Europäischer Markt für SiC-Leistungshalbleiter – Branchentrends und Prognose bis 2030

Europäischer Markt für SiC-Leistungshalbleiter nach Typ (MOSFETs, Hybridmodule, Schottky-Dioden (SBDS), IGBT, Bipolar Junction Transistor (BJT), Pin-Diode, Junction FET (JFET) und andere), Spannungsbereich (301–900 V, 901–1700 V, über 1701 V), Wafergröße (6 Zoll, 4 Zoll, 2 Zoll, über 6 Zoll), Wafertyp (SiC-Epitaxie-Wafer, leere SiC-Wafer), Anwendung (Elektrofahrzeuge (EV), Photovoltaik, Stromversorgung, industrielle Motorantriebe, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, HF-Geräte und andere), vertikal (Automobilindustrie, Versorgungsunternehmen und Energie, Industrie, Transport, IT und Telekommunikation, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Gewerbe und andere), Branchentrends und Prognose bis 2030.

Europa: Marktanalyse und Größe für SiC-Leistungshalbleiter

SiC-Leistungshalbleiter sind die am weitesten verbreiteten Halbleiter und gelten als die beste Wahl für die Elektronik. Diese SiC-Leistungshalbleiter werden in den Bereichen Haushalt, Gewerbe und Industrie sowie in verschiedenen anderen Bereichen eingesetzt. SiC-Leistungshalbleiter sind in zwei Gerätetypen erhältlich, nämlich als diskrete SiC-Geräte und als SiC-Bare-Die. Aufgrund des technologischen Fortschritts hat die Verbreitung diskreter SiC-Geräte schneller zugenommen. Die wichtigsten Eigenschaften der SiC-Leistungshalbleiter sind ihre hohe Wärmeleitfähigkeit sowie verschiedene andere Eigenschaften, die die effiziente Nutzung von Strom ermöglichen. SiC-Leistungshalbleiter werden in der Telekommunikation, im Energie- und Stromsektor, bei der Erzeugung erneuerbarer Energie und an vielen anderen Orten eingesetzt. SiC-Leistungshalbleiter werden in der Leistungselektronik verwendet und erfreuen sich bei Privatpersonen zunehmender Beliebtheit. Die Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern auf dem europäischen Markt für SiC-Leistungshalbleiter steigt schneller an. Aus diesem Grund führen verschiedene Marktteilnehmer neue Produkte ein und bilden Partnerschaften, um ihr Geschäft auf dem europäischen Markt für SiC-Leistungshalbleiter auszubauen.

Data Bridge Market Research analysiert, dass der europäische Markt für SiC-Leistungshalbleiter bis 2030 voraussichtlich einen Wert von 1.099.688,01 Tausend USD erreichen wird, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von 26,5 % während des Prognosezeitraums entspricht. Der Bericht zum europäischen Markt für SiC-Leistungshalbleiter deckt auch umfassend Preisanalysen, Patentanalysen und technologische Fortschritte ab.

Marktdefinition

SiC-Leistungshalbleiter sind Halbleiter, die Kohlenstoff und Silizium enthalten und bei sehr hoher Spannung und Temperatur arbeiten. SiC-Leistungshalbleiter können zur Herstellung eines starken und sehr harten Materials verwendet werden. SiC-Leistungshalbleiter können in verschiedenen Bereichen wie Telekommunikation, Energie und Strom, Automobilbau, Erzeugung erneuerbarer Energie und in verschiedenen anderen Bereichen eingesetzt werden. Sie werden hauptsächlich aufgrund ihrer höheren maximalen Wärmeleitfähigkeit in Betracht gezogen, die den Anwendungsbereich erweitert haben. SiC-Leistungshalbleiter sind Geräte, die als Hochfrequenz-Leistungsgeräte gelten und hauptsächlich in der drahtlosen Kommunikation eingesetzt werden. SiC-Halbleiter bieten im Vergleich zu Siliziumhalbleitern die zehnfache dielektrische Durchschlagsfeldstärke, die dreifache Wärmeleitfähigkeit und die dreifache Bandlücke. Der SiC-Halbleiter hat den Markt aufgrund seiner hohen Leistung und Effizienz erobert. Der SiC-Leistungshalbleiter kann bei hoher Spannung und Stromstärke arbeiten und bietet einen niedrigen Einschaltwiderstand sowie Effizienz bei hohen Temperaturen. Die Kombination mit Siliziumkarbid hat sich daher als bessere und optimale Halbleiterwahl erwiesen.

