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Mercado global de semiconductores de potencia de GaN y SiC: tendencias de la industria y pronóstico para 2031

Semiconductores y Electrónica

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Mercado global de semiconductores de potencia de GaN y SiC: tendencias de la industria y pronóstico para 2031

  • Semiconductores y Electrónica
  • Próximo informe
  • marzo de 2024
  • Global
  • 350 páginas
  • Número de mesas: 220
  • Número de figuras: 60

Mercado global de semiconductores de potencia de GaN y SiC, por producto (módulo de potencia Sic, módulo de potencia GaN, SiC discreto, GaN discreto), aplicación (fuentes de alimentación, accionamientos de motores industriales, H/EV, inversores fotovoltaicos, tracción, otros): tendencias de la industria y Previsión hasta 2031.

GaN and SiC Power Semiconductor Market

Análisis y tamaño del mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC

El aumento del crecimiento de la industria de los semiconductores es un factor crucial que acelera el crecimiento del mercado. Además, el aumento de la popularidad de vehículos eléctricos, el aumento en la adopción de la tecnología 5G, el aumento en la inversión en desarrollo de infraestructura, el aumento en la investigación y el desarrollo de semiconductores de banda ancha (WBG), el aumento en el uso de dispositivos de energía en aplicaciones de energía renovable y el aumento en la El crecimiento del mercado de vehículos híbridos y eléctricos son los principales factores, entre otros, que impulsan el mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC.

Data Bridge Market Research analiza que el mercado mundial de semiconductores de potencia de GaN y SiC estaba valorado en 596,06 millones de dólares en 2023 y se espera que alcance los 3706,45 millones de dólares en 2031, registrando una tasa compuesta anual del 30,05% durante el período previsto de 2023-2031. Además de la información sobre escenarios de mercado como el valor de mercado, la tasa de crecimiento, la segmentación, la cobertura geográfica y los principales actores, los informes de mercado seleccionados por Data Bridge Market Research también incluyen análisis de expertos en profundidad, producción de empresas representadas geográficamente y capacidad, diseños de red de distribuidores y socios, análisis detallado y actualizado de tendencias de precios y análisis de déficit de la cadena de suministro y la demanda.

Alcance y segmentación del mercado de semiconductores de potencia GaN y SiC

Métrica de informe

Detalles

Período de pronóstico

2024 a 2031

Año base

2023

Años históricos

2022 (Personalizable para 2016-2021)

Unidades Cuantitativas

Ingresos en millones de USD, volúmenes en unidades, precios en USD

Segmentos cubiertos

Por producto (módulo de potencia Sic, módulo de potencia GaN, SiC discreto, GaN discreto), aplicación (fuentes de alimentación, variadores de motor industriales, H/EV, inversores fotovoltaicos, tracción, otros)

Países cubiertos

Estados Unidos, Canadá, México, Alemania, Italia, Reino Unido, Francia, España, Países Bajos, Bélgica, Suiza, Turquía, Rusia, Resto de Europa, Japón, China, India, Corea del Sur, Australia, Singapur, Malasia, Tailandia, Indonesia, Filipinas , Resto de Asia-Pacífico, Brasil, Argentina, Resto de América del Sur, Sudáfrica, Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Egipto, Israel, Resto de Medio Oriente y África

Actores del mercado cubiertos

Alpha and Omega Semiconductor (EE.UU.), Fuji Electric Co., Ltd (Japón), Infineon Technologies AG (Alemania), Littelfuse, Inc. (EE.UU.), Microsemi (EE.UU.), Mitsubishi Electric Corporation (Japón), Renesas Electronics Corporation (Japón) ), ROHM SEMICONDUCTOR (Japón), SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Japón), STMicroelectronics (Suiza/Francia), Epiluvac (Suecia), IQE PLC (Reino Unido), Transphorm Inc. (EE.UU.), SweGaN (Suecia), Saint-Gobain (Francia), GeneSiC Semiconductor Inc. (EE.UU.), Sublime Technologies (EE. UU.), Global Power Technologies Group (EE. UU.), DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (Taiwán), AGC Inc. (Japón), Dow (EE. UU.), WeEn Semiconductors (China)

