande de semi-conducteurs de puissance GaN et SiC continue d'augmenter dans diverses industries cherchant à optimiser la consommation d'énergie et à réduire les coûts d'exploitation.

  • Les entreprises de semi-conducteurs de puissance GaN et SiC se développent grâce à l'adoption croissante des véhicules électriques

L’industrie automobile évoluant vers la propulsion électrique, la demande de solutions électroniques de puissance offrant une efficacité et des performances supérieures est en hausse. Les semi-conducteurs de puissance GaN et SiC, développés par des sociétés leaders dans le domaine des semi-conducteurs de puissance, permettent aux fabricants de véhicules électriques de développer des véhicules avec une autonomie plus longue, des temps de charge plus rapides et des systèmes de transmission plus efficaces. Leur capacité à supporter des températures et des tensions plus élevées tout en minimisant les pertes d’énergie les rend idéaux pour les applications de véhicules électriques, favorisant leur adoption dans les chargeurs embarqués, les onduleurs et les entraînements de moteurs. Cette demande croissante du secteur des véhicules électriques alimente la croissance du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC.

Opportunités

  • L'expansion de la densité de puissance favorise l'adoption des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Alors que les industries s'efforcent de concevoir des appareils électroniques plus petits et plus compacts, la demande de solutions à plus haute densité de puissance s'est intensifiée. Les semi-conducteurs de puissance GaN et SiC excellent à cet égard en raison de leur capacité à fonctionner à des fréquences, des tensions et des températures plus élevées tout en maintenant leur efficacité. Leurs caractéristiques supérieures permettent le développement de systèmes électroniques de puissance plus petits et plus légers sans compromettre les performances, ce qui en fait des composants essentiels dans des applications telles que les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique grand public. Ainsi, la quête d'une densité de puissance accrue est un moteur important de la croissance du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC.

  • Les progrès croissants dans les processus de fabrication favorisent l'expansion des semi-conducteurs de puissance

Les améliorations continues des techniques de fabrication, des méthodes de croissance épitaxiale et des technologies de conditionnement conduisent à des performances améliorées et à des rendements plus élevés pour ces dispositifs semi-conducteurs. À mesure que la fabrication devient plus efficace et rentable, les barrières à l'entrée pour l'adoption de la technologie GaN et SiC sont abaissées, encourageant une adoption plus large dans tous les secteurs. De plus, les progrès permettent la production de dispositifs avec une fiabilité et une gestion thermique améliorées, répondant aux préoccupations clés des applications à haute puissance telles que les véhicules électriques, les systèmes d'énergie renouvelable et les entraînements de moteurs industriels. Dans l'ensemble, ces progrès catalysent la prolifération des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC, alimentant l'expansion du marché et l'innovation.

Contraintes/Défis

  • Les coûts de fabrication élevés limitent l'adoption des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Les procédés de fabrication des dispositifs GaN et SiC impliquent des équipements spécialisés, des techniques de croissance épitaxiale complexes et des mesures de contrôle qualité rigoureuses, ce qui entraîne des dépenses de production élevées. Ces coûts élevés limitent l'évolutivité de la fabrication et peuvent donner lieu à des produits finis relativement coûteux, ce qui rend les solutions GaN et SiC moins compétitives par rapport aux alternatives traditionnelles à base de silicium dans certaines applications.

  • La disponibilité limitée de substrats de haute qualité freine la croissance des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Le GaN et le SiC nécessitent des substrats spécialisés pour la croissance épitaxiale, et l'approvisionnement de ces substrats est limité par des facteurs tels que la capacité de production et la qualité des matériaux. La disponibilité limitée des substrats peut entraîner des perturbations de la chaîne d'approvisionnement, une augmentation des coûts de production et des retards dans le développement des produits. En outre, la concurrence pour les substrats entre les différentes industries exacerbe encore le défi, entravant l'évolutivité de la fabrication des dispositifs GaN et SiC et empêchant leur adoption plus large dans diverses applications.