Marktdynamik für SiC-Leistungshalbleiter in Europa

In diesem Abschnitt geht es um das Verständnis der Markttreiber, Vorteile, Chancen, Einschränkungen und Herausforderungen. All dies wird im Folgenden ausführlich erläutert:

Treiber

• Aufkommen von SiC-Leistungshalbleitern

SiC hat als Halbleitermaterial sehr nützliche Eigenschaften. In Anwendungen wie Wechselrichtern, Motorantrieben und Batterieladegeräten bieten Siliziumkarbid-Bauteile (SiC) viele Vorteile, wie eine verbesserte Leistungsdichte, einen geringeren Kühlbedarf und geringere Gesamtsystemkosten. Diese Vorteile reichen aus, um SiC-Leistungshalbleiter auf ein hocheffizientes Niveau zu bringen.

Der Energieverlust von SiC während der Sperrverzögerungsphase beträgt nur 1 % des Energieverlusts von Silizium, was einen großen Unterschied in der Effizienz des Materials ausmacht. Das nahezu vollständige Fehlen eines Reststroms ermöglicht ein schnelleres Abschalten und verursacht geringere Verluste. Da weniger Energie abgeführt werden muss, kann ein SiC-Gerät bei höheren Frequenzen schalten und die Effizienz verbessern. Die höhere Effizienz, die geringe Größe und das geringere Gewicht von SiC im Vergleich zu anderen Materialien können eine höher bewertete Lösung oder ein kleineres Design mit geringerem Kühlbedarf ermöglichen. Daher ist das Aufkommen von SiC-Leistungshalbleitern ein wichtiger Faktor, der voraussichtlich das Wachstum des europäischen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter vorantreiben wird.

• Steigende Verbreitung von Elektrofahrzeugen

Die Welt verändert sich rasant und wendet sich erneuerbaren Energien zu. Alle Branchen, Marktteilnehmer und Regierungsinstitutionen konzentrieren sich verstärkt auf den Aufbau einer Infrastruktur für Elektrofahrzeuge und die Steigerung der Nachfrage nach Elektrofahrzeugen.

Nach Angaben der Internationalen Energieagentur (IEA) waren im Jahr 2021 16,5 Millionen Elektroautos auf den Straßen unterwegs, eine Verdreifachung in nur drei Jahren, und das ist im Vergleich zu 2020 eine große Zahl. Die Verkäufe von Elektroautos stiegen und verdoppelten sich in China, stiegen in Europa weiter an und zogen in den USA im Jahr 2021 an. Diese Daten zeigen, dass die Durchdringung des Marktes mit Elektrofahrzeugen enorm zunimmt, was sich positiv auf die Umwelt sowie auf den europäischen Markt für SiC-Leistungshalbleiter auswirken kann. SiC ist bei hohen Spannungen hocheffizient und ermöglicht schnelle Batterieladezeiten, die mit dem Tanken herkömmlicher Fahrzeuge vergleichbar sind. Leistungselektronik aus Siliziumkarbid ermöglicht einen Anstieg von 800-Volt-Antriebssystemen und ebnet den Weg für leichtere Elektrofahrzeuge mit größerer Reichweite.

