Marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC, par type (MOSFETS, modules hybrides, diodes à barrière Schottky (SBDS), IGBT, transistor à jonction bipolaire (BJT), diode à broches, FET à jonction (JFET) et autres), plage de tension (301-900 V , 901-1 700 V, au-dessus de 1 701 V), taille de plaquette (6 pouces, 4 pouces, 2 pouces, au-dessus de 6 pouces), type de plaquette (plaquettes épitaxiales SiC, plaquettes SiC vierges), application (véhicules électriques (EV), photovoltaïque, Alimentations électriques, entraînements de moteurs industriels, infrastructure de recharge pour véhicules électriques, dispositifs RF et autres), secteur vertical (automobile, services publics et énergie, industrie, transport, informatique et télécommunications, électronique grand public, aérospatiale et défense, commercial et autres) Tendances et prévisions du secteur jusqu'en 2030.
Analyse et taille du marché des semi-conducteurs de puissance SiC
Les semi-conducteurs de puissance SiC sont les semi-conducteurs les plus répandus et sont considérés comme le meilleur choix pour l’électronique. Ces semi-conducteurs de puissance SiC sont utilisés dans les secteurs domestiques, commerciaux et industriels et dans divers autres domaines. Les semi-conducteurs de puissance SiC sont disponibles dans deux types de dispositifs, tels que les dispositifs discrets SiC et les puces nues SiC. En raison des progrès technologiques, la prévalence des dispositifs discrets SiC a augmenté plus rapidement. La propriété importante du semi-conducteur de puissance SiC réside dans ses propriétés de conductivité thermique élevées ainsi que diverses autres propriétés qui utilisent efficacement l'électricité. Les semi-conducteurs de puissance SiC sont utilisés dans les télécommunications, l'énergie et l'électricité, la production d'énergie renouvelable et plusieurs autres domaines. Les semi-conducteurs de puissance SiC sont utilisés dans l’électronique de puissance et gagnent en popularité auprès des particuliers. La demande de semi-conducteurs de puissance SiC sur le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC augmente à un rythme plus rapide. Pour cela, divers acteurs du marché lancent de nouveaux produits et forment un partenariat pour développer leurs activités sur le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC.
Data Bridge Market Research analyse que le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC devrait atteindre une valeur de 7 030 515,23 milliers de dollars d’ici 2030, avec un TCAC de 26,0 % au cours de la période de prévision. Le rapport sur le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC couvre également de manière exhaustive l’analyse des prix, l’analyse des brevets et les progrès technologiques.
|
Mesure du rapport |
Détails |
|
Période de prévision |
2023 à 2030 |
|
Année de référence |
2022 |
|
Années historiques |
2021 (personnalisable jusqu'en 2020-2016) |
|
Unités quantitatives |
Chiffre d'affaires en milliers d'USD, volumes en unités, prix en USD |
|
Segments couverts |
Par type (MOSFETS, modules hybrides, diodes à barrière Schottky (SBDS), IGBT, transistor à jonction bipolaire (BJT), diode à broches, FET à jonction (JFET) et autres), plage de tension (301-900 V, 901-1 700 V, Au-dessus de 1701 V), taille de plaquette (6 pouces, 4 pouces, 2 pouces, au-dessus de 6 pouces), type de plaquette (plaquettes épitaxiales SiC, plaquettes SiC vierges), application (véhicules électriques (EV), Photovoltaïque, alimentations électriques, entraînements de moteurs industriels, infrastructure de recharge pour véhicules électriques, appareils RF et autres), vertical (automobile, services publics et énergie, industrie, transports, informatique et télécommunications, Electronique grand public, Aérospatiale et Défense, Commercial et Autres). |
|
Régions couvertes |
