Globaler Markt für GaN-Leistungsgeräte – Branchentrends und Prognose bis 2028

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Globaler Markt für GaN-Leistungsgeräte – Branchentrends und Prognose bis 2028

  • Semiconductors and Electronics
  • Upcoming Reports
  • Jun 2021
  • Global
  • 350 Seiten
  • Anzahl der Tabellen:
  • Anzahl der Abbildungen:

>Globaler Markt für GaN-Leistungsgeräte, nach Gerätetyp (Leistungsgerät, HF-Leistungsgerät, GaN-Leistungsmodule, diskrete GaN-Leistungsgeräte, GaN-Leistungs-ICs), Spannungsbereich (600 Volt), Anwendung (Antriebe, Versorgung und Wechselrichter, Hochfrequenz), Vertikal (Telekommunikation, Industrie, Automobil, Erneuerbare Energien, Verbraucher und Unternehmen, Militär, Verteidigung und Luft- und Raumfahrt, Medizin), Technologie (4H-SiC-MOSFET, HEMT, Sonstige), Wafermaterial (GaN-SiC, GaN-Si), Wafergröße (Weniger als 150 mm, 150 mm–500 mm, Mehr als 500 mm), Land (USA, Kanada, Mexiko, Brasilien, Argentinien, Restliches Südamerika, Deutschland, Italien, Großbritannien, Frankreich, Spanien, Niederlande, Belgien, Schweiz, Türkei, Russland, Restliches Europa, Japan, China, Indien, Südkorea, Australien, Singapur, Malaysia, Thailand, Indonesien, Philippinen, Restlicher asiatisch-pazifischer Raum, Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Afrika, Ägypten, Israel, Rest des Nahen Ostens und Afrika) Branchentrends und Prognose bis 2028 

Markt für GaN-LeistungsgeräteMarktanalyse und Einblicke: Globaler Markt für GaN-Leistungsgeräte

Für den Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte wird im Prognosezeitraum von 2021 bis 2028 ein Marktwachstum von 49,95 % erwartet. Der Marktforschungsbericht von Data Bridge zum Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte bietet Analysen und Erkenntnisse zu den verschiedenen Faktoren, die voraussichtlich im gesamten Prognosezeitraum vorherrschen werden, und gibt Aufschluss über ihre Auswirkungen auf das Marktwachstum.  

Galliumnitrid-Transistoren (GaN) haben sich zu einer leistungsstärkeren Alternative zu Transistoren auf Siliziumbasis entwickelt, da sich mit ihnen im Vergleich zu Siliziumbauelementen bei einem angenommenen Widerstandswert und einer angenommenen Durchbruchspannung dichtere Bauelemente konstruieren lassen.

Wichtige Faktoren, die das Wachstum des Marktes für GaN-Leistungsgeräte im Prognosezeitraum ankurbeln dürften, sind die enormen Umsatzerlöse aus den Bereichen Unterhaltungselektronik und Automobilbau sowie die Innovation fördernde Eigenschaft des GaN-Materials mit großem Bandabstand. Darüber hinaus treiben der
Erfolg von GaN in der HF-Leistungselektronik, die zunehmende Akzeptanz und die zunehmende Einführung von GaN-HF-Leistungsgeräten in den Bereichen Militär, Verteidigung und Luft- und Raumfahrt das Wachstum des Marktes für GaN-Leistungsgeräte weiter voran.

Andererseits wird der Kampf der SiC-Geräte in Hochspannungsanwendungen voraussichtlich das Wachstum des Marktes für GaN-Leistungsgeräte in diesem Zeitraum weiter behindern. Darüber hinaus wird die potenzielle Nutzung von GaN in 5G- Infrastrukturanwendungen
in Elektro- und Hybridfahrzeugen in den kommenden Jahren weitere lukrative Möglichkeiten für das Wachstum des Marktes für GaN-Leistungsgeräte bieten. Der Anstieg der Material- und Konstruktionspreise sowie der Designaufwand und -schwierigkeiten könnten das Wachstum des Marktes für GaN-Leistungsgeräte in naher Zukunft jedoch weiter behindern.

