Marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique – Tendances et prévisions de l’industrie jusqu’en 2030

Analyse et taille du marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique

Les semi-conducteurs de puissance SiC sont les semi-conducteurs les plus répandus et sont considérés comme le meilleur choix pour l'électronique. Ces semi-conducteurs de puissance SiC sont utilisés dans les secteurs domestique, commercial et industriel et dans divers autres domaines. Les semi-conducteurs de puissance SiC sont disponibles dans deux types d'appareils, tels que les appareils discrets SiC et les puces nues SiC. En raison des progrès technologiques, la prévalence des appareils discrets SiC a augmenté plus rapidement. La propriété importante du semi-conducteur de puissance SiC est sa conductivité thermique élevée ainsi que diverses autres propriétés qui utilisent efficacement l'électricité. Les semi-conducteurs de puissance SiC sont utilisés dans les télécommunications, l'énergie et l'électricité, la production d'énergie renouvelable et plusieurs autres domaines. Les semi-conducteurs de puissance SiC sont utilisés dans l'électronique de puissance et gagnent en popularité auprès des particuliers. La demande de semi-conducteurs de puissance SiC sur le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique augmente à un rythme plus élevé. Pour cela, divers acteurs du marché introduisent de nouveaux produits et forment un partenariat pour développer leurs activités sur le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique.

Selon les analyses de Data Bridge Market Research, le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique devrait atteindre une valeur de 4 058 305,08 milliers USD d'ici 2030, à un TCAC de 25,9 % au cours de la période de prévision. Le rapport sur le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique couvre également de manière exhaustive l'analyse des prix, l'analyse des brevets et les avancées technologiques.

Définition du marché

Les semi-conducteurs de puissance SiC désignent le type de semi-conducteur qui contient du carbone et du silicium et qui fonctionne à très haute tension et à très haute température. Les semi-conducteurs de puissance SiC peuvent être utilisés pour produire un matériau solide ainsi qu'un matériau très dur. Les semi-conducteurs de puissance SiC peuvent être mis en œuvre dans divers secteurs tels que les télécommunications, l'énergie et l'électricité, l'automobile, la production d'énergie renouvelable et dans différents autres domaines. Ils sont essentiellement considérés en raison de leurs propriétés de conductivité thermique maximale plus élevées qui ont élargi le domaine d'application. Les semi-conducteurs de puissance SiC sont des dispositifs considérés comme des dispositifs de puissance haute fréquence qui sont principalement applicables dans les communications sans fil. Les semi-conducteurs SiC offrent dix fois la résistance au champ de claquage diélectrique, trois fois la conductivité thermique et trois fois la bande interdite par rapport à un semi-conducteur en silicium. Le semi-conducteur SiC a conquis le marché en raison de ses performances et de son efficacité élevées. Le semi-conducteur de puissance SiC permet de fonctionner à haute tension et à haut courant et offre une faible résistance à l'état passant en plus d'être efficace à haute température. La combinaison du carbure de silicium s'est ainsi avérée être un choix de semi-conducteur meilleur et optimal.

Dynamique du marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique

Cette section traite de la compréhension des moteurs, des avantages, des opportunités, des contraintes et des défis du marché. Tout cela est discuté en détail ci-dessous :

Conducteurs

• L'avènement des semi-conducteurs de puissance SiC

There are very useful properties of SiC as a semiconductor material. In applications such as inverters, motor drives, and battery chargers, silicon carbide (SiC) devices offer many advantages, such as improved power density, reduced cooling requirements, and reduced overall system cost. These advantages are enough to make SiC power semiconductors at the high efficient stage.

The energy lost by SiC during the reverse recovery phase is only 1% of the energy lost by silicon which creates a huge difference in the efficiency of the material. The virtual absence of a tail current allows a faster turn‑off, and it makes lower losses. Since there is less energy to dissipate, a SiC device able to switch at higher frequencies and improve efficiency. The more efficient, small size, and lower weight of SiC as compared to other materials can create a higher-rated solution or a smaller design with reduced cooling requirements. Thus, the advent of SiC power semiconductors is a major factor expected to drive the growth of the Asia-Pacific SiC power semiconductor market.

• Rising Penetration of Electronic Vehicles

The world is changing so fast, and it is turning towards renewable energy. All sectors, market players, and government institutes are making more focus to build electric vehicle infrastructure and generate more demand for electric vehicles.

