Инфографика

13 апреля 2023 г.

Ожидается, что на мировом рынке силовых полупроводников SIC будет зарегистрирован здоровый среднегодовой темп роста в прогнозируемый период с 2023 по 2030 год.

Мировой рынок силовых полупроводников SiC, по типу (МОП-транзисторы, гибридные модули, диоды с барьером Шоттки (SBDS), IGBT, биполярный переходной транзистор (BJT), штыревой диод, соединительный полевой транзистор (JFET) и другие), диапазон напряжения (301–900 В, 901–1700 В) , выше 1701 В), размер пластины (6 дюймов, 4 дюйма, 2 дюйма, выше 6 дюймов), тип пластины (эпитаксиальные пластины SiC, пустые пластины SiC), применение (Электрические транспортные средства(электромобили), фотоэлектрические устройства, источники питания, промышленные приводы, инфраструктура зарядки электромобилей, радиочастотные устройства и другие), вертикальные (автомобилестроение, коммунальное хозяйство и энергетика, промышленность, транспорт, информационные технологии и телекоммуникации, бытовая электроника, аэрокосмическая и оборонная промышленность, коммерция и Другие) Тенденции отрасли и прогноз до 2030 года.

Доступ к полному отчету по адресуhttps://www.databridgemarketresearch.com/ru/reports/global-sic-power-semiconductor-market

SiC Power Semiconductor Market

Исследование рынка мостов передачи данных

Офис № 402, Аманора Чемберс, Магарпатта Роуд,

Хадапсар Пуна – 411028.

Электронная почта:sales@databridgemarketresearch.com

Блог @https://www.databridgemarketresearch.com/ru/news


ВЫБЕРИТЕ ТИП ЛИЦЕНЗИИ

  • 7000
  • 4800
  • 3000
  • 8000
  • 12000
Banner

Последняя инфографика

ПОСМОТРЕТЬ ВСЕ

Отзывы клиентов