>Mercado global de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT), por tipo (IGBT discreto, IGBT modular), clasificación de potencia (alta potencia, potencia media, baja potencia), usuario final (automotriz, electrónica de consumo, comunicaciones, industrial, otros verticales de uso final): tendencias de la industria y pronóstico hasta 2029.
Análisis y tamaño del mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
La demanda de semiconductores discretos ha aumentado significativamente en los últimos años y se espera que aumente aún más durante el período de pronóstico. La demanda de dispositivos de alta energía y baja potencia está impulsando la industria de semiconductores discretos. Los fabricantes de productos electrónicos prefieren componentes que sean rápidos, compactos y capaces de aumentar la eficiencia del producto. Estos determinantes del crecimiento del mercado contribuirán al crecimiento general del mercado.
Data Bridge Market Research analiza que el mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) creció a un valor de 12,57 mil millones en 2021 y se espera que alcance el valor de USD 31,66 mil millones para 2029, a una CAGR del 11,30% durante el período de pronóstico de 2022-2029. Además de los conocimientos del mercado, como el valor de mercado, la tasa de crecimiento, los segmentos del mercado, la cobertura geográfica, los actores del mercado y el escenario del mercado, el informe de mercado curado por el equipo de Data Bridge Market Research incluye un análisis experto en profundidad, análisis de importación / exportación, análisis de precios, análisis de consumo de producción y análisis de pestle.
Alcance y segmentación del mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
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Métrica del informe |
Detalles |
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Período de pronóstico |
2022 a 2029 |
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Año base |
2021 |
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Años históricos |
2020 (Personalizable para 2014 - 2019) |
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Unidades cuantitativas |
Ingresos en miles de millones de USD, volúmenes en unidades, precios en USD |
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Segmentos cubiertos |
Tipo (IGBT discreto, IGBT modular), potencia nominal (alta potencia, potencia media, baja potencia), usuario final (automotriz, electrónica de consumo , comunicaciones, industrial, otros sectores verticales de uso final), |
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Países cubiertos |
EE. UU., Canadá y México en América del Norte, Alemania, Francia, Reino Unido, Países Bajos, Suiza, Bélgica, Rusia, Italia, España, Turquía, Resto de Europa en Europa, China, Japón, India, Corea del Sur, Singapur, Malasia, Australia, Tailandia, Indonesia, Filipinas, Resto de Asia-Pacífico (APAC) en Asia-Pacífico (APAC), Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Sudáfrica, Egipto, Israel, Resto de Medio Oriente y África (MEA) como parte de Medio Oriente y África (MEA), Brasil, Argentina y Resto de América del Sur como parte de América del Sur |
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Actores del mercado cubiertos |
ABB (Suiza), Semiconductor Components Industries, LLC (EE. UU.), Infineon Technologies AG (Alemania), STMicroelectronics (Suiza), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japón), NXP Semiconductors (Países Bajos), Diodes Incorporated (EE. UU.), Nexperia (Países Bajos), Qualcomm Technologies Inc. (EE. UU.), D3 Semiconductor (EE. UU.), Eaton (Irlanda), Hitachi Ltd. (Japón), Mitsubishi Electric Corporation (Japón), Fuji Electric Co., Ltd. (EE. UU.), Murata Manufacturing Co. Ltd (Japón) y Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taiwán) |
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Oportunidades |
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Definición de mercado
Un dispositivo semiconductor discreto es un dispositivo de silicio único que realiza una función electrónica básica. Entre los semiconductores discretos se encuentran el transistor bipolar de puerta aislada (IGBT), los MOSFET, los tiristores, los diodos y los rectificadores. Un semiconductor discreto de potencia, más comúnmente un transistor bipolar de puerta aislada (IGBT) o un MOSFET, es un componente de los aparatos electrónicos y eléctricos que convierte la corriente alterna. Los semiconductores discretos de potencia se utilizan en una amplia gama de aplicaciones electrónicas, desde la electrónica de consumo hasta las estaciones de carga eléctrica.