Gelegenheit

• Strategische Partnerschaft und Übernahme durch SiC-Hersteller

Es gibt verschiedene Organisationen und Marktteilnehmer, die strategische Partnerschaften und Akquisitionen eingehen. Diese Partnerschaft hat einen enormen positiven Einfluss auf das Wachstum des europäischen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter. Diese Zusammenarbeit führt zu Kooperationen und wird zu einem kostengünstigen Weg für neue Wettbewerber, um Technologie und Marktzugang zu erlangen.

Bei einem Joint Venture bündeln zwei oder mehr Unternehmen ihre Ressourcen und ihr Fachwissen, um ein bestimmtes Ziel zu erreichen. Es gibt viele Organisationen, die zusammenarbeiten und sich positiv auf das Wachstum des europäischen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter auswirken.

Einschränkung/Herausforderung

• Probleme im Zusammenhang mit der Herstellung von SiC-Wafern

Ein SiC-Wafer ist ein Halbleitermaterial mit hervorragenden elektrischen und thermischen Eigenschaften. Es ist ein Hochleistungshalbleiter, der sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen eignet. Neben seiner hohen Wärmebeständigkeit weist er auch eine sehr hohe Härte auf. Die Hersteller von SiC-Wafern stehen vor vielen Fertigungsherausforderungen. Die Hauptdefekte, die bei der Herstellung von SiC-Substraten auftreten können, sind kristalline Stapelfehler, Mikroröhren, Löcher, Kratzer, Flecken und Oberflächenpartikel. Diese Faktoren wirken sich negativ auf die Leistung von SiC-Geräten aus, die auf 150-mm-Wafern häufiger festgestellt wurden als auf 100-mm-Wafern. Dies liegt daran, dass SiC das dritthärteste Verbundmaterial der Welt ist und außerdem sehr zerbrechlich ist. Seine Herstellung bringt komplexe Herausforderungen in Bezug auf Zykluszeit, Kosten und Schneidleistung mit sich. Es lässt sich vorhersagen, dass selbst die Umstellung auf 200-mm-Wafer erhebliche Probleme mit sich bringen wird. Tatsächlich wird es notwendig sein, die gleiche Qualität des Substrats zu gewährleisten, wobei eine unvermeidlich höhere Defektdichte zu erwarten ist.

Auswirkungen von COVID-19 auf den europäischen Markt für SiC-Leistungshalbleiter

Die SiC-Leistungshalbleiterindustrie verzeichnete aufgrund des Lockdowns und der COVID-19-Gesetze einen allmählichen Rückgang der Nachfrage, da Produktionsstätten und -dienste geschlossen wurden. Sogar private und öffentliche Entwicklungen wurden eingestellt. Darüber hinaus war die Industrie auch vom Stillstand der Lieferkette betroffen, insbesondere der Rohstoffe, die im Herstellungsprozess von SiC-Leistungshalbleitern verwendet werden. Strenge staatliche Vorschriften für verschiedene Branchen sowie Handels- und Transportbeschränkungen waren einige der Hauptfaktoren, die das Wachstum des Marktes für SiC-Leistungshalbleiter weltweit im Jahr 2020 und in den ersten beiden Quartalen 2021 bremsten. Da sich die Produktion von SiC-Leistungshalbleitern aufgrund der Beschränkungen durch Regierungen auf der ganzen Welt verlangsamte, konnte die Produktion in den ersten drei Quartalen 2020 die Nachfrage nicht decken. Darüber hinaus wurde eine hohe Nachfrage/Bedarf an SiC-Leistungshalbleiterprodukten in der Automobil- und Verteidigungsindustrie, im medizinischen Sektor und in Hydraulikanwendungen beobachtet. Die Wiederaufnahme der Produktion in der Öl- und Gasindustrie sowie im Automobilbereich trieb die steigende Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern weltweit weiter an. Dies führte nicht nur zu einer Steigerung der Nachfrage, sondern erhöhte auch die Kosten des Produkts.

