تقرير تحليل حجم السوق العالمية لأشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي (RF) من نتريد الجاليوم (GaN) وحصتها واتجاهاتها - نظرة عامة على الصناعة وتوقعاتها حتى عام 2031

تحليل سوق أشباه الموصلات ذات الترددات الراديوية المصنوعة من نتريد الجاليوم (GaN)

يشهد سوق أشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي من نتريد الغاليوم (GaN) نموًا كبيرًا، مدفوعًا بتأثيره التحويلي على التطبيقات عالية الطاقة وعالية التردد. يتم استخدام أشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي من نتريد الغاليوم بشكل متزايد في الاتصالات وأنظمة الرادار والاتصالات عبر الأقمار الصناعية نظرًا لقدراتها الفائقة على التعامل مع الطاقة والكفاءة والتوصيل الحراري. إن التطورات السريعة في تقنية الجيل الخامس والطلب المتزايد على أنظمة الاتصالات عالية الأداء هي عوامل رئيسية تغذي توسع السوق. في مجال الاتصالات، تعمل أجهزة GaN RF على تعزيز قوة الإشارة وأداء النظام، مما يساهم في نشر البنية التحتية لشبكة الجيل الخامس على نطاق أوسع. وبالمثل، في أنظمة الرادار المستخدمة في تطبيقات الدفاع والفضاء الجوي، توفر قدرة GaN على العمل بقوة وترددات عالية مزايا حاسمة في الأداء والموثوقية. كما يدعم التركيز المتزايد على أنظمة الاتصالات عبر الأقمار الصناعية المتقدمة نمو السوق، حيث تعد كفاءة GaN وناتج الطاقة العالية ضروريين لعمليات الأقمار الصناعية القوية. 

حجم سوق أشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي (RF) المصنوعة من نتريد الجاليوم (GaN)

تم تقييم حجم سوق أشباه الموصلات العالمية بترددات الراديو من نتريد الغاليوم (GaN) بنحو 1.05 مليار دولار أمريكي في عام 2023 ومن المتوقع أن يصل إلى 4.55 مليار دولار أمريكي بحلول عام 2031، مع معدل نمو سنوي مركب بنسبة 20.10٪ خلال الفترة المتوقعة من 2024 إلى 2031. بالإضافة إلى الرؤى حول سيناريوهات السوق مثل القيمة السوقية ومعدل النمو والتجزئة والتغطية الجغرافية واللاعبين الرئيسيين، تتضمن تقارير السوق التي تم تنظيمها بواسطة Data Bridge Market Research أيضًا تحليلًا متعمقًا من الخبراء والإنتاج والقدرة التمثيلية الجغرافية للشركة وتخطيطات الشبكة للموزعين والشركاء وتحليل مفصل ومحدث لاتجاهات الأسعار وتحليل العجز في سلسلة التوريد والطلب.

اتجاهات سوق أشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي (RF) المصنوعة من نتريد الجاليوم (GaN)

"تركيز متزايد على حلول الطاقة المتجددة"

إن التركيز المتزايد على حلول الطاقة المتجددة ودمج تقنيات الشبكة الذكية يخلق فرصًا كبيرة لأشباه الموصلات GaN RF. ومع تحول العالم نحو مصادر طاقة أكثر استدامة، هناك طلب متزايد على المكونات المتقدمة التي يمكنها إدارة الطاقة وتحويلها بكفاءة. إن أشباه الموصلات GaN RF، بكثافة الطاقة والكفاءة العالية، مناسبة تمامًا للتطبيقات في أنظمة إدارة الطاقة وتحويل الطاقة. تلعب أشباه الموصلات هذه دورًا حاسمًا في تحسين أداء أنظمة الطاقة المتجددة، مثل الطاقة الشمسية وطاقة الرياح، من خلال تمكين تضخيم الطاقة بكفاءة ومعالجة الإشارات. على سبيل المثال، في يناير 2024، قدمت شركة Transphorm Inc. جهازين جديدين SuperGaN 650V، TP65H035G4YS وTP65H050G4YS، وكلاهما معبأ في عبوة TO-247 رباعية الأسلاك (TO-247-4L). تتميز FETs هذه بمقاومات تشغيل تبلغ 35mΩ و50mΩ على التوالي، وتتضمن محطة مصدر كلفن مصممة لتحسين أداء التبديل مع تقليل خسائر الطاقة.