États-Unis, Canada, Mexique, Allemagne, Royaume-Uni, Italie, France, Espagne, Suisse, Pays-Bas, Belgique, Russie, Turquie, Pologne, Suède, Danemark, Reste de l'Europe, Japon, Chine, Corée du Sud, Inde, Australie et Nouvelle-Zélande, Hong Kong, Taïwan, Singapour, Thaïlande, Indonésie, Malaisie, Philippines, Vietnam et reste de l'Asie-Pacifique, Afrique du Sud, Émirats arabes unis, Israël, Égypte, Qatar, Arabie saoudite, Koweït, reste du Moyen-Orient et de l'Afrique, Brésil , l'Argentine et le reste de l'Amérique du Sud. |
|
Acteurs du marché couverts |
WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics, ROHM CO., LTD., Fuji Electric Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated, Infineon Technologies AG, Semikron Danfoss, Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., Renesas Electronics Corporation , TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION, Microchip Technology Inc., Semiconductor Components Industries, LLC, NXP Semiconductors, UnitedSiC, SemiQ Inc., Littlefuse, Inc., Allegro MicroSystems, Inc., Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. Hitachi Group) et GeneSiC Semiconductor Inc., entre autres. |
Définition du marché
Le semi-conducteur de puissance SiC fait référence au type de semi-conducteur qui contient du carbone et du silicium et fonctionne à très haute tension et température. Les semi-conducteurs de puissance SiC peuvent être utilisés pour produire un matériau solide ou très dur. Les semi-conducteurs de puissance SiC peuvent être mis en œuvre dans divers secteurs tels que les télécommunications, l'énergie et l'électricité, l'automobile, la production d'énergie renouvelable et dans différents autres domaines. Ils sont essentiellement considérés en raison de leurs propriétés conductrices thermiques maximales plus élevées qui ont élargi le domaine d’application. Les semi-conducteurs de puissance SiC sont des dispositifs considérés comme des dispositifs de puissance haute fréquence principalement applicables aux communications sans fil. Le semi-conducteur SiC offre une intensité de champ de claquage diélectrique dix fois supérieure, une conductivité thermique trois fois supérieure et une bande interdite trois fois supérieure à celle d'un semi-conducteur en silicium. Le semi-conducteur SiC a conquis le marché en raison de ses hautes performances et de son efficacité. Le semi-conducteur de puissance SiC permet de fonctionner à haute tension et courant et offre une faible résistance à l'état passant en plus d'être efficace à haute température. La combinaison du carbure de silicium s’est donc avérée être un choix meilleur et optimal de semi-conducteur.
Dynamique du marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC
Cette section traite de la compréhension des moteurs du marché, des avantages, des opportunités, des contraintes et des défis. Tout cela est discuté en détail ci-dessous :
Conducteurs
- Avènement des semi-conducteurs de puissance SiC
Le SiC possède des propriétés très utiles en tant que matériau semi-conducteur. Dans des applications telles que les onduleurs, les entraînements de moteur et les chargeurs de batterie, les dispositifs en carbure de silicium (SiC) offrent de nombreux avantages, tels qu'une densité de puissance améliorée, des besoins de refroidissement réduits et un coût global réduit du système. Ces avantages sont suffisants pour fabriquer des semi-conducteurs de puissance SiC au stade de haut rendement.
L'énergie perdue par le SiC pendant la phase de récupération inverse ne représente que 1 % de l'énergie perdue par le silicium, ce qui crée une énorme différence dans l'efficacité du matériau. La quasi-absence de courant de queue permet une coupure plus rapide et entraîne des pertes moindres. Puisqu'il y a moins d'énergie à dissiper, un dispositif SiC est capable de commuter à des fréquences plus élevées et d'améliorer l'efficacité. La plus efficace, la petite taille et le poids inférieur du SiC par rapport à d'autres matériaux peuvent créer une solution de meilleure qualité ou une conception plus petite avec des besoins de refroidissement réduits. Ainsi, l’avènement des semi-conducteurs de puissance SiC est un facteur majeur qui devrait stimuler la croissance du marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC.