Dinámica del mercado global de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
Conductores
- Creciente necesidad de dispositivos sostenibles
Se espera que la creciente demanda de dispositivos de alto consumo energético y de bajo consumo, así como el aumento de la demanda de unidades de generación de energía ecológica, sean los principales factores que impulsen el crecimiento del mercado. Además, la mayor demanda de MOSFET y transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) en electrónica y automóviles, así como la demanda continua de semiconductores de la industria automotriz, ayudan a amortiguar el crecimiento del mercado durante el período previsto.
- Alta demanda de dispositivos portátiles y de consumo
Los nuevos semiconductores de potencia son transistores altamente especializados que emplean una variedad de tecnologías competitivas, como GaN, SiC y silicio. Debido a que GaN y SiC son tecnologías de banda ancha, son más eficientes y rápidos que los dispositivos basados en silicio. Varios fabricantes están presentando la próxima generación de semiconductores de potencia basados en nitruro de galio (GaN) y carburo de silicio (SiC).
La creciente popularidad de los dispositivos electrónicos inalámbricos y portátiles está impulsando el crecimiento del mercado. Además, la creciente popularidad de los productos electrónicos inalámbricos y portátiles, la fuerte demanda de las economías emergentes y el rápido crecimiento de la industria automotriz contribuyen al crecimiento del mercado. La demanda de componentes mejores y más eficientes por parte de los fabricantes de comunicaciones, productos electrónicos de consumo y otros equipos también es un factor impulsor del mercado.
Oportunidades
- Alta prevalencia de semiconductores basados en IA
The increased development of AI-based semiconductors is expected to generate lucrative opportunities for the market, further expanding the discrete semiconductor market's future growth rate. Furthermore, increased R&D activities, combined with technological advancements in manufacturing techniques, will provide numerous opportunities for market growth.
Restraints
- High cost and dearth of advancements
However, rising discrete semiconductor prices, a greater emphasis on integrated circuits, and a lack of technological advancement and development are the major restraints that will further challenge the Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) discrete semiconductor market during the forecast period.
This insulated gate bipolar transistor (IGBT) discrete semiconductor market report provides details of new recent developments, trade regulations, import-export analysis, production analysis, value chain optimization, market share, impact of domestic and localized market players, analyses opportunities in terms of emerging revenue pockets, changes in market regulations, strategic market growth analysis, market size, category market growths, application niches and dominance, product approvals, product launches, geographic expansions, technological innovations in the market. To gain more info on the insulated gate bipolar transistor (IGBT) discrete semiconductor market contact Data Bridge Market Research for an Analyst Brief, our team will help you take an informed market decision to achieve market growth.
Impact and Current Market Scenario of Raw Material Shortage and Shipping Delays
Data Bridge Market Research offers a high-level analysis of the market and delivers information by keeping in account the impact and current market environment of raw material shortage and shipping delays. This translates into assessing strategic possibilities, creating effective action plans, and assisting businesses in making important decisions.
Apart from the standard report, we also offer in-depth analysis of the procurement level from forecasted shipping delays, distributor mapping by region, commodity analysis, production analysis, price mapping trends, sourcing, category performance analysis, supply chain risk management solutions, advanced benchmarking, and other services for procurement and strategic support.
COVID-19 Impact on Global Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Discrete Semiconductor Market
Por otra parte, el brote de COVID-19 ha tenido un impacto masivo en las economías globales y nacionales. Muchas industrias de usuarios finales, incluidas las de semiconductores discretos, se han visto afectadas. El trabajo en la planta de producción es una gran parte de la fabricación de componentes electrónicos, donde las personas están en estrecho contacto mientras colaboran para aumentar la productividad. Las empresas del mercado están evaluando actualmente los efectos en tres frentes: la demanda del mercado, la cadena de suministro y la fuerza laboral. La demanda del producto está cambiando en los ASICS, la memoria, los sensores, etc., a medida que el comportamiento del consumidor cambia rápidamente y con volatilidad futura. Además, muchas empresas han pospuesto las actualizaciones de hardware y otros proyectos de migración a largo plazo.
