Indischer Markt für Siliziumkarbid (SiC), nach Produkt (Schwarz und Grün), Gerät (SiC diskret, SiC Bare Die und SiC-Modul), Wafergröße (2 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll), Anwendung (Metallurgie, Schleifmittel, Feuerfest, Elektrik und Elektronik und Sonstiges), Endverbrauch (Automobil, Luft- und Raumfahrt, Militär und Verteidigung, Schwermaschinenbau, Unterhaltungselektronik, Gesundheitswesen und Sonstiges) – Branchentrends und Prognose bis 2031.
Marktanalyse und Größe für Siliziumkarbid (SiC) in Indien
Auf dem Siliziumkarbid-Markt (SiC) verändern innovative Anwendungen und Methoden die Branchen. Von verbesserter Leistungselektronik bis hin zu fortschrittlichen Halbleitern sorgen die Eigenschaften von SiC für Effizienz und Leistung. Neue Wachstumschancen und Fortschritte im 3D-Druck erweitern die SiC-Anwendungen und transformieren die Automobil-, Luft- und Raumfahrt- sowie erneuerbare Energiebranche mit innovativen Lösungen.
Data Bridge Market Research analysiert, dass der indische Markt für Siliziumkarbid (SiC), der im Jahr 2023 41.356,70 Tausend USD betrug, bis 2031 voraussichtlich 93.942,90 Tausend USD erreichen wird und im Prognosezeitraum 2024 bis 2031 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 10,8 % aufweisen wird. Neben Einblicken in Marktszenarien wie Marktwert, Wachstumsrate, Segmentierung, geografische Abdeckung und wichtige Akteure enthalten die von Data Bridge Market Research zusammengestellten Marktberichte auch eingehende Expertenanalysen, geografisch dargestellte Produktion und Kapazität nach Unternehmen, Netzwerklayouts von Distributoren und Partnern, detaillierte und aktualisierte Preistrendanalysen und Defizitanalysen von Lieferkette und Nachfrage.
Berichtsumfang und Marktsegmentierung
Berichtsmetrik |
Einzelheiten |
Prognosezeitraum |
2024 bis 2031 |
Basisjahr |
2023 |
Historische Jahre |
2022 (Anpassbar auf 2016 – 2021) |
Quantitative Einheiten |
Umsatz in Tausend USD, Mengen in Einheiten, Preise in USD |
Abgedeckte Segmente |
Produkt (Schwarz und Grün), Gerät (SiC Discrete, SiC Bare Die und SiC Module), Wafergröße (2 Zoll, 4 Zoll und 6 Zoll), Anwendung (Metallurgie, Schleifmittel, Feuerfestmaterialien, Elektrik und Elektronik und Sonstiges), Endverbrauch (Automobilindustrie, Luft- und Raumfahrt, Militär und Verteidigung, Schwerindustrie, Unterhaltungselektronik, Gesundheitswesen und Sonstiges) |
Abgedeckte Marktteilnehmer |
STMicroelectronics (Schweiz), Infineon Technologies AG (Deutschland), ROHM CO., LTD. (Japan), WOLFSPEED, INC. (USA), Semiconductor Components Industries, LLC (USA), Fuji Electric Co., Ltd. (Japan), Renesas Electronics Corporation (Japan), Microchip Technology Inc. (USA), TOSHIBA CORPORATION (Japan), General Electric (USA), GeneSiC Semiconductor Inc. (USA), ESD-SIC bv (Niederlande), Entegris, Inc. (USA), POWEREX (USA), Qorvo, Inc. (USA), Saint-Gobain (Frankreich) und Sublime Technologies (USA) |
Marktchancen |
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Marktdefinition
Siliziumkarbid (SiC) ist eine Verbindung aus Silizium- und Kohlenstoffatomen, die in einem Kristallgitter angeordnet sind. Es ist bekannt für seine außergewöhnliche Härte, Wärmeleitfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit, was es in verschiedenen Branchen, darunter der Elektronik-, Automobil- und Schleifmittelindustrie, wertvoll macht. SiC wird in Halbleiterbauelementen, Keramik und feuerfesten Materialien verwendet.
Marktdynamik für Siliziumkarbid (SiC) in Indien
Treiber
- Steigende Nachfrage nach Leistungselektronik
Der Anstieg der Nachfrage nach Leistungselektronik treibt die Einführung von Siliziumkarbid (SiC) voran, da es herkömmlichen Geräten auf Siliziumbasis überlegene Eigenschaften aufweist. Diese Nachfrage wird hauptsächlich durch den Bedarf an effizienter Energieumwandlung in Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energieanlagen und Industriemotoren angetrieben, bei denen die verbesserte Leistung von SiC für die Optimierung des Energieverbrauchs und der Systemleistung von entscheidender Bedeutung ist.
