如今，科学和发现正在取得巨大进步，现在科学家正在寻找解决问题的最先进方法。一个研究小组成功开发了世界上最小的高性能磁隧道结。这对于新兴技术以及物联网、人工智能和汽车等各种应用来说是一项伟大的发明。这个小组来自东北大学，科学家和实验室助理都尽了最大的努力来实现这一伟大的发明。这样做的好处是，随着 STT-MRAM 非易失性自旋电子存储器的发展，它降低了半导体器件不断增加的功耗。它是为了提高数据保留和写入操作而制造的。将 STT-MRAM 集成到用于扩展的先进集成电路中非常重要，它是改进许多事物的核心组件。频率的变化也可以通过此工具进行监控和控制。数据保留也非常重要，因为如果您错过了什么，从云端提取数据会很有帮助。
这也是几年前同一团队提出的，他们在 2018 年引入了形状各向异性，但可能存在一些缺陷，或者它不是它的更新版本。它表明 MTJ 可以缩小到个位数纳米，同时实现足够的数据稳定性。在这种形状各向异性的 MTJ 中，稳定热效率的过程是通过标记一些被称为铁磁层的层来完成的，它们非常厚。一旦厚度水平超出边界，它就无法很好地标记，也不会被当局接受，因为它可能会导致一些缺陷，并可能损害或遗漏数据，并且无法用于保留能量。
这种最小版本的 MTJ 非常可靠，因为热稳定性非常高，因此数据可以非常轻松地保留。为了解决这个问题，传统形状的单一铁磁结构采用了各向同性 MTJ。该小组采用了一种借助静磁多层铁磁体的新型结构。生产的 MTJ 直径成功达到 2.3 纳米，这是一项非常具有挑战性的任务，但科学家以某种方式保持了热效率，成功制造了它。他们还构建了这个附加功能，可以展示高保留数据，并且可以抵抗高达 200 度的高温以及低至 1v 以下 10ns 的高速和低压写入操作，在个位数纳米处。测试性能证明，如果在其中安装进一步的未来创新和电路，这项工作将很有用。
