El mercado de semiconductores de potencia de SiC (carburo de silicio) está a la vanguardia del avance tecnológico. Los dispositivos de SiC ofrecen alta eficiencia y rendimiento superior en comparación con los semiconductores de silicio tradicionales. Encuentran aplicaciones en electrónica de potencia, vehículos eléctricos, sistemas de energía renovable y accionamientos industriales. Las características clave del SiC incluyen baja pérdida de energía, tolerancia a altas temperaturas y tamaño y peso reducidos. Estos avances permiten dispositivos más compactos y energéticamente eficientes, impulsando innovaciones en diversas industrias y al mismo tiempo contribuyen a los esfuerzos de sostenibilidad al reducir el consumo de energía y las emisiones de carbono.
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Data Bridge Market Research analiza que el Mercado mundial de semiconductores de potencia Sic que fue de USD 11.06.682 mil en 2022 y se espera que alcance un valor de USD 7.030.515,23 mil para 2030, a una tasa compuesta anual del 26,0% durante el período previsto de 2023-2030. Los semiconductores de SiC (carburo de silicio) desempeñan un papel fundamental en la reducción del tamaño y el peso de los sistemas electrónicos. Su eficiencia energética superior y su tolerancia a las altas temperaturas los hacen esenciales en aplicaciones aeroespaciales, automotrices e industriales, lo que permite componentes electrónicos más compactos y livianos pero altamente funcionales, lo que contribuye a mejorar el rendimiento general del sistema.
Hallazgos clave del estudio
Se espera que la Industria 4.0 impulse la tasa de crecimiento del mercado
El panorama de la automatización industrial está evolucionando rápidamente con la Industria 4.0. Esta transformación exige una electrónica de potencia más eficiente y fiable. En este contexto, los semiconductores de SiC (carburo de silicio) son cada vez más preferidos debido a sus capacidades de alto rendimiento. Permiten velocidades de conmutación más rápidas, menor generación de calor y mayor eficiencia energética, alineándose con los requisitos de los sistemas de automatización industrial modernos. A medida que las industrias buscan mejorar la productividad, reducir el tiempo de inactividad y optimizar el uso de energía, la demanda de semiconductores de SiC continúa creciendo como componente fundamental de la electrónica de potencia avanzada en la automatización.
Alcance del informe y segmentación del mercado
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Métrica de informe
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Detalles
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Período de pronóstico
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2023 a 2030
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Año base
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2022
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Años históricos
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2021 (Personalizable para 2015-2020)
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Unidades Cuantitativas
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Ingresos en miles de dólares, volúmenes en unidades, precios en dólares
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Segmentos cubiertos
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Tipo (MOSFETS, módulos híbridos, diodos de barrera Schottky (SBDS), IGBT, transistor de unión bipolar (BJT), diodo pin, FET de unión (JFET) y otros), rango de voltaje (301-900 V, 901-1700 V, superior) 1701 V), tamaño de oblea (6 pulgadas, 4 pulgadas, 2 pulgadas, más de 6 pulgadas), tipo de oblea (obleas epitaxiales de SiC, obleas de SiC en blanco), aplicación (vehículos eléctricos (EV), energía fotovoltaica, fuentes de alimentación, accionamientos de motores industriales, Infraestructura de carga de vehículos eléctricos, dispositivos de RF y otros), verticales (automotriz, servicios públicos y energía, industrial, transporte, TI y telecomunicaciones, electrónica de consumo, aeroespacial y defensa, comercial y otros).
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Países cubiertos
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Estados Unidos, Canadá y México en Norteamérica, Alemania, Francia, Reino Unido, Países Bajos, Suiza, Bélgica, Rusia, Italia, España, Turquía, Resto de Europa en Europa, China, Japón, India, Corea del Sur, Singapur, Malasia, Australia, Tailandia, Indonesia, Filipinas, Resto de Asia-Pacífico (APAC) en Asia-Pacífico (APAC), Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Sudáfrica, Egipto, Israel, Resto de Medio Oriente y África (MEA) como parte de Medio Oriente y África (MEA), Brasil, Argentina y Resto de Sudamérica como parte de Sudamérica
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Actores del mercado cubiertos
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WOLFSPEED, INC. (EE. UU.), STMicroelectronics (Suiza), ROHM CO., LTD. (Japón), Fuji Electric Co., Ltd. (Japón), Mitsubishi Electric Corporation (Japón), Texas Instruments Incorporated (EE. UU.), Infineon Technologies AG (Alemania), Semikron Danfoss (Alemania), Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. (China), Renesas Electronics Corporation (Japón), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japón), Microchip Technology Inc. (EE.UU.), Semiconductor Components Industries, LLC (EE.UU.), NXP Semiconductors (Países Bajos), UnitedSiC (EE.UU.), SemiQ Inc. (EE. UU.), Littlefuse, Inc. (EE. UU.), Allegro MicroSystems, Inc. (EE. UU.), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (una subsidiaria de Hitachi Group) (Japón), GeneSiC Semiconductor Inc. (EE. UU.)