إن هذا التقدم في تكنولوجيا GaN يفيد بشكل كبير حلول الطاقة المتجددة من خلال تحسين كفاءة وموثوقية أنظمة إدارة الطاقة. إن المقاومة المنخفضة لهذه الترانزستورات تقلل من خسائر التوصيل، وهو أمر بالغ الأهمية لتطبيقات تحويل الطاقة حيث يكون تقليل فقدان الطاقة أمرًا ضروريًا. وهذا يعني أن أنظمة الطاقة المتجددة، مثل العاكسات الشمسية وطواحين الهواء، يمكن أن تعمل بكفاءة أكبر، مما يترجم إلى أداء أفضل وعائدات طاقة أعلى.

نطاق التقرير وتجزئة سوق أشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي (RF) المصنوعة من نتريد الجاليوم (GaN)

تعريف سوق أشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي (RF) المصنوعة من نتريد الجاليوم (GaN)

أشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي (RF) المصنوعة من نتريد الغاليوم (GaN) هي مكونات إلكترونية متقدمة تستخدم في تطبيقات التردد اللاسلكي والموجات الدقيقة. GaN هي مادة أشباه الموصلات ذات فجوة النطاق العريض المعروفة بكفاءتها العالية وكثافة الطاقة العالية. تعتبر أشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي المصنوعة من نتريد الغاليوم بالغة الأهمية في الإلكترونيات الحديثة، حيث تساهم في التقدم في العديد من التطبيقات عالية الأداء وعالية الطاقة.            

ديناميكيات سوق أشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي (RF) المصنوعة من نتريد الجاليوم (GaN)

السائقين 

• التطورات في تكنولوجيا الجيل الخامس

إن نشر شبكات الجيل الخامس يدفع بشكل كبير الطلب على مكونات التردد اللاسلكي عالية الأداء، مثل أشباه الموصلات المصنوعة من نتريد الجاليوم (GaN). تتطلب أنظمة الجيل الخامس مكونات التردد اللاسلكي التي يمكنها توفير كل من الطاقة العالية والكفاءة لتلبية معايير الأداء الصارمة الخاصة بها. إن أشباه الموصلات المصنوعة من نتريد الجاليوم مناسبة تمامًا لهذا الدور نظرًا لقدرتها على التعامل مع الترددات العالية ومستويات الطاقة، مما يجعلها ضرورية لتطوير ونشر البنية التحتية لشبكة الجيل الخامس . ومع استمرار توسع تقنية الجيل الخامس عالميًا، تنمو الحاجة إلى مكونات التردد اللاسلكي المتقدمة المصنوعة من نتريد الجاليوم، مما يغذي الطلب في السوق ويحفز المزيد من الابتكار في تقنيات أشباه الموصلات.

• النمو في الاتصالات عبر الأقمار الصناعية

إن النمو في مجال الاتصالات عبر الأقمار الصناعية هو المحرك الرئيسي للطلب المتزايد على مكونات التردد اللاسلكي عالية الكفاءة والطاقة، بما في ذلك أشباه الموصلات GaN. تعتمد أنظمة الاتصالات عبر الأقمار الصناعية على مكونات التردد اللاسلكي القوية لضمان عمليات موثوقة وعالية الأداء في البيئات الصعبة. توفر أشباه الموصلات GaN RF كثافة طاقة وكفاءة متفوقة، مما يجعلها مثالية للاستخدام في أنظمة الاتصالات عبر الأقمار الصناعية حيث يكون الأداء والموثوقية أمرًا بالغ الأهمية. ومع ارتفاع الطلب على قدرات الاتصالات عبر الأقمار الصناعية المتقدمة، من المتوقع أن تنمو الحاجة إلى مكونات GaN RF، مما يدفع إلى المزيد من التقدم والاستثمار في التكنولوجيا.

