Globaler Markt für Verbindungshalbleiter – Branchentrends und Prognose bis 2031

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Globaler Markt für Verbindungshalbleiter – Branchentrends und Prognose bis 2031

  • Semiconductors and Electronics
  • Upcoming Reports
  • Apr 2024
  • Global
  • 350 Seiten
  • Anzahl der Tabellen: 220
  • Anzahl der Abbildungen: 60

Global Compound Semiconductor Market

Marktgröße in Milliarden USD

CAGR :  % Diagram

Diagramm Prognosezeitraum
2024 –2031
Diagramm Marktgröße (Basisjahr)
USD 38.48 Billion
Diagramm Marktgröße (Prognosejahr)
USD 62.26 Billion
Diagramm CAGR
%
Diagramm Wichtige Marktteilnehmer
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>Globaler Markt für Verbindungshalbleiter, nach Typ (III-V-Verbindungshalbleiter, II-VI-Verbindungshalbleiter, Saphir, IV-IV-Verbindungshalbleiter, sonstige), Produkt (LED, Optoelektronik, HF-Geräte, Leistungselektronik), Abscheidungstechnologien (Chemische Gasphasenabscheidung (CVD), Molekularstrahlepitaxie, Hydrid-Dampfphasenepitaxie (HVPE), Ammonothermie, Flüssigphasenepitaxie, Atomlagenabscheidung (ALD), sonstige), Anwendung (Allgemeinbeleuchtung, Telekommunikation, Militär, Verteidigung und Luft- und Raumfahrt, Automobil, Stromversorgung, Datenkommunikation, Gewerbe, Verbraucherdisplays, Verbrauchergeräte, sonstige) – Branchentrends und Prognose bis 2031.

Markt für Verbindungshalbleiter

Marktanalyse und Größe für Verbindungshalbleiter

Auf dem Markt für Verbindungshalbleiter ist die Optoelektronik ein bedeutender Anwendungsbereich. Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) und Galliumnitrid (GaN) ermöglichen die Entwicklung optoelektronischer Geräte wie Leuchtdioden (LEDs), Laser, Fotodetektoren und Solarzellen. Diese Materialien bieten hervorragende optische Eigenschaften, darunter effiziente Lichtemission und -erkennung über ein breites Spektrum, was sie in verschiedenen Bereichen unverzichtbar macht, darunter Telekommunikation, Anzeigetechnologien, Festkörperbeleuchtung und erneuerbare Energien.

Der globale Markt für Verbindungshalbleiter hatte im Jahr 2023 einen Wert von 38,48 Milliarden US-Dollar und soll bis 2031 einen Wert von 62,26 Milliarden US-Dollar erreichen, mit einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 6,2 % im Prognosezeitraum von 2024 bis 2031. Neben Einblicken in Marktszenarien wie Marktwert, Wachstumsrate, Segmentierung, geografische Abdeckung und wichtige Akteure enthalten die von Data Bridge Market Research zusammengestellten Marktberichte auch eingehende Expertenanalysen, geografisch dargestellte Produktion und Kapazität nach Unternehmen, Netzwerklayouts von Distributoren und Partnern, detaillierte und aktualisierte Preistrendanalysen und Defizitanalysen von Lieferkette und Nachfrage.

Berichtsumfang und Marktsegmentierung       

Berichtsmetrik

Details

Prognosezeitraum

2024–2031

Basisjahr

2023

Historische Jahre

2022 (anpassbar auf 2016–2021)

Quantitative Einheiten

Umsatz in Mrd. USD, Volumen in Einheiten, Preise in USD

Abgedeckte Segmente

Typ (III-V-Verbindungshalbleiter, II-VI-Verbindungshalbleiter, Saphir, IV-IV-Verbindungshalbleiter, Sonstige), Produkt (LED, Optoelektronik, HF-Geräte, Leistungselektronik), Abscheidungstechnologien (Chemische Gasphasenabscheidung (CVD), Molekularstrahlepitaxie, Hydrid-Dampfphasenepitaxie (HVPE), Ammonothermisch, Flüssigphasenepitaxie, Atomlagenabscheidung (ALD), Sonstige), Anwendung (Allgemeinbeleuchtung, Telekommunikation, Militär, Verteidigung und Luft- und Raumfahrt, Automobil, Stromversorgung, Datenkommunikation, Gewerbe, Verbraucherdisplays, Verbrauchergeräte, Sonstige)

