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Mercado global de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT): tendencias de la industria y pronóstico para 2029

Semiconductores y Electrónica

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Mercado global de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT): tendencias de la industria y pronóstico para 2029

  • Semiconductores y Electrónica
  • Próximo informe
  • octubre de 2022
  • Global
  • 350 páginas
  • Número de mesas: 220
  • Número de figuras: 60

Mercado global de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), por tipo (IGBT discreto, IGBT modular), potencia nominal (alta potencia, media potencia, baja potencia), usuario final (automotriz, electrónica de consumo, comunicaciones, industria , Otras verticales de uso final): tendencias de la industria y pronóstico hasta 2029.

Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market

Análisis y tamaño del mercado de semiconductores discretos de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

La demanda de semiconductores discretos ha aumentado significativamente en los últimos años y se espera que aumente aún más durante el período previsto. La demanda de dispositivos de alta energía y bajo consumo está impulsando hacia adelante la industria de los semiconductores discretos. Los fabricantes de productos electrónicos prefieren componentes que sean rápidos, compactos y capaces de aumentar la eficiencia del producto. Estos determinantes del crecimiento del mercado contribuirán al crecimiento general del mercado.

Data Bridge Market Research analiza que el mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), que estaba creciendo a un valor de 12,57 mil millones en 2021 y se espera que alcance el valor de 31,66 mil millones de dólares para 2029, a una tasa compuesta anual del 11,30% durante el Período de previsión de 2022-2029. Además de los conocimientos del mercado, como el valor de mercado, la tasa de crecimiento, los segmentos de mercado, la cobertura geográfica, los actores del mercado y el escenario del mercado, el informe de mercado elaborado por el equipo de investigación de mercado de Data Bridge incluye análisis de expertos en profundidad, análisis de importación/exportación, análisis de precios, análisis de consumo de producción y análisis de mortero.

Alcance y segmentación del mercado Semiconductor discreto de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

Métrica de informe

Detalles

Período de pronóstico

2022 a 2029

Año base

2021

Años históricos

2020 (Personalizable para 2014 - 2019)

Unidades Cuantitativas

Ingresos en miles de millones de dólares, volúmenes en unidades, precios en dólares

Segmentos cubiertos

Tipo (IGBT discreto, IGBT modular), potencia nominal (alta potencia, media potencia, baja potencia), usuario final (automotriz, Electrónica de consumo, Comunicación, Industrial, Otros Sectores de Uso Final),

Países cubiertos

Estados Unidos, Canadá y México en Norteamérica, Alemania, Francia, Reino Unido, Países Bajos, Suiza, Bélgica, Rusia, Italia, España, Turquía, Resto de Europa en Europa, China, Japón, India, Corea del Sur, Singapur, Malasia, Australia, Tailandia, Indonesia, Filipinas, Resto de Asia-Pacífico (APAC) en Asia-Pacífico (APAC), Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Sudáfrica, Egipto, Israel, Resto de Medio Oriente y África (MEA) como parte de Medio Oriente y África (MEA), Brasil, Argentina y Resto de Sudamérica como parte de Sudamérica

Actores del mercado cubiertos

ABB (Suiza), Semiconductor Components Industries, LLC (EE.UU.), Infineon Technologies AG (Alemania), STMicroelectronics (Suiza), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japón), NXP Semiconductors (Países Bajos), Diodes Incorporated (EE.UU.), Nexperia ( Países Bajos), Qualcomm Technologies Inc., (EE.UU.), D3 Semiconductor (EE.UU.), Eaton (Irlanda), Hitachi Ltd. (Japón), Mitsubishi Electric Corporation (Japón), Fuji Electric Co., Ltd. (EE.UU.), Murata Manufacturing Co. Ltd (Japón) y Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taiwán)

Oportunidades

  • El mayor desarrollo de semiconductores basados ​​en IA
  • El aumento de las actividades de I+D, combinado con los avances tecnológicos

Definición de mercado

Un dispositivo semiconductor discreto es un dispositivo de silicio único que realiza una función electrónica básica. Entre los semiconductores discretos se encuentran el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), MOSFET, tiristores, diodos y rectificadores. Un semiconductor discreto de potencia, más comúnmente un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) o un MOSFETS, es un componente de aparatos electrónicos y eléctricos que convierte corriente alterna. La potencia discreta impulsa semiconductores discretos, que se utilizan en una amplia gama de aplicaciones electrónicas, desde electrónica de consumo hasta estaciones de carga eléctrica.