Oportunidades de mercado

  • Aumento de la expansión de la tecnología 5G

Definición de mercado

GaN se define como un material que se utiliza principalmente para el desarrollo de diferentes dispositivos semiconductores de potencia, diodos emisores de luz y componentes de RF. SiC o carburo de silicio es un semiconductor hecho de silicio y carburo. Estos semiconductores de potencia de GaN y SiC se utilizan ampliamente en aplicaciones como tracción, dispositivos de motores industriales, inversores fotovoltaicos, fuentes de alimentación y otros.

Dinámica del mercado global de semiconductores de potencia de GaN y SiC

Conductores

  • Eficiencia Energética y Energías Renovables

Los semiconductores de potencia GaN y SiC son conocidos por su alta eficiencia energética y menores pérdidas de energía, lo que los convierte en componentes cruciales en sistemas de energía renovable como inversores solares y convertidores de energía eólica. Con el creciente interés en la energía limpia, la demanda de semiconductores de potencia de GaN y SiC está aumentando para permitir una generación de energía más eficiente y sostenible.

  • Vehículos eléctricos (EV)

La industria automotriz está cambiando rápidamente hacia los vehículos eléctricos para reducir las emisiones y la dependencia de los combustibles fósiles. Los semiconductores de potencia GaN y SiC se utilizan en los vehículos eléctricos para mejorar la eficiencia de conversión de energía, reducir los tiempos de carga y ampliar la autonomía. A medida que el mercado de vehículos eléctricos continúa expandiéndose, se espera que aumente la demanda de estos semiconductores.

Oportunidades

  • Expansión de 5G e IoT

 El despliegue de redes 5G y el crecimiento del Internet de las cosas (IoT) han creado oportunidades para los semiconductores de potencia de GaN y SiC. Estos semiconductores son muy adecuados para aplicaciones de alta frecuencia y alta potencia, lo que los hace esenciales para el desarrollo de infraestructura 5G y dispositivos IoT avanzados.

  • Aplicaciones militares y aeroespaciales

Los semiconductores de potencia GaN y SiC se utilizan cada vez más en aplicaciones militares y aeroespaciales debido a sus capacidades de manejo de alta potencia, confiabilidad y resistencia a entornos hostiles. La modernización en curso de los sistemas de defensa y la expansión de los proyectos de exploración espacial presentan importantes oportunidades de crecimiento para estos semiconductores.

Desafíos/Moderación

  • Altos costos de fabricación

 Los dispositivos semiconductores de potencia de GaN y SiC son más caros de fabricar en comparación con sus homólogos tradicionales basados ​​en silicio. Esta disparidad de costos puede plantear un desafío para la adopción generalizada, especialmente en mercados sensibles a los precios como el de la electrónica de consumo.

  • Cadena de suministro y disponibilidad de materiales

Los materiales de GaN y SiC son relativamente nuevos en la industria de los semiconductores y pueden surgir desafíos relacionados con la disponibilidad de materiales de alta calidad y una cadena de suministro bien establecida. Esto puede afectar la producción y los plazos de entrega, lo que podría retrasar el desarrollo y la implementación del producto.

Desarrollos recientes

  • En junio de 2023, Qorvo, Inc. anunció el lanzamiento de QPB3810, un amplificador de potencia basado en GaN. Tiene control de polarización integrado para aplicaciones masivas de múltiples entradas y múltiples salidas (mMIMO) 5G.
  • En marzo de 2023, Infineon Technologies anunció el plan de adquirir GaN Systems por 830 millones de dólares. Esta adquisición fortalecerá la cartera de GaN y su posición en el mercado de sistemas eléctricos.
  • En abril de 2022, ROHM Semiconductor y Delta Electronics colaboraron para combinar su tecnología y experiencia en fabricación para la producción en masa de dispositivos de energía basados ​​en GaN. Esta iniciativa de desarrollo de sistemas de energía permitirá a la empresa establecer una fuerte presencia en el mercado global.

