最近、科学と発見は飛躍的な進歩を遂げており、現在科学者は解決策を解決するための最も先進的な方法を見つけています。研究グループは、世界最小の高性能磁気トンネル接合の開発に成功した。これは、新興テクノロジーだけでなく、IOT、AI、自動車などのさまざまなアプリケーションにとっても素晴らしい発明です。このグループは東北大学からのもので、科学者と研究助手全員がこの偉大な発明を世に出すために全力を尽くしました。この利点は、STT-MRAM 不揮発性スピントロニクス メモリの開発により、半導体デバイスの消費電力の増加が削減されることです。データ保持と書き込み動作を改善するために作られています。スケーリングに使用される高度な集積回路に STT-MRAM を統合することは非常に重要であり、多くのことを改善するための中心的なコンポーネントです。このツールを通じて、周波数の変動を監視したり制御したりすることもできます。何かを見逃した場合にクラウドからデータを抽出すると役立つため、データの保持も非常に重要です。
これも数年前に同じグループによって提案され、2018 年に形状異方性が導入されましたが、いくつかの欠陥があるか、その更新バージョンではない可能性があります。これは、MTJ が十分なデータ安定性を達成しながら 1 桁ナノメートルまでスケールダウンしていることを示しています。この形状異方性 MTJ では、熱効率を安定させるプロセスは、強磁性層として知られる非常に厚いいくつかの層をマークすることによって行われます。厚さのレベルが境界を超えると、それは適切にマークされず、当局によって受け入れられませんでした。これは、何らかの欠陥が発生する可能性があり、データに損害を与えたり省略したりする可能性があり、エネルギーを保持するのに役に立たないためです。
この最小バージョンの MTJ は、熱安定性が非常に高いため、データを非常に簡単に保持できるため、非常に信頼性が高くなります。この単一の強磁性構造を従来の形状に持つ問題に対処するために、等方性 MTJ が使用されます。このグループは、静磁気的に多層化された強磁性体の助けを借りた新しい形式の構造を採用しました。製造された MTJ は直径 2.3 nm まで構築することに成功しました。これは非常に困難な作業でしたが、科学者がなんとか熱効率を維持してそれを作成することに成功しました。彼らはまた、高いデータ保持を示すこの追加機能を構築し、最大 200 度、および 1 桁ナノメートルで 1 V 未満 10ns までの高速および低電圧書き込み動作に耐えることができます。テストされたパフォーマンスは、将来のさらなる革新と回路がそれに組み込まれる場合に、この作品が役立つ可能性があることを証明しました。
