>Globaler Markt für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT), nach Typ (diskreter IGBT, modularer IGBT), Nennleistung (hohe Leistung, mittlere Leistung, niedrige Leistung), Endbenutzer (Automobilindustrie, Unterhaltungselektronik, Kommunikation, Industrie, andere Endverbrauchsbranchen) – Branchentrends und Prognose bis 2029.
Marktanalyse und Größe diskreter Halbleiter mit isoliertem Gate (IGBT)
Die Nachfrage nach diskreten Halbleitern ist in den letzten Jahren deutlich gestiegen und wird im Prognosezeitraum voraussichtlich weiter steigen. Die Nachfrage nach energieintensiven, stromsparenden Geräten treibt die diskrete Halbleiterindustrie voran. Elektronikhersteller bevorzugen Komponenten, die schnell und kompakt sind und die Produkteffizienz steigern können. Diese Marktwachstumsfaktoren werden zum Gesamtwachstum des Marktes beitragen.
Data Bridge Market Research analysiert, dass der Markt für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT), der im Jahr 2021 einen Wert von 12,57 Milliarden USD erreichte, im Prognosezeitraum 2022–2029 voraussichtlich einen Wert von 31,66 Milliarden USD erreichen wird, was einer CAGR von 11,30 % entspricht. Neben Markteinblicken wie Marktwert, Wachstumsrate, Marktsegmenten, geografischer Abdeckung, Marktteilnehmern und Marktszenario enthält der vom Data Bridge Market Research-Team zusammengestellte Marktbericht eine eingehende Expertenanalyse, Import-/Exportanalyse, Preisanalyse, Produktionsverbrauchsanalyse und PESTLE-Analyse.
Marktumfang und -segmentierung für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate (IGBT)
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Berichtsmetrik |
Details |
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Prognosezeitraum |
2022 bis 2029 |
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Basisjahr |
2021 |
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Historische Jahre |
2020 (Anpassbar auf 2014 – 2019) |
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Quantitative Einheiten |
Umsatz in Mrd. USD, Volumen in Einheiten, Preise in USD |
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Abgedeckte Segmente |
Typ (Diskretes IGBT, Modulares IGBT), Leistungsklasse (Hohe Leistung, Mittlere Leistung, Niedrige Leistung), Endverbraucher (Automobilindustrie, Unterhaltungselektronik , Kommunikation, Industrie, andere Endverbrauchsbranchen), |
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Abgedeckte Länder |
USA, Kanada und Mexiko in Nordamerika, Deutschland, Frankreich, Großbritannien, Niederlande, Schweiz, Belgien, Russland, Italien, Spanien, Türkei, Restliches Europa in Europa, China, Japan, Indien, Südkorea, Singapur, Malaysia, Australien, Thailand, Indonesien, Philippinen, Restlicher Asien-Pazifik-Raum (APAC) in Asien-Pazifik (APAC), Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Südafrika, Ägypten, Israel, Restlicher Naher Osten und Afrika (MEA) als Teil von Naher Osten und Afrika (MEA), Brasilien, Argentinien und Restliches Südamerika als Teil von Südamerika |
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Abgedeckte Marktteilnehmer |
ABB (Schweiz), Semiconductor Components Industries, LLC (USA), Infineon Technologies AG (Deutschland), STMicroelectronics (Schweiz), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japan), NXP Semiconductors (Niederlande), Diodes Incorporated (USA), Nexperia (Niederlande), Qualcomm Technologies Inc. (USA), D3 Semiconductor (USA), Eaton (Irland), Hitachi Ltd. (Japan), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), Fuji Electric Co., Ltd. (USA), Murata Manufacturing Co. Ltd (Japan) und Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taiwan) |
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Gelegenheiten |
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Marktdefinition
Ein diskretes Halbleiterbauelement ist ein einzelnes Siliziumbauelement, das eine grundlegende elektronische Funktion erfüllt. Zu den diskreten Halbleitern gehören IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor), MOSFETs, Thyristoren, Dioden und Gleichrichter. Ein diskreter Leistungshalbleiter, am häufigsten ein IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) oder MOSFETs, ist eine Komponente elektronischer und elektrischer Geräte, die Wechselstrom umwandelt. Diskrete Leistungstreiber sind diskrete Halbleiter, die in einer Vielzahl elektronischer Anwendungen eingesetzt werden, von der Unterhaltungselektronik bis hin zu Ladestationen für Elektroautos.
