Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter sind Halbleiter, die Kohlenstoff und Silizium enthalten und bei sehr hoher Spannung und Temperatur arbeiten. Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter können zur Herstellung eines starken und sehr harten Materials verwendet werden. Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter können in verschiedenen Bereichen wie Telekommunikation, Energie und Strom, Automobilbau, Erzeugung erneuerbarer Energie und in verschiedenen anderen Bereichen eingesetzt werden. Sie werden aufgrund ihrer höheren maximalen Wärmeleitfähigkeit in Betracht gezogen, die den Anwendungsbereich erweitert haben. Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter sind Geräte, die als Hochfrequenz-Leistungsgeräte gelten und hauptsächlich in der drahtlosen Kommunikation eingesetzt werden. SiC-Halbleiter bieten im Vergleich zu Siliziumhalbleitern die zehnfache dielektrische Durchschlagsfeldstärke, die dreifache Wärmeleitfähigkeit und die dreifache Bandlücke. Der SiC-Halbleiter hat den Markt aufgrund seiner hohen Leistung und Effizienz erobert. Die Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter arbeiten bei hoher Spannung und Stromstärke und bieten einen niedrigen Einschaltwiderstand und sind zudem bei hohen Temperaturen effizient. Die Kombination mit Siliziumkarbid hat sich daher als bessere und optimale Halbleiterwahl erwiesen.
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Data Bridge Market Research analysiert die Globaler Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter wird voraussichtlich von 1.950.156,00 USD im Jahr 2023 auf 11.508.292,90 USD im Jahr 2031 steigen und im Prognosezeitraum von 2024 bis 2031 eine durchschnittliche jährliche Wachstumsrate (CAGR) von 25,1 % aufweisen. Strengere Vorschriften und die Forderung der Verbraucher nach einem geringeren Energieverbrauch werden das Marktwachstum vorantreiben.
Wichtigste Ergebnisse der Studie
Steigende Nutzung von Elektrofahrzeugen
Die zunehmende Nutzung von Elektrofahrzeugen ist ein wichtiger Antriebsfaktor für den globalen Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter, da Siliziumkarbid seine überlegene Effizienz, thermische Leistung und Schnellladefähigkeit nutzt, um die Anforderungen der wachsenden Zahl von Elektrofahrzeugen zu erfüllen. Darüber hinaus tragen Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter zur Entwicklung schnellerer Ladelösungen für Elektrofahrzeuge bei und gehen damit auf eine der Hauptsorgen der Verbraucher hinsichtlich der Praktikabilität von Elektrofahrzeugen ein. Daher gehen alle Organisationen gemeinsam von einem zunehmenden Trend zu Elektrofahrzeugen im Automobilsektor aus. Es wird erwartet, dass dieser Trend eine Schlüsselrolle beim Wachstum globaler Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter spielt und das Marktwachstum vorantreibt.
Berichtsumfang und Marktsegmentierung
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Berichtsmetrik
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Einzelheiten
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Prognosezeitraum
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2024 bis 2031
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Basisjahr
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2023
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Historische Jahre
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2022 (anpassbar auf 2016–2021)
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Quantitative Einheiten
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Umsatz in Tausend USD
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Abgedeckte Segmente
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Typ (MOSFETS, Schottky-Dioden (SBDs), Bipolar Junction Transistor (BJT), Hybridmodule, SiC Bare Die, Pin-Diode, Junction-FET und andere), Wafertyp (SiC-Epitaxie-Wafer und leere SiC-Wafer), Spannungsbereich (301 V bis 900 V, 901 V bis 1700 V, 1701 V und mehr und weniger als 300 V), Wafergröße (2 Zoll, 3 Zoll und 4 Zoll, 6 Zoll und 8 und 12 Zoll), Anwendung (Elektrisches Fahrzeug (EV), Wechselrichter, Stromversorgung, Photovoltaik, HF-Geräte, industrielle Motorantriebe und andere), Vertikal (Automobil und Transport, Rechenzentren, Industrie, erneuerbare Energien/Netze, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt & Verteidigung, Medizin und andere)
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Abgedeckte Länder
