Globaler Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter – Branchentrends und Prognose bis 2031

Globaler Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter, nach Produkt (SiC-Leistungsmodul, GaN-Leistungsmodul, diskretes SiC, diskretes GaN), Anwendung (Stromversorgungen, industrielle Motorantriebe, H/EV, PV-Wechselrichter, Traktion, andere) – Branchentrends und Prognose bis 2031.

Marktanalyse und Größe für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter

Der Anstieg des Wachstums in der Halbleiterindustrie ist ein entscheidender Faktor, der das Marktwachstum beschleunigt. Auch die zunehmende Popularität von elektrische Fahrzeuge, die zunehmende Einführung der 5G-Technologie, der Anstieg der Investitionen in die Infrastrukturentwicklung, der Anstieg der Forschung und Entwicklung im Bereich Wide-Band-Gap-Halbleiter (WBG), der Anstieg der Verwendung von Leistungsgeräten in Anwendungen für erneuerbare Energien und das zunehmende Wachstum des Marktes für Hybrid- und Elektrofahrzeuge sind unter anderem die Hauptfaktoren, die den Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter ankurbeln.

Data Bridge Market Research analysiert, dass der globale Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter im Jahr 2023 einen Wert von 596,06 Millionen USD hatte und im Jahr 2031 voraussichtlich 3706,45 Millionen USD erreichen wird, was einer CAGR von 30,05 % im Prognosezeitraum 2023–2031 entspricht. Neben Einblicken in Marktszenarien wie Marktwert, Wachstumsrate, Segmentierung, geografische Abdeckung und Hauptakteure enthalten die von Data Bridge Market Research zusammengestellten Marktberichte auch eingehende Expertenanalysen, geografisch dargestellte Produktion und Kapazität nach Unternehmen, Netzwerklayouts von Distributoren und Partnern, detaillierte und aktualisierte Preistrendanalysen und Defizitanalysen von Lieferkette und Nachfrage.

Marktumfang und -segmentierung für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter

Marktdefinition

GaN ist ein Material, das hauptsächlich für die Entwicklung verschiedener Halbleiter-Leistungsbauelemente, Leuchtdioden und HF-Komponenten verwendet wird. SiC oder Siliziumkarbid ist ein Halbleiter, der aus Silizium und Karbid besteht. Diese GaN- und SiC-Leistungshalbleiter werden häufig in Anwendungen wie Traktion, industriellen Motorgeräten, PV-Wechselrichtern, Stromversorgungen und anderen eingesetzt.

Globale Marktdynamik für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter

Treiber

• Energieeffizienz und erneuerbare Energien

GaN- und SiC-Leistungshalbleiter sind für ihre hohe Energieeffizienz und geringen Leistungsverluste bekannt und stellen daher wichtige Komponenten in erneuerbaren Energiesystemen wie Solarwechselrichtern und Windkraftanlagen dar. Mit dem zunehmenden Fokus auf saubere Energie steigt die Nachfrage nach GaN- und SiC-Leistungshalbleitern, um eine effizientere und nachhaltigere Energieerzeugung zu ermöglichen.

• Elektrofahrzeuge (EVs)

Die Automobilindustrie setzt zunehmend auf Elektrofahrzeuge, um Emissionen und die Abhängigkeit von fossilen Brennstoffen zu reduzieren. In Elektrofahrzeugen werden GaN- und SiC-Leistungshalbleiter eingesetzt, um die Effizienz der Stromumwandlung zu verbessern, Ladezeiten zu verkürzen und die Reichweite zu erhöhen. Da der Markt für Elektrofahrzeuge weiter wächst, wird die Nachfrage nach diesen Halbleitern voraussichtlich steigen.

Gelegenheiten

• 5G und IoT-Ausbau

 Der Einsatz von 5G-Netzen und das Wachstum des Internets der Dinge (IoT) haben Möglichkeiten für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter geschaffen. Diese Halbleiter eignen sich gut für Hochfrequenz- und Hochleistungsanwendungen und sind daher für die Entwicklung der 5G-Infrastruktur und fortschrittlicher IoT-Geräte unverzichtbar.

• Militärische und Luft- und Raumfahrtanwendungen

GaN- und SiC-Leistungshalbleiter werden aufgrund ihrer hohen Belastbarkeit, Zuverlässigkeit und Widerstandsfähigkeit gegenüber rauen Umgebungen zunehmend in Militär- und Luftfahrtanwendungen eingesetzt. Die laufende Modernisierung von Verteidigungssystemen und die Ausweitung von Weltraumforschungsprojekten bieten erhebliche Wachstumschancen für diese Halbleiter.

Herausforderungen/Einschränkungen

• Hohe Herstellungskosten

 Die Herstellung von GaN- und SiC-Leistungshalbleitern ist teurer als die von herkömmlichen Silizium-basierten Geräten. Dieser Kostenunterschied kann eine Herausforderung für die breite Akzeptanz darstellen, insbesondere in preissensiblen Märkten wie der Unterhaltungselektronik.

• Lieferkette und Materialverfügbarkeit

GaN- und SiC-Materialien sind in der Halbleiterindustrie relativ neu und es kann Herausforderungen im Zusammenhang mit der Verfügbarkeit hochwertiger Materialien und einer gut etablierten Lieferkette geben. Dies kann sich auf die Produktion und Lieferzeiten auswirken und möglicherweise die Produktentwicklung und -einführung verzögern.