Globale Marktdynamik für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT)
Treiber
- Wachsender Bedarf an nachhaltigen Geräten
Die steigende Nachfrage nach energieeffizienten und stromsparenden Geräten sowie die steigende Nachfrage nach Antrieben zur Stromerzeugung mit Ökostrom dürften die Haupttreiber des Marktwachstums sein. Darüber hinaus tragen die gestiegene Nachfrage nach MOSFETs und IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) in der Elektronik und Automobilindustrie sowie die anhaltende Nachfrage nach Halbleitern aus der Automobilindustrie dazu bei, das Marktwachstum im Prognosezeitraum abzufedern.
- Hohe Nachfrage nach tragbaren Geräten und Verbrauchergeräten
Neue Leistungshalbleiter sind hochspezialisierte Transistoren, die eine Vielzahl konkurrierender Technologien wie GaN, SiC und Silizium verwenden. Da es sich bei GaN und SiC um Wide-Bandgap-Technologien handelt, sind sie effizienter und schneller als siliziumbasierte Geräte. Mehrere Hersteller stellen die nächste Generation von Leistungshalbleitern auf der Basis von Galliumnitrid (GaN) und Siliziumkarbid (SiC) vor.
Die wachsende Beliebtheit drahtloser und tragbarer elektronischer Geräte treibt das Marktwachstum an. Darüber hinaus tragen die zunehmende Beliebtheit drahtloser und tragbarer elektronischer Produkte, die starke Nachfrage aus Schwellenländern und das schnelle Wachstum der Automobilindustrie zum Marktwachstum bei. Die Nachfrage nach besseren und effizienteren Komponenten von Herstellern von Kommunikations-, Unterhaltungselektronik- und anderen Geräten ist ebenfalls ein Markttreiber.
Gelegenheiten
- Hohe Verbreitung von KI-basierten Halbleitern
Die verstärkte Entwicklung KI-basierter Halbleiter dürfte lukrative Marktchancen eröffnen und das zukünftige Wachstum des Marktes für diskrete Halbleiter weiter steigern. Darüber hinaus werden verstärkte F&E-Aktivitäten in Kombination mit technologischen Fortschritten bei Fertigungstechniken zahlreiche Möglichkeiten für Marktwachstum bieten.
Beschränkungen
- Hohe Kosten und Mangel an Fortschritten
Steigende Preise für diskrete Halbleiter, eine stärkere Betonung integrierter Schaltkreise sowie ein Mangel an technologischem Fortschritt und Entwicklung sind jedoch die Haupthemmnisse, die den Markt für diskrete Halbleiter mit isolierter Gate-Bipolartransistor (IGBT) im Prognosezeitraum vor weitere Herausforderungen stellen werden.
Dieser Marktbericht für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate (IGBT) enthält Einzelheiten zu neuen Entwicklungen, Handelsvorschriften, Import-Export-Analysen, Produktionsanalysen, Wertschöpfungskettenoptimierungen, Marktanteilen, Auswirkungen inländischer und lokaler Marktteilnehmer, analysiert Chancen in Bezug auf neue Einnahmequellen, Änderungen der Marktvorschriften, strategische Marktwachstumsanalysen, Marktgröße, Kategoriemarktwachstum, Anwendungsnischen und -dominanz, Produktzulassungen, Produkteinführungen, geografische Expansionen und technologische Innovationen auf dem Markt. Um weitere Informationen zum Markt für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate (IGBT) zu erhalten, wenden Sie sich an Data Bridge Market Research, um einen Analystenbericht zu erhalten. Unser Team hilft Ihnen dabei, eine fundierte Marktentscheidung zu treffen, um Marktwachstum zu erzielen.