Abgedeckte Länder

USA, Kanada und Mexiko in Nordamerika, Deutschland, Frankreich, Großbritannien, Niederlande, Schweiz, Belgien, Russland, Italien, Spanien, Türkei, Restliches Europa in Europa, China, Japan, Indien, Südkorea, Singapur, Malaysia, Australien, Thailand, Indonesien, Philippinen, Restlicher Asien-Pazifik-Raum (APAC) in Asien-Pazifik (APAC), Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Südafrika, Ägypten, Israel, Restlicher Naher Osten und Afrika (MEA) als Teil von Naher Osten und Afrika (MEA), Brasilien, Argentinien und Restliches Südamerika als Teil von Südamerika

Abgedeckte Marktteilnehmer

NICHIA CORPORATION (Japan), Qorvo, Inc. (USA), SAMSUNG (Südkorea), ams-OSRAM AG (Österreich), Skyworks Solutions, Inc. (USA), Cree LED, ein SGH-Unternehmen (USA), Infineon Technologies AG (Deutschland), STMicroelectronics (Schweiz), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japan), Broadcom (USA), Lumentum Operations LLC (USA), NXP Semiconductors (Niederlande), Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Japan), Renesas Electronics Corporation (Japan), Microchip Technology Inc. (USA), Efficient Power Conversion Corporation (USA), Mitsubishi Electric Corporation (Japan)

Marktchancen

  • Steigende Investitionen in Forschung und Entwicklung verbessern Leistungsmerkmale
  • Steigende Nachfrage nach energieeffizienten Lösungen führt zu verstärktem Einsatz von Verbindungshalbleitern

Marktdefinition

Verbindungshalbleiter sind Materialien, die aus zwei oder mehr Elementen aus verschiedenen Gruppen des Periodensystems bestehen. Sie weisen einzigartige elektronische Eigenschaften auf, die oft die von herkömmlichen Halbleitern auf Siliziumbasis übertreffen. Sie werden häufig in der Hochfrequenzelektronik, Optoelektronik und Leistungsgeräten eingesetzt und ermöglichen fortschrittliche Technologien wie LEDs, Laser und Solarzellen.

Marktdynamik für Verbindungshalbleiter

Treiber

  • Steigende Verbreitung von Verbindungshalbleitern aufgrund wachsender technologischer Fortschritte

Mit dem Aufkommen neuer Technologien wie 5G-Telekommunikation, Elektrofahrzeugen und fortschrittlichen optoelektronischen Geräten steigt der Bedarf an Halbleitern mit überlegenen Leistungsmerkmalen. Verbindungshalbleiter mit ihren einzigartigen Eigenschaften wie hoher Elektronenbeweglichkeit, großen Bandlücken und hoher Wärmeleitfähigkeit eignen sich gut für diese anspruchsvollen Anwendungen. Dieser Trend führt zu einer zunehmenden Verbreitung von Verbindungshalbleitern in allen Branchen, stimuliert das Marktwachstum und fördert ein wettbewerbsfähiges Umfeld innerhalb der Halbleiterindustrie.

  • Wachsende Verteidigungs- und Luftfahrtanwendungen erhöhen die Nachfrage nach Verbindungshalbleitern

Verbindungshalbleiter sind für ihre hohe Leistungsfähigkeit bekannt und bieten wichtige Eigenschaften für Verteidigungs- und Luftfahrtsysteme, darunter Strahlungsbeständigkeit, Hochfrequenzbetrieb und Zuverlässigkeit in rauen Umgebungen. Diese Halbleiter sind unverzichtbar für Radarsysteme, elektronische Kriegsführung, Satellitenkommunikation und Raketenleitsysteme, bei denen Leistung und Haltbarkeit von größter Bedeutung sind. Die kontinuierliche Weiterentwicklung der Verteidigungstechnologien in Verbindung mit der zunehmenden Komplexität von Luftfahrtsystemen treibt die Nachfrage nach fortschrittlichen Verbindungshalbleitermaterialien und -geräten voran.