Impacto esperado de la desaceleración económica en los precios y la disponibilidad de los productos
Cuando la actividad económica se desacelera, las industrias comienzan a sufrir. Los efectos previstos de la crisis económica sobre los precios y la accesibilidad de los productos se tienen en cuenta en los informes de conocimiento del mercado y los servicios de inteligencia que ofrece DBMR. Con esto, nuestros clientes pueden normalmente mantenerse un paso por delante de sus competidores, proyectar sus ventas e ingresos y estimar sus gastos de ganancias y pérdidas.
Desarrollo reciente
- En septiembre de 2020, Infineon Technologies AG presentará su tecnología 'TRENCHSTOP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)7' líder en la industria, que es ideal para controladores de motores industriales, energía fotovoltaica, corrección del factor de potencia y sistemas de alimentación ininterrumpida.
- En julio de 2020, STMicroelectronics lanzará 26 nuevos diodos Schottky con valores nominales de corriente de 1 a 5 A y valores nominales de voltaje de 25 a 200 V en encapsulados planos SBM y SMA de perfil bajo. Debido a su bajo voltaje, estos dispositivos brindan una mayor eficiencia energética para aplicaciones industriales y de consumo.
Alcance del mercado global de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
El mercado de semiconductores discretos con transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) está segmentado en función del tipo, la potencia nominal y el usuario final. El crecimiento entre estos segmentos le ayudará a analizar los segmentos de crecimiento reducidos en las industrias y brindará a los usuarios una valiosa descripción general del mercado y conocimientos del mercado para ayudarlos a tomar decisiones estratégicas para identificar las principales aplicaciones del mercado.
Tipo
- Transistor bipolar de puerta aislada discreta (IGBT)
- Transistor bipolar de puerta aislada modular (IGBT)
Potencia nominal
- Energía alta
- Mediana potencia
- Bajo consumo
Verticales de usuarios finales
- Automotor
- Electrónica de consumo
- Comunicación
- Industrial
- Otros usos verticales finales
Análisis regional y perspectivas del mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT)
Se analiza el mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) y se proporcionan información y tendencias del tamaño del mercado por país, tipo, clasificación de potencia y usuario final como se menciona anteriormente.
Los países cubiertos en el informe del mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) son EE. UU., Canadá y México en América del Norte, Alemania, Francia, Reino Unido, Países Bajos, Suiza, Bélgica, Rusia, Italia, España, Turquía, Resto de Europa en Europa, China, Japón, India, Corea del Sur, Singapur, Malasia, Australia, Tailandia, Indonesia, Filipinas, Resto de Asia-Pacífico (APAC) en Asia-Pacífico (APAC), Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Sudáfrica, Egipto, Israel, Resto de Medio Oriente y África (MEA) como parte de Medio Oriente y África (MEA), Brasil, Argentina y Resto de Sudamérica como parte de Sudamérica.
La región de América del Norte ha dominado el mercado global de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) durante el período de pronóstico, y ha sido la que ha obtenido las mayores cuotas de mercado. Esto se debe a la creciente incorporación de tecnologías digitales al mercado general, la adopción generalizada de bolígrafos digitales, en particular en el sector educativo, y la presencia de actores clave en esta región.
Asia-Pacífico domina el mercado de semiconductores discretos debido a la presencia de industrias de semiconductores en China, Taiwán, Corea del Sur e India, así como al aumento de la demanda de unidades de generación de energía verde y MOSFET y transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) en electrónica y automóviles.
La sección de países del informe también proporciona factores de impacto de mercado individuales y cambios en la regulación del mercado que afectan las tendencias actuales y futuras del mercado. Los puntos de datos como el análisis de la cadena de valor ascendente y descendente, las tendencias técnicas y el análisis de las cinco fuerzas de Porter, los estudios de casos son algunos de los indicadores utilizados para pronosticar el escenario del mercado para países individuales. Además, la presencia y disponibilidad de marcas globales y sus desafíos enfrentados debido a la competencia grande o escasa de las marcas locales y nacionales, el impacto de los aranceles nacionales y las rutas comerciales se consideran al proporcionar un análisis de pronóstico de los datos del país.