Dinámica del mercado global de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)

Conductores

  • Necesidad creciente de dispositivos sostenibles

Se espera que la creciente demanda de dispositivos de alta energía y eficiencia energética, así como un aumento en la demanda de unidades de generación de energía verde, sean los principales factores que impulsen el crecimiento del mercado. Además, el aumento de la demanda de MOSFET y transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) en electrónica y automóviles, así como la demanda continua de semiconductores de la industria automotriz, ayudan a amortiguar el crecimiento del mercado durante el período previsto.

  • Alta demanda de dispositivos portátiles y de consumo.

Los nuevos semiconductores de potencia son transistores altamente especializados que emplean una variedad de tecnologías competitivas como GaN, SiC y silicio. Dado que GaN y SiC son tecnologías de banda prohibida amplia, son más eficientes y rápidos que los dispositivos basados ​​en silicio. Varios fabricantes están introduciendo la próxima generación de semiconductores de potencia basados ​​en nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (Sic).

La creciente popularidad de los dispositivos electrónicos inalámbricos y portátiles está impulsando el crecimiento del mercado. Además, la creciente popularidad de los productos electrónicos inalámbricos y portátiles, la fuerte demanda de las economías emergentes y el rápido crecimiento de la industria automotriz contribuyen al crecimiento del mercado. La demanda de componentes mejores y más eficientes por parte de los fabricantes de comunicaciones, electrónica de consumo y otros equipos también es un motor del mercado.

Oportunidades

  • Alta prevalencia de semiconductores basados ​​en IA

Se espera que el mayor desarrollo de semiconductores basados ​​en IA genere oportunidades lucrativas para el mercado, ampliando aún más la tasa de crecimiento futuro del mercado de semiconductores discretos. Además, el aumento de las actividades de I+D, combinado con los avances tecnológicos en las técnicas de fabricación, brindarán numerosas oportunidades para el crecimiento del mercado.

Restricciones

  • Alto costo y escasez de avances.

Sin embargo, el aumento de los precios de los semiconductores discretos, un mayor énfasis en los circuitos integrados y la falta de avance y desarrollo tecnológico son las principales restricciones que desafiarán aún más el mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) durante el período de pronóstico.

Este informe de mercado de semiconductores discretos de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) proporciona detalles de nuevos desarrollos recientes, regulaciones comerciales, análisis de importación y exportación, análisis de producción, optimización de la cadena de valor, participación de mercado, impacto de los actores del mercado nacional y localizado, analiza oportunidades en términos de bolsillos de ingresos emergentes, cambios en las regulaciones del mercado, análisis estratégico del crecimiento del mercado, tamaño del mercado, crecimientos del mercado de categorías, nichos de aplicación y dominio, aprobaciones de productos, lanzamientos de productos, expansiones geográficas, innovaciones tecnológicas en el mercado. Para obtener más información sobre el mercado de semiconductores discretos de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), comuníquese con Data Bridge Market Research para obtener un resumen del analista; nuestro equipo lo ayudará a tomar una decisión de mercado informada para lograr el crecimiento del mercado.

Impacto y escenario actual del mercado de escasez de materia prima y retrasos en el envío

Data Bridge Market Research ofrece un análisis de alto nivel del mercado y brinda información teniendo en cuenta el impacto y el entorno actual del mercado de la escasez de materia prima y los retrasos en el envío. Esto se traduce en evaluar posibilidades estratégicas, crear planes de acción eficaces y ayudar a las empresas a tomar decisiones importantes.

Además del informe estándar, también ofrecemos un análisis en profundidad del nivel de adquisiciones a partir de retrasos de envío previstos, mapeo de distribuidores por región, análisis de productos básicos, análisis de producción, mapeo de tendencias de precios, abastecimiento, análisis de desempeño de categorías, soluciones avanzadas de gestión de riesgos de la cadena de suministro. evaluación comparativa y otros servicios de adquisiciones y apoyo estratégico.

Impacto de COVID-19 en el mercado mundial de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)

El brote de COVID-19, por otro lado, ha tenido un impacto masivo en las economías nacionales y mundiales. Muchas industrias de usuarios finales, incluidos los semiconductores discretos, se han visto afectadas. El trabajo en la fábrica es una gran parte de la fabricación de componentes electrónicos, donde las personas están en estrecho contacto mientras colaboran para aumentar la productividad. Actualmente, las empresas del mercado están evaluando los efectos en tres frentes: la demanda del mercado, la cadena de suministro y la fuerza laboral. La demanda del producto está cambiando entre ASICS, memoria, sensores, etc., a medida que el comportamiento del consumidor cambia rápidamente y con volatilidad futura. Además, muchas empresas han pospuesto las actualizaciones de hardware y otros proyectos de migración a largo plazo.