- Anstieg der Nutzung von Elektrofahrzeugen (EVs)
Der Anstieg der elektrisches Fahrzeug (EV) treibt die Nachfrage nach SiC-basierter Leistungselektronik an. SiC-Geräte bieten höhere Effizienz, größere Reichweite und schnelleres Laden, was ihre Bedeutung in der EV-Technologie verstärkt. Dieser Trend unterstreicht die zentrale Rolle von SiC bei der Weiterentwicklung der Automobilelektrifizierung und treibt die Expansion des SiC-Marktes voran.
Gelegenheiten
- Zunehmende Miniaturisierung und höhere Leistungsdichte
SiC-Bauelemente ermöglichen im Vergleich zu Silizium-Bauelementen kleinere Größen und höhere Leistungsdichten, was für die Luft- und Raumfahrt sowie tragbare Elektronik, wo Platz und Gewicht eine entscheidende Rolle spielen, von entscheidender Bedeutung ist. Dieser Fortschritt verändert das Gerätedesign und ermöglicht kompaktere und leichtere Lösungen ohne Leistungseinbußen, was für die Erfüllung der Anforderungen moderner Anwendungen in diesen Branchen unerlässlich ist.
- Ausbau der Infrastruktur für erneuerbare Energien
Der zunehmende Fokus auf erneuerbare Energien, insbesondere Solar- und Windenergie, erfordert effiziente Energieumwandlungssysteme. Leistungselektronik auf Siliziumkarbidbasis (SiC) bietet verbesserte Effizienz und Zuverlässigkeit und wird deshalb in der Infrastruktur für erneuerbare Energien immer häufiger eingesetzt. Dieser Trend wird durch die Fähigkeit von SiC vorangetrieben, die Leistung und Belastbarkeit von Energieumwandlungssystemen in nachhaltigen Energieanwendungen zu verbessern.
Einschränkungen/Herausforderungen
- Übergang von traditionellen Materialien
Der Widerstand gegen den Übergang von traditionellen Materialien zu Siliziumkarbid (SiC) aufgrund von Bedenken hinsichtlich Kompatibilität, Anpassungsfähigkeit und Neugestaltung verlangsamt die Einführung von SiC. Diese Zurückhaltung behindert das Marktwachstum, da die Industrie zögert, in die SiC-Technologie zu investieren, da sie Störungen bestehender Systeme befürchtet. Die Überwindung dieser Hindernisse ist für eine breite Einführung und Markterweiterung in verschiedenen Anwendungen von entscheidender Bedeutung.
- Begrenzte Lieferketteninfrastruktur
Die begrenzte Infrastruktur für Produktion, Vertrieb und Lieferkette von Siliziumkarbid (SiC) führt zu Blockaden und behindert das Marktwachstum. Unzureichende Einrichtungen und Logistik verlangsamen die Materialverfügbarkeit und erhöhen Vorlaufzeiten und Kosten. Dies schränkt die Skalierbarkeit des Marktes ein, verzögert Produkteinführungen und untergräbt die Wettbewerbsfähigkeit, was die breitere Einführung der SiC-Technologie in allen Branchen behindert.
Dieser Marktbericht für Siliziumkarbid (SiC) in Indien enthält Einzelheiten zu neuen Entwicklungen, Handelsvorschriften, Import-Export-Analysen, Produktionsanalysen, Wertschöpfungskettenoptimierungen, Marktanteilen, Auswirkungen inländischer und lokaler Marktteilnehmer, analysiert Chancen in Bezug auf neue Einnahmequellen, Änderungen der Marktvorschriften, strategische Marktwachstumsanalysen, Marktgröße, Kategoriemarktwachstum, Anwendungsnischen und -dominanz, Produktzulassungen, Produkteinführungen, geografische Expansionen und technologische Innovationen auf dem Markt. Um weitere Informationen zum indischen Siliziumkarbid (SiC)-Markt zu erhalten, wenden Sie sich an Data Bridge Market Research, um ein Analyst Briefing zu erhalten. Unser Team hilft Ihnen dabei, eine fundierte Marktentscheidung zu treffen, um Marktwachstum zu erzielen.
Auswirkungen von Rohstoffknappheit und Lieferverzögerungen und aktuelles Marktszenario
Data Bridge Market Research bietet eine umfassende Analyse des Marktes und liefert Informationen, indem es die Auswirkungen und das aktuelle Marktumfeld von Rohstoffknappheit und Lieferverzögerungen berücksichtigt. Dies bedeutet, dass strategische Möglichkeiten bewertet, wirksame Aktionspläne erstellt und Unternehmen bei wichtigen Entscheidungen unterstützt werden. Neben dem Standardbericht bieten wir auch eine eingehende Analyse des Beschaffungsniveaus anhand prognostizierter Lieferverzögerungen, Händlerzuordnung nach Regionen, Rohstoffanalyse, Produktionsanalyse, Preiszuordnungstrends, Beschaffung, Kategorieleistungsanalyse, Lösungen zum Risikomanagement der Lieferkette, erweitertes Benchmarking und andere Dienstleistungen für Beschaffung und strategische Unterstützung.
