Globaler Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) – Branchentrends und Prognose bis 2030

Marktanalyse und Größe von Ladegeräten mit Galliumnitrid (GaN)-Antrieb

Der globale Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) hat in den letzten Jahren ein stetiges Wachstum erlebt. Der Ausbau der Unterhaltungselektronik , der Automobil-, Luft- und Raumfahrt- sowie der Militär- und Verteidigungsindustrie ist hauptsächlich für den globalen Markt verantwortlich. Das Aufkommen neuer GaN-Anwendungen, die zunehmende Nutzung von HF-Leistungselektronik und herausragende Eigenschaften, darunter hohe Durchschlagsspannung und geringer Energieverbrauch, sind Schlüsselfaktoren, die das Wachstum des globalen Marktes vorantreiben.

Data Bridge Market Research analysiert, dass der globale Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) im Jahr 2022 einen Wert von 690,40 Millionen USD hatte und bis 2030 voraussichtlich 841 Millionen USD erreichen wird, was einer CAGR von 5,2 % im Prognosezeitraum 2023–2030 entspricht. Neben Markteinblicken wie Marktwert, Wachstumsrate, Marktsegmenten, geografischer Abdeckung, Marktteilnehmern und Marktszenario enthält der vom Data Bridge Market Research-Team zusammengestellte Marktbericht eine eingehende Expertenanalyse, Import-/Exportanalyse, Preisanalyse, Produktionsverbrauchsanalyse und PESTLE-Analyse.

Marktumfang und -segmentierung für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN)

Marktdefinition

GaN-Telefonladegeräte (Galliumnitrid), auch als GaN-basierte Ladegeräte oder GaN-Netzteile bekannt, sind kompakte und leistungsstarke Ladegeräte, die speziell zum Laden von Smartphones und anderen elektronischen Geräten entwickelt wurden. Sie nutzen die Galliumnitrid-Halbleitertechnologie, die gegenüber herkömmlichen Ladegeräten auf Siliziumbasis mehrere Vorteile bietet. Galliumnitrid oder GaN ist ein Material, das zunehmend in Ladegeräthalbleitern verwendet wird. Seit den 1990er Jahren wird es jedoch auch zur Herstellung von LEDs verwendet und ist auch ein beliebtes Material für Solarzellenfelder auf Satelliten. Das wichtigste Merkmal von GaN in Ladegeräten ist, dass es weniger Wärme erzeugt.

Globale Marktdynamik für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN)

Treiber

• Wachsende Nachfrage nach Ladegeräten mit Galliumnitrid (GaN)

Der Markt für GaN-betriebene Ladegeräte wird von der Nachfrage nach Schnellladelösungen angetrieben, die weniger Wärme erzeugen und die Wahrscheinlichkeit einer Überladung verringern. Die zunehmende Nutzung moderner Ladegeräte, die Überwachungssysteme in verschiedenen Endverbrauchsbranchen umfassen, dürfte den Markt für GaN-betriebene Ladegeräte ankurbeln. Die Nachfrage nach Schnellladelösungen unter Wahrung aller Leistungsmöglichkeiten und Sicherheitsvorschriften für den Telekommunikationssektor hat die Expansion der Branche vorangetrieben.

Darüber hinaus wird die Integration von Technologien wie Internet der Dinge (IoT), maschinellem Lernen, künstlicher Intelligenz  (KI) und anderen voraussichtlich die allgemeine Marktexpansion im Prognosezeitraum beschleunigen. Darüber hinaus wird erwartet, dass die hohe Nachfrage nach diesen Ladegeräten in allen Branchen die Wachstumsrate des Marktes ankurbelt. Der Anstieg der Nachfrage nach energieeffizienten und schnell aufladbaren Geräten wird sich im Prognosezeitraum weiter positiv auf die Wachstumsrate des Marktes auswirken.

Gelegenheiten

• Entwicklung von Micro-GaN-betriebenen Ladegeräten

Die Entwicklung von mikro-GaN-betriebenen Ladegeräten, die in kompakte elektronische Geräte integriert werden können, dürfte lukrative Marktchancen eröffnen, die die Wachstumsrate des Marktes für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) im Prognosezeitraum 2023–2030 weiter steigern werden. Darüber hinaus konzentrieren sich die Branchenteilnehmer auf Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten, um die GaN-Technologie voranzutreiben und effektivere Produkte auf den Markt zu bringen. Um ihren Marktanteil auf dem Weltmarkt zu halten oder auszubauen, schließen Hersteller von Unterhaltungselektronikprodukten langfristige Verträge mit Herstellern von GaN-betriebenen Ladegeräten ab.