Análisis del panorama competitivo y de la cuota de mercado de los transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) en semiconductores discretos
El panorama competitivo del mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) proporciona detalles por competidor. Los detalles incluidos son una descripción general de la empresa, las finanzas de la empresa, los ingresos generados, el potencial de mercado, la inversión en investigación y desarrollo, las nuevas iniciativas de mercado, la presencia global, los sitios e instalaciones de producción, las capacidades de producción, las fortalezas y debilidades de la empresa, el lanzamiento de productos, la amplitud y la variedad de productos, el dominio de las aplicaciones. Los puntos de datos anteriores proporcionados solo están relacionados con el enfoque de las empresas en relación con el mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT).
Algunos de los principales actores que operan en el mercado de semiconductores discretos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) son:
- ABB (Suiza)
- Semiconductor Components Industries, LLC (Estados Unidos)
- Infineon Technologies AG (Alemania)
- STMicroelectronics (Suiza)
- TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japón)
- NXP Semiconductors (Países Bajos)
- Diodes Incorporated (Estados Unidos)
- Nexperia (Países Bajos)
- Qualcomm Technologies Inc., (Estados Unidos)
- D3 Semiconductor (Estados Unidos)
- Eaton (Irlanda)
- Hitachi Ltd. (Japón)
- Mitsubishi Electric Corporation (Japón)
- Fuji Electric Co., Ltd. (Estados Unidos)
- Murata Manufacturing Co. Ltd (Japón)
- Compañía de fabricación de semiconductores de Taiwán (Taiwán)
SKU-
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Metodología de investigación
La recopilación de datos y el análisis del año base se realizan utilizando módulos de recopilación de datos con muestras de gran tamaño. La etapa incluye la obtención de información de mercado o datos relacionados a través de varias fuentes y estrategias. Incluye el examen y la planificación de todos los datos adquiridos del pasado con antelación. Asimismo, abarca el examen de las inconsistencias de información observadas en diferentes fuentes de información. Los datos de mercado se analizan y estiman utilizando modelos estadísticos y coherentes de mercado. Además, el análisis de la participación de mercado y el análisis de tendencias clave son los principales factores de éxito en el informe de mercado. Para obtener más información, solicite una llamada de un analista o envíe su consulta.
La metodología de investigación clave utilizada por el equipo de investigación de DBMR es la triangulación de datos, que implica la extracción de datos, el análisis del impacto de las variables de datos en el mercado y la validación primaria (experto en la industria). Los modelos de datos incluyen cuadrícula de posicionamiento de proveedores, análisis de línea de tiempo de mercado, descripción general y guía del mercado, cuadrícula de posicionamiento de la empresa, análisis de patentes, análisis de precios, análisis de participación de mercado de la empresa, estándares de medición, análisis global versus regional y de participación de proveedores. Para obtener más información sobre la metodología de investigación, envíe una consulta para hablar con nuestros expertos de la industria.
Personalización disponible
Data Bridge Market Research es líder en investigación formativa avanzada. Nos enorgullecemos de brindar servicios a nuestros clientes existentes y nuevos con datos y análisis que coinciden y se adaptan a sus objetivos. El informe se puede personalizar para incluir análisis de tendencias de precios de marcas objetivo, comprensión del mercado de países adicionales (solicite la lista de países), datos de resultados de ensayos clínicos, revisión de literatura, análisis de mercado renovado y base de productos. El análisis de mercado de competidores objetivo se puede analizar desde análisis basados en tecnología hasta estrategias de cartera de mercado. Podemos agregar tantos competidores sobre los que necesite datos en el formato y estilo de datos que esté buscando. Nuestro equipo de analistas también puede proporcionarle datos en archivos de Excel sin procesar, tablas dinámicas (libro de datos) o puede ayudarlo a crear presentaciones a partir de los conjuntos de datos disponibles en el informe.