Kürzliche Entwicklungen

• Im Juni 2023 kündigte Qorvo, Inc. die Markteinführung des QPB3810 an, eines GaN-basierten Leistungsverstärkers. Er verfügt über eine integrierte Bias-Steuerung für 5G-Massive-Multiple-Input-Multiple-Output-Anwendungen (mMIMO).
• Im März 2023 gab Infineon Technologies den Plan bekannt, GaN Systems für 830 Millionen USD zu übernehmen. Diese Übernahme wird das GaN-Portfolio und seine Position auf dem Markt für Stromversorgungssysteme stärken
• Im April 2022 haben ROHM Semiconductor und Delta Electronics zusammengearbeitet, um ihre Technologie- und Fertigungskompetenz für die Massenproduktion von GaN-basierten Leistungsbauelementen zu bündeln. Diese Initiative zur Entwicklung von Leistungssystemen wird es dem Unternehmen ermöglichen, eine starke Präsenz auf dem Weltmarkt aufzubauen.

Globaler Marktumfang für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter

Der Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter ist nach Produkt und Anwendung segmentiert. Das Wachstum dieser Segmente hilft Ihnen bei der Analyse schwacher Wachstumssegmente in den Branchen und bietet den Benutzern einen wertvollen Marktüberblick und Markteinblicke, die ihnen bei der strategischen Entscheidungsfindung zur Identifizierung der wichtigsten Marktanwendungen helfen.

Produkt

• Sic-Leistungsmodul
• GaN-Leistungsmodul
• Diskretes SiC
• Sagen Sie GaN

Anwendung

• Netzteile
• Industrielle Motorantriebe
• ER
• PV-Wechselrichter
• Traktion
• Andere

GaN- und SiC-Leistungshalbleitermarkt – Länderanalyse/Einblicke

Der Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter wird analysiert und Informationen zu Marktgröße und Volumen werden wie oben angegeben nach Land, Produkt und Anwendung bereitgestellt.

Die im Marktbericht abgedeckten Länder sind die USA, Kanada, Mexiko, Deutschland, Großbritannien, Frankreich, Italien, Spanien, Russland, Polen, die Schweiz, die Niederlande, Ungarn, Österreich, Norwegen, Irland, die Türkei, Litauen, das übrige Europa, China, Japan, Indien, Australien, Südkorea, Singapur, Thailand, Malaysia, Indonesien, die Philippinen, Vietnam, der übrige asiatisch-pazifische Raum, Brasilien, Argentinien, Peru, das übrige Südamerika, Südafrika, Saudi-Arabien, die Vereinigten Arabischen Emirate, Israel, Kuwait, Ägypten sowie der restliche Nahe Osten und Afrika.

Aufgrund der zunehmenden Beliebtheit von Elektrofahrzeugen, der zunehmenden Verbreitung der 5G-Technologie und der steigenden Investitionen in den Ausbau der Infrastruktur wird Nordamerika den Markt voraussichtlich dominieren.

Aufgrund der steigenden Nachfrage nach Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und industriellen Anwendungen wird Nordamerika voraussichtlich die am schnellsten wachsende Region auf dem Markt sein.

Der Länderabschnitt des Marktberichts für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter enthält auch Angaben zu einzelnen marktbeeinflussenden Faktoren und Änderungen der Regulierung auf dem Inlandsmarkt, die sich auf die aktuellen und zukünftigen Trends des Marktes auswirken. Datenpunkte wie Downstream- und Upstream-Wertschöpfungskettenanalysen, technische Trends und Porters Fünf-Kräfte-Analyse sowie Fallstudien sind einige der Anhaltspunkte, die zur Prognose des Marktszenarios für einzelne Länder verwendet werden. Bei der Bereitstellung von Prognoseanalysen der Länderdaten werden auch die Präsenz und Verfügbarkeit globaler Marken und ihre Herausforderungen aufgrund großer oder geringer Konkurrenz durch lokale und inländische Marken sowie die Auswirkungen inländischer Zölle und Handelsrouten berücksichtigt.

Wettbewerbsumfeld und Marktanteilsanalyse

Die Wettbewerbslandschaft auf dem Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter liefert Details nach Wettbewerbern. Die enthaltenen Details sind Unternehmensübersicht, Unternehmensfinanzen, erzielter Umsatz, Marktpotenzial, Investitionen in Forschung und Entwicklung, neue Marktinitiativen, regionale Präsenz, Stärken und Schwächen des Unternehmens, Produkteinführung, Produktbreite und -umfang, Anwendungsdominanz. Die oben angegebenen Datenpunkte beziehen sich nur auf den Fokus der Unternehmen in Bezug auf den Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter.

Zu den wichtigsten Akteuren auf dem Markt für GaN- und SiC-Leistungshalbleiter zählen:

• Alpha und Omega Semiconductor (USA)
• Fuji Electric Co., Ltd (Japan)
• Infineon Technologies AG (Deutschland)
• Littelfuse, Inc. (USA)
• Mikrosamen (USA)
• Mitsubishi Electric Corporation (Japan)
• Renesas Electronics Corporation (Japan)
• ROHM SEMICONDUCTOR (Japan)
• SANKEN ELECTRIC CO., LTD. (Japan)
• STMicroelectronics (Schweiz/Frankreich)
• Epiluvac (Schweden)
• IQE PLC (Großbritannien)
• Transphorm Inc. (USA)
• SweGaN (Schweden)
• Saint-Gobain (Frankreich)
• GeneSiC Semiconductor Inc. (USA)
• Sublime Technologies (USA)
• Global Power Technologies Group (USA)
• DACO SEMICONDUCTOR CO., LTD. (Taiwanese)
• AGC Inc. (Japan)
• Dow (USA)
• WeEn Semiconductors (China)