Los semiconductores de potencia de carburo de silicio se refieren al tipo de semiconductor que contiene carbono y silicio y opera a voltaje y temperatura muy altos. Los semiconductores de potencia de carburo de silicio se pueden utilizar para producir un material resistente y muy duro. Los semiconductores de potencia de carburo de silicio se pueden implementar en diversos sectores, como las telecomunicaciones, la energía, la automoción, la generación de energía renovable y en otras áreas diferentes. Se consideran debido a sus propiedades de conducción térmica máximas más altas que han ampliado el área de aplicación. Los semiconductores de potencia de carburo de silicio son dispositivos que se consideran dispositivos de potencia de alta frecuencia y se aplican principalmente en comunicaciones inalámbricas. El semiconductor de SiC ofrece diez veces la intensidad del campo de ruptura dieléctrica, tres veces la conductividad térmica y tres veces la banda prohibida en comparación con los semiconductores de silicio. El semiconductor de SiC se ha apoderado del mercado debido a su alto rendimiento y eficiencia. Los semiconductores de potencia de carburo de silicio funcionan a alto voltaje y corriente y ofrecen baja resistencia además de ser eficientes a altas temperaturas. Por tanto, la combinación de carburo de silicio ha demostrado ser una elección mejor y óptima de semiconductor.
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Data Bridge Market Research analiza la Mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio Se espera que alcance los 11.508.292,90 mil dólares en 2031 desde 1.950.156,00 mil dólares en 2023, creciendo con una tasa compuesta anual del 25,1% en el período previsto de 2024 a 2031. Las regulaciones más estrictas y la demanda de los consumidores de un consumo de energía reducido impulsarán el crecimiento del mercado.
Hallazgos clave del estudio
Uso creciente de vehículos electrónicos
El creciente uso de vehículos eléctricos actúa como un factor impulsor importante para el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio al aprovechar la eficiencia superior, el rendimiento térmico y las capacidades de carga rápida del carburo de silicio para satisfacer las demandas del floreciente vehículo eléctrico. Además, los semiconductores de potencia de carburo de silicio contribuyen al desarrollo de soluciones de carga más rápidas para vehículos eléctricos, abordando una de las principales preocupaciones de los consumidores con respecto a la practicidad de los vehículos eléctricos. Por lo tanto, todas las organizaciones sugieren colectivamente una tendencia creciente de vehículos electrónicos en el sector del automóvil. Se espera que desempeñe un papel clave en el crecimiento de los semiconductores de potencia de carburo de silicio a nivel mundial e impulse el crecimiento del mercado.
Alcance del informe y segmentación del mercado
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Métrica de informe
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Detalles
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Período de pronóstico
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2024 a 2031
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Año base
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2023
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Años históricos
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2022 (personalizable para 2016-2021)
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Unidades Cuantitativas
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Ingresos en miles de dólares
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Segmentos cubiertos
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Tipo (MOSFETS, diodos de barrera Schottky (SBD), transistor de unión bipolar (BJT), módulos híbridos, matriz desnuda de SiC, diodo pin, FET de unión y otros), tipo de oblea (obleas epitaxiales de SiC y obleas de SiC en blanco), rango de voltaje ( 301 V a 900 V, 901 V a 1700 V, 1701 V y superiores y menos de 300 V), tamaño de oblea (2 pulgadas, 3 pulgadas y 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 y 12 pulgadas), aplicación (Vehículo eléctrico (EV), inversores, fuentes de alimentación, energía fotovoltaica, dispositivos de RF, accionamientos de motores industriales y otros), verticales (automoción y transporte, centros de datos, industriales, energías renovables/redes, Electrónica de consumo, Aeroespacial y Defensa, Médico y Otros)
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Países cubiertos