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USA, Kanada und Mexiko, Deutschland, Großbritannien, Frankreich, Italien, Niederlande, Spanien, Russland, Schweiz, Türkei, Belgien, Polen, Schweden, Dänemark, Norwegen, Finnland, Restliches Europa, China, Japan, Indien, Südkorea, Australien, Taiwan, Singapur, Thailand, Indonesien, Malaysia, Philippinen, Neuseeland, Vietnam, Restlicher Asien-Pazifik-Raum, Brasilien, Argentinien, Restliches Südamerika, Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Israel, Südafrika, Ägypten, Katar, Kuwait, Bahrain, Oman und Restlicher Naher Osten und Afrika
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Abgedeckte Marktteilnehmer
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Infineon Technologies AG (Deutschland), STMicroelectronics (Schweiz), WOLFSPEED, INC. (USA), Renesas Electronics Corporation (Japan), Semiconductor Components Industries, LLC (USA), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), ROHM CO., LTD. (Japan), Qorvo, Inc (USA), Nexperia (Niederlande), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES AND STORAGE CORPORATION (USA), Allegro MicroSystems, Inc. (USA), GeneSiC Semiconductor Inc. (USA), Fuji Electric Co., Ltd (Japan), Vishay Intertechnology, Inc. (USA), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd., Littelfuse, Inc. (USA), Texas Instruments Incorporated. (USA), Microchip Technology Inc. (USA), Semikron Danfoss (Deutschland), WeEn Semiconductors (China), Solitron Devices, Inc. (USA), SemiQ Inc. (USA), Xiamen Powerway Advanced Material (China), MaxPower Semiconductor (Taiwan) und andere
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Im Bericht behandelte Datenpunkte
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Neben den Einblicken in Marktszenarien wie Marktwert, Wachstumsrate, Segmentierung, geografische Abdeckung und wichtige Akteure enthalten die von Data Bridge Market Research kuratierten Marktberichte auch eingehende Expertenanalysen, geografisch dargestellte Produktion und Kapazität nach Unternehmen, Netzwerklayouts von Distributoren und Partnern, detaillierte und aktualisierte Preistrendanalysen und Defizitanalysen der Lieferkette und der Nachfrage
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Segmentanalyse
Der globale Markt für Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid ist in sechs wichtige Segmente unterteilt, die auf Typ, Wafertyp, Spannungsbereich, Wafergröße, Anwendung und Vertikale basieren.
- Auf der Grundlage des Typs ist der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter in MOSFETS, Schottky-Barrieredioden (SBDs), Bipolar Junction Transistor (BJT), Hybridmodule, SiC-Bare-Die, Pin-Diode, Junction-FET und andere unterteilt.
Im Jahr 2024 wird das MOSFET-Segment voraussichtlich den globalen Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter dominieren
Im Jahr 2024 wird das MOSFET-Segment aufgrund seiner hohen Effizienz, schnellen Schaltgeschwindigkeiten und seines geringen Einschaltwiderstands voraussichtlich den Markt mit einem Marktanteil von 28,28 % dominieren.
- Auf der Grundlage des Wafertyps ist der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter in SiC-Epitaxie-Wafer und leere SiC-Wafer unterteilt.
Im Jahr 2024 wird das Segment der SiC-Epitaxiewafer voraussichtlich den globalen Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter dominieren
Im Jahr 2024 wird das Segment der epitaktischen SiC-Wafer aufgrund seiner überlegenen elektrischen Eigenschaften und Effizienz voraussichtlich den Markt mit einem Marktanteil von 55,19 % dominieren.
- Auf der Grundlage des Spannungsbereichs ist der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter in 301 V bis 900 V, 901 V bis 1700 V, 1701 V und mehr sowie weniger als 300 V unterteilt. Im Jahr 2024 wird das Segment 301 V bis 900 V voraussichtlich den Markt mit einem Marktanteil von 44,68 % dominieren.
- Auf der Grundlage der Wafergröße ist der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter in 2 Zoll, 3 Zoll und 4 Zoll, 6 Zoll und 8 und 12 Zoll unterteilt. Im Jahr 2024 wird erwartet, dass das 2-Zoll-, 3-Zoll- und 4-Zoll-Segment den Markt mit einem Marktanteil von 43,65 % dominieren wird.
- Auf der Grundlage der Anwendung ist der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter in Elektrofahrzeuge (EV), Wechselrichter, Stromversorgungen, Photovoltaik, HF-Geräte, industrielle Motorantriebe und andere unterteilt. Im Jahr 2024 wird das Segment Elektrofahrzeuge (EV) voraussichtlich den Markt mit einem Marktanteil von 33,53 % dominieren.
- Auf vertikaler Basis ist der globale Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter in die Bereiche Automobil und Transport, Rechenzentren, Industrie, erneuerbare Energien/Netze, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Medizin und andere unterteilt. Im Jahr 2024 wird das Segment Automobil und Transport voraussichtlich den Markt mit einem Marktanteil von 28,38 % dominieren.