فرص

• تطوير أنظمة الرادار من الجيل القادم

إن التقدم في أنظمة الرادار من الجيل التالي، وخاصة في قطاعي الدفاع والفضاء الجوي، يمثل فرصة كبيرة لأشباه الموصلات GaN RF. تتطلب أنظمة الرادار هذه مكونات RF عالية الطاقة وعالية التردد لتقديم أداء وقدرات محسّنة. إن أشباه الموصلات GaN مناسبة تمامًا لتلبية هذه المتطلبات نظرًا لقدرتها على العمل بكفاءة عند مستويات طاقة وترددات عالية. ومع تطور تكنولوجيا الرادار ونمو الحاجة إلى أنظمة أكثر تقدمًا، ستلعب مكونات GaN RF دورًا حاسمًا في دفع الابتكار ونمو السوق في هذا القطاع.

• تطوير تقنيات GaN الجديدة

يوفر تطوير تقنيات GaN الجديدة فرصًا واعدة لتحسين الأداء وخفض التكاليف في سوق أشباه الموصلات GaN RF. يمكن أن تؤدي الابتكارات في مواد GaN وعمليات التصنيع إلى تحسينات في الكفاءة وكثافة الطاقة والأداء العام لمكونات GaN. يمكن أن تساعد هذه التطورات أيضًا في خفض تكاليف الإنتاج، مما يجعل أشباه الموصلات GaN RF أكثر سهولة في الوصول إليها وجذابة لمجموعة أوسع من التطبيقات. مع استمرار تطور التكنولوجيا، فإن البحث والتطوير المستمر في تقنيات GaN سيدفع نمو السوق ويوسع التطبيقات المحتملة لهذه الحلول المتقدمة لأشباه الموصلات.

القيود/التحديات

• تكاليف التصنيع المرتفعة

تساهم عملية التصنيع المعقدة لأشباه الموصلات GaN RF في ارتفاع تكاليف إنتاجها، مما قد يشكل عائقًا كبيرًا أمام تبني السوق. تؤدي التقنيات المعقدة المطلوبة لإنتاج مكونات GaN، جنبًا إلى جنب مع المعدات والمواد المتخصصة المشاركة، إلى ارتفاع التكاليف مقارنة بتقنيات أشباه الموصلات التقليدية. يمكن أن تكون هذه التكلفة المرتفعة صعبة بشكل خاص في الأسواق الحساسة للتكلفة حيث تحد القيود الميزانية من تبني حلول GaN RF المتقدمة.

• توفر محدود للمواد الخام

يشكل توافر المواد الخام، مثل الغاليوم، الذي يعد ضروريًا لإنتاج أشباه الموصلات GaN، تحديًا للسوق. الغاليوم عنصر نادر نسبيًا، وقد يؤثر توافره المحدود على سلاسل التوريد ويزيد من تكاليف إنتاج مكونات GaN RF. يمكن أن يؤدي هذا الندرة إلى تقلب الأسعار وقيود العرض، مما يؤثر على ديناميكيات السوق الإجمالية.

يقدم تقرير السوق هذا تفاصيل عن التطورات الحديثة الجديدة واللوائح التجارية وتحليل الاستيراد والتصدير وتحليل الإنتاج وتحسين سلسلة القيمة وحصة السوق وتأثير اللاعبين المحليين والمحليين في السوق وتحليل الفرص من حيث جيوب الإيرادات الناشئة والتغييرات في لوائح السوق وتحليل نمو السوق الاستراتيجي وحجم السوق ونمو سوق الفئات ومنافذ التطبيق والهيمنة وموافقات المنتجات وإطلاق المنتجات والتوسعات الجغرافية والابتكارات التكنولوجية في السوق. للحصول على مزيد من المعلومات حول السوق، اتصل بـ Data Bridge Market Research للحصول على موجز محلل، وسيساعدك فريقنا في اتخاذ قرار سوقي مستنير لتحقيق نمو السوق.