• Schwerpunktverlagerung von Si zu GaN

Die Schwerpunktverlagerung von Si zu GaN aufgrund der Verbesserung der Betriebsfrequenz elektronischer Geräte und der Verringerung der Ladezeit, des Gewichts und der Kosten der Komponenten bietet weitere zahlreiche Wachstumschancen auf dem Markt. Die GaN-betriebenen Ladegeräte haben eine breite Bandlücke, hohe Schaltfrequenzen und sind relativ klein.

Einschränkungen/Herausforderungen

• Verbreitung lokaler Marken

Die minderwertigen GaN-Ladegeräte werden aufgrund der Verbreitung lokaler Marken und des Fehlens von Fertigungsnormen oder -vorschriften in großen Mengen hergestellt. Aus diesem Grund wird für den globalen Markt für GaN-Ladegeräte im Prognosezeitraum von 2023 bis 2030 ein langsames Wachstum erwartet.

• Mangelnde Einheitlichkeit und Standards

Ein erhebliches Hindernis ist die mangelnde Einheitlichkeit der Technologie und der Teile, die zur Herstellung von Ladegeräten mit GaN-Antrieb verwendet werden. Die Expansion des Marktes für Ladegeräte mit GaN-Antrieb wird voraussichtlich durch das Fehlen klarer Standards auf dem Markt behindert, was zu erheblichen Produkt- und Preisdifferenzierungen führt, was im Prognosezeitraum von 2023 bis 2030 eine erhebliche Herausforderung für den globalen Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN)-Antrieb darstellen dürfte.

Dieser globale Marktbericht für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) enthält Einzelheiten zu neuen Entwicklungen, Handelsvorschriften, Import-Export-Analysen, Produktionsanalysen, Optimierung der Wertschöpfungskette, Marktanteilen, Auswirkungen inländischer und lokaler Marktteilnehmer, analysiert Chancen in Bezug auf neu entstehende Einnahmequellen, Änderungen der Marktvorschriften, strategische Marktwachstumsanalysen, Marktgröße, Kategoriemarktwachstum, Anwendungsnischen und -dominanz, Produktzulassungen, Produkteinführungen, geografische Expansionen und technologische Innovationen auf dem Markt. Um weitere Informationen zum globalen Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) zu erhalten, wenden Sie sich an Data Bridge Market Research, um ein Analyst Briefing zu erhalten. Unser Team hilft Ihnen dabei, eine fundierte Marktentscheidung zu treffen, um Marktwachstum zu erzielen .

Jüngste Entwicklungen

• Im Januar 2021 haben sich Dell und Navitas Semiconductor zusammengeschlossen, um innovative Ladetechnologien auf GaN-Basis zu entwickeln. Beide Unternehmen haben sich zusammengeschlossen, um neue Anwendungen für Galliumnitrid (GaN) zu schaffen.
• Im September 2020 schloss Samsung Electronics als erster Kunde in den USA einen Vertrag mit Verizon ab, um die Innenabdeckung zu erweitern. Der aktuelle Standard für schnelles Laden sind GaN-basierte Wandladegeräte, die Verizon anbietet. GaN-basierte Wandladegeräte sind wesentlich kompakter als andere Arten herkömmlicher Ladegeräte
• Im November 2020 waren die 120-W-Ladeköpfe der neuen Galliumnitrid-Serie (GaN) von Baseus mit 45 W, 65 W und 120 W Leistung erhältlich. Als Marktführer im Ladegeschäft hat das Unternehmen kürzlich den ersten 65-W-Schnellladestecker mit drei Anschlüssen vorgestellt. Das Aufladen von Laptops mit bis zu 100 W 20 V/5 A ist der Hauptzweck der neuen 120-W-Galliumnitrid-Serie (GaN). Darüber hinaus unterstützt sie MacBook, Dell, HP, Lenovo und mehr. Sie kann zwei Laptops gleichzeitig schnell aufladen
• Im November 2020 vergrößerte GaN Systems mit Evaluierungskits für GaN-Leistungsmodule wie dem 100-V-Treiber-GaN-DC/DC-Leistungsstufenmodul, dem 650-V-150-A-Halbbrücken-IPM, dem 650-V-150-A-Vollbrückenmodul und -Treiber sowie dem 650-V-300-A-Dreiphasenmodul und -Treiber den Leistungsmarkt. GaN-Module haben eine höhere Systemleistung und entsprechen den Industriestandards für Abmessungen

Globaler Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN)

Der globale Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) ist nach Leistungsabgabe, Anwendung und Endverbraucher segmentiert. Das Wachstum dieser Segmente hilft Ihnen bei der Analyse schwacher Wachstumssegmente in den Branchen und bietet den Benutzern einen wertvollen Marktüberblick und Markteinblicke, die ihnen bei der strategischen Entscheidungsfindung zur Identifizierung der wichtigsten Marktanwendungen helfen.