Hauptakteure
Data Bridge Market Research analysiert Infineon Technologies AG (Deutschland), STMicroelectronics (Schweiz), WOLFSPEED INC. (USA), Renesas Electronics Corporation (Japan) und Semiconductor Components Industries LLC. (USA) als die wichtigsten Unternehmen auf dem globalen Markt für Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid.
Marktentwicklungen
- Im Januar 2024 gab STMicroelectronics den langfristigen Vertrag mit Li Auto zur Lieferung von SiC-Bauelementen bekannt. Im Rahmen dieses Vertrags erhält Li Auto SiC-MOSFETs von STMicroelectronics (ST), um seine Ambitionen für Hochspannungsbatterie-Elektrofahrzeuge (BEV) in mehreren Marktsegmenten zu unterstützen. Diese Entwicklung kann die Präsenz des Unternehmens in China stärken
- Im August 2023 gab STMicroelectronics bekannt, dass sie einen Vertrag zur Lieferung von Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs (SiC) an BorgWarner Inc. unterzeichnet haben. STMicroelectronics wird die neuesten 750-V-Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Würfel (SiC) der dritten Generation für BorgWarners exklusives Leistungsmodul liefern, das auf der Viper-Plattform basiert. Mehrere aktuelle und kommende Elektroautos von Volvo sind mit Traktionswechselrichterplattformen von BorgWarner ausgestattet, die dieses Leistungsmodul verwenden. Dieser Deal kann die Präsenz des Unternehmens auf dem Automobilmarkt ausbauen
- Im Juli 2023 gab WOLFSPEED, INC. bekannt, dass das Unternehmen einen Liefervertrag mit Renesas Electronics Corporation über eine 10-jährige Lieferverpflichtung für blanke und epitaktische Siliziumkarbid-Wafer unterzeichnet hat. Wolfspeeds Versorgung mit hochwertigen Siliziumkarbid-Wafern wird es Renesas ermöglichen, ab 2025 in größerem Maßstab mit der Produktion von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern zu beginnen.
- Im Dezember 2022 gab Renesas Electronics Corporation bekannt, dass es in diesem Jahr von der Global Semiconductor Alliance (GSA) den „Outstanding Asia-Pacific Semiconductor Company Award“ erhalten hat. Diese Auszeichnung und Anerkennung verbesserte das Image des Unternehmens auf dem Markt und wirkte sich positiv auf das Wachstum des globalen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter aus.
- Im November 2022 unterzeichnete die Infineon Technologies AG eine unverbindliche Absichtserklärung für eine mehrjährige Lieferkooperation für Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC). Infineon würde Fertigungskapazitäten reservieren und in der zweiten Hälfte des Jahrzehnts CoolSiC-„Bare-Die“-Chips an die direkten Tier-1-Lieferanten von Stellantis liefern. Das potenzielle Beschaffungsvolumen und die Kapazitätsreservierung haben einen Wert von deutlich mehr als 1 Milliarde Euro. Diese Entwicklung verhalf dem Unternehmen zu einem finanziellen Wachstum und wirkte sich positiv auf das Wachstum des globalen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter aus.
Regionale Analyse
Geografisch ist der Markt in die USA, Kanada und Mexiko, Deutschland, Großbritannien, Frankreich, Italien, Niederlande, Spanien, Russland, Schweiz, Türkei, Belgien, Polen, Schweden, Dänemark, Norwegen, Finnland, übriges Europa, China, Japan, Indien, Südkorea, Australien, Taiwan, Singapur, Thailand, Indonesien, Malaysia, Philippinen, Neuseeland, Vietnam, übriger Asien-Pazifik-Raum, Brasilien, Argentinien, übriges Südamerika, Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Israel, Südafrika, Ägypten, Katar, Kuwait, Bahrain, Oman sowie den Rest des Nahen Ostens und Afrikas unterteilt.
Gemäß Marktforschungsanalyse von Data Bridge:
Nordamerika ist die dominierende Region auf dem globalen Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter
Aufgrund seiner fortschrittlichen technologischen Infrastruktur, robusten Investitionen in Forschung und Entwicklung und einer bedeutenden Präsenz wichtiger Marktteilnehmer in der Region wird die Region Nordamerika voraussichtlich den Markt dominieren.
Asien-Pazifik ist die am schnellsten wachsende Region auf dem globalen Markt für Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter
Aufgrund der zunehmenden Nutzung von Elektrofahrzeugen dürfte der asiatisch-pazifische Raum die am schnellsten wachsende Region auf dem Markt sein.
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