Alcance del mercado global de semiconductores de potencia de GaN y SiC

El mercado de semiconductores de potencia GaN y SiC está segmentado según el producto y la aplicación. El crecimiento entre estos segmentos lo ayudará a analizar los segmentos de escaso crecimiento en las industrias y brindará a los usuarios una valiosa descripción general del mercado e información sobre el mercado para ayudarlos a tomar decisiones estratégicas para identificar las aplicaciones principales del mercado.

Producto

  • Módulo de potencia Sic
  • Módulo de potencia GaN
  • SiC discreto
  • Di GaN

Solicitud

  • Fuentes de alimentación
  • Accionamientos de motores industriales
  • ÉL
  • Inversores fotovoltaicos
  • Tracción
  • Otros

Análisis/Perspectivas del mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC

Se analiza el mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC y se proporciona información sobre el tamaño y el volumen del mercado por país, producto y aplicación, como se menciona anteriormente.

Los países cubiertos en el informe de mercado son EE. UU., Canadá, México, Alemania, Reino Unido, Francia, Italia, España, Rusia, Polonia, Suiza, Países Bajos, Hungría, Austria, Noruega, Irlanda, Turquía, Lituania, resto de Europa y China. , Japón, India, Australia, Corea del Sur, Singapur, Tailandia, Malasia, Indonesia, Filipinas, Vietnam, resto de Asia-Pacífico, Brasil, Argentina, Perú, resto de América del Sur, Sudáfrica, Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Israel, Kuwait. , Egipto y el resto de Oriente Medio y África.

Se espera que América del Norte domine el mercado debido al aumento de la popularidad de los vehículos eléctricos, el aumento de la adopción de la tecnología 5G y el aumento de la inversión en desarrollo de infraestructura.

Se espera que América del Norte sea la región de más rápido crecimiento en el mercado debido a la creciente demanda de vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y aplicaciones industriales.

La sección de países del informe del mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC también proporciona factores que impactan el mercado individual y cambios en la regulación en el mercado a nivel nacional que impactan las tendencias actuales y futuras del mercado. Puntos de datos como el análisis de la cadena de valor ascendente y descendente, las tendencias técnicas y el análisis de las cinco fuerzas de Porter y los estudios de casos son algunos de los indicadores utilizados para pronosticar el escenario del mercado para países individuales. Además, se consideran la presencia y disponibilidad de marcas globales y los desafíos que enfrentan debido a la competencia grande o escasa de marcas locales y nacionales, el impacto de los aranceles internos y las rutas comerciales, al tiempo que se proporciona un análisis de pronóstico de los datos del país.

Panorama competitivo y análisis de participación de mercado

El panorama competitivo del mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC proporciona detalles por competidor. Los detalles incluidos son descripción general de la empresa, finanzas de la empresa, ingresos generados, potencial de mercado, inversión en investigación y desarrollo, nuevas iniciativas de mercado, presencia regional, fortalezas y debilidades de la empresa, lanzamiento de producto, amplitud y amplitud del producto, dominio de la aplicación. Los puntos de datos anteriores proporcionados solo están relacionados con el enfoque de las empresas en el mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC.

Algunos de los principales actores que operan en el mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC son:

  • Semiconductor alfa y omega (EE. UU.)
  • Fuji Electric Co., Ltd (Japón)
  • Infineon Technologies AG (Alemania)
  • Littelfuse, Inc. (EE. UU.)
  • Microsemi (Estados Unidos)
  • Corporación Mitsubishi Electric (Japón)
  • Renesas Electronics Corporation (Japón)
  • SEMICONDUCTOR ROHM (Japón)
  • SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Japón)
  • STMicroelectronics (Suiza/Francia)
  • Epiluvac (Suecia)
  • IQE PLC (Reino Unido)
  • Transphorm Inc. (EE. UU.)
  • SweGaN (Suecia)
  • Saint-Gobain (Francia)
  • GeneSiC Semiconductor Inc. (EE. UU.)
  • Tecnologías sublimes (EE. UU.)
  • Grupo Global de Tecnologías de Energía (EE. UU.)
  • InfobelFilipinasOtros Comercios & ServiciosDaco Semiconductor Co., Ltd. (taiwanés)
  • AGC Inc. (Japón)
  • Dow (Estados Unidos)
  • Semiconductores WeEn (China)


