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Marché mondial des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC – Tendances et prévisions de l’industrie jusqu’en 2031

Semi-conducteurs et électronique

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Marché mondial des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC – Tendances et prévisions de l’industrie jusqu’en 2031

  • Semi-conducteurs et électronique
  • Rapport à venir
  • mars 2024
  • Mondial
  • 350 pages
  • Nombre de tables : 220
  • Nombre de figurines : 60

Marché mondial des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC, par produit (module de puissance Sic, module de puissance GaN, SiC discret, GaN dicrete), application (alimentations électriques, entraînements de moteurs industriels, H/EV, onduleurs photovoltaïques, traction, autres) – Tendances de l’industrie et Prévisions jusqu’en 2031.

GaN and SiC Power Semiconductor Market

Analyse et taille du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

La croissance croissante de l’industrie des semi-conducteurs est un facteur crucial pour accélérer la croissance du marché. Aussi, l’augmentation de la popularité de véhicules électriques, l'augmentation de l'adoption de la technologie 5G, l'augmentation des investissements dans le développement des infrastructures, l'augmentation de la recherche et du développement dans les semi-conducteurs à large bande interdite (WBG), l'augmentation de l'utilisation de dispositifs électriques dans les applications d'énergie renouvelable et l'augmentation de la La croissance du marché des véhicules hybrides et électriques est, entre autres, les principaux facteurs qui stimulent le marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC.

Data Bridge Market Research analyse que le marché mondial des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC était évalué à 596,06 millions de dollars en 2023 et devrait atteindre 3 706,45 millions de dollars en 2031, enregistrant un TCAC de 30,05 % au cours de la période de prévision 2023-2031. En plus des informations sur les scénarios de marché tels que la valeur du marché, le taux de croissance, la segmentation, la couverture géographique et les principaux acteurs, les rapports de marché organisés par Data Bridge Market Research comprennent également une analyse approfondie d'experts, une production géographiquement représentée par l'entreprise et capacité, configuration du réseau de distributeurs et de partenaires, analyse détaillée et mise à jour des tendances des prix et analyse des déficits de la chaîne d'approvisionnement et de la demande.

Portée et segmentation du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Mesure du rapport

Détails

Période de prévision

2024 à 2031

Année de référence

2023

Années historiques

2022 (personnalisable jusqu'en 2016-2021)

Unités quantitatives

Chiffre d'affaires en millions USD, volumes en unités, prix en USD

Segments couverts

Par produit (module d'alimentation Sic, module d'alimentation GaN, SiC discret, GaN dicrete), application (alimentations électriques, entraînements de moteurs industriels, H/EV, onduleurs photovoltaïques, traction, autres)

Pays couverts

États-Unis, Canada, Mexique, Allemagne, Italie, Royaume-Uni, France, Espagne, Pays-Bas, Belgique, Suisse, Turquie, Russie, Reste de l'Europe, Japon, Chine, Inde, Corée du Sud, Australie, Singapour, Malaisie, Thaïlande, Indonésie, Philippines , Reste de l'Asie-Pacifique, Brésil, Argentine, Reste de l'Amérique du Sud, Afrique du Sud, Arabie Saoudite, Émirats arabes unis, Égypte, Israël, Reste du Moyen-Orient et Afrique

Acteurs du marché couverts

Alpha and Omega Semiconductor (États-Unis), Fuji Electric Co., Ltd (Japon), Infineon Technologies AG (Allemagne), Littelfuse, Inc. (États-Unis), Microsemi (États-Unis), Mitsubishi Electric Corporation (Japon), Renesas Electronics Corporation (Japon) ), ROHM SEMICONDUCTOR (Japon), SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Japon), STMicroelectronics (Suisse/France), Epiluvac (Suède), IQE PLC (Royaume-Uni), Transphorm Inc. (États-Unis), SweGaN (Suède), Saint-Gobain (France), GeneSiC Semiconductor Inc. (États-Unis), Sublime Technologies (États-Unis), Global Power Technologies Group (États-Unis), DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (Taïwan), AGC Inc. (Japon), Dow (États-Unis), WeEn Semiconductors (Chine)

Opportunités de marché

  • Augmentation de l’expansion de la technologie 5G

Définition du marché

Le GaN est défini comme un matériau principalement utilisé pour le développement de différents dispositifs de puissance à semi-conducteurs, de diodes électroluminescentes et de composants RF. Le SiC ou carbure de silicium est un semi-conducteur composé de silicium et de carbure. Ces semi-conducteurs de puissance GaN et SiC sont largement utilisés dans des applications telles que la traction, les dispositifs moteurs industriels, les onduleurs photovoltaïques, les alimentations électriques et autres.

