Der Markt für Leistungshalbleiter aus SiC (Siliziumkarbid) steht an der Spitze des technologischen Fortschritts. SiC-Geräte bieten im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumhalbleitern eine hohe Effizienz und überlegene Leistung. Sie finden Anwendung in Leistungselektronik, Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energiesystemen und industriellen Antrieben. Zu den wichtigsten Merkmalen von SiC gehören geringer Leistungsverlust, hohe Temperaturbeständigkeit sowie reduzierte Größe und Gewicht. Diese Fortschritte ermöglichen kompaktere und energieeffizientere Geräte, treiben Innovationen in verschiedenen Branchen voran und tragen gleichzeitig zu Nachhaltigkeitsbemühungen bei, indem sie Energieverbrauch und CO2-Emissionen reduzieren.
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Data Bridge Market Research analysiert, dass die Globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter Der Wert belief sich im Jahr 2022 auf 11.066.822.000 USD und soll bis 2030 einen Wert von 7.030.515.230.000 USD erreichen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von 26,0 % im Prognosezeitraum 2023–2030 entspricht. SiC-Halbleiter (Siliziumkarbid) spielen eine entscheidende Rolle bei der Reduzierung von Größe und Gewicht elektronischer Systeme. Ihre überlegene Energieeffizienz und hohe Temperaturbeständigkeit machen sie in der Luft- und Raumfahrt, im Automobilbau und in industriellen Anwendungen unverzichtbar. Sie ermöglichen kompaktere und leichtere, aber dennoch hochfunktionale elektronische Komponenten, die zu einer verbesserten Gesamtsystemleistung beitragen.
Wichtigste Ergebnisse der Studie
Industrie 4.0 dürfte das Marktwachstum ankurbeln
Die industrielle Automatisierungslandschaft entwickelt sich mit Industrie 4.0 rasant weiter. Dieser Wandel erfordert effizientere und zuverlässigere Leistungselektronik. SiC-Halbleiter (Siliziumkarbid) werden in diesem Zusammenhang aufgrund ihrer hohen Leistungsfähigkeit zunehmend bevorzugt. Sie ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten, geringere Wärmeentwicklung und verbesserte Energieeffizienz und entsprechen damit den Anforderungen moderner industrieller Automatisierungssysteme. Da die Industrie versucht, die Produktivität zu steigern, Ausfallzeiten zu reduzieren und den Energieverbrauch zu optimieren, wächst die Nachfrage nach SiC-Halbleitern als grundlegender Bestandteil fortschrittlicher Leistungselektronik in der Automatisierung weiter.
Berichtsumfang und Marktsegmentierung
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Berichtsmetrik
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Einzelheiten
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Prognosezeitraum
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2023 bis 2030
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Basisjahr
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2022
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Historische Jahre
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2021 (anpassbar auf 2015–2020)
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Quantitative Einheiten
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Umsatz in Tausend USD, Mengen in Einheiten, Preise in USD
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Abgedeckte Segmente
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Typ (MOSFETS, Hybridmodule, Schottky-Dioden (SBDS), IGBT, Bipolar Junction Transistor (BJT), Pin-Diode, Junction FET (JFET) und andere), Spannungsbereich (301–900 V, 901–1700 V, über 1701 V), Wafergröße (6 Zoll, 4 Zoll, 2 Zoll, über 6 Zoll), Wafertyp (SiC-Epitaxie-Wafer, leere SiC-Wafer), Anwendung (Elektrofahrzeuge (EV), Photovoltaik, Stromversorgung, industrielle Motorantriebe, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, HF-Geräte und andere), Vertikal (Automobil, Versorgungsunternehmen und Energie, Industrie, Transport, IT und Telekommunikation, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Gewerbe und andere).
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Abgedeckte Länder
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USA, Kanada und Mexiko in Nordamerika, Deutschland, Frankreich, Großbritannien, Niederlande, Schweiz, Belgien, Russland, Italien, Spanien, Türkei, Restliches Europa in Europa, China, Japan, Indien, Südkorea, Singapur, Malaysia, Australien, Thailand, Indonesien, Philippinen, Restlicher Asien-Pazifik-Raum (APAC) in Asien-Pazifik (APAC), Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Südafrika, Ägypten, Israel, Restlicher Naher Osten und Afrika (MEA) als Teil von Naher Osten und Afrika (MEA), Brasilien, Argentinien und Restliches Südamerika als Teil von Südamerika
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Abgedeckte Marktteilnehmer
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WOLFSPEED, INC. (USA), STMicroelectronics (Schweiz), ROHM CO., LTD. (Japan), Fuji Electric Co., Ltd. (Japan), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), Texas Instruments Incorporated (USA), Infineon Technologies AG (Deutschland), Semikron Danfoss (Deutschland), Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. (China), Renesas Electronics Corporation (Japan), TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION (Japan), Microchip Technology Inc. (USA), Semiconductor Components Industries, LLC (USA), NXP Semiconductors (Niederlande), UnitedSiC (USA), SemiQ Inc. (USA), Littlefuse, Inc. (USA), Allegro MicroSystems, Inc. (USA), Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (eine Tochtergesellschaft der Hitachi Group) (Japan), GeneSiC Semiconductor Inc. (USA)
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Im Bericht behandelte Datenpunkte
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Zusätzlich zu den Einblicken in Marktszenarien wie Marktwert, Wachstumsrate, Segmentierung, geografische Abdeckung und wichtige Akteure enthalten die von Data Bridge Market Research zusammengestellten Marktberichte auch ausführliche Expertenanalysen, geografisch dargestellte Produktion und Kapazität nach Unternehmen, Netzwerklayouts von Distributoren und Partnern, detaillierte und aktuelle Preistrendanalysen und Defizitanalysen von Lieferkette und Nachfrage.
