Globaler Siliziumkarbid (SiC)-Markt – Branchentrends und Prognose bis 2030

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Siliziumkarbid (SiC) Marktanalyse und Größe  

Siliziumkarbid (SiC) kann bei hohen Temperaturen, hohen Spannungen oder beidem arbeiten, und sein kleiner Formfaktor, Siliziumkarbid, wird häufig in der Halbleiterherstellung verwendet. Darüber hinaus steigt die weltweite Nachfrage nach intelligenter Unterhaltungselektronik exponentiell an, was Möglichkeiten für die Erweiterung des Siliziumkarbidmarktes schafft. Diese Faktoren haben das Gesamtwachstum des Marktes weiter gesteigert. Mit seinen breiten Bandlückeneigenschaften gewinnt Siliziumkarbid als Mainstream-Technologie für effiziente Leistungselektronik an Bedeutung.

Data Bridge Market Research analysiert, dass der Markt für Siliziumkarbid (SiC), der im Jahr 2022 1.035,65 Millionen US-Dollar betrug, bis 2030 auf 3.212,42 Millionen US-Dollar ansteigen wird und im Prognosezeitraum von 2023 bis 2030 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 15,20 % verzeichnen dürfte.  

„Leistungselektronik“ dominiert das vertikale Segment des Siliziumkarbid-Marktes (SiC) aufgrund ihrer erheblichen Vorteile gegenüber herkömmlichen siliziumbasierten Geräten, darunter höhere Effizienz, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und bessere Wärmeleitfähigkeit. Diese Eigenschaften machen Siliziumkarbid ideal für Leistungselektronikanwendungen wie Stromnetzgeräte, flexible Wechselstromübertragungssysteme, Hochspannungs-Gleichstrom, Stromversorgungen, Wechselrichter, industrielle Motorantriebe, EV-Motorantriebe und mehr. Neben den Einblicken in Marktszenarien wie Marktwert, Wachstumsrate, Segmentierung, geografische Abdeckung und Hauptakteure enthalten die von Data Bridge Market Research kuratierten Marktberichte auch eingehende Expertenanalysen, geografisch dargestellte Produktion und Kapazität nach Unternehmen, Netzwerklayouts von Distributoren und Partnern, detaillierte und aktualisierte Preistrendanalysen und Defizitanalysen von Lieferkette und Nachfrage

Siliziumkarbid (SiC) Marktumfang und -segmentierung

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Marktdefinition

Siliziumkarbid ist eine Verbindung, die als Desoxidationsmittel bei der Stahlproduktion wirkt. Siliziumkarbid wird hauptsächlich in einem Sauerstoffofen aufgelöst, um große Mengen heißen Stahls und Schrotts zu erzeugen. Der niedrige Schwefel-, Stickstoff-, Silicomangan- oder Ferrosilizium- und Aluminiumgehalt des Artikels machen es zu einem kostengünstigen Material. Die Verbindung besitzt im Vergleich zu Silizium eine dreimal größere Bandlücke, eine zehnmal höhere kritische elektrische Feldstärke und eine dreimal höhere Wärmeleitfähigkeit.

Siliziumkarbid (SiC) Marktdynamik

Treiber:

• Steigende Nachfrage aus der Öl- und Gasindustrie

Die Öl- und Gasindustrie ist ein bedeutender Treiber des Siliziumkarbid-Marktes (SiC). Siliziumkarbide (SiC) werden im Öl- und Gassektor häufig zur Trennung und Reinigung von Gasen, zur Entfernung von Verunreinigungen und für Entwässerungsprozesse verwendet. Mit dem steigenden globalen Energiebedarf und der Erschließung unkonventioneller Öl- und Gasreserven wird die Nachfrage nach Siliziumkarbid (SiC) voraussichtlich steigen.

• Wachsender Schwerpunkt auf Energieeffizienz

Geräte auf Siliziumkarbidbasis bieten geringere Leistungsverluste und eine höhere Energieeffizienz als herkömmliche Geräte auf Siliziumbasis. Da Energieverbrauch und Umweltbedenken weiter steigen, konzentrieren sich Industrie und Regierungen weltweit auf energieeffiziente Lösungen. Die Verwendung von Siliziumkarbid verbessert die Energieeffizienz in verschiedenen Anwendungen wie Stromerzeugung, -übertragung und Elektrofahrzeugen.

• Zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen

Elektrofahrzeuge (EVs) gewinnen als nachhaltige Transportlösung zunehmend an Bedeutung. Siliziumkarbid ist ein Schlüsselmaterial, das in der Leistungselektronik von EVs verwendet wird, um die Energieeffizienz zu verbessern und die Reichweite zu erhöhen. Die weltweit zunehmende Verbreitung von Elektrofahrzeugen treibt die Nachfrage nach Siliziumkarbid an.

Gelegenheiten

• Entwicklung von Wide-Bandgap-Leistungshalbleitern

Halbleiter mit großem Bandabstand, darunter Siliziumkarbid, gewinnen als Alternative zu herkömmlichen Bauelementen auf Siliziumbasis zunehmend an Bedeutung. Halbleiter mit großem Bandabstand bieten höhere Durchbruchspannungen, geringere Verluste und höhere Betriebstemperaturen und sind daher ideal für Anwendungen in der Leistungselektronik.