Kürzliche Entwicklungen

• Im Dezember 2022 kündigten STMicroelectronics und Soitec (Euronext Paris) bei der Entwicklung und Herstellung innovativer Halbleitermaterialien die nächste Phase ihrer Zusammenarbeit bei Siliziumkarbid-Substraten (SiC) an. Die Qualifizierung der SiC-Substrattechnologie von Soitec durch ST ist für die nächsten 18 Monate geplant. Ziel dieser Zusammenarbeit ist die Übernahme der SmartSiC-Technologie von Soitec durch ST für die zukünftige Herstellung von 200-mm-Substraten, um das Geschäft mit der Herstellung von Geräten und Modulen zu unterstützen. Die Serienproduktion wird mittelfristig erwartet. Diese Zusammenarbeit wird dem Unternehmen helfen, seine Finanzen sowie das Wachstum des europäischen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter anzukurbeln.
• Im Juli 2022 arbeiten Semikron Danfoss und das in Kyoto ansässige Unternehmen ROHM Semiconductor seit mehr als zehn Jahren bei der Implementierung von Siliziumkarbid (SiC) in Leistungsmodulen zusammen. Vor Kurzem wurde ROHMs neueste 4. Generation von SiC-MOSFETs in SEMIKRONs eMPack-Modulen für den Einsatz im Automobilbereich vollständig qualifiziert. Somit erfüllen beide Unternehmen die Bedürfnisse ihrer Kunden weltweit. Diese Zusammenarbeit verbesserte die Finanzen des Unternehmens und wirkte sich positiv auf das Wachstum des europäischen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter aus.

Europa SiC-Leistungshalbleiter Marktumfang

Der europäische Markt für SiC-Leistungshalbleiter ist nach Typ, Spannungsbereich, Wafergröße, Wafertyp, Anwendung und Branche segmentiert. Das Wachstum dieser Segmente hilft Ihnen bei der Analyse schwacher Wachstumssegmente in den Branchen und bietet den Benutzern einen wertvollen Marktüberblick und Markteinblicke, die ihnen bei der strategischen Entscheidungsfindung zur Identifizierung der wichtigsten Marktanwendungen helfen.

Nach Typ

• MOSFETs
• Hybridmodule
• Schottky-Barrieredioden (SBDS)
• IGBT
• Bipolarer Sperrschichttransistor (BJT)
• Pin-Diode
• Sperrschicht-FET (JFET)
• Andere

Auf der Grundlage des Typs ist der europäische Markt für SiC-Leistungshalbleiter in MOSFETS, Hybridmodule, Schottky-Barrieredioden (SBDS), IGBT, Bipolar Junction Transistor (BJT), PIN-Diode, Junction FET (JFET) und andere unterteilt.

Nach Spannungsbereich

• 301-900 V
• 901-1700 V
• Über 1701 V

Auf der Grundlage des Spannungsbereichs ist der europäische Markt für SiC-Leistungshalbleiter in 301–900 V, 901–1700 V und über 1701 V segmentiert.

Nach Wafergröße

• 6 Zoll
• 4 Zoll
• 2 Zoll
• Über 6 Zoll

Auf der Grundlage der Wafergröße ist der europäische Markt für SiC-Leistungshalbleiter in 6 Zoll, 4 Zoll, 2 Zoll und über 6 Zoll segmentiert.

Nach Wafertyp

• SiC-Epitaxie-Wafer
• Rohlinge aus SiC-Wafer

Auf Grundlage des Wafertyps ist der europäische Markt für SiC-Leistungshalbleiter in SiC-Epitaxie-Wafer und leere SiC-Wafer segmentiert.

Nach Anwendung

• Elektrofahrzeuge (EV)
• Photovoltaik
• Netzteile
• Industrielle Motorantriebe
• Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge
• HF-Geräte
• Andere

Auf der Grundlage der Anwendung ist der europäische Markt für Leistungshalbleiter in Elektrofahrzeuge (EV), Photovoltaik, Stromversorgungen, industrielle Motorantriebe, EV-Ladeinfrastruktur, HF-Geräte und andere unterteilt.