Gelegenheiten

  • Steigende Investitionen in Forschung und Entwicklung verbessern Leistungsmerkmale

Die Investitionen in F&E fördern Innovationen in den Bereichen Materialwissenschaft, Gerätedesign und Herstellungsverfahren und führen zur Entwicklung neuartiger Halbleitermaterialien mit verbesserten Leistungsmerkmalen. Die F&E-Bemühungen konzentrieren sich auf die Verbesserung der Effizienz, Zuverlässigkeit und Kosteneffizienz von Verbindungshalbleitern, um ihre Einführung in einem breiten Anwendungsbereich voranzutreiben. Darüber hinaus erleichtern F&E-Investitionen die Erforschung neuer Anwendungsbereiche und aufkommender Technologien und erweitern so die Marktchancen für Verbindungshalbleiter. Kooperationen zwischen Industrie, Hochschulen und staatlichen Institutionen beschleunigen die F&E-Bemühungen weiter und fördern ein dynamisches Ökosystem der Innovation, das das Wachstum und die Entwicklung des Verbindungshalbleitermarktes vorantreibt.

  • Steigende Nachfrage nach energieeffizienten Lösungen führt zu verstärktem Einsatz von Verbindungshalbleitern

Da Nachhaltigkeit und Umweltverantwortung für Industrie und Verbraucher immer wichtiger werden, besteht ein wachsender Bedarf an Halbleitermaterialien, die die Entwicklung energieeffizienter Geräte ermöglichen. Verbindungshalbleiter bieten überlegene Leistungsmerkmale wie hohe Elektronenbeweglichkeit und große Bandlücken, wodurch die Entwicklung von Leistungselektronik, LEDs und Solarzellen mit verbesserter Effizienz möglich wird. Diese Materialien spielen eine entscheidende Rolle in Anwendungen wie Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und Smart-Grid-Technologien, bei denen Energieeinsparung von größter Bedeutung ist. Der Einsatz von Verbindungshalbleitern erleichtert die Reduzierung des Energieverbrauchs, der Treibhausgasemissionen und der Abhängigkeit von fossilen Brennstoffen, fördert ihre Integration in verschiedene Sektoren und trägt zum globalen Übergang in eine nachhaltigere Zukunft bei.

Einschränkungen/Herausforderungen

  • Hohe Herstellungskosten begrenzen die Einführung von Verbindungshalbleitern

Die komplexen Fertigungsprozesse und Spezialgeräte, die für die Herstellung von Verbindungshalbleitern erforderlich sind, führen zu höheren Produktionskosten im Vergleich zu Silizium-basierten Produkten. Diese höheren Kosten können die breite Einführung von Verbindungshalbleitern behindern, insbesondere in preissensiblen Märkten wie der Unterhaltungselektronik. Darüber hinaus erhöhen die Notwendigkeit von Reinraumanlagen und einer präzisen Kontrolle des Materialwachstums die Kosten zusätzlich.

  • Integrationskomplexität begrenzt die Nachfrage nach Verbindungshalbleiterbauelementen

Im Gegensatz zu Halbleitern auf Siliziumbasis erfordern Verbindungshalbleiter häufig spezielle Fertigungstechniken und Materialien, was zu Komplexitäten bei der Integration führt. Kompatibilitätsprobleme mit Standardverfahren zur Siliziumverarbeitung können zusätzliche Entwicklungsanstrengungen und Investitionen erforderlich machen, was die Markteinführungszeit und die Produktionskosten erhöht. Darüber hinaus können die einzigartigen Eigenschaften von Verbindungshalbleitern maßgeschneiderte Design- und Fertigungsansätze erfordern, was die Integration in elektronische Systeme weiter erschwert. Diese Komplexitäten können den Markt für Verbindungshalbleiter einschränken und seine Einführung in bestimmten Anwendungen und Branchen behindern.

Dieser Marktbericht enthält Einzelheiten zu neuen Entwicklungen, Handelsvorschriften, Import-Export-Analysen, Produktionsanalysen, Wertschöpfungskettenoptimierungen, Marktanteilen, Auswirkungen inländischer und lokaler Marktteilnehmer, analysiert Chancen in Bezug auf neue Einnahmequellen, Änderungen der Marktvorschriften, strategische Marktwachstumsanalysen, Marktgröße, Kategoriemarktwachstum, Anwendungsnischen und -dominanz, Produktzulassungen, Produkteinführungen, geografische Expansionen und technologische Innovationen auf dem Markt. Um weitere Informationen zum Markt zu erhalten, wenden Sie sich an Data Bridge Market Research, um einen Analystenbericht zu erhalten. Unser Team hilft Ihnen dabei, eine fundierte Marktentscheidung zu treffen, um Marktwachstum zu erzielen.

Auswirkungen von Rohstoffknappheit und Lieferverzögerungen und aktuelles Marktszenario

Data Bridge Market Research bietet eine umfassende Marktanalyse und liefert Informationen, indem es die Auswirkungen und das aktuelle Marktumfeld von Rohstoffknappheit und Lieferverzögerungen berücksichtigt. Dies bedeutet, dass strategische Möglichkeiten bewertet, wirksame Aktionspläne erstellt und Unternehmen bei wichtigen Entscheidungen unterstützt werden.