• Fortschritte in der 5G-Technologie

Für den Einsatz von 5G-Netzen sind moderne HF-Geräte erforderlich, die bei hohen Frequenzen arbeiten können. Siliziumkarbid bietet eine hervorragende HF-Leistung, darunter hohe Belastbarkeit, geringe Verluste und hohe Wärmeleitfähigkeit. Mit der zunehmenden weltweiten Verbreitung der 5G-Technologie wird die Nachfrage nach HF-Geräten auf Siliziumkarbidbasis steigen, was Chancen für Marktwachstum bietet.

Herausforderungen/Einschränkungen

• Kompliziert in Materialintegration und Gerätedesign

Siliziumkarbid hat andere Materialeigenschaften und Merkmale als herkömmliche Halbleitermaterialien wie Silizium. Die Integration von Siliziumkarbid in bestehende Herstellungsprozesse und die Entwicklung effizienter Geräte kann technisch anspruchsvoll sein. Dies kann die Einführung von Siliziumkarbid in verschiedenen Anwendungen und Branchen behindern und das Marktwachstum verlangsamen.

• Begrenzte Verfügbarkeit von Rohstoffen

Siliziumkarbid erfordert spezielle Rohstoffe wie hochreines Silizium und Kohlenstoffvorläufer. Die Verfügbarkeit dieser Rohstoffe kann begrenzt sein und Herausforderungen in der Lieferkette unterliegen. Störungen oder Schwankungen in der Rohstoffversorgung können sich auf die Produktion und Verfügbarkeit von Siliziumkarbid auswirken und zu potenziellen Versorgungsengpässen und Marktinstabilität führen.

• Hohe Herstellungskosten

Der Herstellungsprozess von Siliziumkarbid umfasst komplexe und energieintensive Verfahren, darunter Hochtemperaturprozesse und Spezialgeräte. Diese Faktoren tragen zu höheren Herstellungskosten bei als bei herkömmlichen Materialien wie Silizium. Die hohen Produktionskosten können die breite Einführung von Siliziumkarbid, insbesondere in preissensiblen Märkten, behindern und das Marktwachstum bremsen.

• Regulatorische und Compliance-Herausforderungen

Die Verwendung von Siliziumkarbid in bestimmten Anwendungen, wie z. B. in der Automobil- und Luftfahrtindustrie, kann regulatorischen Anforderungen und Konformitätsnormen unterliegen. Die Einhaltung dieser Normen und der Erhalt der erforderlichen Zertifizierungen können die Komplexität und Kosten der Herstellungs- und Bereitstellungsprozesse erhöhen. Regulatorische Herausforderungen und Konformitätsanforderungen können als Markteintrittsbarrieren für Unternehmen wirken und das Wachstum des Siliziumkarbidmarktes beeinträchtigen.

Dieser Marktbericht zu Siliziumkarbid (SiC) enthält Einzelheiten zu neuen Entwicklungen, Handelsvorschriften, Import-Export-Analysen, Produktionsanalysen, Wertschöpfungskettenoptimierungen, Marktanteilen, dem Einfluss inländischer und lokaler Marktteilnehmer, analysiert Chancen in Bezug auf neu entstehende Einnahmequellen, Änderungen der Marktvorschriften, strategische Marktwachstumsanalysen, Marktgröße, Kategoriemarktwachstum, Anwendungsnischen und -dominanz, Produktzulassungen, Produkteinführungen, geografische Expansionen und technologische Innovationen auf dem Markt. Um weitere Informationen zum Siliziumkarbid (SiC)-Markt zu erhalten, wenden Sie sich an Data Bridge Market Research, um einen Analyst Brief zu erhalten. Unser Team hilft Ihnen dabei, eine fundierte Marktentscheidung zu treffen, um Marktwachstum zu erzielen.

Jüngste Entwicklung

• Im September 2022 hat AIXTRON SE, ein führender Anbieter von Halbleiterausrüstung, kürzlich sein G10-SiC 200-mm-System der nächsten Generation für Siliziumkarbid-Epitaxie auf den Markt gebracht. Dieses fortschrittliche System ist für die Massenfertigung von SiC-Leistungsbauelementen der neuesten Generation auf 150/200-mm-SiC-Wafern konzipiert. Die Markteinführung erfolgte auf der International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM) in Davos, Schweiz. Das neue G10-SiC-System baut auf AIXTRONs etablierter G5 WW C 150-mm-Plattform auf und bietet eine flexible Konfiguration mit zwei Wafergrößen von 9×150 und 6×200 mm. Diese Konfiguration erleichtert den Übergang der SiC-Industrie von 150 mm auf 200 mm Waferdurchmesser und unterstützt zukünftige Skalierbarkeit

Globaler Siliziumkarbid (SiC)-Marktumfang

Der Siliziumkarbid-Markt (SiC) ist nach Produkt, Gerät, Wafergröße, Anwendung und Branche segmentiert. Das Wachstum dieser Segmente hilft Ihnen bei der Analyse schwacher Wachstumssegmente in den Branchen und bietet den Benutzern einen wertvollen Marktüberblick und Markteinblicke, die ihnen bei der strategischen Entscheidungsfindung zur Identifizierung der wichtigsten Marktanwendungen helfen.