Nach Vertikal

• Automobilindustrie
• Versorgung und Energie
• Industrie
• Transport
• IT und Telekommunikation
• Unterhaltungselektronik
• Luft- und Raumfahrt und Verteidigung
• Kommerziell
• Andere

Auf vertikaler Basis ist der europäische Markt für SiC-Leistungshalbleiter in die Branchen Automobil, Versorgungsunternehmen und Energie, Industrie, Transport, IT und Telekommunikation, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Gewerbe und Sonstige unterteilt.

Europa: Regionale Analyse/Einblicke zum Markt für SiC-Leistungshalbleiter

Der europäische Markt für SiC-Leistungshalbleiter wird analysiert und es werden Einblicke und Trends in die Marktgröße nach Region, Typ, Spannungsbereich, Wafergröße, Wafertyp, Anwendung und Vertikale wie oben angegeben bereitgestellt.

Die im europäischen Marktbericht für SiC-Leistungshalbleiter abgedeckten Länder sind Deutschland, Großbritannien, Italien, Frankreich, Spanien, Schweiz, Niederlande, Belgien, Russland, Türkei, Polen, Schweden, Dänemark und das übrige Europa.

Im Jahr 2023 wird Deutschland voraussichtlich den europäischen Markt für SiC-Leistungshalbleiter dominieren, da die Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleiterprodukten hoch ist. Darüber hinaus wird die hohe Nachfrage nach Leistungsmodulen und verwandten Geräten voraussichtlich ein treibender Faktor für das Marktwachstum sein.

Der regionale Abschnitt des Berichts enthält auch einzelne marktbeeinflussende Faktoren und Änderungen der Marktregulierung, die sich auf die aktuellen und zukünftigen Trends des Marktes auswirken. Datenpunkte wie die Analyse der nachgelagerten und vorgelagerten Wertschöpfungskette, technische Trends und die Fünf-Kräfte-Analyse von Porter sowie Fallstudien sind einige der Anhaltspunkte, die zur Prognose des Marktszenarios für einzelne Länder verwendet werden. Bei der Bereitstellung einer Prognoseanalyse der regionalen Daten werden auch die Präsenz und Verfügbarkeit europäischer Marken und ihre Herausforderungen aufgrund großer oder geringer Konkurrenz durch lokale und inländische Marken, die Auswirkungen inländischer Zölle und Handelsrouten berücksichtigt.

Wettbewerbsumfeld und Marktanteilsanalyse für SiC-Leistungshalbleiter in Europa

Die Wettbewerbslandschaft des europäischen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter liefert Einzelheiten nach Wettbewerbern. Zu den enthaltenen Einzelheiten gehören Unternehmensübersicht, Unternehmensfinanzen, erzielter Umsatz, Marktpotenzial, Investitionen in Forschung und Entwicklung, neue Marktinitiativen, Präsenz in Europa, Produktionsstandorte und -anlagen, Produktionskapazitäten, Stärken und Schwächen des Unternehmens, Produkteinführung, Produktbreite und -umfang sowie Anwendungsdominanz. Die oben angegebenen Datenpunkte beziehen sich nur auf den Fokus der Unternehmen in Bezug auf den europäischen Markt für SiC-Leistungshalbleiter.

Zu den wichtigsten Akteuren auf dem europäischen Markt für SiC-Leistungshalbleiter zählen unter anderem WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics, ROHM CO., LTD., Fuji Electric Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated, Infineon Technologies AG, Semikron Danfoss, Renesas Electronics Corporation, TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION, Microchip Technology Inc., Semiconductor Components Industries, LLC, NXP Semiconductors, UnitedSiC, SemiQ Inc., Littlefuse, Inc., Allegro MicroSystems, Inc., Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (eine Tochtergesellschaft der Hitachi Group) und GeneSiC Semiconductor Inc.