- Pénétration croissante des véhicules électroniques
Le monde évolue très vite et se tourne vers les énergies renouvelables. Tous les secteurs, acteurs du marché et instituts gouvernementaux se concentrent davantage sur la construction d’infrastructures pour véhicules électriques et génèrent davantage de demande pour les véhicules électriques.
Selon les informations de l'Agence internationale de l'énergie (AIE), 16,5 millions de voitures électriques étaient en circulation en 2021, soit un triplement en seulement trois ans, et c'est un chiffre important par rapport à 2020. Les ventes de voitures électriques ont augmenté et doublé en Chine, a continué d’augmenter en Europe et s’est accélérée aux États-Unis en 2021. Ces données montrent qu’il y a une augmentation considérable de la pénétration des véhicules électriques sur le marché, ce qui pourrait avoir un impact positif sur l’environnement ainsi que sur le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC. Le SiC est très efficace à haute tension, permettant des temps de charge rapides de la batterie comparables au remplissage du réservoir des véhicules conventionnels. L’électronique de puissance en carbure de silicium permet une montée en puissance des systèmes d’entraînement de 800 volts, ouvrant la voie à des véhicules électriques plus légers et offrant une plus grande autonomie.
Opportunité
- Partenariat stratégique et acquisition par les fabricants de SiC
Il existe diverses organisations et acteurs du marché qui créent des partenariats et des acquisitions stratégiques. Ce partenariat crée un impact positif énorme sur la croissance du marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC. Cette collaboration se traduit par une coopération, qui devient une voie à faible coût permettant aux nouveaux concurrents d'accéder à la technologie et au marché.
Une coentreprise implique deux ou plusieurs entreprises mettant en commun leurs ressources et leur expertise pour atteindre un objectif particulier. De nombreuses organisations collaborent les unes avec les autres et créent un impact positif sur la croissance du marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC.
Retenue/Défi
- Problèmes liés à la fabrication de plaquettes SiC
Une plaquette de SiC est un matériau semi-conducteur qui possède d'excellentes propriétés électriques et thermiques. Il s’agit d’un semi-conducteur hautes performances idéal pour une grande variété d’applications. Outre sa haute résistance thermique, il présente également une très grande dureté. Les fabricants de plaquettes SiC sont confrontés à de nombreux défis de fabrication. Les principaux défauts pouvant survenir lors de la fabrication des substrats SiC sont les défauts d’empilement cristallin, les micro-tuyaux, les piqûres, les rayures, les taches et les particules de surface. Ces facteurs affectent négativement les performances des dispositifs SiC qui ont été détectés plus fréquemment sur des tranches de 150 mm que sur des tranches de 100 mm. En effet, le SiC est le troisième matériau composite le plus dur au monde et est également très fragile, et sa production pose des défis complexes liés au temps de cycle, au coût et aux performances de découpage. Il est vrai que même le passage aux tranches de 200 mm entraînera des problèmes importants. En effet, il faudra garantir la même qualité du substrat, face à une densité de défauts forcément plus élevée.
Impact post-COVID-19 sur le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC
L’industrie des semi-conducteurs de puissance SiC a noté une diminution progressive de la demande en raison du confinement et des lois gouvernementales liées au COVID-19, les installations de fabrication et les services étant fermés. Même le développement privé et public a été annulé. Par ailleurs, l’industrie a également été touchée par l’arrêt de la chaîne d’approvisionnement, notamment des matières premières utilisées dans le processus de fabrication des semi-conducteurs de puissance SiC. Les réglementations gouvernementales strictes pour différentes industries et les restrictions sur le commerce et le transport ont été parmi les principaux facteurs qui ont freiné la croissance du marché des semi-conducteurs de puissance SiC dans le monde en 2020 et au cours des deux premiers trimestres de 2021. La production de semi-conducteurs a ralenti en raison des restrictions imposées par les gouvernements du monde entier, la production n'a pas répondu à la demande au cours des trois premiers trimestres de 2020. De plus, la demande/le besoin élevés de produits semi-conducteurs de puissance SiC dans l'industrie automobile et de la défense, dans le secteur médical secteur et dans les applications hydrauliques. La reprise de la production de l’industrie pétrolière et gazière et de l’automobile ; a encore alimenté la demande croissante de semi-conducteurs de puissance SiC à travers le monde. Ainsi, cela a non seulement entraîné une augmentation de la demande, mais également une augmentation du coût du produit.