Impacto esperado de la desaceleración económica en los precios y la disponibilidad de productos

Cuando la actividad económica se desacelera, las industrias comienzan a sufrir. Los efectos previstos de la crisis económica sobre los precios y la accesibilidad de los productos se tienen en cuenta en los informes de conocimiento del mercado y los servicios de inteligencia proporcionados por DBMR. Con esto, nuestros clientes normalmente pueden ir un paso por delante de sus competidores, proyectar sus ventas e ingresos y estimar sus gastos de pérdidas y ganancias.

Desarrollo reciente

  • En septiembre de 2020, Infineon Technologies AG presentará su 'tecnología TRNCHSTOP AISLated GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)7' líder en la industria, que es ideal para accionamientos de motores industriales, energía fotovoltaica, corrección del factor de potencia y sistemas de alimentación ininterrumpida.
  • En julio de 2020, STMicroelectronics lanzará 26 nuevos diodos Schottky con clasificaciones de corriente de 1 a 5 A y tensiones nominales de 25 a 200 V en paquetes planos SBM y SMA de bajo perfil. Debido a su bajo voltaje, estos dispositivos brindan una mayor eficiencia energética para aplicaciones industriales y de consumo.

Alcance del mercado global de semiconductores discretos de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

El mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) está segmentado según el tipo, la potencia nominal y el usuario final. El crecimiento entre estos segmentos lo ayudará a analizar los segmentos de escaso crecimiento en las industrias y brindará a los usuarios una valiosa descripción general del mercado e información sobre el mercado para ayudarlos a tomar decisiones estratégicas para identificar las aplicaciones principales del mercado.

Tipo

  • Transistor bipolar de puerta aislada discreta (IGBT)
  • Transistor bipolar de puerta aislada modular (IGBT)

Potencia nominal

  • Alto Voltaje
  • Potencia media
  • Baja potencia

Verticales de usuarios finales

  • Automotor
  • Electrónica de consumo
  • Comunicación
  • Industrial
  • Otras verticales de uso final

Análisis/Perspectivas regionales del mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)

Se analiza el mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y se proporcionan conocimientos y tendencias sobre el tamaño del mercado por país, tipo, potencia nominal y usuario final, como se mencionó anteriormente.

Los países cubiertos en el informe del mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) son EE. UU., Canadá y México en América del Norte, Alemania, Francia, Reino Unido, Países Bajos, Suiza, Bélgica, Rusia, Italia, España, Turquía y el resto de Europa en Europa, China, Japón, India, Corea del Sur, Singapur, Malasia, Australia, Tailandia, Indonesia, Filipinas, Resto de Asia-Pacífico (APAC) en Asia-Pacífico (APAC), Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Sudáfrica, Egipto, Israel, Resto de Medio Oriente y África (MEA) como parte de Medio Oriente y África (MEA), Brasil, Argentina y Resto de Sudamérica como parte de Sudamérica.

La región de América del Norte ha sido la dominante en el mercado mundial de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) durante todo el período de pronóstico, representando las cuotas de mercado más altas. Esto se debe a la creciente incorporación de tecnologías digitales a la corriente principal, a la adopción generalizada de bolígrafos digitales, particularmente en el sector educativo, y a la presencia de actores clave en esta región.

Asia-Pacífico domina el mercado de semiconductores discretos debido a la presencia de industrias de semiconductores en China, Taiwán, Corea del Sur e India, así como al aumento de la demanda de unidades de generación de energía verde y MOSFET y transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) en electrónica y automóviles,

La sección de países del informe también proporciona factores que impactan el mercado individual y cambios en la regulación del mercado que impactan las tendencias actuales y futuras del mercado. Puntos de datos como el análisis de la cadena de valor ascendente y descendente, las tendencias técnicas y el análisis de las cinco fuerzas de Porter, y los estudios de casos son algunos de los indicadores utilizados para pronosticar el escenario del mercado para países individuales. Además, se consideran la presencia y disponibilidad de marcas globales y los desafíos que enfrentan debido a la competencia grande o escasa de marcas locales y nacionales, el impacto de los aranceles internos y las rutas comerciales, al tiempo que se proporciona un análisis de pronóstico de los datos del país.