Dieser Marktbericht für GaN-Stromversorgungsgeräte enthält Einzelheiten zu neuen Entwicklungen, Handelsvorschriften, Import-/Exportanalysen, Produktionsanalysen, Optimierung der Wertschöpfungskette, Marktanteilen, Auswirkungen inländischer und lokaler Marktteilnehmer, analysiert Chancen in Bezug auf neue Einnahmequellen, Änderungen der Marktvorschriften, strategische Marktwachstumsanalysen, Marktgröße, Kategoriemarktwachstum, Anwendungsnischen und -dominanz, Produktzulassungen, Produkteinführungen, geografische Expansionen und technologische Innovationen auf dem Markt. Um weitere Informationen zum Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte zu erhalten, wenden Sie sich an Data Bridge Market Research , um einen Analystenbericht zu erhalten. Unser Team hilft Ihnen dabei, eine fundierte Marktentscheidung zu treffen, um Marktwachstum zu erzielen.                                                              

GaN-Leistungsgeräte – Marktumfang und Marktgröße

Der Markt für GaN-Leistungsgeräte ist nach Gerätetyp, Spannungsbereich, Anwendung, Vertikale, Technologie, Wafermaterial und Wafergröße segmentiert. Das Wachstum zwischen den Segmenten hilft Ihnen bei der Analyse von Wachstumsnischen und Strategien zur Marktbearbeitung und zur Bestimmung Ihrer wichtigsten Anwendungsbereiche und der Unterschiede in Ihren Zielmärkten. 

  • Auf der Grundlage des Gerätetyps ist der Markt für GaN-Leistungsgeräte segmentiert in Leistungsgeräte, HF-Leistungsgeräte, GaN-Leistungsmodule, diskrete GaN-Leistungsgeräte, GaN-Leistungs-ICs. Leistungsgeräte sind weiter unterteilt in diskrete Leistungsgeräte und integrierte Leistungsgeräte. HF-Leistungsgeräte sind weiter unterteilt in diskrete HF-Leistungsgeräte und integrierte HF-Leistungsgeräte. Diskrete GaN-Leistungsgeräte sind weiter unterteilt in GaN-Leistungs-Nicht-HF-Geräte und GaN-Leistungs-HF-Geräte. GaN-Leistungs-ICs sind weiter unterteilt in MMIC und Hybrid.
  • Auf der Grundlage des Spannungsbereichs ist der Markt für GaN-Leistungsgeräte in <200 Volt, 200–600 Volt und >600 Volt unterteilt.
  • Auf der Grundlage der Anwendung ist der Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte in Stromantriebe, Versorgung und Wechselrichter sowie Hochfrequenz unterteilt. Stromantriebe sind weiter unterteilt in EV-Antriebe, Industrieantriebe sowie Lichterkennung und -entfernungsmessung. Versorgung und Wechselrichter sind weiter unterteilt in Schaltnetzteil, Wechselrichter, kabelloses Laden und EV-Laden. Hochfrequenz ist weiter unterteilt in Hochfrequenz-Frontend-Modul, Repeater/Booster/DAs sowie Radar und Satellit.
  • Auf vertikaler Basis ist der Markt für GaN-Stromversorgungsgeräte in die Branchen Telekommunikation, Industrie, Automobil, erneuerbare Energien, Verbraucher und Unternehmen, Militär, Verteidigung sowie Luft- und Raumfahrt und Medizin segmentiert.
  • Auf der Grundlage der Technologie ist der Markt für GaN-Leistungsgeräte in 4h-SIC-MOSFET, HEMT und Sonstige unterteilt.
  • Auf der Grundlage des Wafermaterials ist der Markt für GaN-Leistungsgeräte in GaN SiC und GaN Si segmentiert.
  • Auf Grundlage der Wafergröße ist der Markt für GaN-Leistungsbauelemente in weniger als 150 mm, 150 mm – 500 mm und mehr als 500 mm segmentiert.

GaN-Leistungsgerät Markt – Länderebene Analyse

Der Markt für GaN-Leistungsgeräte wird analysiert und Informationen zu Marktgröße und Volumen werden nach Land, Gerätetyp, Spannungsbereich, Anwendung, Branche, Technologie, Wafermaterial und Wafergröße wie oben angegeben bereitgestellt.   