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Segmentanalyse:
Der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter ist nach Typ, Spannungsbereich, Wafergröße, Wafertyp, Anwendung und Branche segmentiert.
- Auf der Grundlage des Typs ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in MOSFETS, Hybridmodule, Schottky-Barrieredioden (SBDS), IGBT, Bipolartransistor (BJT), Pin-Diode, Junction-FET (JFET) und andere unterteilt.
- Auf der Grundlage des Spannungsbereichs ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in 301–900 V, 901–1700 V und über 1701 V segmentiert.
- Auf der Grundlage der Wafergröße ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in 6 Zoll, 4 Zoll, 2 Zoll und über 6 Zoll segmentiert.
- Auf Grundlage des Wafertyps ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in SiC-Epitaxie-Wafer und leere SiC-Wafer segmentiert.
- Auf Grundlage der Anwendung ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in Elektrofahrzeuge (EV), Photovoltaik, Stromversorgungen, industrielle Motorantriebe, Ladeinfrastruktur für Elektrofahrzeuge, HF-Geräte und Sonstiges segmentiert.
- Auf vertikaler Basis ist der globale Markt für SiC-Leistungshalbleiter in die Branchen Automobil, Versorgungsunternehmen und Energie, Industrie, Transport, IT und Telekommunikation, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Gewerbe und Sonstige unterteilt.
Hauptakteure
Data Bridge Market Research erkennt die folgenden Unternehmen als die wichtigsten globalen Akteure auf dem globalen Markt für SiC-Leistungshalbleiter an: WOLFSPEED, INC. (USA), STMicroelectronics (Schweiz), ROHM CO., LTD. (Japan), Fuji Electric Co., Ltd. (Japan), Mitsubishi Electric Corporation (Japan), Texas Instruments Incorporated (USA), Infineon Technologies AG (Deutschland), Semikron Danfoss (Deutschland), Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd. (China).
Marktentwicklungen
- Im Dezember 2022 gaben STMicroelectronics und Soitec, bekannt für ihre innovativen Halbleitermaterialien, eine erweiterte Partnerschaft bekannt, die sich auf Siliziumkarbid-Substrate (SiC) konzentriert. ST plant, die SiC-Substrattechnologie von Soitec innerhalb der nächsten 18 Monate zu qualifizieren. Ziel dieser Zusammenarbeit ist es, dass ST die SmartSiC-Technologie von Soitec für seine bevorstehende 200-mm-Substratproduktion übernimmt, was die Geräte- und Modulherstellung unterstützen wird. Diese Partnerschaft soll die finanzielle Leistung von ST verbessern und mittelfristig zum Wachstum des globalen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter beitragen.
- Im Juli 2022 haben Semikron Danfoss und das in Kyoto ansässige Unternehmen ROHM Semiconductor eine zehnjährige Zusammenarbeit begonnen, die sich auf die Integration von Siliziumkarbid (SiC) in Leistungsmodule konzentriert. ROHMs hochmoderne SiC-MOSFETs der vierten Generation haben kürzlich die vollständige Qualifikation für SEMIKRONs eMPack-Module für Automobilanwendungen erhalten. Diese erfolgreiche Partnerschaft hat es beiden Unternehmen ermöglicht, die globale Nachfrage der Kunden weltweit effektiv zu erfüllen. Sie hat nicht nur zu einer verbesserten finanziellen Leistung beigetragen, sondern auch die Expansion des globalen Marktes für SiC-Leistungshalbleiter positiv beeinflusst.
Regionale Analyse
Geografisch sind die im großen globalen Marktbericht für SiC-Leistungshalbleiter abgedeckten Länder die USA, Kanada und Mexiko in Nordamerika, Deutschland, Frankreich, Großbritannien, Niederlande, Schweiz, Belgien, Russland, Italien, Spanien, Türkei, Restliches Europa in Europa, China, Japan, Indien, Südkorea, Singapur, Malaysia, Australien, Thailand, Indonesien, Philippinen, Restlicher asiatisch-pazifischer Raum (APAC) in Asien-Pazifik (APAC), Saudi-Arabien, Vereinigte Arabische Emirate, Südafrika, Ägypten, Israel, Restlicher Naher Osten und Afrika (MEA) als Teil von Naher Osten und Afrika (MEA), Brasilien, Argentinien und Restliches Südamerika als Teil von Südamerika.
Laut Marktforschungsanalyse von Data Bridge:
Asien-Pazifik wird voraussichtlich den globalen SiC-Leistungshalbleitermarkt im Prognosezeitraum 2023 – 2030 dominieren
Im Jahr 2023 wird die Region Asien-Pazifik ihre Vorherrschaft auf dem globalen Markt für SiC-Leistungshalbleiter behaupten, angetrieben von der steigenden Nachfrage nach diesen fortschrittlichen Halbleitern. Der Bedarf der Region an Leistungsmodulen und zugehörigen Geräten dürfte als bedeutender Wachstumskatalysator dienen. Dieser Aufschwung spiegelt die robuste Nachfrage nach SiC-Leistungshalbleitern in verschiedenen Branchen und Anwendungen wider und unterstreicht die zentrale Rolle der Region Asien-Pazifik bei der Steuerung der Marktentwicklung.
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