Panorama competitivo y cuota de mercado Análisis Semiconductor discreto de transistor bipolar de puerta aislada (IGBT)

El panorama competitivo del mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) proporciona detalles por competidor. Los detalles incluidos son descripción general de la empresa, finanzas de la empresa, ingresos generados, potencial de mercado, inversión en investigación y desarrollo, nuevas iniciativas de mercado, presencia global, sitios e instalaciones de producción, capacidades de producción, fortalezas y debilidades de la empresa, lanzamiento de producto, ancho y amplitud del producto, aplicación. dominio. Los puntos de datos anteriores proporcionados solo están relacionados con el enfoque de las empresas en el mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).

Algunos de los principales actores que operan en el mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) son:

  • ABB (Suiza)
  • Industrias de componentes semiconductores, LLC (EE. UU.)
  • Infineon Technologies AG (Alemania)
  • STMicroelectronics (Suiza)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japón)
  • Semiconductores NXP (Países Bajos)
  • Diodos incorporados (EE. UU.)
  • Nexperia (Países Bajos)
  • Qualcomm Technologies Inc., (EE. UU.)
  • Semiconductor D3 (EE. UU.)
  • Eaton (Irlanda)
  • Hitachi Ltd. (Japón)
  • Corporación Mitsubishi Electric (Japón)
  • Fuji Electric Co., Ltd. (EE. UU.)
  • Murata Manufacturing Co. Ltd (Japón)
  • Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taiwán)


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Metodología de investigación:

La recopilación de datos y el análisis del año base se realizan mediante módulos de recopilación de datos con muestras de gran tamaño. La etapa incluye la obtención de información de mercado o datos relacionados a través de diversas fuentes y estrategias. Incluye examinar y planificar de antemano todos los datos adquiridos del pasado. Asimismo, abarca el examen de las inconsistencias de la información observadas en diferentes fuentes de información. Los datos de mercado se analizan y estiman utilizando modelos estadísticos y coherentes de mercado. Además, el análisis de la cuota de mercado y el análisis de tendencias clave son los principales factores de éxito en el informe de mercado. Para saber más, solicite una llamada de analista o envíe su consulta.

La metodología de investigación clave utilizada por el equipo de investigación de DBMR es la triangulación de datos, que implica extracción de datos, análisis del impacto de las variables de datos en el mercado y validación primaria (experto de la industria). Los modelos de datos incluyen cuadrícula de posicionamiento de proveedores, análisis de la línea de tiempo del mercado, descripción general y guía del mercado, cuadrícula de posicionamiento de la empresa, análisis de patentes, análisis de precios, análisis de participación de mercado de la empresa, estándares de medición, análisis global versus regional y de participación de proveedores. Para saber más sobre la metodología de investigación, envíe una consulta para hablar con nuestros expertos de la industria.

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Personalización disponible:

Data Bridge Market Research es líder en investigación formativa avanzada. Estamos orgullosos de brindar servicios a nuestros clientes nuevos y existentes con datos y análisis que coinciden y se adaptan a sus objetivos. El informe se puede personalizar para incluir análisis de tendencias de precios de marcas objetivo que comprendan el mercado de países adicionales (solicite la lista de países), datos de resultados de ensayos clínicos, revisión de la literatura, mercado renovado y análisis de la base de productos. El análisis de mercado de los competidores objetivo se puede analizar desde análisis basados ​​en tecnología hasta estrategias de cartera de mercado. Podemos agregar tantos competidores sobre los que necesite datos en el formato y estilo de datos que esté buscando. Nuestro equipo de analistas también puede proporcionarle datos en tablas dinámicas de archivos de Excel sin procesar (libro de datos) o puede ayudarlo a crear presentaciones a partir de los conjuntos de datos disponibles en el informe.

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HAGA PREGUNTAS FRECUENTES

El tamaño del mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) tendrá un valor de 31,66 mil millones de dólares para 2029.
La tasa de crecimiento del mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) será del 11,30% para 2029.
La creciente necesidad de dispositivos sostenibles y la alta demanda de dispositivos portátiles y de consumo son los motores de crecimiento del mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).
El tipo, la potencia nominal y el usuario final son los factores en los que se basa la investigación de mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).
Las principales empresas en el mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) son ABB (Suiza), Semiconductor Components Industries, LLC (EE. UU.), Infineon Technologies AG (Alemania), STMicroelectronics (Suiza), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japón). ), NXP Semiconductors (Países Bajos), Diodes Incorporated (EE.UU.), Nexperia (Países Bajos), Qualcomm Technologies Inc., (EE.UU.), D3 Semiconductor (EE.UU.), Eaton (Irlanda), Hitachi Ltd. (Japón), Mitsubishi Electric Corporation ( Japón), Fuji Electric Co., Ltd. (EE. UU.), Murata Manufacturing Co. Ltd (Japón) y Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taiwán).
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