Die im Marktbericht zu GaN-Stromversorgungsgeräten abgedeckten Länder sind die USA, Kanada und Mexiko in Nordamerika, Brasilien, Argentinien und der Rest von Südamerika als Teil von Südamerika, Deutschland, Italien, Großbritannien, Frankreich, Spanien, Niederlande, Belgien, Schweiz, Türkei, Russland, Rest von Europa in Europa, Japan, China, Indien, Südkorea, Australien, Singapur, Malaysia, Thailand, Indonesien, Philippinen, Rest von Asien-Pazifik (APAC) in Asien-Pazifik (APAC), Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Südafrika, Ägypten, Israel, Rest von Nahem Osten und Afrika (MEA) als Teil von Naher Osten und Afrika (MEA).  

Nordamerika dominiert den Markt für GaN-Leistungsgeräte aufgrund der steigenden Investitionen des Verteidigungs- und Luftfahrtsektors in Forschung und Entwicklung. Darüber hinaus wird die zunehmende Akzeptanz energieeffizienter Geräte und die Auftragsvergabe an mehrere bestehende Unternehmen das Wachstum des Marktes für GaN-Leistungsgeräte in der Region im Prognosezeitraum weiter ankurbeln. Im asiatisch-pazifischen Raum wird aufgrund der rasanten technologischen Entwicklungen, die zu einer erhöhten Nachfrage nach effektiven und leistungsstarken HF-Komponenten führen, ein deutliches Wachstum des Marktes für GaN-Leistungsgeräte erwartet. Darüber hinaus wird erwartet, dass eine deutliche Zunahme der Akzeptanz drahtloser elektronischer Geräte und der Produktion von Telekommunikationsinfrastruktur das Wachstum des Marktes für GaN-Leistungsgeräte in der Region in den kommenden Jahren weiter vorantreiben wird.

Der Länderabschnitt des Berichts enthält auch Angaben zu einzelnen marktbeeinflussenden Faktoren und Änderungen der Regulierung auf dem Inlandsmarkt, die sich auf die aktuellen und zukünftigen Trends des Marktes auswirken. Datenpunkte wie Downstream- und Upstream-Wertschöpfungskettenanalysen, technische Trends und Porters Fünf-Kräfte-Analyse sowie Fallstudien sind einige der Anhaltspunkte, die zur Prognose des Marktszenarios für einzelne Länder verwendet werden. Bei der Bereitstellung von Prognoseanalysen der Länderdaten werden auch die Präsenz und Verfügbarkeit globaler Marken und ihre Herausforderungen aufgrund großer oder geringer Konkurrenz durch lokale und inländische Marken sowie die Auswirkungen inländischer Zölle und Handelsrouten berücksichtigt.

Wettbewerbsumfeld und Analyse der Marktanteile von GaN-Leistungsgeräten

Die Wettbewerbslandschaft auf dem Markt für GaN-Leistungsgeräte liefert Details nach Wettbewerbern. Die enthaltenen Details sind Unternehmensübersicht, Unternehmensfinanzen, erzielter Umsatz, Marktpotenzial, Investitionen in Forschung und Entwicklung, neue Marktinitiativen, regionale Präsenz, Stärken und Schwächen des Unternehmens, Produkteinführung, Produktbreite und -umfang, Anwendungsdominanz. Die oben angegebenen Datenpunkte beziehen sich nur auf den Fokus der Unternehmen in Bezug auf den Markt für GaN-Leistungsgeräte.

Die wichtigsten Akteure, die im Marktbericht für GaN-Leistungsgeräte behandelt werden, sind Cree, Inc., Infineon Technologies AG, Qorvo, Inc., MACOM, Microsemi, Mitsubishi Electric Corporation, Efficient Power Conversion Corporation., GaN Systems, Navitas Semiconductor., Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, Exagan., VisIC Technologies, Integra Technologies, Inc., Transphorm Inc., GaNpower, Analog Devices, Inc., Panasonic Corporation, Texas Instruments Incorporated., Ampleon, Northrop Grumman, Dialog Semiconductor und andere inländische und internationale Akteure. Marktanteilsdaten sind für die Regionen weltweit, Nordamerika, Europa, Asien-Pazifik (APAC), Naher Osten und Afrika (MEA) und Südamerika separat verfügbar. DBMR-Analysten verstehen die Wettbewerbsstärken und erstellen für jeden Wettbewerber separat eine Wettbewerbsanalyse.