Neben dem Standardbericht bieten wir auch detaillierte Analysen des Beschaffungsniveaus anhand prognostizierter Lieferverzögerungen, Händlerzuordnung nach Regionen, Warenanalysen, Produktionsanalysen, Preiszuordnungstrends, Beschaffung, Kategorieleistungsanalysen, Lösungen zum Lieferkettenrisikomanagement, erweitertes Benchmarking und andere Dienste für Beschaffung und strategische Unterstützung.

Erwartete Auswirkungen der Konjunkturabschwächung auf die Preisgestaltung und Verfügbarkeit von Produkten

Wenn die Wirtschaftstätigkeit nachlässt, leiden auch die Branchen darunter. Die prognostizierten Auswirkungen des Konjunkturabschwungs auf die Preisgestaltung und Verfügbarkeit der Produkte werden in den von DBMR bereitgestellten Markteinblickberichten und Informationsdiensten berücksichtigt. Damit sind unsere Kunden ihren Konkurrenten in der Regel immer einen Schritt voraus, können ihre Umsätze und Erträge prognostizieren und ihre Gewinn- und Verlustaufwendungen abschätzen.

Jüngste Entwicklungen

  • Im Jahr 2022 unterzeichneten Infineon Technologies AG und II-VI Incorporated einen strategischen mehrjährigen Liefervertrag für Wafer, der Infineons Zugang zu kritischem Halbleitermaterial stärkte. Diese Zusammenarbeit war entscheidend, um die gestiegene Kundennachfrage innerhalb der Branche zu befriedigen, Infineons Multi-Sourcing-Strategie zu stärken und die Belastbarkeit seiner Lieferkette zu stärken.
  • Im Jahr 2022 brachte Qorvo seine neueste Innovation auf den Markt, die UF4C/SC-Serie, die die vierte Generation von 1200-V-SiCFETs darstellt. Diese SiCFETs basieren auf der kürzlich erworbenen UnitedSiC-Technologie und wurden auf 800-V-Busarchitekturen zugeschnitten. Diese Veröffentlichung zielt auf Anwendungen wie Bordladegeräte für Elektrofahrzeuge, industrielle Batterieladegeräte und Solarwechselrichter ab und unterstreicht Qorvos Engagement für die Weiterentwicklung der Leistungselektronik für verschiedene Industrie- und erneuerbare Energiesektoren.

Marktumfang für Verbindungshalbleiter

Der Markt ist nach Typ, Produkt, Abscheidungstechnologie und Anwendung segmentiert. Das Wachstum zwischen den Segmenten hilft Ihnen bei der Analyse von Wachstumsnischen und Strategien zur Marktbearbeitung und bestimmt Ihre wichtigsten Anwendungsbereiche und die Unterschiede in Ihren Zielmärkten.

Typ

  • III-V-Verbindungshalbleiter
    • Indiumantimonid
    • Galliumphosphid
    • Indiumphosphid
    • Galliumnitrid
    • Galliumarsenid
  • II-VI-Verbindungshalbleiter
  • Saphir
  • IV-IV Verbindungshalbleiter
  • Sonstiges

Produkt

  • LED
  • Optoelektronik
  • HF-Geräte
    • HF-Leistung
    • HF-Umschaltung
    • Sonstiges
  • Leistungselektronik
    • Diskret
    • Bare Die
    • Modul
      • Transistor
      • Diode
        • Metalloxid-Feldeffekttransistor (MOSFET)
        • Transistor mit hoher Elektronenmobilität (HEMT)
          • Schottky-Diode
          • PIN-Diode

Beschichtungstechnologien

  • Chemische Gasphasenabscheidung (CVD)
  • Molekularstrahlepitaxie
  • Hydrid-Dampfphasenepitaxie (HVPE)
  • Ammonothermisch
  • Flüssigphasenepitaxie
  • Atomlagenabscheidung (ALD)
  • Sonstiges

Anwendung

  • Allgemeinbeleuchtung
  • Telekommunikation
  • Militär
  • Verteidigung und Luft- und Raumfahrt
  • Automobilindustrie
  • Stromversorgung
  • Datenkommunikation
  • Kommerziell
  • Verbraucherdisplay
  • Verbrauchergeräte
  • Sonstiges

Verbindungshalbleiter-Marktanalyse/Einblicke

Der Markt wird analysiert und Informationen zu Marktgröße und Volumen werden nach Typ, Produkt, Ablagerungstechnologie und Anwendung wie oben angegeben bereitgestellt.