DEVELOPPEMENTS récents
- En décembre 2022, STMicroelectronics et Soitec (Euronext Paris), dans le domaine de la conception et de la fabrication de matériaux semi-conducteurs innovants, ont annoncé la prochaine étape de leur coopération sur les substrats en Carbure de Silicium (SiC), avec la qualification de la technologie de substrat SiC de Soitec par ST prévue au cours des 18 prochaines années. mois. L'objectif de cette coopération est l'adoption par ST de la technologie SmartSiC de Soitec pour sa future fabrication de substrats de 200 mm, alimentant ainsi son activité de fabrication de dispositifs et de modules, avec une production en volume attendue à moyen terme. Cette collaboration aidera l'entreprise à améliorer ses finances ainsi que la croissance du marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC.
- En juillet 2022, Semikron Danfoss et la société ROHM Semiconductor, basée à Kyoto, collaborent depuis plus de dix ans sur l'implémentation du carbure de silicium (SiC) dans les modules de puissance. Récemment, la dernière 4e génération de MOSFET SiC de ROHM a été entièrement qualifiée dans les modules eMPack de SEMIKRON pour une utilisation automobile. Ainsi, les deux sociétés répondent aux besoins de clients du monde entier. Cette collaboration a amélioré les finances de l'entreprise et a eu un impact positif sur la croissance du marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC.
Portée du marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC
Le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC est segmenté en fonction du type, de la plage de tension, de la taille de la tranche, du type de tranche, de l’application et de la verticale. La croissance de ces segments vous aidera à analyser les segments de croissance maigres dans les secteurs et à fournir aux utilisateurs un aperçu précieux du marché et des informations sur le marché pour les aider à prendre des décisions stratégiques pour identifier les applications principales du marché.
Par type
- MOSFETS
- Modules hybrides
- Diodes à barrière Schottky (SBDS)
- IGBT
- Transistor à jonction bipolaire (BJT)
- Diode à broches
- FET de jonction (JFET)
- Autres
Sur la base du type, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC est segmenté en MOSFETS, modules hybrides, diodes à barrière Schottky (SBDS), IGBT, transistor à jonction bipolaire (BJT), diode à broches, FET à jonction (JFET) et autres.
Par plage de tension
- 301-900 V
- 901-1 700 V
- Au dessus de 1701 V
Sur la base de la plage de tension, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC est segmenté en 301-900 V, 901-1 700 V et au-dessus de 1 701 V.
Par taille de plaquette
- 6 pouces
- 4 pouces
- 2 pouces
- Au-dessus de 6 pouces
Sur la base de la taille des plaquettes, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC est segmenté en 6 pouces, 4 pouces, 2 pouces et au-dessus de 6 pouces.
Par type de plaquette
- Plaquettes épitaxiales SiC
- Plaquettes de SiC vierges
Sur la base du type de tranche, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC est segmenté en tranches épitaxiales SiC et en tranches SiC vierges.
Par candidature
- Véhicules électriques (VE)
- Photovoltaïque
- Alimentations
- Entraînements de moteurs industriels
- Infrastructure de recharge pour véhicules électriques
- Appareils RF
- Autres
Sur la base de l’application, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance sic est segmenté en véhicules électriques (VE), photovoltaïques, alimentations électriques, entraînements de moteurs industriels, infrastructures de recharge de véhicules électriques, dispositifs RF et autres.