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Forschungsmethodik

Die Datenerfassung und Basisjahresanalyse werden mithilfe von Datenerfassungsmodulen mit großen Stichprobengrößen durchgeführt. Die Phase umfasst das Erhalten von Marktinformationen oder verwandten Daten aus verschiedenen Quellen und Strategien. Sie umfasst die Prüfung und Planung aller aus der Vergangenheit im Voraus erfassten Daten. Sie umfasst auch die Prüfung von Informationsinkonsistenzen, die in verschiedenen Informationsquellen auftreten. Die Marktdaten werden mithilfe von marktstatistischen und kohärenten Modellen analysiert und geschätzt. Darüber hinaus sind Marktanteilsanalyse und Schlüsseltrendanalyse die wichtigsten Erfolgsfaktoren im Marktbericht. Um mehr zu erfahren, fordern Sie bitte einen Analystenanruf an oder geben Sie Ihre Anfrage ein.

Die wichtigste Forschungsmethodik, die vom DBMR-Forschungsteam verwendet wird, ist die Datentriangulation, die Data Mining, die Analyse der Auswirkungen von Datenvariablen auf den Markt und die primäre (Branchenexperten-)Validierung umfasst. Zu den Datenmodellen gehören ein Lieferantenpositionierungsraster, eine Marktzeitlinienanalyse, ein Marktüberblick und -leitfaden, ein Firmenpositionierungsraster, eine Patentanalyse, eine Preisanalyse, eine Firmenmarktanteilsanalyse, Messstandards, eine globale versus eine regionale und Lieferantenanteilsanalyse. Um mehr über die Forschungsmethodik zu erfahren, senden Sie eine Anfrage an unsere Branchenexperten.

Anpassung möglich

Data Bridge Market Research ist ein führendes Unternehmen in der fortgeschrittenen formativen Forschung. Wir sind stolz darauf, unseren bestehenden und neuen Kunden Daten und Analysen zu bieten, die zu ihren Zielen passen. Der Bericht kann angepasst werden, um Preistrendanalysen von Zielmarken, Marktverständnis für zusätzliche Länder (fordern Sie die Länderliste an), Daten zu klinischen Studienergebnissen, Literaturübersicht, Analysen des Marktes für aufgearbeitete Produkte und Produktbasis einzuschließen. Marktanalysen von Zielkonkurrenten können von technologiebasierten Analysen bis hin zu Marktportfoliostrategien analysiert werden. Wir können so viele Wettbewerber hinzufügen, wie Sie Daten in dem von Ihnen gewünschten Format und Datenstil benötigen. Unser Analystenteam kann Ihnen auch Daten in groben Excel-Rohdateien und Pivot-Tabellen (Fact Book) bereitstellen oder Sie bei der Erstellung von Präsentationen aus den im Bericht verfügbaren Datensätzen unterstützen.

Häufig gestellte Fragen

GaN Power Device Market to grow at a CAGR 49.95% by forecast 2028.
North America region holds the largest share in the market.
The major players covered in the GaN power device market report are Cree, Inc., Infineon Technologies AG, Qorvo, Inc., MACOM, Microsemi, Mitsubishi Electric Corporation, Efficient Power Conversion Corporation., GaN Systems, Navitas Semiconductor., Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation, Exagan., VisIC Technologies, Integra Technologies, Inc., Transphorm Inc., GaNpower, Analog Devices, Inc., Panasonic Corporation, Texas Instruments Incorporated., Ampleon, Northrop Grumman, Dialog Semiconductor.
The countries covered in the GaN power device market report are the U.S., Canada and Mexico in North America, Brazil, Argentina and Rest of South America as part of South America, Germany, Italy, U.K., France, Spain, Netherlands, Belgium, Switzerland, Turkey, Russia, Rest of Europe in Europe, Japan, China, India, South Korea, Australia, Singapore, Malaysia, Thailand, Indonesia, Philippines, Rest of Asia-Pacific (APAC) in the Asia-Pacific (APAC), Saudi Arabia, U.A.E, South Africa, Egypt, Israel, Rest of Middle East and Africa (MEA) as a part of Middle East and Africa (MEA).