Ce rapport de marché fournit des détails sur les nouveaux développements récents, les réglementations commerciales, l'analyse des importations et des exportations, l'analyse de la production, l'optimisation de la chaîne de valeur, la part de marché, l'impact des acteurs du marché national et local, les opportunités d'analyse en termes de poches de revenus émergentes, les changements dans la réglementation du marché, l'analyse stratégique de la croissance du marché, la taille du marché, la croissance des catégories de marché, les niches d'application et la domination, les approbations de produits, les lancements de produits, les expansions géographiques, les innovations technologiques sur le marché. Pour obtenir plus d'informations sur le marché, contactez Data Bridge Market Research pour un briefing d'analyste, notre équipe vous aidera à prendre une décision de marché éclairée pour atteindre la croissance du marché.

Impact et scénario actuel du marché en cas de pénurie de matières premières et de retards d'expédition

Data Bridge Market Research propose une analyse de haut niveau du marché et fournit des informations en tenant compte de l'impact et de l'environnement actuel du marché en matière de pénurie de matières premières et de retards d'expédition. Cela se traduit par l'évaluation des possibilités stratégiques, la création de plans d'action efficaces et l'assistance aux entreprises dans la prise de décisions importantes.

Outre le rapport standard, nous proposons également une analyse approfondie du niveau d'approvisionnement à partir des retards d'expédition prévus, de la cartographie des distributeurs par région, de l'analyse des produits de base, de l'analyse de la production, des tendances de la cartographie des prix, de l'approvisionnement, de l'analyse des performances des catégories, des solutions de gestion des risques de la chaîne d'approvisionnement, de l'analyse comparative avancée et d'autres services d'approvisionnement et de soutien stratégique.

Impact attendu du ralentissement économique sur les prix et la disponibilité des produits

Lorsque l'activité économique ralentit, les industries commencent à souffrir. Les effets prévus du ralentissement économique sur les prix et l'accessibilité des produits sont pris en compte dans les rapports d'analyse du marché et les services de renseignements fournis par DBMR. Grâce à cela, nos clients peuvent généralement garder une longueur d'avance sur leurs concurrents, projeter leurs ventes et leurs revenus et estimer leurs dépenses de profits et pertes.

Développements récents

  • En juin 2023, Qorvo, Inc. a lancé le QPB3810, un amplificateur de puissance à base de GaN avec contrôle de polarisation intégré, destiné spécifiquement aux applications MIMO massives 5G. Cet amplificateur promet une efficacité et des performances améliorées, répondant à la demande croissante de systèmes de communication sans fil à haut débit et à haute capacité
  • En mars 2023, Infineon Technologies a révélé son intention d'acquérir GaN Systems pour 830 millions USD, dans le but de renforcer son portefeuille GaN et de consolider sa position sur le marché des systèmes d'alimentation. Cette acquisition stratégique souligne l'engagement d'Infineon à élargir son offre de semi-conducteurs pour répondre aux besoins en constante évolution de diverses industries
  • En avril 2022, ROHM Semiconductor et Delta Electronics ont conclu une collaboration pour tirer parti de leur expertise en matière de technologie et de fabrication dans la production de masse de dispositifs d'alimentation à base de GaN. Cette initiative conjointe souligne l'engagement des entreprises à faire progresser le développement des systèmes d'alimentation et à établir une présence formidable sur le marché mondial, en particulier dans les secteurs exigeant des solutions d'alimentation hautes performances

Portée du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Le marché est segmenté en fonction du produit et de l'application. La croissance entre ces segments vous aidera à analyser les segments de croissance faibles dans les industries et à fournir aux utilisateurs un aperçu précieux du marché et des informations sur le marché pour les aider à prendre des décisions stratégiques pour identifier les principales applications du marché.

Produit

  • Module d'alimentation SiC
  • Module d'alimentation GaN
  • SiC discret
  • GaN discret

 Application

  • Alimentations
  • Entraînements de moteurs industriels
  • Véhicule électrique hybride
  • Onduleurs PV
  • Traction
  • Autres

Analyse/perspectives du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Le marché est analysé et la taille du marché, les informations sur le volume sont fournies par pays, produit et application comme référencé ci-dessus.