نطاق سوق أشباه الموصلات العالمية لترددات الراديو من نتريد الجاليوم (GaN)

يتم تقسيم السوق على أساس المواد والتطبيق والمستخدمين النهائيين. سيساعدك النمو بين هذه القطاعات على تحليل قطاعات النمو الضئيلة في الصناعات وتزويد المستخدمين بنظرة عامة قيمة على السوق ورؤى السوق لمساعدتهم على اتخاذ قرارات استراتيجية لتحديد تطبيقات السوق الأساسية.

مادة

• GaN-On-SiC
• GaN-على-السيليكون
• GaN-على-الماس

طلب

• البنية التحتية اللاسلكية
• تخزين الطاقة
• الاتصالات عبر الأقمار الصناعية
• عاكس الطاقة الشمسية
• آحرون

المستخدمون النهائيون

• الفضاء والدفاع
• تكنولوجيا المعلومات والاتصالات
• الالكترونيات الاستهلاكية
• السيارات
• آحرون

تحليل إقليمي لسوق أشباه الموصلات العالمية للترددات الراديوية المصنوعة من نتريد الجاليوم (GaN)

يتم تحليل السوق وتوفير رؤى حول حجم السوق واتجاهاته حسب البلد والمادة والتطبيق والمستخدمين النهائيين كما هو مذكور أعلاه.

الدول التي يغطيها السوق هي الولايات المتحدة وكندا والمكسيك وألمانيا وفرنسا والمملكة المتحدة وهولندا وسويسرا وبلجيكا وروسيا وإيطاليا وإسبانيا وتركيا وبقية أوروبا والصين واليابان والهند وكوريا الجنوبية وسنغافورة وماليزيا وأستراليا وتايلاند وإندونيسيا والفلبين وبقية دول آسيا والمحيط الهادئ والمملكة العربية السعودية والإمارات العربية المتحدة وجنوب أفريقيا ومصر وإسرائيل وبقية دول الشرق الأوسط وأفريقيا والبرازيل والأرجنتين وبقية دول أمريكا الجنوبية.

من المتوقع أن تهيمن أمريكا الشمالية على السوق بسبب الزيادة الكبيرة في استخدام أجهزة أشباه الموصلات في جميع أنحاء المنطقة. أدى وجود العديد من الصناعات عالية التقنية، بما في ذلك الاتصالات والدفاع والفضاء الجوي ، إلى تحفيز الطلب القوي على مكونات التردد اللاسلكي المتقدمة. تعمل البنية التحتية القوية في المنطقة، إلى جانب الاستثمارات الكبيرة في البحث والتطوير، على تعزيز بيئة ناضجة لتبني أشباه الموصلات الترددية اللاسلكية GaN والابتكار فيها.         

من المتوقع أن تكون منطقة آسيا والمحيط الهادئ هي الأسرع نموًا بسبب الانتشار المتزايد لشركات التصنيع في المنطقة. إن التصنيع السريع وتوسع قطاع تصنيع الإلكترونيات في دول مثل الصين واليابان وكوريا الجنوبية من العوامل الرئيسية التي تساهم في هذا النمو. تعتمد صناعات الإلكترونيات والاتصالات الناشئة في المنطقة بشكل متزايد على أشباه الموصلات RF GaN لتحسين أداء أنظمة RF الخاصة بها. 