Erwartete Auswirkungen der Konjunkturabschwächung auf die Preisgestaltung und Verfügbarkeit von Produkten
Wenn die Wirtschaftstätigkeit nachlässt, leiden auch die Branchen darunter. Die prognostizierten Auswirkungen des Konjunkturabschwungs auf die Preisgestaltung und Verfügbarkeit der Produkte werden in den von DBMR bereitgestellten Markteinblickberichten und Informationsdiensten berücksichtigt. Damit sind unsere Kunden ihren Konkurrenten in der Regel immer einen Schritt voraus, können ihre Umsätze und Erträge prognostizieren und ihre Gewinn- und Verlustaufwendungen abschätzen.
Die neueste Entwicklung
- Im September 2022 startete SK Siltron, ein wichtiger Akteur in der Herstellung von Halbleiterwafern, Pläne zur Investition von 1,65 Milliarden USD bis 2026, wobei 0,7 Milliarden USD für den Bau einer neuen Waferproduktionsanlage im Gumi National Industrial Complex vorgesehen sind, um den wachsenden Markt für Siliziumkarbid (SiC) zu stärken.
- Im Mai 2022 soll das neu errichtete Werk von SK Siltron in Bay City, USA, seine Produktionskapazitäten erweitern und voraussichtlich über 100.000 Siliziumkarbidplatten pro Jahr produzieren, was einen wesentlichen Beitrag zum wachsenden SiC-Markt leisten wird.
- Im März 2022 brachte Microchip Technology 3,3-kV-Siliziumkarbid-Leistungsbauelemente (SiC) auf den Markt, die für ihre überlegene Effizienz, Zuverlässigkeit und minimalen Widerstand bekannt sind. Sie ermöglichen einen nahtlosen Übergang zu Hochspannungs-SiC in verschiedenen Sektoren, darunter elektrifizierter Transport, erneuerbare Energien und Luft- und Raumfahrt, und katalysieren das Wachstum des SiC-Marktes.
- Im Dezember 2021 brachte STMicroelectronics NV STPOWER SiC-MOSFETs der dritten Generation auf den Markt, die speziell für Elektrofahrzeuge und Antriebsstränge entwickelt wurden. Sie weisen bemerkenswerte Fortschritte bei Leistungsdichte, Energieeffizienz und Zuverlässigkeit auf, treiben den SiC-Markt voran und revolutionieren Anwendungen in Elektrofahrzeugen, Industriemaschinen und erneuerbaren Energiesystemen.
Marktumfang für Siliziumkarbid (SiC) in Indien
Der indische Siliziumkarbid-Markt (SiC) ist nach Produkt, Gerät, Wafergröße, Anwendung und Endverbrauch segmentiert. Das Wachstum dieser Segmente hilft Ihnen bei der Analyse schwacher Wachstumssegmente in den Branchen und bietet den Benutzern einen wertvollen Marktüberblick und Markteinblicke, die ihnen bei der strategischen Entscheidungsfindung zur Identifizierung der wichtigsten Marktanwendungen helfen.
Produkt
- Schwarz
- Grün
Gerät
- SiC Diskret
- Siliziumdiode
- Silizium-MOSFET
- SiC Bare Die
- SiC-Modul
Wafergröße
- 2 Zoll
- 4 Zoll
- 6 Zoll
Anwendung
- Metallurgie
- Schleifmittel
- Feuerfest
- Elektrik und Elektronik
- Andere
Endverbrauch
- Automobilindustrie
- Luft- und Raumfahrt
- Militär und Verteidigung
- Schwermaschinenbau
- Unterhaltungselektronik
- Gesundheitspflege
- Andere
Wettbewerbsumfeld und Analyse der Marktanteile von Siliziumkarbid (SiC) in Indien
Die Wettbewerbslandschaft des indischen Siliziumkarbid-Marktes (SiC) bietet Details nach Wettbewerbern. Zu den Details gehören Unternehmensübersicht, Unternehmensfinanzen, erzielter Umsatz, Marktpotenzial, Investitionen in Forschung und Entwicklung, neue Marktinitiativen, globale Präsenz, Produktionsstandorte und -anlagen, Produktionskapazitäten, Stärken und Schwächen des Unternehmens, Produkteinführung, Produktbreite und -umfang, Anwendungsdominanz. Die oben angegebenen Datenpunkte beziehen sich nur auf den Fokus der Unternehmen in Bezug auf den Markt.
Zu den wichtigsten Akteuren auf dem indischen Siliziumkarbid-Markt (SiC) zählen:
- STMicroelectronics (Schweiz)
- Infineon Technologies AG (Deutschland)
- ROHM CO., LTD. (Japan)
- WOLFSPEED, INC. (USA)
- Semiconductor Components Industries, LLC (USA)
- Fuji Electric Co., Ltd. (Japan)
- Renesas Electronics Corporation (Japan)
- Microchip Technology Inc. (USA)
- TOSHIBA CORPORATION (Japan)
- General Electric (USA)
- GeneSiC Semiconductor (USA)
- ESD-SIC bv (Niederlande)
- Entegris, Inc. (USA)
- POWEREX (USA)
- Qorvo, Inc. (USA)
- Saint-Gobain (Frankreich)
- Sublime Technologies (USA)
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