Les pays couverts dans le rapport de marché sont les États-Unis, le Canada, le Mexique, l'Allemagne, le Royaume-Uni, la France, l'Italie, l'Espagne, la Russie, la Pologne, la Suisse, les Pays-Bas, la Hongrie, l'Autriche, la Norvège, l'Irlande, la Turquie, la Lituanie, le reste de l'Europe, la Chine, le Japon, l'Inde, l'Australie, la Corée du Sud, Singapour, la Thaïlande, la Malaisie, l'Indonésie, les Philippines, le Vietnam, le reste de l'Asie-Pacifique, le Brésil, l'Argentine, le Pérou, le reste de l'Amérique du Sud, l'Afrique du Sud, l'Arabie saoudite, les Émirats arabes unis, Israël, le Koweït, l'Égypte et le reste du Moyen-Orient et de l'Afrique.

L'Amérique du Nord devrait dominer le marché grâce à l'essor des véhicules électriques, stimulé par les préoccupations environnementales et les mesures incitatives gouvernementales. Les investissements importants de la région dans la technologie 5G et le développement des infrastructures renforcent encore la demande de dispositifs GaN et SiC, car ils font partie intégrante des systèmes électroniques de puissance à haut rendement requis pour les véhicules électriques et l'infrastructure 5G.

L'Amérique du Nord devrait être la région connaissant la croissance la plus rapide du marché, stimulée par la demande croissante de véhicules électriques, de systèmes d'énergie renouvelable et d'applications industrielles. Des facteurs tels que les incitations gouvernementales, les réglementations favorables et l'accent mis sur la durabilité alimentent l'adoption des dispositifs GaN et SiC dans ces secteurs, propulsant ainsi la croissance du marché dans la région.

La section pays du rapport fournit également des facteurs d'impact sur les marchés individuels et des changements de réglementation sur le marché national qui ont un impact sur les tendances actuelles et futures du marché. Des points de données tels que l'analyse de la chaîne de valeur en aval et en amont, les tendances techniques et l'analyse des cinq forces de Porter, les études de cas sont quelques-uns des indicateurs utilisés pour prévoir le scénario de marché pour les différents pays. En outre, la présence et la disponibilité des marques mondiales et les défis auxquels elles sont confrontées en raison de la concurrence importante ou rare des marques locales et nationales, l'impact des tarifs nationaux et les routes commerciales sont pris en compte tout en fournissant une analyse prévisionnelle des données nationales.

Analyse du paysage concurrentiel et des parts de marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Le paysage concurrentiel du marché fournit des détails par concurrent. Les détails inclus sont la présentation de l'entreprise, les finances de l'entreprise, les revenus générés, le potentiel du marché, les investissements dans la recherche et le développement, les nouvelles initiatives du marché, la présence régionale, les forces et les faiblesses de l'entreprise, le lancement du produit, la largeur et l'étendue du produit, la domination des applications. Les points de données ci-dessus fournis ne concernent que l'orientation des entreprises par rapport au marché.

Certains des principaux acteurs opérant sur le marché sont :

  • Alpha et Omega Semiconductor (États-Unis)
  • Fuji Electric Co., Ltd (Japon)
  • Infineon Technologies AG (Allemagne)
  • Littelfuse, Inc. (États-Unis)
  • Microsemi (États-Unis)
  • Mitsubishi Electric Corporation (Japon)
  • Renesas Electronics Corporation (Japon)
  • ROHM SEMICONDUCTOR (Japon)
  • SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • STMicroelectronics (Suisse/France)
  • Epiluvac (Suède)
  • IQE PLC (Royaume-Uni)
  • Transphorm Inc. (États-Unis)
  • SweGaN (Suède)
  • Saint-Gobain (France)
  • GeneSiC Semiconductor Inc. (États-Unis)
  • Sublime Technologies (États-Unis)
  • Groupe Global Power Technologies (États-Unis)
  • DACO SEMICONDUCTEUR CO., LTD. (Taïwan)
  • AGC Inc. (Japon)
  • Dow (États-Unis)
  • WeEn Semiconductors (Chine)

