요즘 과학과 발견은 큰 발전을 이루고 있으며 이제 과학자들은 솔루션을 해결하는 가장 진보된 방법을 찾고 있습니다. 한 연구 그룹이 세계에서 가장 작은 고성능 자기 터널 접합을 성공적으로 개발했습니다. 이는 신흥 기술은 물론 IOT, AI, 자동차와 같은 다양한 애플리케이션을 위한 훌륭한 발명품입니다. 이 그룹은 도호쿠 대학 출신으로, 과학자와 연구실 조교가 모두 이 위대한 발명품을 탄생시키기 위해 노력했습니다. 이것의 이점은 STT-MRAM 비휘발성 스핀트로닉 메모리의 개발로 반도체 장치의 증가하는 전력 소비를 줄이는 것입니다. 데이터 보존 및 쓰기 작업을 개선하기 위해 만들어졌습니다. 스케일링에 사용되는 고급 집적회로에 STT-MRAM을 통합하는 것은 매우 중요하며 많은 것을 개선하는 핵심 구성 요소입니다. 이 도구를 통해 주파수 변화를 모니터링하고 제어할 수도 있습니다. 데이터 보존도 매우 중요합니다. 뭔가를 놓친 경우 클라우드에서 데이터를 추출하는 것이 도움이 되기 때문입니다.
이것은 또한 몇 년 전에 같은 그룹에 의해 제안되었으며 2018년에 모양 이방성을 도입했지만 몇 가지 결함이 있을 수 있거나 업데이트된 버전이 아닙니다. 이는 MTJ가 충분한 데이터 안정성을 달성하면서 한 자릿수 나노미터로 축소된다는 것을 보여줍니다. 이 형상 이방성 MTJ에서 열효율을 안정화하는 과정은 강자성층으로 알려진 몇 개의 층을 표시하여 수행되었으며 그 층은 매우 두껍습니다. 두께가 한계를 벗어나면 표시가 제대로 되지 않고, 일부 결함이 발생할 수 있고 데이터에 해를 끼치거나 누락될 수 있으며 에너지 유지에 유용하지 않기 때문에 당국에서 승인하지 않았습니다.
이 가장 작은 MTJ 버전은 열 안정성이 매우 높아 데이터를 매우 쉽게 보관할 수 있기 때문에 신뢰성이 매우 높습니다. 이러한 단일 강자성 구조가 기존 형태로 갖는 문제를 해결하기 위해 등방성 MTJ가 사용되었습니다. 이 그룹은 정자기적으로 다층화된 강자성체의 도움을 받는 새로운 형태의 구조를 사용했습니다. 생산된 MTJ는 직경 2.3nm로 성공적으로 제작되었으며 이는 매우 어려운 작업이었지만 어떻게든 열 효율을 유지하는 과학자들이 이를 성공적으로 만들었습니다. 그들은 또한 높은 보존 데이터를 표시할 수 있는 이 추가 기능을 구축했으며, 한 자릿수 나노미터에서 최대 200도까지 견딜 수 있고 고속 및 저전압 쓰기 작업을 1V 미만에서 10ns까지 견딜 수 있습니다. 테스트된 성능은 향후 추가 혁신과 회로가 설치될 경우 해당 작업이 유용할 수 있음을 입증했습니다.