Dynamique du marché mondial des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Conducteurs

  • Efficacité énergétique et énergies renouvelables

Les semi-conducteurs de puissance GaN et SiC sont connus pour leur efficacité énergétique élevée et leurs pertes de puissance réduites, ce qui en fait des composants cruciaux dans les systèmes d'énergie renouvelable tels que les onduleurs solaires et les convertisseurs d'énergie éolienne. Avec l’accent croissant mis sur l’énergie propre, la demande de semi-conducteurs de puissance GaN et SiC augmente pour permettre une production d’énergie plus efficace et durable.

  • Véhicules électriques (VE)

L’industrie automobile s’oriente rapidement vers les véhicules électriques pour réduire les émissions et la dépendance aux combustibles fossiles. Les semi-conducteurs de puissance GaN et SiC sont utilisés dans les véhicules électriques pour améliorer l’efficacité de la conversion de puissance, réduire les temps de charge et étendre l’autonomie. À mesure que le marché des véhicules électriques continue de se développer, la demande pour ces semi-conducteurs devrait augmenter.

Opportunités

  • Expansion de la 5G et de l’IoT

 Le déploiement des réseaux 5G et la croissance de l’Internet des objets (IoT) ont créé des opportunités pour les semi-conducteurs de puissance GaN et SiC. Ces semi-conducteurs sont bien adaptés aux applications haute fréquence et haute puissance, ce qui les rend essentiels au développement de l’infrastructure 5G et des appareils IoT avancés.

  • Applications militaires et aérospatiales

Les semi-conducteurs de puissance GaN et SiC sont de plus en plus utilisés dans les applications militaires et aérospatiales en raison de leurs capacités de gestion de puissance élevée, de leur fiabilité et de leur résilience aux environnements difficiles. La modernisation en cours des systèmes de défense et l’expansion des projets d’exploration spatiale présentent d’importantes opportunités de croissance pour ces semi-conducteurs.

Défis/Retenue

  • Coûts de fabrication élevés

 Les dispositifs à semi-conducteurs de puissance GaN et SiC sont plus coûteux à fabriquer que leurs homologues traditionnels à base de silicium. Cette disparité des coûts peut constituer un défi pour une adoption généralisée, en particulier sur les marchés sensibles aux prix comme l'électronique grand public.

  • Chaîne d’approvisionnement et disponibilité des matériaux

Les matériaux GaN et SiC sont relativement nouveaux dans l'industrie des semi-conducteurs, et des défis peuvent survenir liés à la disponibilité de matériaux de haute qualité et à une chaîne d'approvisionnement bien établie. Cela peut avoir un impact sur la production et les délais de livraison, retardant potentiellement le développement et le déploiement des produits.

DEVELOPPEMENTS récents

  • En juin 2023, Qorvo, Inc. a annoncé le lancement du QPB3810, un amplificateur de puissance basé sur GaN. Il intègre un contrôle de polarisation pour les applications mMIMO (massive multiple-input multiple-output) de la 5G.
  • En mars 2023, Infineon Technologies a annoncé son projet d'acquérir GaN Systems pour 830 millions de dollars. Cette acquisition renforcera le portefeuille GaN et sa position sur le marché des systèmes électriques
  • En avril 2022, ROHM Semiconductor et Delta Electronics ont collaboré pour combiner leur technologie et leur expertise en fabrication pour la production en série de dispositifs d'alimentation à base de GaN. Cette initiative de développement du système électrique permettra à l'entreprise d'établir une forte présence sur le marché mondial.