Die im Marktbericht abgedeckten Länder sind die USA, Kanada und Mexiko in Nordamerika, Brasilien, Argentinien und der Rest von Südamerika als Teil von Südamerika, Deutschland, Italien, Großbritannien, Frankreich, Spanien, Niederlande, Belgien, Schweiz, Türkei, Russland, Rest von Europa in Europa, Japan, China, Indien, Südkorea, Australien, Singapur, Malaysia, Thailand, Indonesien, Philippinen, Rest von Asien-Pazifik (APAC) im Asien-Pazifik-Raum (APAC), Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Südafrika, Ägypten, Israel, Rest von Nahem Osten und Afrika (MEA) als Teil von Naher Osten und Afrika (MEA).

Der asiatisch-pazifische Raum dominiert den Markt vor allem aufgrund der starken Nachfrage aus dem Unterhaltungselektroniksektor. Mit einer wachsenden Verbraucherbasis und hohen Produktakzeptanzraten, insbesondere in Ländern wie China, Japan und Südkorea, bleibt die Region ein wichtiger Knotenpunkt für Halbleiterproduktion und -innovation. Darüber hinaus treiben die Präsenz großer Elektronikhersteller und günstige Regierungspolitiken das Wachstum der Verbindungshalbleiterindustrie im asiatisch-pazifischen Raum weiter voran. Diese Marktführerschaft unterstreicht die zentrale Rolle der Region bei der Förderung technologischer Fortschritte und der Gestaltung globaler Halbleitertrends.

In Nordamerika wird aufgrund der steigenden Nachfrage in verschiedenen Branchen in den USA, Kanada und Mexiko ein Marktwachstum erwartet. Dieser Wachstumstrend wird durch Faktoren wie technologische Fortschritte, Bevölkerungswachstum und sich entwickelnde Verbraucherpräferenzen vorangetrieben. Die robuste Infrastruktur der Region in Verbindung mit einem günstigen regulatorischen Umfeld dürfte weiteres Wachstum und Investitionen ermöglichen. Da Nordamerika weiterhin ein Zentrum für Innovation und Wirtschaftstätigkeit ist, wird erwartet, dass es im gesamten Prognosezeitraum eine signifikante Wachstumsrate beibehält.

Der Länderabschnitt des Berichts enthält auch Angaben zu einzelnen marktbeeinflussenden Faktoren und Änderungen der Regulierung auf dem Inlandsmarkt, die sich auf die aktuellen und zukünftigen Trends des Marktes auswirken. Datenpunkte wie Downstream- und Upstream-Wertschöpfungskettenanalysen, technische Trends und Porters Fünf-Kräfte-Analyse sowie Fallstudien sind einige der Anhaltspunkte, die zur Prognose des Marktszenarios für einzelne Länder verwendet werden. Bei der Prognoseanalyse der Länderdaten werden auch die Präsenz und Verfügbarkeit globaler Marken und ihre Herausforderungen aufgrund großer oder geringer Konkurrenz durch lokale und inländische Marken sowie die Auswirkungen inländischer Zölle und Handelsrouten berücksichtigt.

Wettbewerbsumfeld und Analyse der Marktanteile von Verbindungshalbleitern

Die Wettbewerbslandschaft des Marktes liefert Einzelheiten zu den Wettbewerbern. Zu den enthaltenen Einzelheiten gehören Unternehmensübersicht, Unternehmensfinanzen, erzielter Umsatz, Marktpotenzial, Investitionen in Forschung und Entwicklung, neue Marktinitiativen, Präsenz in Europa, Produktionsstandorte und -anlagen, Produktionskapazitäten, Stärken und Schwächen des Unternehmens, Produkteinführung, Produktbreite und -umfang sowie Anwendungsdominanz. Die oben angegebenen Datenpunkte beziehen sich nur auf den Fokus der Unternehmen in Bezug auf den Markt.