As per the information from International Energy Agency (IEA), 16.5 million electric cars were on the road in 2021, a tripling in just three years, and this is a big number as compared to 2020. Electric car sales increased and doubled in China, continued to increase in Europe, and picked up in the U.S.  in 2021. This data shows that there is a tremendous increase in the penetration of EVs in the market, which may positively affect the environment as well as the Asia-Pacific SiC power semiconductor market. SiC is highly efficient at high voltages, enabling fast battery charging times that are comparable to filling the tank of conventional vehicles. Silicon carbide power electronics are enabling a surge in 800-volt drive systems, paving the way for lighter EVs with greater range.

Opportunity

• Strategic Partnership and Acquisition by SiC Manufacturers

There are various organizations and market players which are creating strategic partnerships and acquisitions. This partnership creates a huge positive impact on the growth of the Asia-Pacific SiC power semiconductor market. This collaboration results in cooperation, becoming a low-cost route for new competitors to gain technology and market access.

 A joint venture involves two or more businesses pooling their resources and expertise to achieve a particular goal. There are many organizations that collaborate with each other's and create a positive impact on the growth of the Asia-Pacific SiC power semiconductor market.

Restraint/Challenge

• Issues Related With SiC Wafer Manufacturing

A SiC wafer is a semiconductor material that has excellent electrical and thermal properties. It is a high-performance semiconductor that is ideal for a wide variety of applications. In addition to its high thermal resistance, it also features a very high level of hardness. There is a lot of fabrication challenge faced by SiC wafer manufacturers. The main defects that can occur during the manufacturing of SiC substrates are crystalline stacking faults, micro pipes, pits, scratches, stains, and surface particles. These factors are adversely affecting the performance of SiC devices which have been detected more frequently on 150-mm wafers than on 100-mm wafers. This is because SiC is the third-hardest composite material in the world and is also very fragile, and its production poses complex challenges related to cycle time, cost, and dicing performance. It is effective to predict that even switching to 200-mm wafers will entail significant issues. In fact, it will be necessary to guarantee the same quality of the substrate, facing an inevitably higher density of defects.

Post-COVID-19 Impact on Asia-Pacific SiC Power Semiconductor Market

The SiC power semiconductor industry noted a gradual decrease in demand due to the lockdown and COVID-19 governmental laws, as manufacturing facilities and services were closed. Even private and public development was called off. Moreover, the industry was also affected by the halt of the supply chain, especially of raw materials used in the manufacturing process of SiC power semiconductors. Stringent government regulations for different industries and restrictions on trade & transportation were some of the top factors that caused a dent in the growth of the market for SiC power semiconductors around the world in 2020 and in the first two quarters of 2021. As the SiC power semiconductor production slowed down owing to the restrictions by governments across the globe, the production was not meeting the demand in the first three quarters of 2020. Moreover, high demand/requirement for SiC power semiconductor products in the automotive and defense industry, in the medical sector, and in hydraulics applications has been witnessed. The resumption of production of the oil and gas industry and automotive; further fuelled the rising demand for SiC power semiconductors across the globe. Thus, this not only led to a hike in demand but also increased the cost of the product.

Recent Developments

• In December 2022, STMicroelectronics and Soitec (Euronext Paris), in designing and manufacturing innovative semiconductor materials, announced the next stage of their cooperation on Silicon Carbide (SiC) substrates, with the qualification of Soitec's SiC substrate technology by ST planned over the next 18 months. The goal of this cooperation is the adoption by ST of Soitec's SmartSiC technology for its future 200mm substrate manufacturing, feeding its devices and modules manufacturing business, with volume production expected in the midterm. This collaboration will help the company to boost its financials as well as the growth of the Asia-Pacific SiC power semiconductor market.
• In July 2022, Semikron Danfoss and the Kyoto-based company ROHM Semiconductor have been collaborating for more than ten years with regard to the implementation of silicon carbide (SiC) inside power modules. Recently, ROHM's latest 4th generation of SiC MOSFETs has been fully qualified in SEMIKRON's eMPack modules for automotive use. Hence, both companies serve worldwide customers' needs. This collaboration enhanced the company's financials and made a positive impact on the growth of the Asia-Pacific SiC power semiconductor market.

Asia-Pacific SiC Power Semiconductor Market Scope

The Asia-Pacific SiC power semiconductor market is segmented on the basis of type, voltage range, wafer size, wafer type, application, and vertical. The growth amongst these segments will help you analyze meager growth segments in the industries and provide the users with a valuable market overview and market insights to help them make strategic decisions for identifying core market applications.