Portée du marché mondial des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC

Le marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC est segmenté en fonction du produit et de l’application. La croissance de ces segments vous aidera à analyser les segments de croissance maigres dans les secteurs et à fournir aux utilisateurs un aperçu précieux du marché et des informations sur le marché pour les aider à prendre des décisions stratégiques pour identifier les applications principales du marché.

Produit

  • Module d'alimentation Sic
  • Module d'alimentation GaN
  • SiC discret
  • Dites GaN

Application

  • Alimentations
  • Entraînements de moteurs industriels
  • IL
  • Onduleurs photovoltaïques
  • Traction
  • Autres

Analyse/performances du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC par pays

Le marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC est analysé et les informations sur la taille du marché et le volume sont fournies par pays, produit et application, comme indiqué ci-dessus.

Les pays couverts dans le rapport de marché sont les États-Unis, le Canada, le Mexique, l’Allemagne, le Royaume-Uni, la France, l’Italie, l’Espagne, la Russie, la Pologne, la Suisse, les Pays-Bas, la Hongrie, l’Autriche, la Norvège, l’Irlande, la Turquie, la Lituanie, le reste de l’Europe et la Chine. , Japon, Inde, Australie, Corée du Sud, Singapour, Thaïlande, Malaisie, Indonésie, Philippines, Vietnam, reste de l'Asie-Pacifique, Brésil, Argentine, Pérou, reste de l'Amérique du Sud, Afrique du Sud, Arabie saoudite, Émirats arabes unis, Israël, Koweït , l’Égypte et le reste du Moyen-Orient et de l’Afrique.

L’Amérique du Nord devrait dominer le marché en raison de la popularité croissante des véhicules électriques, de l’adoption accrue de la technologie 5G et de l’augmentation des investissements dans le développement des infrastructures.

L’Amérique du Nord devrait devenir la région du marché qui connaît la croissance la plus rapide en raison de la demande croissante de véhicules électriques, de systèmes d’énergie renouvelable et d’applications industrielles.

La section nationale du rapport sur le marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC fournit également des facteurs individuels ayant un impact sur le marché et des changements de réglementation sur le marché national qui ont un impact sur les tendances actuelles et futures du marché. Les points de données tels que l'analyse de la chaîne de valeur en aval et en amont, les tendances techniques et l'analyse des cinq forces du porteur, les études de cas sont quelques-uns des indicateurs utilisés pour prévoir le scénario de marché pour chaque pays. En outre, la présence et la disponibilité des marques mondiales et les défis auxquels elles sont confrontées en raison de la concurrence forte ou rare des marques locales et nationales, de l'impact des tarifs nationaux et des routes commerciales sont pris en compte tout en fournissant une analyse prévisionnelle des données nationales.

Analyse du paysage concurrentiel et des parts de marché

Le paysage concurrentiel du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC fournit des détails par concurrent. Les détails inclus sont un aperçu de l'entreprise, les données financières de l'entreprise, les revenus générés, le potentiel du marché, les investissements dans la recherche et le développement, les nouvelles initiatives de marché, la présence régionale, les forces et les faiblesses de l'entreprise, le lancement du produit, la largeur et l'étendue du produit, la domination des applications. Les points de données ci-dessus fournis sont uniquement liés à l’orientation des entreprises concernant le marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC.

Certains des principaux acteurs opérant sur le marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC sont :

  • Alpha et Omega Semiconductor (États-Unis)
  • Fuji Electric Co., Ltd (Japon)
  • Infineon Technologies AG (Allemagne)
  • Littelfuse, Inc. (États-Unis)
  • Micrograines (États-Unis)
  • Mitsubishi Electric Corporation (Japon)
  • Renesas Electronics Corporation (Japon)
  • ROHM SEMICONDUCTOR (Japon)
  • SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Japon)
  • STMicroelectronics (Suisse/France)
  • Epiluvac (Suède)
  • IQE PLC (Royaume-Uni)
  • Transphorm Inc. (États-Unis)
  • SweGaN (Suède)
  • Saint-Gobain (France)
  • GeneSiC Semiconductor Inc. (États-Unis)
  • Sublime Technologies (États-Unis)
  • Groupe mondial de technologies énergétiques (États-Unis)
  • DACO SEMICONDUCTEUR CO., LTD. (Taïwanais)
  • AGC Inc. (Japon)
  • Dow (États-Unis)
  • WeEn Semiconductors (Chine)


