Infografik

13. April 2023

Der globale Markt für SIC-Leistungshalbleiter wird im Prognosezeitraum von 2023 bis 2030 voraussichtlich eine gesunde CAGR verzeichnen

Globaler Markt für SiC-Leistungshalbleiter, Nach Typ (MOSFETS, Hybridmodule, Schottky-Dioden (SBDS), IGBT, Bipolar Junction Transistor (BJT), Pin-Diode, Junction FET (JFET) und andere), Spannungsbereich (301-900 V, 901-1700 V, über 1701 V), Wafergröße (6 Zoll, 4 Zoll, 2 Zoll, über 6 Zoll), Wafertyp (SiC-Epitaxie-Wafer, leere SiC-Wafer), Anwendung (Elektrische Fahrzeuge(EV), Photovoltaik, Stromversorgung, industrielle Motorantriebe, EV-Ladeinfrastruktur, HF-Geräte und andere), Vertikal (Automobilindustrie, Versorgungsunternehmen und Energie, Industrie, Transport, IT und Telekommunikation, Unterhaltungselektronik, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung, Gewerbe und andere) Branchentrends und Prognose bis 2030.

Den vollständigen Bericht finden Sie unterhttps://www.databridgemarketresearch.com/de/reports/global-sic-power-semiconductor-market

SiC Power Semiconductor Market

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