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Méthodologie de recherche

La collecte de données et l'analyse de l'année de base sont effectuées à l'aide de modules de collecte de données avec des échantillons de grande taille. L'étape consiste à obtenir des informations sur le marché ou des données connexes via diverses sources et stratégies. Elle comprend l'examen et la planification à l'avance de toutes les données acquises dans le passé. Elle englobe également l'examen des incohérences d'informations observées dans différentes sources d'informations. Les données de marché sont analysées et estimées à l'aide de modèles statistiques et cohérents de marché. De plus, l'analyse des parts de marché et l'analyse des tendances clés sont les principaux facteurs de succès du rapport de marché. Pour en savoir plus, veuillez demander un appel d'analyste ou déposer votre demande.

La méthodologie de recherche clé utilisée par l'équipe de recherche DBMR est la triangulation des données qui implique l'exploration de données, l'analyse de l'impact des variables de données sur le marché et la validation primaire (expert du secteur). Les modèles de données incluent la grille de positionnement des fournisseurs, l'analyse de la chronologie du marché, l'aperçu et le guide du marché, la grille de positionnement des entreprises, l'analyse des brevets, l'analyse des prix, l'analyse des parts de marché des entreprises, les normes de mesure, l'analyse globale par rapport à l'analyse régionale et des parts des fournisseurs. Pour en savoir plus sur la méthodologie de recherche, envoyez une demande pour parler à nos experts du secteur.

Personnalisation disponible

Data Bridge Market Research est un leader de la recherche formative avancée. Nous sommes fiers de fournir à nos clients existants et nouveaux des données et des analyses qui correspondent à leurs objectifs. Le rapport peut être personnalisé pour inclure une analyse des tendances des prix des marques cibles, une compréhension du marché pour d'autres pays (demandez la liste des pays), des données sur les résultats des essais cliniques, une revue de la littérature, une analyse du marché des produits remis à neuf et de la base de produits. L'analyse du marché des concurrents cibles peut être analysée à partir d'une analyse basée sur la technologie jusqu'à des stratégies de portefeuille de marché. Nous pouvons ajouter autant de concurrents que vous le souhaitez, dans le format et le style de données que vous recherchez. Notre équipe d'analystes peut également vous fournir des données sous forme de fichiers Excel bruts, de tableaux croisés dynamiques (Fact book) ou peut vous aider à créer des présentations à partir des ensembles de données disponibles dans le rapport.

Questions fréquemment posées

GaN and SiC Power Semiconductor Companies grow due to Rising Adoption of Electric Vehicles, Rising Demand for Higher Efficiency Increases the Adoption of GaN and SiC Power Semiconductor are the growth drivers of the GaN and SiC power semiconductor market.
The product and application are the factors on which the GaN and SiC power semiconductor market research is based.
The major companies in the GaN and SiC power semiconductor market are Alpha and Omega Semiconductor (U.S.), Fuji Electric Co., Ltd (Japan), Infineon Technologies AG (Germany), Littelfuse, Inc. (U.S.), Microsemi (U.S.), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), Renesas Electronics Corporation (Japan), ROHM SEMICONDUCTOR (Japan), SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Japan), STMicroelectronics (Switzerland/France), Epiluvac (Sweden), IQE PLC (U.K), Transphorm Inc. (U.S.), SweGaN (Sweden), Saint-Gobain (France), GeneSiC Semiconductor Inc. (U.S.), Sublime Technologies (U.S.), Global Power Technologies Group (U.S.), DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (Taiwan), AGC Inc. (Japan), Dow (U.S.), WeEn Semiconductors (China).
The GaN and SiC Power Semiconductor Market size will be worth USD 4,877.23 million by 2031.
The GaN and SiC Power Semiconductor Market growth rate will be 30.05% by 2031.
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