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Méthodologie de recherche :

La collecte de données et l'analyse de l'année de référence sont effectuées à l'aide de modules de collecte de données avec des échantillons de grande taille. L'étape comprend l'obtention d'informations sur le marché ou de données connexes via diverses sources et stratégies. Cela comprend l’examen et la planification à l’avance de toutes les données acquises du passé. Il englobe également l’examen des incohérences d’informations observées dans différentes sources d’informations. Les données de marché sont analysées et estimées à l’aide de modèles statistiques et cohérents de marché. En outre, l’analyse des parts de marché et l’analyse des tendances clés sont les principaux facteurs de succès du rapport sur le marché. Pour en savoir plus, veuillez demander un appel d’analyste ou déposer votre demande.

La méthodologie de recherche clé utilisée par l'équipe de recherche DBMR est la triangulation des données qui implique l'exploration de données, l'analyse de l'impact des variables de données sur le marché et la validation primaire (expert du secteur). Les modèles de données comprennent une grille de positionnement des fournisseurs, une analyse de la chronologie du marché, un aperçu et un guide du marché, une grille de positionnement de l'entreprise, une analyse des brevets, une analyse des prix, une analyse de la part de marché de l'entreprise, des normes de mesure, une analyse mondiale par rapport à une analyse régionale et de la part des fournisseurs. Pour en savoir plus sur la méthodologie de recherche, déposez une demande pour parler à nos experts du secteur.

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Personnalisation disponible :

Data Bridge Market Research est un leader en matière de recherche formative avancée. Nous sommes fiers de servir nos clients existants et nouveaux avec des données et des analyses qui correspondent à leur objectif. Le rapport peut être personnalisé pour inclure une analyse des tendances des prix des marques cibles comprenant le marché de pays supplémentaires (demandez la liste des pays), des données sur les résultats des essais cliniques, une revue de la littérature, une analyse du marché du reconditionné et de la base de produits. L’analyse du marché des concurrents cibles peut être analysée depuis l’analyse technologique jusqu’aux stratégies de portefeuille de marché. Nous pouvons ajouter autant de concurrents sur lesquels vous avez besoin de données dans le format et le style de données que vous recherchez. Notre équipe d'analystes peut également vous fournir des données sous forme de tableaux croisés dynamiques de fichiers Excel bruts (Fact book) ou peut vous aider à créer des présentations à partir des ensembles de données disponibles dans le rapport.

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POSEZ FRÉQUEMMENT DES QUESTIONS

La taille du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC s’élèvera à 3 706,45 millions de dollars en 2031.
Le taux de croissance du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC est de 30,05 % selon les prévisions.
L’efficacité énergétique et les énergies renouvelables sont les moteurs de croissance du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC.
Le produit et l’application sont les facteurs sur lesquels est basée l’étude de marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC.
Les principales entreprises du marché des semi-conducteurs de puissance GaN et SiC sont Alpha and Omega Semiconductor (États-Unis), Fuji Electric Co., Ltd (Japon), Infineon Technologies AG (Allemagne), Littelfuse, Inc. (États-Unis), Microsemi (États-Unis), Mitsubishi Electric Corporation (Japon), Renesas Electronics Corporation (Japon), ROHM SEMICONDUCTOR (Japon), SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Japon), STMicroelectronics (Suisse/France), Epiluvac (Suède), IQE PLC (Royaume-Uni), Transphorm Inc. (États-Unis), SweGaN (Suède), Saint-Gobain (France), GeneSiC Semiconductor Inc. (États-Unis), Sublime Technologies (États-Unis), Global Power Technologies Group (États-Unis), DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (Taïwan), AGC Inc. (Japon), Dow (États-Unis), WeEn Semiconductors (Chine).
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