يقدم قسم الدولة في التقرير أيضًا عوامل التأثير الفردية على السوق والتغييرات في التنظيم في السوق محليًا والتي تؤثر على الاتجاهات الحالية والمستقبلية للسوق. نقاط البيانات مثل تحليل سلسلة القيمة المصب والمصب، والاتجاهات الفنية وتحليل قوى بورتر الخمس، ودراسات الحالة هي بعض المؤشرات المستخدمة للتنبؤ بسيناريو السوق للدول الفردية. أيضًا، يتم النظر في وجود وتوافر العلامات التجارية العالمية والتحديات التي تواجهها بسبب المنافسة الكبيرة أو النادرة من العلامات التجارية المحلية والمحلية، وتأثير التعريفات الجمركية المحلية وطرق التجارة أثناء تقديم تحليل توقعات لبيانات الدولة.

حصة السوق العالمية لأشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي (RF) المصنوعة من نتريد الجاليوم (GaN)

يوفر المشهد التنافسي للسوق تفاصيل حسب المنافسين. وتشمل التفاصيل نظرة عامة على الشركة، والبيانات المالية للشركة، والإيرادات المولدة، وإمكانات السوق، والاستثمار في البحث والتطوير، ومبادرات السوق الجديدة، والحضور العالمي، ومواقع الإنتاج والمرافق، والقدرات الإنتاجية، ونقاط القوة والضعف في الشركة، وإطلاق المنتج، وعرض المنتج ونطاقه، وهيمنة التطبيق. وتتعلق نقاط البيانات المذكورة أعلاه فقط بتركيز الشركات فيما يتعلق بالسوق.

الشركات الرائدة في سوق أشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي (RF) المصنوعة من نتريد الجاليوم (GaN) والتي تعمل في السوق هي:

• شركة سوميتومو للصناعات الكهربائية المحدودة (اليابان)
• RTX (الولايات المتحدة)
• شركة إس تي ميكروإلكترونيكس (سويسرا)
• شركة ميتسوبيشي الكتريك (اليابان)
• شركة إنفينيون للتكنولوجيا (ألمانيا)
• شركة رينيساس للإلكترونيات (اليابان)
• شركة باناسونيك (اليابان)
• شركة مايكرو شيب تكنولوجي المحدودة (الولايات المتحدة)
• أثيركوم (الولايات المتحدة)
• شركة كورفو (الولايات المتحدة)
• شركة سكاي ووركس سوليوشنز (الولايات المتحدة)
• شركة WOLFSPEED, INC. (الولايات المتحدة)
• ماكوم (الولايات المتحدة)
• شركة NXP لأشباه الموصلات (هولندا)
• شركة RFHIC (كوريا الجنوبية)
• شركة إس تي ميكروإلكترونيكس (سويسرا)

أحدث التطورات في سوق أشباه الموصلات ذات التردد اللاسلكي (RF) المصنوعة من نتريد الجاليوم (GaN)

• في أبريل 2024، تعاونت شركة Transphorm، Inc.، وهي شركة رائدة في مجال تصنيع أشباه الموصلات الكهربائية GaN، مع شركة Weltrend Semiconductor Inc. لإطلاق نظامين جديدين من GaN System-in-Packages (SiPs). يدمج نظاما SiP الجديدان، المسمى WT7162RHUG24C وWT7162RHUG24B، وحدة التحكم Flyback PWM المتقدمة عالية التردد متعددة الأوضاع (QR/Valley Switching) من Weltrend مع ترانزفورم SuperGaN FETs بقوة 480 مللي أوم و150 مللي أوم، على التوالي
• في مارس 2024، قدمت شركة Efficient Power Conversion Corporation الترانزستور EPC2361، وهو ترانزستور تأثير المجال (FET) الثوري المصنوع من نتريد الغاليوم (GaN) مع أقل مقاومة تشغيل في السوق عند 100 فولت، بقياس 1 مΩ فقط. يعد هذا التقدم بمضاعفة كثافة الطاقة مقارنة بمنتجات EPC السابقة. يتميز الترانزستور EPC2361 بمقاومة تشغيل نموذجية تبلغ 1 مΩ وهو موجود في عبوة QFN معززة حرارياً مع سطح مكشوف، ويشغل مساحة صغيرة 3 مم × 5 مم

SKU-56367