Produkt

• Schwarzes Siliziumkarbid
• Grünes Siliziumkarbid

Gerät

• Diskrete SIC-Geräte
• SIC Bare Die

Wafergröße

• 2 Zoll
• 4 Zoll
• 6 Zoll und mehr

Anwendung

• HF-Gerät und Mobilfunk-Basisstation
• Stromnetzgerät
• Flexible Wechselstrom-Übertragungssysteme
• Hochspannung
• Gleichstrom
• Netzteil und Wechselrichter
• Lichtsteuerung
• Industrieller Motorantrieb
• Flammenmelder
• EV-Motorantrieb
• Aufladen von Elektrofahrzeugen
• Elektronisches Kampfsystem
• Windenergie
• Sonnenenergie
• Sonstiges

Vertikal

• Telekommunikation
• Energie und Leistung
• Automobilindustrie
• Erneuerbare Energieerzeugung
• Verteidigung
• Leistungselektronik
• Sonstiges

Siliziumkarbid (SiC) Markt – Regionale Analyse/Einblicke

Der Siliziumkarbid-Markt (SiC) wird analysiert und es werden Einblicke in die Marktgröße und Trends nach Produkt, Gerät, Wafergröße, Anwendung und Branche gegeben (siehe oben).

Die im Marktbericht für Siliziumkarbid (SiC) abgedeckten Länder sind die USA, Kanada und Mexiko in Nordamerika, Brasilien, Argentinien und der Rest von Südamerika in Südamerika, Deutschland, Frankreich, Italien, Großbritannien, Belgien, Spanien, Russland, die Türkei, die Niederlande, die Schweiz und der Rest von Europa, Japan, China, Indien, Südkorea, Australien, Singapur, Malaysia, Thailand, Indonesien, die Philippinen und der Rest des asiatisch-pazifischen Raums in Asien-Pazifik sowie die Vereinigten Arabischen Emirate, Saudi-Arabien, Ägypten, Südafrika, Israel und der Rest des Nahen Ostens und Afrikas.

Der asiatisch-pazifische Raum dominiert den Markt für Siliziumkarbid (SiC) aufgrund der hohen Investitionen in die Infrastruktur und des wachsenden Fertigungssektors in Ländern wie Indien und China in der Region.

Aufgrund der zunehmenden Verbreitung von Elektrofahrzeugen (EVs) in der Region sowie unterstützender staatlicher Initiativen und Finanzierungen wird erwartet, dass Nordamerika zwischen 2023 und 2030 der am schnellsten wachsende Markt sein wird.

Der Länderabschnitt des Berichts enthält auch Angaben zu einzelnen marktbeeinflussenden Faktoren und Änderungen der Regulierung auf dem Inlandsmarkt, die sich auf die aktuellen und zukünftigen Trends des Marktes auswirken. Datenpunkte wie Downstream- und Upstream-Wertschöpfungskettenanalysen, technische Trends und Porters Fünf-Kräfte-Analyse sowie Fallstudien sind einige der Anhaltspunkte, die zur Prognose des Marktszenarios für einzelne Länder verwendet werden. Bei der Bereitstellung von Prognoseanalysen der Länderdaten werden auch die Präsenz und Verfügbarkeit globaler Marken und ihre Herausforderungen aufgrund großer oder geringer Konkurrenz durch lokale und inländische Marken, die Auswirkungen inländischer Zölle und Handelsrouten berücksichtigt.   

Wettbewerbsumfeld und Siliziumkarbid (SiC) Marktanteilsanalyse

Die Wettbewerbslandschaft des Siliziumkarbid-Marktes (SiC) liefert Details zu den Wettbewerbern. Zu den Details gehören Unternehmensübersicht, Unternehmensfinanzen, erzielter Umsatz, Marktpotenzial, Investitionen in Forschung und Entwicklung, neue Marktinitiativen, globale Präsenz, Produktionsstandorte und -anlagen, Produktionskapazitäten, Stärken und Schwächen des Unternehmens, Produkteinführung, Produktbreite und -umfang, Anwendungsdominanz. Die oben angegebenen Datenpunkte beziehen sich nur auf den Fokus der Unternehmen in Bezug auf den Markt.

Zu den wichtigsten Akteuren auf dem Siliziumkarbid-Markt (SiC) zählen:

• Infineon Technologies AG (Deutschland)
• Cree, Inc. (USA)
• ROHM Co., Ltd. (Japan)
• Mikrohalbleiter (USA)
• STMelectronics (Schweiz)
• Fuji Electric Co., Ltd. (Japan)
• Semiconductor Components Industries, LLC (USA)
• General Electric (USA)
• Toshiba Corporation (Japan)
• Renesas Electronics Corporation (Japan)
• Microchip Technology Inc. (USA)
• Grindwell Norton Limited (Indien)
• Dow (USA)
• CUMI (Indien)
• Entegris (USA)

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