By Type

• MOSFETS
• Hybrid Modules
• Schottky Barrier Diodes (SBDS)
• IGBT
• Bipolar Junction Transistor (BJT)
• Pin Diode
• Junction FET (JFET)
• Others

On the basis of type, the Asia-Pacific SiC power semiconductor market is segmented into MOSFETS, Hybrid Modules, Schottky Barrier Diodes (SBDS), IGBT, Bipolar Junction Transistor (BJT), Pin Diode, Junction FET (JFET) and others.

By Voltage Range

• 301-900 V
• 901-1700 V
• Above 1701 V

On the basis of voltage range, the Asia-Pacific SiC power semiconductor market is segmented into 301-900 V, 901-1700 V, and above 1701 V.

By Wafer Size

• 6 Inch
• 4 Inch
• 2 Inch
• Above 6 Inch

On the basis of wafer size, the Asia-Pacific SiC power semiconductor market is segmented into 6 Inch, 4 Inch, 2 Inch, and above 6 Inch.

By Wafer Type

• SiC epitaxial wafers
• Blank SiC wafers

On the basis of the wafer type, the Asia-Pacific SiC power semiconductor market is segmented into SiC epitaxial wafers and blank SiC wafers.

By Application

• Electric Vehicles (EV)
• Photovoltaics
• Power supplies
• Industrial motor drives
• EV charging infrastructure
• RF Devices
• Others

On the basis of the application, the Asia-Pacific sic power semiconductor market is segmented into electric vehicles (EV), photovoltaics, power supplies, industrial motor drives, EV charging infrastructure, RF devices, and others.

By Vertical

• Automotive
• Utilities and energy
• Industriel
• Transport
• Informatique et télécommunication
• Électronique grand public
• Aérospatiale et défense
• Commercial
• Autres

Sur la base de la verticale, le marché des semi-conducteurs de puissance SiC de la région Asie-Pacifique est segmenté en automobile, services publics et énergie, industrie, transport, informatique et télécommunications, électronique grand public, aérospatiale et défense, commercial et autres.

Analyse/perspectives régionales du marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique

Le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique est analysé et des informations sur la taille du marché et les tendances sont fournies par région, type, plage de tension, taille de plaquette, type de plaquette, application et verticale comme référencé ci-dessus.

Les pays couverts dans le rapport sur le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique sont le Japon, la Chine, la Corée du Sud, l'Inde, l'Australie et la Nouvelle-Zélande, Hong Kong, Taïwan, Singapour, la Thaïlande, l'Indonésie, la Malaisie, les Philippines, le Vietnam et le reste de l'Asie-Pacifique.

En 2023, la Chine devrait dominer le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique en raison de la taille de son marché intérieur de l'électronique et de son statut de base de production pour des industries entières, ce qui devrait servir de facteur moteur à la croissance du marché.

La section régionale du rapport fournit également des facteurs individuels ayant un impact sur le marché et des changements dans la réglementation du marché qui ont un impact sur les tendances actuelles et futures du marché. Des points de données tels que l'analyse de la chaîne de valeur en aval et en amont, les tendances techniques et l'analyse des cinq forces de Porter, ainsi que des études de cas sont quelques-uns des indicateurs utilisés pour prévoir le scénario de marché pour chaque pays. En outre, la présence et la disponibilité des marques d'Asie-Pacifique et les défis auxquels elles sont confrontées en raison de la concurrence importante ou rare des marques locales et nationales, l'impact des tarifs nationaux et les routes commerciales sont pris en compte tout en fournissant une analyse prévisionnelle des données de la région.

Analyse du paysage concurrentiel et des parts de marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique

Le paysage concurrentiel du marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique fournit des détails par concurrent. Les détails inclus sont un aperçu de l'entreprise, les finances de l'entreprise, les revenus générés, le potentiel du marché, les investissements dans la recherche et le développement, les nouvelles initiatives du marché, la présence en Asie-Pacifique, les sites et installations de production, les capacités de production, les forces et les faiblesses de l'entreprise, le lancement du produit, la largeur et l'étendue du produit et la domination des applications. Les points de données ci-dessus fournis ne concernent que l'orientation des entreprises liée au marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique.

Français Certains des principaux acteurs opérant sur le marché des semi-conducteurs de puissance SiC en Asie-Pacifique sont WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics, ROHM CO., LTD., Fuji Electric Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated, Infineon Technologies AG, Semikron Danfoss, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., Renesas Electronics Corporation, TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION, Microchip Technology Inc., Semiconductor Components Industries, LLC, NXP Semiconductors, UnitedSiC, SemiQ Inc., Littlefuse, Inc., Allegro MicroSystems, Inc., Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (Une filiale de Hitachi Group) et GeneSiC Semiconductor Inc. entre autres.

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