Auswirkungen von Rohstoffknappheit und Lieferverzögerungen und aktuelles Marktszenario
Data Bridge Market Research bietet eine umfassende Marktanalyse und liefert Informationen, indem es die Auswirkungen und das aktuelle Marktumfeld von Rohstoffknappheit und Lieferverzögerungen berücksichtigt. Dies bedeutet, dass strategische Möglichkeiten bewertet, wirksame Aktionspläne erstellt und Unternehmen bei wichtigen Entscheidungen unterstützt werden.
Neben dem Standardbericht bieten wir auch detaillierte Analysen des Beschaffungsniveaus anhand prognostizierter Lieferverzögerungen, Händlerzuordnung nach Regionen, Warenanalysen, Produktionsanalysen, Preiszuordnungstrends, Beschaffung, Kategorieleistungsanalysen, Lösungen zum Lieferkettenrisikomanagement, erweitertes Benchmarking und andere Dienste für Beschaffung und strategische Unterstützung.
Auswirkungen von COVID-19 auf den globalen Markt für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT)
Der COVID-19-Ausbruch hingegen hatte massive Auswirkungen auf die globale und nationale Wirtschaft. Viele Endverbraucherbranchen, darunter diskrete Halbleiter, sind betroffen. Die Arbeit in der Fabrikhalle macht einen großen Teil der Herstellung elektronischer Komponenten aus, wo Menschen in engem Kontakt stehen, um die Produktivität zu steigern. Unternehmen auf dem Markt bewerten derzeit die Auswirkungen an drei Fronten: Marktnachfrage, Lieferkette und Belegschaft. Die Produktnachfrage verlagert sich auf ASICS, Speicher, Sensoren usw., da sich das Verbraucherverhalten schnell ändert und künftige Schwankungen zu erwarten sind. Darüber hinaus haben viele Unternehmen Hardware-Upgrades und andere langfristige Migrationsprojekte verschoben.
Erwartete Auswirkungen der Konjunkturabschwächung auf die Preisgestaltung und Verfügbarkeit von Produkten
Wenn die Wirtschaftstätigkeit nachlässt, leiden auch die Branchen darunter. Die prognostizierten Auswirkungen des wirtschaftlichen Abschwungs auf die Preisgestaltung und Verfügbarkeit der Produkte werden in den von DBMR bereitgestellten Markteinblickberichten und Informationsdiensten berücksichtigt. Damit sind unsere Kunden ihren Konkurrenten in der Regel immer einen Schritt voraus, können ihre Umsätze und Erträge prognostizieren und ihre Gewinn- und Verlustaufwendungen abschätzen.
Jüngste Entwicklung
- Im September 2020 wird die Infineon Technologies AG ihre branchenführende „TRENCHSTOP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR (IGBT)7-Technologie“ vorstellen, die sich ideal für industrielle Motorantriebe, Photovoltaik, Leistungsfaktorkorrektur und unterbrechungsfreie Stromversorgungen eignet.
- Im Juli 2020 bringt STMicroelectronics 26 neue Schottky-Dioden mit Nennströmen von 1–5 A und Nennspannungen von 25–200 V in flachen SBM- und SMA-Gehäusen auf den Markt. Aufgrund ihrer niedrigen Spannung bieten diese Geräte eine höhere Energieeffizienz für Verbraucher- und Industrieanwendungen.
Globaler Markt für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT)
Der Markt für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT) ist nach Typ, Nennleistung und Endverbraucher segmentiert. Das Wachstum dieser Segmente hilft Ihnen bei der Analyse schwacher Wachstumssegmente in den Branchen und bietet den Benutzern einen wertvollen Marktüberblick und Markteinblicke, die ihnen bei der strategischen Entscheidungsfindung zur Identifizierung der wichtigsten Marktanwendungen helfen.
Typ
- Diskreter Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)
- Modularer Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT)
Nennleistung
- Hohe Leistung
- Mittlere Leistung
- Niedriger Stromverbrauch
Endbenutzer-Vertikale
- Automobilindustrie
- Unterhaltungselektronik
- Kommunikation
- Industrie
- Andere Endverbrauchsbranchen
Markt für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate (IGBT) – Regionale Analyse/Einblicke
Der Markt für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT) wird analysiert und es werden Einblicke in die Marktgröße und Trends nach Land, Typ, Nennleistung und Endbenutzer wie oben angegeben bereitgestellt.