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EE.UU., Canadá y México, Alemania, Reino Unido, Francia, Italia, Países Bajos, España, Rusia, Suiza, Turquía, Bélgica, Polonia, Suecia, Dinamarca, Noruega, Finlandia, Resto de Europa, China, Japón, India, Corea del Sur, Australia, Taiwán, Singapur, Tailandia, Indonesia, Malasia, Filipinas, Nueva Zelanda, Vietnam, Resto de Asia-Pacífico, Brasil, Argentina, Resto de América del Sur, Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Israel, Sudáfrica, Egipto, Qatar, Kuwait, Bahréin, Omán y resto de Oriente Medio y África
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Actores del mercado cubiertos
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Infineon Technologies AG (Alemania), STMicroelectronics (Suiza), WOLFSPEED, INC. (EE. UU.), Renesas Electronics Corporation (Japón), Semiconductor Components Industries, LLC (EE. UU.), Mitsubishi Electric Corporation (Japón), ROHM CO., LTD. (Japón), Qorvo, Inc (EE.UU.), Nexperia (Países Bajos), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES AND STORAGE CORPORATION (EE.UU.), Allegro MicroSystems, Inc. (EE.UU.), GeneSiC Semiconductor Inc. (EE.UU.), Fuji Electric Co., Ltd ( Japón), Vishay Intertechnology, Inc. (EE. UU.), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd., Littelfuse, Inc. (EE. UU.), Texas Instruments Incorporated. (EE.UU.), Microchip Technology Inc. (EE.UU.), Semikron Danfoss (Alemania), WeEn Semiconductors (China), Solitron Devices, Inc. (EE.UU.), SemiQ Inc. (EE.UU.), Xiamen Powerway Advanced Material (China), MaxPower Semiconductor (Taiwán), entre otros
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Puntos de datos cubiertos en el informe
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Además de la información sobre escenarios de mercado como el valor de mercado, la tasa de crecimiento, la segmentación, la cobertura geográfica y los principales actores, los informes de mercado seleccionados por Data Bridge Market Research también incluyen análisis de expertos en profundidad, producción de empresas representadas geográficamente y Capacidad, diseños de red de distribuidores y socios, análisis detallado y actualizado de tendencias de precios y análisis de déficit de la cadena de suministro y la demanda.
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Análisis de segmentos
El mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio se divide en seis segmentos notables que se basan en el tipo, el tipo de oblea, el rango de voltaje, el tamaño de la oblea, la aplicación y la vertical.
- Según el tipo, el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio se segmenta en MOSFETS, diodos de barrera Schottky (SBD), transistores de unión bipolar (BJT), módulos híbridos, matrices desnudas de SiC, diodos pin, FET de unión y otros.
En 2024, se espera que el segmento MOSFETS domine el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio
En 2024, se espera que el segmento MOSFETS domine el mercado con una participación de mercado del 28,28% debido a su alta eficiencia, rápidas velocidades de conmutación y baja resistencia.
- Según el tipo de oblea, el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio se segmenta en obleas epitaxiales de SiC y obleas de SiC en blanco.
En 2024, se espera que el segmento de obleas epitaxiales de SiC domine el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio
En 2024, se espera que el segmento de obleas epitaxiales de SiC domine el mercado con una participación de mercado del 55,19% debido a sus propiedades eléctricas superiores y su eficiencia.
- Según el rango de voltaje, el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio se segmenta en 301 V a 900 V, 901 V a 1700 V, 1701 V y superiores y menos de 300 V. En 2024, el segmento de 301 V a 900 V es Se espera que domine el mercado con una cuota de mercado del 44,68%.
- Según el tamaño de la oblea, el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio se segmenta en 2 pulgadas, 3 pulgadas y 4 pulgadas, 6 pulgadas y 8 y 12 pulgadas. En 2024, se espera que los segmentos de 2, 3 y 4 pulgadas dominen el mercado con una cuota de mercado del 43,65%.
- Según la aplicación, el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio se segmenta en vehículos eléctricos (EV), inversores, fuentes de alimentación, energía fotovoltaica, dispositivos de RF, motores industriales y otros. En 2024, se espera que el segmento de vehículos eléctricos (EV) domine el mercado con una cuota de mercado del 33,53%.
- Según la vertical, el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio está segmentado en automoción y transporte, centros de datos, industria, energías renovables/redes, electrónica de consumo, aeroespacial y defensa, medicina y otros. En 2024, se espera que el segmento de automoción y transporte domine el mercado con una cuota de mercado del 28,38%.