Leistungsabgabe

• 25-W-GaN-Ladegeräte
• 30-W-GaN-Ladegeräte
• 45-W-GaN-Ladegeräte
• 60-W-GaN-Ladegeräte
• 65-W-GaN-Ladegeräte
• 90-W-GaN-Ladegeräte
• 100-W-GaN-Ladegeräte

 Anwendung

• Smartphones und Tablets
• Laptops und Notebooks
• Autonome Roboter
• Industrielle Ausrüstung
• Kabelloses Laden

 Endbenutzer

• Unterhaltungselektronik
• IT und Telekommunikation
• Automobilindustrie
• Luft- und Raumfahrt und Verteidigung
• Sonstiges

Globale mit Galliumnitrid (GaN) betriebene Ladegeräte Marktregionenanalyse/Einblicke

Der globale Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN)-Antrieb wird analysiert und es werden Einblicke in die Marktgröße und Trends nach Region, Leistungsabgabe, Anwendung und Endbenutzer wie oben angegeben bereitgestellt.

Die im globalen Marktbericht für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) abgedeckten Länder sind die USA, Kanada, Mexiko, Brasilien, Argentinien, der Rest von Südamerika, Deutschland, Italien, Großbritannien, Frankreich, Spanien, Niederlande, Belgien, Schweiz, Türkei, Russland, Rest von Europa, Japan, China, Indien, Südkorea, Australien, Singapur, Malaysia, Thailand, Indonesien, Philippinen, Rest des asiatisch-pazifischen Raums, Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Südafrika, Ägypten, Israel, Rest des Nahen Ostens und Afrikas.

Der asiatisch-pazifische Raum dominiert den globalen Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) aufgrund der hohen Nachfrage nach LEDs in der Unterhaltungselektronik- und Automobilindustrie der Region im Prognosezeitraum von 2023 bis 2030. Darüber hinaus wird die hohe Verbreitung von Elektrofahrzeugen in Verbindung mit der schnell wachsenden Halbleiterindustrie die Expansion im Prognosezeitraum voraussichtlich weiter beschleunigen.

Der asiatisch-pazifische Raum wird aufgrund des zunehmenden Wirtschaftswachstums in wichtigen Ländern wie China und Japan im Zeitraum 2023 bis 2030 die höchste durchschnittliche jährliche Wachstumsrate verzeichnen und die am schnellsten wachsende Region auf dem globalen Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) sein.

Der regionale Abschnitt des Berichts enthält auch Angaben zu einzelnen marktbeeinflussenden Faktoren und Änderungen der Regulierung auf dem Inlandsmarkt, die sich auf die aktuellen und zukünftigen Trends des Marktes auswirken. Datenpunkte wie die Analyse der nachgelagerten und vorgelagerten Wertschöpfungskette, technische Trends und Porters Fünf-Kräfte-Analyse sowie Fallstudien sind einige der Anhaltspunkte, die zur Prognose des Marktszenarios für einzelne Länder verwendet werden. Bei der Bereitstellung einer Prognoseanalyse der regionalen Daten werden auch die Präsenz und Verfügbarkeit globaler Marken und die Herausforderungen aufgrund großer oder geringer Konkurrenz durch lokale und inländische Marken, die Auswirkungen inländischer Zölle und Handelsrouten berücksichtigt.   

Wettbewerbsumfeld und globale Analyse der Marktanteile von Ladegeräten mit Galliumnitrid (GaN)

Die Wettbewerbslandschaft des globalen Marktes für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) liefert Einzelheiten zu den Wettbewerbern. Die enthaltenen Einzelheiten umfassen Unternehmensübersicht, Unternehmensfinanzen, erzielten Umsatz, Marktpotenzial, Investitionen in Forschung und Entwicklung, neue Marktinitiativen, globale Präsenz, Produktionsstandorte und -anlagen, Produktionskapazitäten, Stärken und Schwächen des Unternehmens, Produkteinführung, Produktbreite und -umfang sowie Anwendungsdominanz. Die oben angegebenen Datenpunkte beziehen sich nur auf den Fokus der Unternehmen in Bezug auf den globalen Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN).

Zu den wichtigsten Akteuren auf dem globalen Markt für Ladegeräte mit Galliumnitrid (GaN) gehören:

• Fujitsu (Japan)
• Toshiba Corporation (Japan)
• Texas Instruments Incorporated (USA)
• Cree-LED (USA)
• Aixtron (Deutschland)
• Mitsubishi Chemical Corporation (Japan)
• Eaton (Irland)
• Siemens (Deutschland)
• Belkin International, Inc (USA)
• Aukey (China)
• Gizmochina (China)
• VisIC Technologies (Israel)
• Koninklijke Philips NV (Niederlande)
• VINA International Holdings LTD. (USA)
• GaN Systems Inc. (Kanada)
• Epigan NV (Belgien)
• Navitas Semiconductor Ltd. (USA)

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