Einige der wichtigsten Akteure auf dem Markt sind:

  • NICHIA CORPORATION (Japan)
  • Qorvo, Inc. (USA)
  • SAMSUNG (Südkorea)
  • ams-OSRAM AG (Österreich)
  • Skyworks Solutions, Inc. (USA)
  • Cree LED, ein Unternehmen von SGH. (USA)
  • Infineon Technologies AG (Deutschland)
  • STMicroelectronics (Schweiz)
  • TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japan)
  • Broadcom (USA)
  • Lumentum Operations LLC (USA)
  • NXP Semiconductors (Niederlande)
  • (Japan)
  • Renesas Electronics Corporation (Japan)
  • Microchip Technology Inc. (USA)
  • Efficient Power Conversion Corporation (USA)
  • Mitsubishi Electric Corporation (Japan)


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Die Datenerfassung und Basisjahresanalyse werden mithilfe von Datenerfassungsmodulen mit großen Stichprobengrößen durchgeführt. Die Phase umfasst das Erhalten von Marktinformationen oder verwandten Daten aus verschiedenen Quellen und Strategien. Sie umfasst die Prüfung und Planung aller aus der Vergangenheit im Voraus erfassten Daten. Sie umfasst auch die Prüfung von Informationsinkonsistenzen, die in verschiedenen Informationsquellen auftreten. Die Marktdaten werden mithilfe von marktstatistischen und kohärenten Modellen analysiert und geschätzt. Darüber hinaus sind Marktanteilsanalyse und Schlüsseltrendanalyse die wichtigsten Erfolgsfaktoren im Marktbericht. Um mehr zu erfahren, fordern Sie bitte einen Analystenanruf an oder geben Sie Ihre Anfrage ein.

Die wichtigste Forschungsmethodik, die vom DBMR-Forschungsteam verwendet wird, ist die Datentriangulation, die Data Mining, die Analyse der Auswirkungen von Datenvariablen auf den Markt und die primäre (Branchenexperten-)Validierung umfasst. Zu den Datenmodellen gehören ein Lieferantenpositionierungsraster, eine Marktzeitlinienanalyse, ein Marktüberblick und -leitfaden, ein Firmenpositionierungsraster, eine Patentanalyse, eine Preisanalyse, eine Firmenmarktanteilsanalyse, Messstandards, eine globale versus eine regionale und Lieferantenanteilsanalyse. Um mehr über die Forschungsmethodik zu erfahren, senden Sie eine Anfrage an unsere Branchenexperten.

Anpassung möglich

Data Bridge Market Research ist ein führendes Unternehmen in der fortgeschrittenen formativen Forschung. Wir sind stolz darauf, unseren bestehenden und neuen Kunden Daten und Analysen zu bieten, die zu ihren Zielen passen. Der Bericht kann angepasst werden, um Preistrendanalysen von Zielmarken, Marktverständnis für zusätzliche Länder (fordern Sie die Länderliste an), Daten zu klinischen Studienergebnissen, Literaturübersicht, Analysen des Marktes für aufgearbeitete Produkte und Produktbasis einzuschließen. Marktanalysen von Zielkonkurrenten können von technologiebasierten Analysen bis hin zu Marktportfoliostrategien analysiert werden. Wir können so viele Wettbewerber hinzufügen, wie Sie Daten in dem von Ihnen gewünschten Format und Datenstil benötigen. Unser Analystenteam kann Ihnen auch Daten in groben Excel-Rohdateien und Pivot-Tabellen (Fact Book) bereitstellen oder Sie bei der Erstellung von Präsentationen aus den im Bericht verfügbaren Datensätzen unterstützen.

Häufig gestellte Fragen

The compound semiconductor market size will be worth USD 62.26 billion by 2031.
The growth rate of the compound semiconductor market is 6.2%.
Rising Adoption of Compound Semiconductor due to Growing Technological Advancements & Growing Defense and Aerospace Applications Increases the Demand for Compound Semiconductors are the growth drivers of the compound semiconductor market.
Type, product, deposition technologies and application are the factors on which the compound semiconductor market research is based.
Major companies in the compound semiconductor market are NICHIA CORPORATION (Japan), Qorvo, Inc. (U.S.), SAMSUNG (South Korea), ams-OSRAM AG.(Austria), Skyworks Solutions, Inc. (U.S.), Cree LED, an SGH company. (U.S.), Infineon Technologies AG (Germany), STMicroelectronics (Switzerland), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japan), Broadcom (U.S.), Lumentum Operations LLC (U.S.), NXP Semiconductors (Netherlands), Sumitomo Electric Industries, Ltd. (Japan), Renesas Electronics Corporation (Japan), Microchip Technology Inc. (U.S.), Efficient Power Conversion Corporation (U.S.), Mitsubishi Electric Corporation (Japan).