Die im Marktbericht für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT) abgedeckten Länder sind die USA, Kanada und Mexiko in Nordamerika, Deutschland, Frankreich, Großbritannien, Niederlande, Schweiz, Belgien, Russland, Italien, Spanien, Türkei, Restliches Europa in Europa, China, Japan, Indien, Südkorea, Singapur, Malaysia, Australien, Thailand, Indonesien, Philippinen, Restlicher asiatisch-pazifischer Raum (APAC) in Asien-Pazifik (APAC), Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Südafrika, Ägypten, Israel, Restlicher Naher Osten und Afrika (MEA) als Teil von Naher Osten und Afrika (MEA), Brasilien, Argentinien und Restliches Südamerika als Teil von Südamerika.
Die Region Nordamerika dominierte im gesamten Prognosezeitraum den globalen Markt für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT) und hatte die höchsten Marktanteile. Dies ist auf die zunehmende Verbreitung digitaler Technologien im Mainstream, die weit verbreitete Verwendung digitaler Stifte, insbesondere im Bildungssektor, und die Präsenz wichtiger Akteure in dieser Region zurückzuführen.
Der asiatisch-pazifische Raum dominiert den Markt für diskrete Halbleiter aufgrund der Präsenz von Halbleiterindustrien in China, Taiwan, Südkorea und Indien sowie der steigenden Nachfrage nach Antrieben für die Stromerzeugung mit umweltfreundlicher Energie sowie MOSFETs und IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistor) in der Elektronik und Automobilindustrie.
Der Länderabschnitt des Berichts enthält auch individuelle marktbeeinflussende Faktoren und Änderungen der Marktregulierung, die die aktuellen und zukünftigen Trends des Marktes beeinflussen. Datenpunkte wie Downstream- und Upstream-Wertschöpfungskettenanalysen, technische Trends und Porters Fünf-Kräfte-Analyse sowie Fallstudien sind einige der Anhaltspunkte, die zur Prognose des Marktszenarios für einzelne Länder verwendet werden. Bei der Bereitstellung von Prognoseanalysen der Länderdaten werden auch die Präsenz und Verfügbarkeit globaler Marken und ihre Herausforderungen aufgrund großer oder geringer Konkurrenz durch lokale und inländische Marken sowie die Auswirkungen inländischer Zölle und Handelsrouten berücksichtigt.
Wettbewerbsumfeld und Diskreter Halbleiter mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT) Analyse der Marktanteile
Die Wettbewerbslandschaft des Marktes für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate (IGBT) liefert Details nach Wettbewerbern. Die enthaltenen Details sind Unternehmensübersicht, Unternehmensfinanzen, erzielter Umsatz, Marktpotenzial, Investitionen in Forschung und Entwicklung, neue Marktinitiativen, globale Präsenz, Produktionsstandorte und -anlagen, Produktionskapazitäten, Stärken und Schwächen des Unternehmens, Produkteinführung, Produktbreite und -umfang, Anwendungsdominanz. Die oben angegebenen Datenpunkte beziehen sich nur auf den Fokus der Unternehmen in Bezug auf den Markt für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate (IGBT).
Zu den wichtigsten Akteuren auf dem Markt für diskrete Halbleiter mit isoliertem Gate-Bipolartransistor (IGBT) zählen:
- ABB (Schweiz)
- Semiconductor Components Industries, LLC (USA)
- Infineon Technologies AG (Deutschland)
- STMicroelectronics (Schweiz)
- TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japan)
- NXP Semiconductors (Niederlande)
- Diodes Incorporated (USA)
- Nexperia (Niederlande)
- Qualcomm Technologies Inc., (USA)
- D3 Halbleiter (USA)
- Eaton (Irland)
- (Japan)
- Mitsubishi Electric Corporation (Japan)
- Fuji Electric Co., Ltd. (USA)
- Murata Manufacturing Co. Ltd (Japan)
- Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited (Taiwan)
SKU-
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