Principales actores
Data Bridge Market Research analiza Infineon Technologies AG (Alemania), STMicroelectronics (Suiza), WOLFSPEED INC. (EE. UU.), Renesas Electronics Corporation (Japón) y Semiconductor Components Industries LLC. (EE.UU.) como las principales empresas que operan en el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio.
Desarrollos del mercado
- En enero de 2024, STMicroelectronics anunció un acuerdo a largo plazo con Li Auto para el suministro de dispositivos de SiC. A través de este acuerdo, Li Auto recibirá MOSFET de SiC de STMicroelectronics (ST) para respaldar sus ambiciones de vehículos eléctricos con batería de alto voltaje (BEV) en varios segmentos del mercado. Este desarrollo puede mejorar la presencia de la empresa en China.
- En agosto de 2023, STMicroelectronics anunció que había firmado un contrato para suministrar MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) a BorgWarner Inc. STMicroelectronics proporcionará los dados MOSFET de potencia de carburo de silicio (SiC) de 750 V de tercera generación más nuevos para el módulo de potencia exclusivo de BorgWarner construido en el Plataforma víbora. Varios Volvo Cars eléctricos actuales y futuros están equipados con plataformas de inversor de tracción fabricadas por BorgWarner, que emplean este módulo de potencia. Este acuerdo puede ampliar la presencia de la empresa en el mercado de la automoción.
- En julio de 2023, WOLFSPEED, INC. anunció que había firmado un acuerdo de suministro con Renesas Electronics Corporation para un compromiso de suministro de 10 años de obleas epitaxiales y desnudas de carburo de silicio. El suministro de Wolfspeed de obleas de carburo de silicio de primera calidad permitirá a Renesas comenzar a producir semiconductores de potencia de carburo de silicio a mayor escala a partir de 2025.
- En diciembre de 2022, Renesas Electronics Corporation anunció que había recibido el "Premio a la mejor empresa de semiconductores de Asia-Pacífico" de este año de la Global Semiconductor Alliance (GSA). Este premio y reconocimiento mejoró la imagen de la empresa en el mercado y tuvo un impacto positivo en el crecimiento del mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC.
- En noviembre de 2022, Infineon Technologies AG firmó un Memorando de Entendimiento no vinculante para una cooperación de suministro plurianual de semiconductores de carburo de silicio (SiC). Infineon reservaría capacidad de fabricación y suministraría chips CoolSiC "desnudos" en la segunda mitad de la década a los proveedores directos de nivel 1 de Stellantis. El volumen de abastecimiento potencial y la reserva de capacidad tienen un valor de significativamente más de mil millones de euros. Este desarrollo ayudó a la empresa a hacer crecer sus finanzas e impactó positivamente el crecimiento del mercado global de semiconductores de potencia de SiC.
Análisis Regional
Según la geografía, el mercado está segmentado en EE. UU., Canadá y México, Alemania, Reino Unido, Francia, Italia, Países Bajos, España, Rusia, Suiza, Turquía, Bélgica, Polonia, Suecia, Dinamarca, Noruega, Finlandia y el resto de Europa. China, Japón, India, Corea del Sur, Australia, Taiwán, Singapur, Tailandia, Indonesia, Malasia, Filipinas, Nueva Zelanda, Vietnam, resto de Asia-Pacífico, Brasil, Argentina, resto de América del Sur, Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Israel, Sudáfrica, Egipto, Qatar, Kuwait, Bahrein, Omán y resto de Medio Oriente y África.
Según el análisis de investigación de mercado de Data Bridge:
América del norte es la región dominante en el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio
Se espera que la región de América del Norte domine el mercado debido a su infraestructura tecnológica avanzada, su sólida inversión en investigación y desarrollo y una presencia significativa de actores clave del mercado en la región.
Asia-Pacífico es la región de más rápido crecimiento en el mercado mundial de semiconductores de potencia de carburo de silicio
Se espera que la región de Asia y el Pacífico sea la región de más rápido crecimiento en el mercado debido al creciente uso de vehículos electrónicos.
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