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Metodología de investigación:

La recopilación de datos y el análisis del año base se realizan mediante módulos de recopilación de datos con muestras de gran tamaño. La etapa incluye la obtención de información de mercado o datos relacionados a través de diversas fuentes y estrategias. Incluye examinar y planificar de antemano todos los datos adquiridos del pasado. Asimismo, abarca el examen de las inconsistencias de la información observadas en diferentes fuentes de información. Los datos de mercado se analizan y estiman utilizando modelos estadísticos y coherentes de mercado. Además, el análisis de la cuota de mercado y el análisis de tendencias clave son los principales factores de éxito en el informe de mercado. Para saber más, solicite una llamada de analista o envíe su consulta.

La metodología de investigación clave utilizada por el equipo de investigación de DBMR es la triangulación de datos, que implica extracción de datos, análisis del impacto de las variables de datos en el mercado y validación primaria (experto de la industria). Los modelos de datos incluyen cuadrícula de posicionamiento de proveedores, análisis de la línea de tiempo del mercado, descripción general y guía del mercado, cuadrícula de posicionamiento de la empresa, análisis de patentes, análisis de precios, análisis de participación de mercado de la empresa, estándares de medición, análisis global versus regional y de participación de proveedores. Para saber más sobre la metodología de investigación, envíe una consulta para hablar con nuestros expertos de la industria.

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Personalización disponible:

Data Bridge Market Research es líder en investigación formativa avanzada. Estamos orgullosos de brindar servicios a nuestros clientes nuevos y existentes con datos y análisis que coinciden y se adaptan a sus objetivos. El informe se puede personalizar para incluir análisis de tendencias de precios de marcas objetivo que comprendan el mercado de países adicionales (solicite la lista de países), datos de resultados de ensayos clínicos, revisión de la literatura, mercado renovado y análisis de la base de productos. El análisis de mercado de los competidores objetivo se puede analizar desde análisis basados ​​en tecnología hasta estrategias de cartera de mercado. Podemos agregar tantos competidores sobre los que necesite datos en el formato y estilo de datos que esté buscando. Nuestro equipo de analistas también puede proporcionarle datos en tablas dinámicas de archivos de Excel sin procesar (libro de datos) o puede ayudarlo a crear presentaciones a partir de los conjuntos de datos disponibles en el informe.

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HAGA PREGUNTAS FRECUENTES

El tamaño del mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC tendrá un valor de 3706,45 millones de dólares en 2031.
Según las previsiones, la tasa de crecimiento del mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC es del 30,05%.
La eficiencia energética y las energías renovables son los motores de crecimiento del mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC.
El producto y la aplicación son los factores en los que se basa la investigación de mercado de semiconductores de potencia de GaN y SiC.
Las principales empresas en el mercado de semiconductores de potencia GaN y SiC son Alpha and Omega Semiconductor (EE.UU.), Fuji Electric Co., Ltd (Japón), Infineon Technologies AG (Alemania), Littelfuse, Inc. (EE.UU.), Microsemi (EE.UU.), Mitsubishi Electric Corporation (Japón), Renesas Electronics Corporation (Japón), ROHM SEMICONDUCTOR (Japón), SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Japón), STMicroelectronics (Suiza/Francia), Epiluvac (Suecia), IQE PLC (Reino Unido), Transphorm Inc. (EE.UU.), SweGaN (Suecia), Saint-Gobain (Francia), GeneSiC Semiconductor Inc. (EE.UU.), Sublime Technologies (EE. UU.), Global Power Technologies Group (EE. UU.), DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (Taiwán), AGC Inc. (Japón), Dow (EE.UU.), WeEn Semiconductors (China).
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