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Puntos de datos cubiertos en el informe
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Además de la información sobre escenarios de mercado como el valor de mercado, la tasa de crecimiento, la segmentación, la cobertura geográfica y los principales actores, los informes de mercado seleccionados por Data Bridge Market Research también incluyen análisis de expertos en profundidad, producción de empresas representadas geográficamente y capacidad, diseños de red de distribuidores y socios, análisis detallado y actualizado de tendencias de precios y análisis de déficit de la cadena de suministro y la demanda.
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Análisis de segmentos:
El mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC está segmentado según el tipo, rango de voltaje, tamaño de oblea, tipo de oblea, aplicación y vertical.
- Según el tipo, el mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC se segmenta en MOSFETS, módulos híbridos, diodos de barrera Schottky (SBDS), IGBT, transistor de unión bipolar (BJT), diodo pin, unión FET (JFET) y otros.
- Según el rango de voltaje, el mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC se segmenta en 301-900 V, 901-1700 V y más de 1701 V.
- Según el tamaño de la oblea, el mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC se segmenta en 6 pulgadas, 4 pulgadas, 2 pulgadas y más de 6 pulgadas.
- Según el tipo de oblea, el mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC se segmenta en obleas epitaxiales de SiC y obleas de SiC en blanco.
- Según la aplicación, el mercado mundial de semiconductores de potencia sic se segmenta en vehículos eléctricos (EV), energía fotovoltaica, fuentes de alimentación, motores industriales, infraestructura de carga de vehículos eléctricos, dispositivos de RF y otros.
- Según la vertical, el mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC está segmentado en automoción, servicios públicos y energía, industrial, transporte, TI y telecomunicaciones, electrónica de consumo, aeroespacial y de defensa, comercial y otros.
Principales actores
Data Bridge Market Research reconoce que las siguientes empresas como los principales actores del mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC son WOLFSPEED, INC. (EE. UU.), STMicroelectronics (Suiza), ROHM CO., LTD. (Japón), Fuji Electric Co., Ltd. (Japón), Mitsubishi Electric Corporation (Japón), Texas Instruments Incorporated (EE. UU.), Infineon Technologies AG (Alemania), Semikron Danfoss (Alemania), Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. . (Porcelana).
Desarrollos del mercado
- En diciembre de 2022, STMicroelectronics y Soitec, conocidos por sus innovadores materiales semiconductores, revelaron una asociación ampliada centrada en sustratos de carburo de silicio (SiC). ST tiene previsto calificar la tecnología de sustrato de SiC de Soitec en los próximos 18 meses. El objetivo de esta colaboración es que ST adopte la tecnología SmartSiC de Soitec para su próxima producción de sustrato de 200 mm, que respaldará la fabricación de sus dispositivos y módulos. Se espera que esta asociación mejore el desempeño financiero de ST y contribuya al crecimiento del mercado global de semiconductores de potencia de SiC en el mediano plazo.
- En julio de 2022, Semikron Danfoss y ROHM Semiconductor, con sede en Kioto, compartieron una colaboración de una década centrada en la integración de carburo de silicio (SiC) en módulos de potencia. Los MOSFET de SiC de cuarta generación de última generación de ROHM han recibido recientemente la calificación completa dentro de los módulos eMPack de SEMIKRON diseñados para aplicaciones automotrices. Esta exitosa asociación ha permitido a ambas empresas satisfacer eficazmente la demanda global de clientes en todo el mundo. No sólo ha contribuido a mejorar el rendimiento financiero, sino que también ha influido positivamente en la expansión del mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC.
Análisis Regional
Geográficamente, los países cubiertos en el principal informe del mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC son EE. UU., Canadá y México en América del Norte, Alemania, Francia, Reino Unido, Países Bajos, Suiza, Bélgica, Rusia, Italia, España, Turquía, el resto de Europa en Europa. China, Japón, India, Corea del Sur, Singapur, Malasia, Australia, Tailandia, Indonesia, Filipinas, Resto de Asia-Pacífico (APAC) en Asia-Pacífico (APAC), Arabia Saudita, Emiratos Árabes Unidos, Sudáfrica, Egipto, Israel, Resto de Medio Oriente y África (MEA) como parte de Medio Oriente y África (MEA), Brasil, Argentina y Resto de Sudamérica como parte de Sudamérica.
Según el análisis de investigación de mercado de Data Bridge:
Asia-Pacífico Se espera que domine el mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC durante el período previsto 2023-2030.
En 2023, la región de Asia y el Pacífico está preparada para afirmar su dominio en el mercado mundial de semiconductores de potencia de SiC, impulsada por la creciente demanda de estos semiconductores avanzados. Se prevé que el apetito de la región por módulos de energía y dispositivos asociados sirva como un importante catalizador de crecimiento. Este aumento refleja la sólida demanda de semiconductores de potencia de SiC en diversas industrias y aplicaciones, lo que subraya el papel fundamental de Asia-Pacífico en la dirección de la trayectoria del mercado.
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