Par verticale
- Automobile
- Utilitaires et énergie
- Industriel
- Transport
- Informatique et télécommunications
- Electronique grand public
- Aéronautique et défense
- Commercial
- Autres
Sur la base de la verticale, le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC est segmenté en automobile, services publics et énergie, industrie, transports, informatique et télécommunications, électronique grand public, aérospatiale et défense, commercial et autres.
Analyse/perspectives régionales du marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC
Le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC est analysé et des informations et tendances sur la taille du marché sont fournies par région, type, plage de tension, taille de tranche, type de tranche, application et vertical, comme indiqué ci-dessus.
Les pays couverts dans le rapport sur le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC sont les États-Unis, le Canada, le Mexique, l’Allemagne, le Royaume-Uni, l’Italie, la France, l’Espagne, la Suisse, les Pays-Bas, la Belgique, la Russie, la Turquie, la Pologne, la Suède, le Danemark, le reste de l’Europe, le Japon, Chine, Corée du Sud, Inde, Australie et Nouvelle-Zélande, Hong Kong, Taïwan, Singapour, Thaïlande, Indonésie, Malaisie, Philippines, Vietnam et reste de l'Asie-Pacifique, Afrique du Sud, Émirats arabes unis, Israël, Égypte, Qatar, Arabie saoudite , Koweït, reste du Moyen-Orient et Afrique, Brésil, Argentine et reste de l'Amérique du Sud.
En 2023, la région Asie-Pacifique devrait dominer le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC en raison de la forte demande de semi-conducteurs de puissance SiC. De plus, la forte demande de modules de puissance et de dispositifs associés devrait constituer un facteur moteur de la croissance du marché.
La section régionale du rapport fournit également des facteurs individuels ayant un impact sur le marché et des changements dans la réglementation du marché qui ont un impact sur les tendances actuelles et futures du marché. Les points de données tels que l'analyse de la chaîne de valeur en aval et en amont, les tendances techniques et l'analyse des cinq forces du porteur, les études de cas sont quelques-uns des indicateurs utilisés pour prévoir le scénario de marché pour chaque pays. En outre, la présence et la disponibilité des marques mondiales et les défis auxquels elles sont confrontées en raison de la concurrence forte ou rare des marques locales et nationales, de l'impact des tarifs nationaux et des routes commerciales sont pris en compte tout en fournissant une analyse prévisionnelle des données régionales.
Paysage concurrentiel et analyse de la part de marché mondiale de Semi-conducteurs de puissance SiC
Le paysage concurrentiel du marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC fournit des détails sur le concurrent. Les détails inclus sont un aperçu de l'entreprise, les données financières de l'entreprise, les revenus générés, le potentiel du marché, les investissements dans la recherche et le développement, les nouvelles initiatives de marché, la présence mondiale, les sites et installations de production, les capacités de production, les forces et les faiblesses de l'entreprise, le lancement du produit, la largeur et l'étendue du produit, et domination des applications. Les points de données ci-dessus fournis sont uniquement liés à l’orientation des entreprises concernant le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC.
Certains des principaux acteurs opérant sur le marché mondial des semi-conducteurs de puissance SiC sont WOLFSPEED, INC., STMicroelectronics, ROHM CO., LTD., Fuji Electric Co., Ltd., Mitsubishi Electric Corporation, Texas Instruments Incorporated, Infineon Technologies AG, Semikron Danfoss. , Xiamen Powerway Advanced Material Co., Ltd., Renesas Electronics Corporation, TOSHIBA ELECTRONIC DEVICES & STORAGE CORPORATION, Microchip Technology Inc., Semiconductor Components Industries, LLC, NXP Semiconductors, UnitedSiC, SemiQ Inc., Littlefuse, Inc., Allegro MicroSystems, Inc., Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. (une filiale du groupe Hitachi) et GeneSiC Semiconductor Inc., entre autres.
SKU-
